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Die
vorliegende Erfindung bezieht sich auf das Testen von Halbleiterbausteinen
bei festgelegten Temperaturen.
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Bei
bekannten Testsystemen wird ein zu testender Halbleiterbaustein
in einer Halteeinrichtung aufgenommen und dort elektrisch und mechanisch mit
dem Testsystem gekoppelt. Das Testsystem legt die erforderlichen
Versorgungssignale zum Betrieb des Halbleiterbausteins an denselben
an. Ferner erzeugt das Testsystem vorbestimmte Testsignale (Testpattern),
die an die Eingänge
des Halbleiterbausteins (Chip) angelegt werden. An den Ausgängen des
Halbleiterbausteins erfasst das Testsystem die Ausgangssignale und überprüft diese,
wodurch eine Funktionalität
des Halbleiterbaussteins getestet werden kann.
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In
einigen Situationen ist es jedoch erforderlich weitergehende Informationen
von dem Halbleiterbaustein zu erhalten, die nicht über den
Ausgang des Halbleiterbausteins abgreifbar sind, wie z.B. bestimmte
Signalverläufe
auf Leitungen oder an Knoten im Inneren des Halbleiterbausteins.
Diese Untersuchungen sind z.B. bei der Fehleranalyse erforderlich.
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Solche
Fehleranalysen werden bei gehäusten
Halbleiterbausteinen dadurch durchgeführt, dass das Gehäuse desselben
geöffnet
wird und die Stelle(n) des Halbleiterbausteins, an dem die Signale
gemessen werden sollen, geeignet präpariert wird (werden). Typischerweise
wird zur Messung der Signale eine oder mehrere Messspitzen verwendet,
deren Ausrichtung bezüglich
des Halbleiterbausteins unter einem Mikroskop justiert wird. Typischerweise
befindet sich der Halbleiterbaustein dabei auf einem Sockel, der
auf einer Halteplatte, z.B. einem DIB (DIB = Device Interface Board
= Elementschnittstellenplatine, auch als Loadboard bezeichnet),
angeordnet ist. Hierbei handelt es sich um eine mehrlagige Platine, die
mechanisch sehr stabil (Verwindung) und für einen großen Temperaturbereich ausgelegt
ist. Auf dieser Platine ist der Sockel zur Aufnahme des Halbleiterbausteins
angebracht, und durch die Platine (DIB, Loadboard) wird der elektrische
Kontakt zum Testsystem hergestellt. Die Platine ist beim Testen
auf dem Testkopf einer Testvorrichtung.
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Bei
einer Fehleranalyse treten jedoch viele Fehler nur in einem bestimmten
Temperaturbereich auf, so dass ein zu untersuchender Halbleiterbaustein
während
einer Messung zum Erkennen von Fehlern oftmals auf einer vorbestimmten
konstanten Temperatur gehalten werden muss. Herkömmlich wird ein Einstellen
einer Temperatur von Halbleiterbausteinen dadurch erreicht, dass
der Halbleiterbaustein mit einem heißen bzw. kalten Luftstrom beaufschlagt
wird, wobei der Luftstrom von der Oberseite zugeführt wird,
an der die Messspitzen das Halbleiterbauelement kontaktieren sollen.
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Für Wafer
wird bekannterweise ein Testen mit Messspitzen unter Einstellung
einer variablen Temperatur durchgeführt, wo bei die Wafer auf einer Haltevorrichtung
(einem sogenannten Chuck) für Wafer
angebracht sind. Da diese Haltevorrichtungen speziell zum Halten
der flachen Wafern ausgebildet sind, kann eine derartige Vorrichtung
nicht verwendet werden, um Halbleiterbausteine, die bereits mit
einem Gehäuse
versehen sind, mit Messspitzen auf die oben beschriebene Art zu
testen. Insbesondere ist keine Funktionsanalyse möglich, da
kein Anschluss an ein Testsystem, wie es oben beschrieben wurde,
möglich
ist.
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Die
US 5 359 285 beschreibt
eine Vorrichtung zum Durchführen
von Tests an Halbleiter-Bauelementen bei höheren Betriebstemperaturen.
Die Vorrichtung umfasst eine Testkammer, in der eine Mehrzahl von
Einbrennplatten parallel zueinander angeordnet sind. Die Einbrennplatten
weisen jeweils mehrere Sockel zum Befestigen eines Halbleiter-Bauteils
auf. Die Vorrichtung umfasst ferner Luftdüsen, die an einem Gehäusekörper der
Testkammer befestigt sind und sich durch denselben erstrecken. Zur
Einstellung einer Temperatur ist ein Lüfter mit einer Heizvorrichtung
vorgesehen, um einen Luftstrom in die Testkammer zu ermöglichen.
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Die
US 5 859 540 offenbart eine
Konstant-Temperatur-Kammer zum Erwärmen von zu messenden Halbleiter-Bauelementen
auf eine vorbestimmte Temperatur. Die Konstant-Temperatur-Kammer
umfasst einen Drehtisch, der eine Perforationsplatte aufweist, die
eine Mehrzahl von Öffnungen
umfasst. Ein Lüfter
ist unterhalb des Drehtisches angeordnet, um einen Luftstrom zu
erzeugen, der durch die Öffnungen
geleitet wird, um eine integrierte Schaltung, die auf einem Wechsel-Bausatz
des Drehtisches angeordnet ist, auf eine vorbestimmte Temperatur
zu erwärmen.
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Die
US 4 115 736 offenbart eine
Prüfstation, die
einen Tieftemperaturbehälter
aufweist, in dem Flüssigkeiten
mit tiefen Temperaturen aufbewahrt werden. Die Prüfstation
umfasst Stäbe,
die sich in dem Tieftemperaturbehälter erstrecken und mit einem
oberen Abschnitt des Behälters
verbunden sind. Auf dem oberen Abschnitt ist ein Prüfstück angeordnet,
so dass Wärme
von dem Prüfstück über den oberen
Abschnitt abgeführt
wird.
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Die
US 3 979 671 zeigt eine
Testvorrichtung zum Testen von Bauelementen. Die Vorrichtung umfasst
eine Vakuum-Stiftspitze,
auf deren oberen Oberfläche
ein Chip angeordnet ist. Ein Wasserstrom, der nach dem Abschalten
eines Vakuums in Kanälen
fließt,
füllt Hohlräume zwischen
den Oberflächen
des Chips und der Vakuum-Stiftspitze, um einen guten thermischen
Kontakt zu ermöglichen.
Die Wärme
des Chips wird über
die Vakuum-Stiftspitze und einen in der Stift-Spitze angeordneten
Stab zu einer Wärmesenke
abgeführt,
die mittels eines Wasserstroms gekühlt wird.
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Die
US 5 345 170 zeigt eine
Prüfstation
mit einem Prüfelement
zum Kontaktieren von Wafern und anderen Testbauelementen, die auf
einer Chuck-Anordnung befestigt sind. Mittels eines Gehäuses, das
einen oberen Gehäuseabschnitt
und einen unteren Gehäuseabschnitt
umfasst, wird ein elektromagnetischer Schutz bereitgestellt, wobei
auf dem oberen Gehäuseabschnitt
ein achteckiges Gehäuse
angeordnet ist, so dass Prüfpositionierer
in dasselbe eindringen können.
Das achteckige Gehäuse
umfasst auf einer oberen Seite eine Öffnung mit einem Fenster, das
mit einem verschiebbaren Schließelement
versehen ist.
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Die
US 5 086 269 beschreibt
eine Vorrichtung zur Durchführung
eines Burn-in-Prozesses an einem Halbleiterbaustein, wobei es ein
solcher Prozess erfordert, dass die Temperatur an dem Halbleiterbaustein
auf einen vorbestimmten Wert eingestellt ist. Eine integrierte Schaltung
wird auf einem Chipverbinder aufgenommen, der seinerseits durch
eine Testplatine gehalten ist. Die Testplatine umfasst ebenso wie
der Chipverbinder eine Öffnung,
durch die sich von unten ein massives Bauteil hindurch erstreckt,
um Wärme
zu dem integrierten Bauelement zu leiten
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Die
US 4 845 426 betrifft ein
Testsystem zum elektrischen Testen von integrierten Schaltungen
bei verschiedenen Temperaturen. Das System ist vorgesehen, um bei
verschiedenen Temperaturen Messungen durchzuführen. Für den Fall, dass viele gleiche
Bauelemente zu testen sind, ist eine Sondenplatine vorgesehen, die
Sonden umfasst, die an der Unterseite desselben befestigt sind,
um erwünschte
Bereiche der zu testenden Elemente zu kontaktieren. Auf der dem
zu testenden Element abgewandten Oberfläche der Platine ist eine kreisringförmige Düse angeordnet,
die zwei kreisringförmige
Auslassöffnungen
aufweist. Die erste Auslassöffnung
ist vorgesehen, um ein trockenes Gas von vorbestimmter Temperatur
auf die zu testende Schaltung zu richten, und die zweite Öffnung ist
vorgesehen, um einen wärmeren
Strom austreten zu lassen, um ein Beschlagen des Mikroskops zu vermeiden.
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Die
Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, eine verbesserte
Vorrichtung zum Einstellen der Temperatur an einem Halbleiterbaustein beim
Testen desselben zu schaffen, so dass beim Testen des Halbleiterbausteins,
der über
einen Sockel mit einem Testsystem verbunden ist, gleichzeitig ein
Zugriff auf eine geöffnete
Vorderseite des Halbleiterbausteins über Messspitzen bei einer festgelegten Temperatur
möglich
ist.
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Diese
Aufgabe wird durch eine Vorrichtung gemäß Anspruch 1 gelöst.
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Der
Vorteil der vorliegenden Erfindung besteht darin, dass ein Testen
eines Halbleiterbausteins mit geöffnetem
Gehäuse
bei einer festgelegten Temperatur unter Verwendung eines Mikroskops
oder Messspitzen durchgeführt
werden kann, ohne dass die im Stand der Technik erwähnten Probleme
mit der Tempera turveränderung
auftreten, da gemäß der vorliegenden
Erfindung die Möglichkeit
besteht, den Halbleitebaustein kontinuierlich auf einer vorbestimmten
Temperatur während
der Messung zu halten.
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Die
vorliegende Erfindung weist eine kreisförmige Einrichtung mit einem
etwa in der Mitte angeordneten Sockel zum Aufnehmen eines Halbleiterbausteins
auf. Es existieren technische Lösungen, bei
denen mehrere Sockel auf einem DIB-Board gehalten sind. Als Wärmeleiteinrichtung
sind Düsen vorgesehen,
die äquidistant
um den Mittelpunkt der Halteeinrichtung angeordnet sind. Mittels
der Düsen, die
sich ausgehend von einer zweiten Oberfläche, die dem Testsystem zugewandte
Rückseite
des DIB-Boards,
zu einer ersten Oberfläche,
die dem Testsystem abgewandte Vorderseite des DIB-Boards, und über die
erste Oberfläche
hinaus erstrecken, wird ein Luftstrom mit einer einstellbaren Temperatur
und Intensität
seitlich zu dem Sockel geleitet.
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Zusätzlich kann
in dem Bereich des Sockels eine Ausnehmung vorgesehen sein, um Wärme entweder
durch Zuführung
eines Luftstroms oder durch Vorsehen eines massiven Wärmeleiters
aus einem wärmeleitenden
Material zu dem zu testenden Halbleiterbaustein in dem Sockel zu
transportieren oder von demselben weg zu transportieren.
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Bevorzugte
Weiterbildungen der vorliegenden Erfindung sind in den Unteransprüchen dargelegt.
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Bevorzugte
Ausführungsbeispiele
der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend bezugnehmend auf die
beiliegenden Zeichnungen näher
erläutert.
Es zeigen:
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1 eine
Draufsicht einer erfindungsgemäßen Vorrichtung,
die Düsen
zum Leiten eines Luftstroms aufweist;
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2 einen
seitlichen Querschnitt der Vorrichtung aus 1;
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3 einen
seitlichen Querschnitt eines Beispiels eines Testkopfs mit einer
Ausnehmung; und
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4 einen
seitlichen Querschnitt eines weiteren Beispiels eines Testkopfs
mit einer Ausnehmung und einem Wärmeleiter.
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1 zeigt
ein erstes bevorzugtes Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung. Eine Halteplatte (DIB-Board) 10 mit
einer kreisförmigen
flachen Form umfasst acht Öffnungen 12,
die mit einem Kreisdurchmesser von etwa 4 bis 6 cm äquidistant von
dem Mittelpunkt der Halteplatte 10 angeordnet sind und
sich von einer ersten Oberfläche 14 (Vorderseite)
zu einer zweiten Oberfläche 16 (Rückseite)
der Halteplatte 10 (DIB-Board) erstrecken. Der Durchmesser
der Öffnungen
beträgt
bei diesem Ausführungsbeispiel
etwa 30 mm bis 35 mm. Die Halteplatte 10 weist Befestigungseinrichtungen
(nicht gezeigt) auf, um an einem Testkopf angebracht zu werden. Die
Halteplatte 10 weist ferner einen Sockel 18 auf, der
mit einer Rückseite
an der ersten Oberfläche 14 in
dem Bereich des Mittelpunkts der Halteplatte 10 angeordnet
ist.
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Der
Sockel 18 weist eine rechteckförmige Form auf (z.B. 5 cm × 5 cm)
und ist ausgebildet, einen Halbleiterbaustein mit Gehäuse, bei
dem typischerweise ein Teil des Gehäuses zum Durchführen von
Tests entfernt ist, mittels bekannter Vorrichtungen (nicht gezeigt)
aufzunehmen. Vorzugsweise wird der Halbleiterbaustein mit einer
Rückseite
im Sockel 18 befestigt, so dass die geöffnete Vorderseite für Untersuchungen
frei zugänglich
ist. Über
den Sockel ist der Halbleiterbaustein mechanisch und elektrisch mit
dem Testsystem gekoppelt, das die erforderlichen Versorgungssignale
zum Betrieb des Halbleiterbausteins an denselben anlegt, vorbestimmte
Testsignale an die Eingänge
des Halbleiterbausteins anlegt und abhängig von den an den Ausgängen des
Halbleiterbausteins erfassten Ausgangssignalen eine Funktionalität des Halbleiterbaussteins
testet, wie die oben beschrieben wurde.
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Wie
in 2 dargestellt ist, sind in den Öffnungen 12 der
Halteplatte 10 die Leitungen 19 angeordnet, die
sich ausgehend von der zweiten Oberfläche 16 (Rückseite)
der Halteplatte 10 zu der ersten Oberfläche 14 (Vorderseite
oder Oberseite) der Halteplatte 10 und über dieselbe hinaus erstrecken.
In dem Bereich jenseits der ersten Oberfläche sind die Düsen um einen
Winkel von 90° abgewinkelt,
so dass ein erstes Ende derselben in radialer Richtung auf den Sockel 18 weist.
Die Leitungen 19 sind mit Düsen 20 abgeschlossen,
die einen Durchmesser von etwa 2,5 bis 5 mm haben.
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Auf
der Halteplatte 10 ist ferner eine Abdeckung 22,
die die Form eines Zylinders aufweist, angeordnet, wobei dieselbe
eine Öffnung 24 aufweist, um
ein Mikroskopieren und ein Einsetzen von Messspitzen zu ermöglichen.
Vorzugsweise ist die Abdeckung 22 ausgebildet, um von der
Halteplatte 10 abgenommen werden zu können. Ferner ist die Abdeckung 22 derart
ausgebildet, dass die Öffnung 24 für die Messspitzen
verschiebbar ist, um einen Durchmesser derselben variabel zu halten
oder wahlweise zu schließen.
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In 2 ist
schematisch das Testsystem 26 gezeigt. Durch eine Öffnung 28,
die beim dem in 2 beispielhaft gezeigten Testsystem
vorhanden ist, sind die Leitungen 19 z.B. über Schläuche 30 mit einer
Einrichtung 32 zum Erzeugen des Luftstroms und zum Einstellen
der Temperatur des Luftstroms verbunden.
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Zur
Einstellung einer Temperatur eines auf dem Sockel 18 angeordneten
Halbleiterbausteins wird ein Luftstrom über die Luftstromleitungen
des Testkopfs zu den Düsen 20 geleitet, die
den Luftstrom in einer radialen Richtung zu dem Sockel 18 bzw.
zu dem im Sockel 18 angebrachten Halbleiterbaustein leiten.
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Die
Einrichtung 32 steuert die Temperatur des Luftstroms durch
geeignete Wärmeerzeugungs- oder
Wärmeabführvorrichtungen,
wie beispielsweise eines Heizwiderstands oder eines Wärmetauschers, um
dem Halbleiterbaustein Wärme
zuzuführen
oder von demselben abzuführen.
Ferner ist zum Einstellen einer zugeführten oder abgeführten Wärmemenge die
Intensität
des Luftstroms, beispielsweise durch eine Steuerung eines Ventilators,
regelbar.
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Das
Einstellen und Konstanthalten einer vorbestimmten Temperatur für den Halbleiterbaustein wird
erreicht, indem die Temperatur an dem Halbleiterbaustein, beispielsweise
mit einem Thermoelement, gemessen wird. Die Einrichtung 32 (Temperatursteuerung)
führt unter
Verwendung der an dem Halbleiterbaustein gemessenen Temperatur die Steuerung
der Lufttemperatur und der Intensität des Luftstroms durch, so
dass sich an dem zu untersuchenden Halbleiterbaustein eine konstante
vorbestimmte Temperatur ergibt.
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Die
auf der Halteplatte 10 angebrachte zylindrische Abdeckung 22 bewirkt,
dass der zugeführte Luftstrom
möglichst
effizient Wärme
zu dem Sockel 18 bzw. dem Halbleiterbaustein leitet oder
von demselben wegleitet, indem ein ungewollter Wärmeaustausch mit einer den
Halbleiterbaustein umgebenden Luft im wesentlichen auf den Bereich,
der von der Abdeckung 22 umschlossen wird, begrenzt ist
und dadurch Wärmeverluste
vermieden werden. Darüber
hinaus verbessert die Abdeckung 22 durch den effizienten
Wärmeaustausch
ein Konstanthalten der Temperatur des Halbleiterbausteins, indem
ein Regeln der Temperatur mit einer besseren Ansprechzeit erreicht
wird.
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Indem
die Düsen 20 zum
Zuführen
des Luftstroms so ausgebildet sind, dass sie einen Zugriff auf eine
geöffnete
Oberseite des in dem Sockel 18 angeordneten Halbleiterbaustein
nicht behin dern, wird ermöglicht,
das bei einem Testen vorbestimmte Temperaturen bei dem Halbleiterbaustein
eingestellt und gleichzeitig bei einem auf dem Sockel 18 angebrachten
Halbleiterbaustein Bereiche, die einem Test unterzogen werden sollen,
unter Verwendung von Messspitzen und/oder eines Mikroskops untersucht werden
können.
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3 zeigt
ein Beispiel eines Testkopfs mit einer Ausnehmung. Bei diesem Beispiel
ist auf der Halteplatte 10 zwischen dem Sockel 18 und
der Halteplatte 10 eine Aufnahme 34 ausgebildet,
wobei der Sockel 18 durch einen Steckkontakt an der Aufnahme 34 lösbar befestigt
ist. Die Aufnahme ist vorzugsweise ein sogenanntes Reticle. Dies
ist eine kleine Platine, die zwischen dem Sockel und dem DIB-Board
vorgesehen sein kann. In der Platine sind für jeden Anschlussstift (Pin)
des Sockels Stiftleisten angeordnet, die den Kontakt zwischen Sockelpin
und DIB-Board herstellen. Vorteilhaft bei der Montage einer Aufnahme
(Receptacle) ist, dass der Sockel weiterhin steckbar bleibt und
bei Defekten leicht ausgetauscht werden kann. In einem Bereich der
Mitte der Halteplatte 10 ist in der Halteplatte 10 und
der Aufnahme 34 eine Öffnung 36 gebildet
(vorzugsweise quadratisch).
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Bei
diesem Beispiel wird durch eine Leitung (nicht gezeigt), die ähnlich zu 2 in
einer Öffnung des
Testkopfes verlegt ist, ein Luftstrom in die Öffnung 36 geführt. Der
Luftstrom bewirkt, dass an der Rückseite
des Sockels 18 ein Wärmeaustausch
stattfindet, so dass Wärme
zu dem Sockel 18 geleitet oder von demselben weggeleitet
wird. Dabei wird ein mit der Rückseite
an dem Sockel 18 angebrachter Halbleiterbaustein durch
den Luftstrom abgekühlt bzw.
erwärmt.
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Die
Regelung der Temperatur des Halbleiterbausteins wird durch ein Erfassen
der Temperatur desselben, z.B. durch ein Thermoelement am Baustein,
und ein geeignetes Steuern des Luftstroms durchgeführt. Ferner
ist ebenso eine Abdeckung 22 vorgesehen, um den Sockel 18 zu
umschließen.
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4 zeigt
ein weiteres Beispiel eines Testkopfs mit einer Ausnehmung und einem
Wärmeleiter, das
zum Erreichen von tiefen Temperaturen an dem Halbleiterbaustein
geeignet ist. Das Beispiel gemäß 4 weist
einen Aufbau wie das in 3 gezeigte Beispiel auf, wobei
jedoch in die Öffnung 36 ein
massiver Block 38 aus einem wärmeleitfähigen Material, wie beispielsweise
Kupfer, zum Transportieren von Wärme
eingebracht ist. Vorzugsweise berührt der Kupferblock 38 die
Rückseite
des Sockels 18, um einen guten Wärmekontakt zu demselben zu
ermöglichen.
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Der
Kupferblock 38 erstreckt sich ferner unterhalb der zweiten
Oberfläche 14 der
Halteplatte 10 in ein Gefäß zum Aufnehmen von Flüssigkeiten
mit einer tiefen Temperatur, das beispielsweise ein DEWAR-Gefäß 40 umfassen
kann. Das DEWAR-Gefäß 40 ist
in der Öffnung 28 des
Testkopfs 26 angeordnet und ferner mit einer Flüssigkeit
mit tiefer Temperatur, wie beispielsweise flüssigem Stickstoff, gefüllt, die vorzugsweise
in direktem Kontakt mit einem Ende des Kupferblocks 38 steht.
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Auch
bei dem in 4 gezeigten Beispiel ist eine
Abdeckung 22 vorgesehen, die den Sockel 18 umschließt.
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Bei
diesem Beispiel wird durch den Block 38 Wärme von
der Rückseite
des Sockels 18 bzw. von der Rückseite des Halbleiterbausteins
weggeleitet und der Flüssigkeit,
die sich in dem DEWAR-Gefäß 40 befindet,
zugeführt.
Durch das Ableiten der Wärme
des Halbleiterbausteins über
den massiven Kupferblock 38 in das DEWAR-Gefäß 40 können unter Verwendung
von flüssigem
Stickstoff als Kälteflüssigkeit
in dem DEWRR-Gefäß 40 bei
diesem Beispiel Temperaturen von etwa –20°C bis –40°C am Halbleiterbaustein erreicht
werden. Obwohl sich über
ungewollte Wärmeleitungen
und Wärmestrahlungen
thermi sche Verluste ergeben, die ein Verdampfen des in dem DEWAR-Gefäß 40 untergebrachten
flüssigen Stickstoff
beschleunigen und die am Halbleiterbaustein erreichbaren Temperaturen
einschränken,
lassen sich mit diesem Aufbau Temperaturbereiche von –20°C bis –40°C für einige
Stunden aufrecht erhalten.
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Bei
einem weiteren Ausführungsbeispiel
ist zur Einstellung einer Temperatur zusätzlich zu den Düsen 20 gemäß 1 und 2 der
Kupferblock 38 als Wärmeleiteinrichtung
vorgesehen. Die Düsen 20 sind
mit Leitungen verbunden, die in dem Testkopf 34 angeordnet
sind. Dabei werden die Leitungen bzw. Düsen 20 verwendet,
um durch den Luftstrom Wärme
zu dem Halbleiterbaustein zu leiten, während der Kupferblock 38 verwendet
wird, um Wärme
von dem Halbleiterbaustein wegzuleiten.
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Bei
einem alternativen Ausführungsbeispiel ist
an dem Kupferblock 38 eine Heizvorrichtung, wie beispielsweise
ein Heizwiderstand, zum Erzeugen von Wärme vorgesehen, wobei die erzeugte
Wärme über den
Kupferblock 38 zu dem Halbleiterbaustein zugeführt wird.
Das Steuern der Temperatur erfolgt wie bei den vorhergehenden Ausführungsbeispielen über ein
Erfassen der Temperatur des Halbleiterbausteins.
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Bei
weiteren Ausführungsbeispiel
können anstelle
des mit einer Flüssigkeit
gefüllten
DEWAR-Gefässes 40 andere
Wärmesenken,
wie beispielsweise elektrische Kühleinrichtungen,
an dem Ende des Kupferblocks 38 vorgesehen sein.
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Bei
einem weiteren Ausführungsbeispiel,
bei dem der Sockel 18 steckbar auf der Aufnahme 34 befestigt
ist, ist der Sockel 18 durch das Vorsehen einer Aussparung
in dem Sockel 18 ausgebildet, um PBGA-Gehäuse (PGA
= Plastic Ball Grid Array) oder SBGA-Gehäuse (SPGA = Super Ball Grid
Array) derart aufzunehmen, dass die thermischen Bälle einen direkten
Kontakt mit dem Kupferblock 38 aufweisen. Die Anordnung
der thermischen Bälle
in direktem Kontakt mit dem Kupferblock verbessert die Effizienz der
Wärmeübertragung
auf den Halbleiterbaustein und ermöglicht eine Erweiterung des
Test-Temperaturbereichs.
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Für TQFP-Gehäuse (TQFP
= Thin Quad Flat Pack = Dünn-Quadrat-Flach-Packung) kann
dieser Kontakt durch die Verwendung einer Wärmeleitpaste zwischen dem Gehäuse des
Halbleiterbausteins und dem Kupferblock 38 erreicht werden.
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- 10
- DIB-Board
- 12
- Öffnungen
- 14
- erste
Oberfläche
- 16
- zweite
Oberfläche
- 18
- Sockel
- 19
- Leitung
- 20
- Düse
- 22
- Abdeckung
- 24
- Öffnung der
Abdeckung 22
- 26
- Testsystem
- 28
- Öffnung in
dem Testsystem 26
- 30
- Schläuche
- 32
- Temperatursteuerung
- 34
- Aufnahme
- 36
- Öffnung in
dem DIB-Board
- 38
- Kupferblock
- 40
- DEWAR-Gefäß