KR960002873A - 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

감압 화학 증착에 의해 한 기판상에 비결정 실리콘 막을 포함하는 반도체 장치로, 선택적으로 도입된 금속성 원소를 포함하는 영역의 주변에서 상기 기판의 표면과 나란하게 결정 성장을 실시하여 얻은 결정 실리콘막을 사용하여 박막 트랜지스터가 제공되고, 상기 영역은 비결정 실리콘막의 결정화를 가속화시킬 수 있는 금속성 원소를 선택적으로 제공하여 얻어지며, 후에 그 영역이 가열되는 것을 특징으로 한다.

Description

박막 트랜지스터 및 그 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 장치의 평면도.
제2A도 내지 제2D도는 본 발명의 제1 실시예에 따른 제조방법을 도시한 횡단면도.

Claims (33)

  1. LPCVD에 의해기판 전체에 비결정 길리콘막을 형성하는 단계; 상기 실리콘막의 일부에 금속원소를 선택적으로 도입하는 단계; 상기 실리콘막의 일부로부터 상기 기판의표면과 나란한 방행으로 주변 영역까지 결정체가 성장되도록 상기 실리콘막을 가열하는 단계를 구비하는 공정으로 형성된, 상기 주변 영역을 이요하는 결정 실리콘막을 갖는 박막 트랜지스터.
  2. 제1항에 있어서, 상기 트랜지스터의 캐리어 진행 방향은 상기 결정체의 결정 상장 방향과 나란한 박막 트랜지스터.
  3. 제1항에 있어서, 상기 트랜지스터의 캐리어 진행 방향은 상기 결정체의 결정 상장 방향과 수직인 박막 트랜지스터.
  4. 제1항에 있어서, 상기 비결정 실리콘막의 결정 핵 형성의 가능성은 2x108cm-3s-1또는 보다 작은 박막 트랜지스터.
  5. 제2항에 있어서, 상기 비결정 실리콘막의 결정 핵 형성의 가능성은 2x108cm-3s-1또는 보다 작은 박막 트랜지스터.
  6. 제3항에 있어서, 상기 비결정 실리콘막의 결정 핵 형성의 가능성은 2x108cm-3s-1또는 보다 작은 박막 트랜지스터.
  7. 제1항에 있어서, 상기 비결정 실리콘막에 포함된 산소 농도는 5x1018cm-3인 박막 트랜지스터.
  8. 제2항에 있어서, 상기 비결정 실리콘막에 포함된 산소 농도는 5x1018cm-3인 박막 트랜지스터.
  9. 제3항에 있어서, 상기 비결정 실리콘막에 포함된 산소 농도는 5x1018cm-3인 박막 트랜지스터.
  10. 제1항에 있어서, 상기 금속 원소는 Ni, Co,Pd 및 Pt로 구성된 그룹으로부터 최소한 하나가 선택되는 박막 트랜지스터.
  11. 제2항에 있어서, 상기 금속 원소는 Ni, Co,Pd 및 Pt로 구성된 그룹으로부터 최소한 하나가 선택되는 박막 트랜지스터.
  12. 제3항에 있어서, 상기 금속 원소는 Ni, Co,Pd 및 Pt로 구성된 그룹으로부터 최소한 하나가 선택되는 박막 트랜지스터.
  13. 박막 트랜지스터 제조 방법에 있어서, 한 기판상에 LPCVD에 의해 비결정 실리콘막을형성하는단계; 상기 선택된 부분과 인접한 상기 실리콘의 영역에서 상기 기판의 표면과 나란한 방향으로 결정체가 성장하도록 상기 막을 결정화하기 위해 상기 금속 원소가 제공된 상기 비결정 실리콘막을 가열하는 단계; 상기 선택된 부분과 인접한 상기 실리콘의 영역에서 상기 기판의표면과 나란한 방향으로 결정체가 성장하도록 상기 막을 결정화하기 위해 상기 금속 원소가 제공된 상기 비결정 실리콘막을 가열하는 단계; 기판의 표면과 나란하게 결정체가 성장하도록 실리콘막의 상기 영역을 이요하여 박막 트랜지스터를 형성하는 단계를 포함하는 박막 트랜지스터 제조 방법.
  14. 제 13항에 있어서, 상기 박막 트랜지스터라는 상기 트랜지스터의 캐리어 진행 방향이 상기 결정체의 결정 성장 방향과 나란하게 되도록 배열된 박막 트랜지스터 제조 방법.
  15. 제 13항에 있어서, 상기 박막 트랜지스터라는 상기 트랜지스터의 캐리어 진행 방향이 상기 결정체의 결정 성장 방향과 수직이 되도록 배열된 박막 트랜지스터 제조 방법.
  16. 제13항에 있어서, 상기 비결정 실리콘막은 480℃또는 낮은 온도로 LPCVD에 대해 형성되는 박막 트랜지스터 제조 방법.
  17. 제14항에 있어서, 상기 비결정 실리콘막은 480℃또는 낮은 온도로 LPCVD에 대해 형성되는 박막 트랜지스터 제조 방법.
  18. 제15항에 있어서, 상기 비결정 실리콘막은 480℃또는 낮은 온도로 LPCVD에 대해 형성되는 박막 트랜지스터 제조 방법.
  19. 제13항에 있어서, 상기 비결정 실리콘막은 10Å/min 또는 보다 높은 증착속도로 형성되는 박막 트랜지스터 제조 방법.
  20. 제14항에 있어서, 상기 비결정 실리콘막은 10Å/min 또는 보다 높은 증착속도로 형성되는 박막 트랜지스터 제조 방법.
  21. 제15항에 있어서, 상기 비결정 실리콘막은 10Å/min 또는 보다 높은 증착속도로 형성되는 박막 트랜지스터 제조 방법.
  22. 제13항에 있어서, 상기 비결정 실리콘막을 형성하는 데 이용된 전조 기체는 공식 SinH2n+2(n≥2)으로 표시된 실란을 포함하는 박막 트랜지스터 제조 방법.
  23. 제14항에 있어서, 상기 비결정 실리콘막을 형성하는 데 이용된 전조 기체는 공식 SinH2n+2(n≥2)으로 표시된 실란을 포함하는 박막 트랜지스터 제조 방법.
  24. 제15항에 있어서, 상기 비결정 실리콘막을 형성하는 데 이용된 전조 기체는 공식 SinH2n+2(n≥2)으로 표시된 실란을 포함하는 박막 트랜지스터 제조 방법.
  25. 제13항에 있어서, 상기 비결정 실리콘막을 형성하기 이전에 8x10-3Pa 또는 보다 낮은 압력으로 반응 챔버를 진공 상태로 형성하는 단계를 더 포함하는 박막 트랜지스터 제조 방법.
  26. 제14항에 있어서, 상기 비결정 실리콘막을 형성하기 이전에 8x10-3Pa 또는 보다 낮은 압력으로 반응 챔버를 진공 상태로 형성하는 단계를 더 포함하는 박막 트랜지스터 제조 방법.
  27. 제15항에 있어서, 상기 비결정 실리콘막을 형성하기 이전에 8x10-3Pa 또는 보다 낮은 압력으로 반응 챔버를 진공 상태로 형성하는 단계를 더 포함하는 박막 트랜지스터 제조 방법.
  28. 제13항에 있어서, 불활성 기체를 한 챔버에 도입한 후에 그 챔버에 실란 기체를 도입하는 단계를 더 포함하고, 상기 챔버에 상기 비결정 실리콘막이 형성되는 박막 트랜지스터 제조 방법.
  29. 제14항에 있어서, 불활성 기체를 한 챔버에 도입한 후에 그 챔버에 실란 기체를 도입하는 단계를 더 포함하고, 상기 챔버에 상기 비결정 실리콘막이 형성되는 박막 트랜지스터 제조 방법.
  30. 제15항에 있어서, 불활성 기체를 한 챔버에 도입한 후에 그 챔버에 실란 기체를 도입하는 단계를 더 포함하고, 상기 챔버에 상기 비결정 실리콘막이 형성되는 박막 트랜지스터 제조 방법.
  31. 제13항에 있어서, 상기 금속 원소는 Ni, Co, Pd 및 Pt를 포함하는 구룹으로부터 선택되는 박막 트랜지스터 제조 방법.
  32. 제14항에 있어서, 상기 금속 원소는 Ni, Co, Pd 및 Pt를 포함하는 구룹으로부터 선택되는 박막 트랜지스터 제조 방법.
  33. 제15항에 있어서, 상기 금속 원소는 Ni, Co, Pd 및 Pt를 포함하는 구룹으로부터 선택되는 박막 트랜지스터 제조 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내요에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950016313A 1994-06-15 1995-06-15 박막트랜지스터및그제조방법 KR100437296B1 (ko)

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