KR950034799A - 마스크 롬 제조 방법 - Google Patents

마스크 롬 제조 방법

Info

Publication number
KR950034799A
KR950034799A KR1019940011979A KR19940011979A KR950034799A KR 950034799 A KR950034799 A KR 950034799A KR 1019940011979 A KR1019940011979 A KR 1019940011979A KR 19940011979 A KR19940011979 A KR 19940011979A KR 950034799 A KR950034799 A KR 950034799A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
conductive film
exposed
mask rom
predetermined portion
film
Prior art date
Application number
KR1019940011979A
Other languages
English (en)
Other versions
KR0122756B1 (ko
Inventor
정승운
김형덕
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김주용, 현대전자산업 주식회사 filed Critical 김주용
Priority to KR1019940011979A priority Critical patent/KR0122756B1/ko
Publication of KR950034799A publication Critical patent/KR950034799A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR0122756B1 publication Critical patent/KR0122756B1/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274Photolithographic processes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

[목적][구성] 1.전도막(34)의 소정 부위를 식각하여 이 부위에 롬 코드를 형성하는 마스크 롬 제조방법에 있어서, 상기 전도막(34)상에 산화 방지막(39)을 형성하는 단계; 롬 코드를 형성할 상기 산화 방지막(39)의 예정된 부위를 선택 제거한 후 노출된 상기 전도막(34)의 전체 두께중 일부 두께를 제거하는 단계; 상기 노출 부위의 잔류 전도막을 산화(34')시키는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 마스크 롬 제조방법.

Description

마스크 롬 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 일실시예에 따른 부분산화를 이용하는 마스크 롬의 단면도.

Claims (3)

  1. 전도막(34)의 소정 부위를 식각하여 이 부위에 롬 코드를 형성하는 마스크 롬 제조 방법에 있어서, 상기 전도막(34)상에 산화 방지막(39)을 형성하는 단계; 롬 코드를 형성할 상기 산화 방지막(39)의 예정된 부위를 선택 제거한후 노출된 상기 전도막(34)의 전체 두께중 일부 두께를 제거하는 단계; 상기 노출 부위의 잔류 전도막을 산화(34')시키는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 마스크 롬 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 전도막(34)은 1000Å내지 1500Å두께중에서 어느 하나의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 마스크 롬 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 노출된 상기 전도막(34)의 전체 두께중 일부 두께를 제거하는 단계는 전도막(34)은 500Å내지 1000Å두께중에서 어느 하나의 두께인 것을 특징으로 하는 마스크 롬 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940011979A 1994-05-30 1994-05-30 마스크 롬 제조방법 KR0122756B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019940011979A KR0122756B1 (ko) 1994-05-30 1994-05-30 마스크 롬 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019940011979A KR0122756B1 (ko) 1994-05-30 1994-05-30 마스크 롬 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR950034799A true KR950034799A (ko) 1995-12-28
KR0122756B1 KR0122756B1 (ko) 1997-11-12

Family

ID=19384194

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019940011979A KR0122756B1 (ko) 1994-05-30 1994-05-30 마스크 롬 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR0122756B1 (ko)

Also Published As

Publication number Publication date
KR0122756B1 (ko) 1997-11-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR970030682A (ko) 반도체장치 및 그 제조방법
KR910008821A (ko) 반도체장치의 제조방법
KR940001266A (ko) 메탈 마스크 공정시 광반사 감소방법
KR920022559A (ko) 반도체 소자 제조방법 및 이에 따라 제조된 반도체 소자
KR880010478A (ko) 집적회로용 기판의 제조방법
KR950034799A (ko) 마스크 롬 제조 방법
KR920015470A (ko) 반도체 장치 및 반도체 장치용 절연 막 제조방법
KR940015695A (ko) 반도체 소자의 패턴형성방법
KR960026351A (ko) 스페이서절연층 형성방법
KR930003254A (ko) 반도체 장치의 금속배선 방법
KR970003518A (ko) 반도체 소자의 접촉창 형성 방법
KR970052723A (ko) 반도체 소자 제조 방법
KR960026290A (ko) 플라즈마 건식식각 방법
KR970016801A (ko) 양호한 포토레지스트 패턴을 얻을 수 있는 사진 묘화 공정
KR950021767A (ko) 랜딩 패드를 갖는 전계 효과 트랜지스터(Field effect transistor with landing pad)
KR970024300A (ko) 섀도우 마스크를 이용한 박막 트랜지스터 제조공정
KR970054532A (ko) 반도체소자의 소자분리막 제조방법
KR920013609A (ko) 규소기판의 접착방법
KR950025864A (ko) 포토마스크 제작방법
KR960035877A (ko) 게이트전극 형성방법
KR930011227A (ko) 롬 제조방법
KR900000989A (ko) 반도체 콘텍트 제조방법
KR900004896A (ko) 임시 접착재의 그 제조 방법
KR920015430A (ko) P/r을 이용한 차별 식각방법
KR910020833A (ko) 옥사이드 마스크에 의한 드라이 에칭 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20050822

Year of fee payment: 9

LAPS Lapse due to unpaid annual fee