KR920015430A - P/r을 이용한 차별 식각방법 - Google Patents

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KR920015430A
KR920015430A KR1019910000467A KR910000467A KR920015430A KR 920015430 A KR920015430 A KR 920015430A KR 1019910000467 A KR1019910000467 A KR 1019910000467A KR 910000467 A KR910000467 A KR 910000467A KR 920015430 A KR920015430 A KR 920015430A
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etch
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thickness
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KR1019910000467A
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정원영
Original Assignee
문정환
금성일렉트론 주식회사
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내용 없음

Description

P/R을 이용한 차별 식각방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도의 (a)~(j)는 본 발명에 P/R을 이용한 차별 식각방법 공정도.

Claims (1)

  1. P/R을 이용한 식각방법에 있어서, P/R두께를 이용하여 P/R코팅을 하고, 소프트 베이크를 실행한 후 스테퍼의 포우즈를 맨위층(B)에 포우징하여 익스포즈시키고 노말 콘디션의 포스트 익스포즈 베이크를 한 후 두께가 1.7~1.9㎛내외가 되도록 디베로프를 실시하고, 노말 콘디션의 하디베이크를 하고, 산화막을 식각하기 위해 습식공정을 실시하고, epi를 식각하기 위해 RIE로 측면을 식각하여, P/R을 스트립하여 상부 0.9㎛만 식각되고, 그 이외의 부분은 원상태대로 남도록 식각하는 방법을 특징으로 하는 을 이용한 차별 식각방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910000467A 1991-01-14 1991-01-14 P/r을 이용한 차별 식각방법 KR920015430A (ko)

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