KR920015430A - P/r을 이용한 차별 식각방법 - Google Patents
P/r을 이용한 차별 식각방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR920015430A KR920015430A KR1019910000467A KR910000467A KR920015430A KR 920015430 A KR920015430 A KR 920015430A KR 1019910000467 A KR1019910000467 A KR 1019910000467A KR 910000467 A KR910000467 A KR 910000467A KR 920015430 A KR920015430 A KR 920015430A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- etching method
- etch
- bake
- differential etching
- thickness
- Prior art date
Links
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도의 (a)~(j)는 본 발명에 P/R을 이용한 차별 식각방법 공정도.
Claims (1)
- P/R을 이용한 식각방법에 있어서, P/R두께를 이용하여 P/R코팅을 하고, 소프트 베이크를 실행한 후 스테퍼의 포우즈를 맨위층(B)에 포우징하여 익스포즈시키고 노말 콘디션의 포스트 익스포즈 베이크를 한 후 두께가 1.7~1.9㎛내외가 되도록 디베로프를 실시하고, 노말 콘디션의 하디베이크를 하고, 산화막을 식각하기 위해 습식공정을 실시하고, epi를 식각하기 위해 RIE로 측면을 식각하여, P/R을 스트립하여 상부 0.9㎛만 식각되고, 그 이외의 부분은 원상태대로 남도록 식각하는 방법을 특징으로 하는 을 이용한 차별 식각방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019910000467A KR920015430A (ko) | 1991-01-14 | 1991-01-14 | P/r을 이용한 차별 식각방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019910000467A KR920015430A (ko) | 1991-01-14 | 1991-01-14 | P/r을 이용한 차별 식각방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR920015430A true KR920015430A (ko) | 1992-08-26 |
Family
ID=67396473
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019910000467A KR920015430A (ko) | 1991-01-14 | 1991-01-14 | P/r을 이용한 차별 식각방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR920015430A (ko) |
-
1991
- 1991-01-14 KR KR1019910000467A patent/KR920015430A/ko not_active Application Discontinuation
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3587829D1 (de) | Verfahren zur herstellung von untereinander selbstalignierten gräben unter verwendung einer maske. | |
EP0784216A3 (en) | Method of manufacturing an optical device with a groove accurately formed | |
KR920015430A (ko) | P/r을 이용한 차별 식각방법 | |
JPS6468932A (en) | Dry etching | |
KR980006032A (ko) | 반도체 소자의 격리영역 형성방법 | |
EP0837510A3 (en) | Field effect transistor and manufacturing method thereof | |
KR970017208A (ko) | 박막 자기 헤드의 하부 자성층 패턴 형성 방법 | |
KR910005402A (ko) | 포토리지스트와 기판과의 부착성 향상방법 | |
KR930014885A (ko) | 반도체 장치의 소자분리방법 | |
KR970008475A (ko) | 반도체 소자 격리영역 형성방법 | |
KR920001248A (ko) | O₂/He 플라즈마를 이용한 실리레이티드 포토레지스트(silylated photoresist)의 RIE 건식현상공정 | |
KR950015575A (ko) | 감광막패턴의 형성방법 | |
JPS55130140A (en) | Fabricating method of semiconductor device | |
KR950001407A (ko) | 반도체 소자의 레지스트 패턴 형성방법 | |
KR880701400A (ko) | 집적 회로 장치의 제조방법 | |
KR920010917A (ko) | 트랜치를 이용한 스택커패시터의 제조방법 | |
KR900007078A (ko) | 금속산화 반도체 소자의 격리산화막 형성방법 | |
KR970030643A (ko) | 반도체소자의 소자분리막 형성방법 | |
KR950021365A (ko) | 반도체 장치의 소자분리막 제조방법 | |
KR940016470A (ko) | 경사면을 갖는 콘택홀 형성방법 | |
KR940010199A (ko) | 반도체장치의 역 콘택 제조방법 | |
KR910020833A (ko) | 옥사이드 마스크에 의한 드라이 에칭 방법 | |
KR900002429A (ko) | 반도체 소자의 트렌치 모서리각 제거방법 | |
KR910019153A (ko) | 반도체장치의 계면활성 습식식각방법 | |
KR970052189A (ko) | 반도체 소자의 필드 산화막 형성방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E601 | Decision to refuse application |