KR900002429A - 반도체 소자의 트렌치 모서리각 제거방법 - Google Patents

반도체 소자의 트렌치 모서리각 제거방법 Download PDF

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KR900002429A KR1019880008949A KR880008949A KR900002429A KR 900002429 A KR900002429 A KR 900002429A KR 1019880008949 A KR1019880008949 A KR 1019880008949A KR 880008949 A KR880008949 A KR 880008949A KR 900002429 A KR900002429 A KR 900002429A
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Abstract

내용 없음.

Description

반도체 소자의 트랜치 모서리각 제거방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1a도는 종래의 제조방법에 따라 제조된 트랜치부분의 수직 단면도.
제1b도는 종래의 트랜치 모서리 부분의 확대 단면도.
제2도는 본 발명을 설명하기 위한 각 공정별 수직단면도.

Claims (2)

  1. 반도체 소자의 트랜치 형성방법에 있어서, 실리콘기판위에 얇은 열산화막과 질화막과 침적산화막을 차례로 형성하고 트랜치가 형성될 부분을 한정하는 제1공정과, 상기 한정된 부분의 질화막과 침적산화막을 식각하는 제2공정과, 노출된 얇은 열산화막을 열산화시켜 두꺼운 열산화막을 형성하는 제3(A)공정과, 두꺼운 열산화막과 실리콘기판을 차례로 식각하여 완만한 모서리의 트랜치를 형성하고 기판상부의 침적산화막, 질화막, 얇은 열산화막을 모두 제거하는 제4공정과로 되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 트랜치 모서리각 제거방법.
  2. 반도체 소자의 트랜치 형성방법에 있어서, 실리콘기판위에 얇은 열산화막과 질화막과 침적산화막을 차례로 형성하고 트래치가 형성될 부분을 한정하는 제1공정과, 상기 한정된 부분의 침적산화막과 질화막과 얇은 열산화막을 식각하는 제2공정과, 노출된 실리콘기판면을 식각하여 테이퍼를 내는 제3(B)공정과, 상기 질화막을 마스크로 실리콘기판을 식각하여 완만한 모서리의 트랜치를 형성하고 기판상부의 침적산화막, 질화막, 얇은 산화막을 모두 제거하는 제4공정과로 되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 트랜치 모서리각 제거방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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