KR910005402A - 포토리지스트와 기판과의 부착성 향상방법 - Google Patents
포토리지스트와 기판과의 부착성 향상방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR910005402A KR910005402A KR1019890012561A KR890012561A KR910005402A KR 910005402 A KR910005402 A KR 910005402A KR 1019890012561 A KR1019890012561 A KR 1019890012561A KR 890012561 A KR890012561 A KR 890012561A KR 910005402 A KR910005402 A KR 910005402A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- substrate
- photoresist
- improve adhesion
- reticle
- bake
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 title claims 2
- 239000013557 residual solvent Substances 0.000 claims 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제조 공정도.
Claims (1)
- 웨이퍼 기판(1)에 P/R 도포후 산화막(2)에 정상적으로 P/R(3)을 도포하여 소프트 베이크를 실시하므로 이 P/R(3)내에 존재하는 솔벤트를 제거하고 특정 패턴 형성을 위해 지정 레티클(4) 사용후 하드 베이크를 실시하여 P/R내에 잔유하는 솔벤트를 제거하는 통상의 공정후 상기의 레티클(4) 사용없이 전면 노광을 실시하므로 습식 식각 공정시 P/R의 들뜸현상을 방지할 수 있게함을 특징으로 하는 포토리지스트와 기판과의 부착성 향상방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019890012561A KR0130386B1 (ko) | 1989-08-31 | 1989-08-31 | 포토레지스트 패턴 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019890012561A KR0130386B1 (ko) | 1989-08-31 | 1989-08-31 | 포토레지스트 패턴 형성방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR910005402A true KR910005402A (ko) | 1991-03-30 |
| KR0130386B1 KR0130386B1 (ko) | 1998-04-06 |
Family
ID=19289494
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019890012561A KR0130386B1 (ko) | 1989-08-31 | 1989-08-31 | 포토레지스트 패턴 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR0130386B1 (ko) |
-
1989
- 1989-08-31 KR KR1019890012561A patent/KR0130386B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR0130386B1 (ko) | 1998-04-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| MY102454A (en) | Adhesive sheets for sticking wafers thereto | |
| EP0152114A3 (en) | Method for making a dry planographic printing plate | |
| KR910005402A (ko) | 포토리지스트와 기판과의 부착성 향상방법 | |
| KR970063429A (ko) | 레지스트 패턴의 형성 방법 | |
| JPS5655950A (en) | Photographic etching method | |
| KR920004905A (ko) | 패드의 감광제 코팅방법 | |
| JPS57118641A (en) | Lifting-off method | |
| KR910010647A (ko) | Sog를 이용한 soi소자 제조방법 | |
| KR910005101A (ko) | 레지스트패턴 형성방법 | |
| KR910020833A (ko) | 옥사이드 마스크에 의한 드라이 에칭 방법 | |
| KR910008806A (ko) | 포토 에칭 방법 | |
| KR910001460A (ko) | 포토레지스트의 측벽 프로파일 개선 방법 | |
| KR910001461A (ko) | 반도체 장치의 사진 공정 | |
| JPS5226169A (en) | Photoetching method of silicone oxide layer | |
| KR910006775A (ko) | 사진식각 공정방법 | |
| KR910008789A (ko) | 금속층위의 감광제 제거방법 | |
| JPS5325350A (en) | Dicing method of semiconductor substrates | |
| KR920015582A (ko) | 반도체 장치의 평탄화방법 | |
| KR910020493A (ko) | 레지스트의 이중 도포에 의한 이중 노광방법 | |
| KR880009431A (ko) | 반도체 제조공정에 있어서 금속 패턴 형성을 위한 금속에칭 방법 | |
| KR910008802A (ko) | 반도체장치의 제조방법 | |
| KR950015575A (ko) | 감광막패턴의 형성방법 | |
| KR920015430A (ko) | P/r을 이용한 차별 식각방법 | |
| KR900007055A (ko) | 이미지 리버스 포토레지스트를 이용한 2중포토처리방법 | |
| JPS5527637A (en) | Photo-resist-pattern forming method |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20091028 Year of fee payment: 13 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |