KR950034653A - 반도체 기판을 고정시키기 위한 내식성 정전 척 - Google Patents

반도체 기판을 고정시키기 위한 내식성 정전 척 Download PDF

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Abstract

본 발명은 부식성가스를 이용하여 실리콘 웨이퍼(18)를 처리하는 과정 동안에 실리콘 웨이퍼를 고정시키기 위한 정전 척(10)을 제공하려는 것이다. 정전척(10)은 절연층(12)을 갖추고 있는데, 절연층은 보호대(14)에 의해서 부식으로부터 보호된다. 절연층(12)은 실리콘 웨이퍼(18)에 의해서 덮히지 않는 상부면(20)과 노출된 측면(16)을 갖는다. 보호대(14)는 절연층(12)의 노출된 측면(16)을 에워싸며, 절연층(12)이 부식성가스에 의해서 부식되는 것을 방지한다. 보호대(14)는 희생재료로 제조되는데, 이 희생재료는 부식성가스에 노출되는 경우에 적어도 절연층(12)의 부식속도만큼의 빠르기로 부식된다. 노출된 측면(16) 근처에 위치된 희생재료는 부식되며, 노출된 측면에서 부식성가스의 농도를 저하시킨다. 이에 의해, 절연층(12)의 부식율이 줄어들게 된다.

Description

반도체 기판을 고정시키기 위한 내식성 정전 척
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 공정챔버내에 위치되고 보호대를 갖춘 본 발명에 따른 정전 척의 측면도, 제2도는 본 발명에 따른 정전 척의 제2실시예의 측면도.

Claims (22)

  1. 부식성가스를 사용하여 반도체 기판을 처리하는 과정동안에 상기 반도체 기판을 고정시키기 위한 장치로서, 상부면과 노출된 측면이 구비된 절연층을 갖춘 정전 척,및 희생재료로 제조되고, 부식성가스에 대하여 상기 절연층을 보호하기 위해서 상기 절연층의 노출된 측면을 에워싸며, 부식성가스에 노출되는 경우에 적어도 상기 절연층의 부식속도 만큼의 빠르기로 부식되는 보호대를 포함하는 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 희생재료는 부식성가스에 노출되는 경우에 상기 절연층의 부식속도보다 빠르게 부식되는 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 반도체 기판은 상기 절연층의 상부면상에 위치되고, 상기 보호대는 상기 반도체 기판에 의해서 덮혀있지 않은 상기 절연층의 상부면중 일부분을 에워싸는 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 절연층과 상기 희생재료가 각각 폴리이미드로 제조되는 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 절연층은 원형단면을 가지며, 상기 보호대는 환형단면을 갖는 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 보호대는 상기 정전 척의 상부면에 부하하여 상기 상부면상에 위치된 바닥면을 갖추고 있으며, 상기 보호대의 높이는 적어도 상기 절연층의 두께와 동일한 장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 적어도 상기 반도체 기판의 중첩부는 상기 절연층을 지나서 수평으로 연장되고, 상기 보호대는 상기 반도체 기판의 중첩부와 상기 음극사이에 연장되는 연장부를 포함하고 있는 장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 보호대는 상기 절연층과 접촉하지 않는 장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 반도체 기판은 상기 절연층의 상부면상에 위치 하고, 상기 보호대는 상기 반도체 기판의 측면을 에워싸는 장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 보호대는 상기 반도체 측면과 접촉하지 않는 장치.
  11. 제1항에 있어서, 상기 정전 척상에서 상기 보호대를 고정시키기 위하여 아랫쪽으로 연장된 립을 더 포함하는 장치.
  12. 제1항에 있어서, 상기 절연층이 폴리이미드 폴리케톤, 폴리에테르케톤, 폴리술폰, 폴리카보네이트, 폴리스티렌, 나일론, 폴리비닐클로라이드, 폴리프로필렌,폴리에테르케톤, 폴리에테르술폰, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 플루오르에틸렌과 프로필렌의공중합체, 셀룰로오스, 트리아세테이트, 실리콘과 고무로 구성된 그룹으로부터 선택되는 장치.
  13. 기판을 식각하기 위한 장치로서, 공정챔버와, 상기 공정 챔버내에서 반도체 기판을 고정시키기 위한 제1항에 따른 장치와, 상기 공정챔버내로 부식성가스를 도입하기 위한 수단과, 처리를 위해서 상기 반도체 기판을 정전 척상에 위치시키기 위한 수단과, 그리고 처리후에 상기 정전 척으로부터 상기 반도체 기판을 제거하기 위한 수단을 포함하는 장치.
  14. 부식성가스를 사용하여 반도체 기판을 처리하는 과정동안에 상기 반도체 기판을 고정시키기 위한 장치로서, 상부면과노출된 측면이 구비된 절연층을 갖추고 있으며 원형단면을 갖는 정전 척, 및 희생재료로 제조되고, 부식성가스에 대하여 상기 절연층을 보호하기 위해서 상기 절연층의 노출된 측면을 에워사며, 부식성가스에 노출되는 경우에 적어도 상기 절연층의 부식속도 만큼의 빠르기로, 상기 정전 척의 상부면에 부합하여 상기 상부면상에 위치된 보호대를 포함하는 장치.
  15. 제14항에 있어서, 상기 희생재료는 부식성가스에 노출되는 경우에 상기 절연층의 부식 속도보다 빠르게 부식되는 장치.
  16. 제14항에 있어서, 상기 반도체 기판은 상기 절연층의 상부면상에 위치하고, 상기 보호대는 상기 반도체 기판에 의해서 덮혀있지 않는 상기 절연층의 상부면중 일부분을 에워싸는 장치.
  17. 제14항에 있어서, 상기 절연층은 폴리이미드로 제조되고, 상기 희생재료는 폴리이미드로 제조되는 장치.
  18. 제14항에 있어서, 상기 보호대는 상기 절연층과 접촉하지 않는 장치.
  19. 제14항에 있어서, 상기 반도체 기판은 원형 단면을 가지며 상기 절연층의 상부면상에 위치되고, 상기 보호대는 상기 반도체 기판의 측면을 에워싸는 장치.
  20. 제19항에 있어서, 상기 보호대는 상기 반도체 기판의 측면과접촉하지 않는 장치.
  21. 부식성가스를 사용하여 반도체 기판을 처리하는 과정동안에 음극상에상기 반도체기판을 고정시키는데 사용되는 정전 척의 절연층의 부식율을 감소시키기 위한 보호대로서, 상기 음극의 상부면상에 위치시키기 위한 환형 몸체부, 및 상기 절연층의 노출된 측면을 보호하기 위해서 상기 몸체로부터 윗쪽으로 연장된 링부분을 포함하고 있으며, 상기 절연층은 상기 반도체 기판이 위치하는 상부면과 노출된 측면을 가지며, 상기 보호대는 부식성가스에 노출되는 경우에 적어도 상기 절연층의 부식 속도만큼 빠른 부식속도로 부식되는 장치.
  22. 제21항에 있어서, 상기 반도체 기판의 중첩부는 적어도 상기 음극 사이에서 연장되는 연장부를 포함하는 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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