KR100310111B1 - 반도체 기판을 고정시키기 위한 내식성 정전척 - Google Patents

반도체 기판을 고정시키기 위한 내식성 정전척 Download PDF

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KR100310111B1
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Abstract

본 발명은 부식성가스를 이용하여 실리콘 웨이퍼(18)를 처리하는 과정동안에 실리콘 웨이퍼를 고정시키기 위한 정전 척(10)을 제공하려는 것이다. 정전척(10)은 절연층(12)을 갖추고 있는데, 절연층은 보호대(14)에 의해서 부식으로부터 보호된다. 절연층(12)은 실리콘 웨이퍼(18)에 의해서 덮히지않는 상부면(20)과 노출된 측면(16)을 갖는다. 보호대(14)는 절연층(12)의 노출된 측면(16)을 에워싸며, 절연층(12)이 부식성가스에 의해서 부식되는 것을 방지한다. 보호대(14)는 희생재료로 제조되는데, 이 희생재료는 부식성가스에 노출되는 경우에 적어도 절연층(12)의 부식속도만큼의 빠르기로 부식된다. 노출된 측면(16) 근처에 위치된 희생재료는 부식되며, 노출된 측면에서 부식성가스의 농도를 저하시킨다. 이에의해, 절연층(12)의 부식율이 줄어들게된다.

Description

반도체 기판을 고정시키기 위한 내식성 정전 척
제1도는 공정 챔버내에 위치되고 보호대를 갖춘 본 발명에 따른 정전 척의 측면도.
제2도는 본 발명에 따른 정전 척의 제 2 실시예의 측면도.
제3도는 제1도에 도시된 보호대의 사시도.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
10 : 정전 척 12 : 절연층
14 : 보호대 18 : 실리콘 웨이퍼
22 : 받침대 24 : 전극
25 : 캐소드 26 : 공정 챔버
28 : 애노드 34 : 바닥면
36 : 립 38 : 외면
40 : 내부 립 44 : 상부 립
본 발명은 부식성 가스들을 사용하여 반도체 기판을 처리하는 과정 동안에 반도체 기판을 고정시키기 위한 개선된 내식성을 갖는 정전 척에 관한 것이다.
반도체 산업분야에 있어서, 정전 척은 실리콘 웨이퍼와 같은 반도체 기판의 처리과정 동안에 기판을 고정시키기 위하여 정전기적 인력을 사용한다. 이러한 정전 척의 예로는 브리글리아(Briglia)에게 허여된 미합중국 특허 제4,184,188호, 토꾸다(Tokuda)에게 허여된 미합중국 특허 제 4,399,016 호 및 아베(Abe)에게 허여된 미합중국 특허 제 4,384,918 호에 개시된 것을 들 수 있다.
통상적인 정전 척은 절연층에 의해서 덮혀진 전극을 상면에 갖는 받침대를 포함한다. 전극에 전기적으로 바이어스를 걸어주기 위하여 전원이 제공된다. 그래서, 전하가 전극과 절연체에 축적될 수 있다. 축적된 전하는 정전기력을 발생시킨다. 이 정전기력(F)은 절연층을 향해 기판을 끌어 당겨 고정시키는데, 다음의 식으로 표현될 수 있다.
여기에서, ε는 절연층의 유전 상수이고, V는 인가된 전압이며, t는 절연층의 두께이고, A는 전극으로서 기능하는 전도성 받침대의 면적이다. 그러므로, 강한 정전기적 인력을 얻기 위해서는, 높은 유전 상수를 갖는 얇은 절연층을 갖추는 것이 바람직하다.
통상적으로, 폴리이미드와 다른 유기 중합체가 절연층으로서 사용된다. 왜냐하면, 이것들은 높은 항복 전압 강도와 우수한 화학적 내성을 갖고 있기 때문이다. 또한, 반도체 기판의 후면에 순응할 수 있는 폴리이미드의 능력은 처리과정 동안에 기판의 냉각을 위한 양호한 열전달을 가능하게 한다. 그러나, 폴리이미드와 다른 유기 중합체들은 실리콘 웨이퍼의 처리과정 동안에 사용되는 산소, 염소 및 불소와 같은 부식성 가스에 노출되는 경우에 급속하게 부식된다.
부식성 가스들을 이용한 그와 같은 처리과정 동안에, 절연층의 상부면은 실리콘 웨이퍼에 의해서 커버되어, 부식으로부터 보호된다. 그러나, 절연층의 얇은 측면은 부식성 가스들에 노출되고 빠르게 부식된다. 짧은 동작 주기가 경과된 후에 얇은 절연층은 부식되어, 전자들이 절연층을 관통하여 흐르게 되며, 이는 아크를 발생시키고 정전 척의 기능 장애를 유발한다.
보호성 피복은 부식의 진행을 느리게 하기 위해서 절연층에 도포된다. 그러나, 이러한 피복들은 제조하기에 비용이 많이 들며, 모든 종류의 부식성 가스들에 대하여 항상 유효하지는 않다. 그러므로, 부식성 가스에 의해서 빠르게 부식되지 않는 절연층을 갖춘 정전 척이 필요하다. 이와 같은 절연층에 의해서 정전 척의 유효수명이 증가하게 된다.
본 발명에 따른 내식성 정전 척은 이와 같은 요구사항을 만족시킨다. 이 정전 척은 전기 절연층 및 절연층을 부식성 가스들로부터 보호하기 위한 보호대를 포함한다. 절연층은 상부면과 노출된 측면을 갖는다. 보호대는 절연층의 노출된 측면을 실질적으로 에워싼다.
보호대는 적어도 절연층의 부식성 가스들에 노출된 경우 부식되는 만큼 빠르게 부식되는 희생 재료로부터 제조된다. 예컨대, 절연층이 폴리이미드로 제조되는 경우, 희생 재료는 또한 폴리이미드로 제조될 수 있다. 하기에 설명하는 바와 같이, 정전척이 부식성 가스에 노출되는 경우에 절연층의 노출된 측면에 위치된 희생 재료는 절연층의 측면에서 부식 가스의 농도를 줄이도록 부식된다. 이에 의해, 절연층의 부식 속도가 줄어들게 된다. 그러므로, 보호대는 반도체의 처리 과정 동안에 어떤 부식성 가스가 사용되는가에 상관없이 유효하다.
통상적으로, 정전 척에 의해서 고정된 기판은 절연층의 상부표면상에 위치된다. 그래서, 절연층의 측면만이 노출된다. 그러나, 보호대는 기판에 의해서 가려지지 않는 상부면의 소정부분을 에워쌀 수도 있다. 바람직하게는, 보호대는 또한 절연층을 부식으로부터 보호하기 위해서 기판의 측면을 에워싼다.
본 발명의 장점은 부식 환경하에서 기판의 후속 처리를 위하여 보호대가 빠르고 용이하게 교체될 수 있다는데 있다.
본 발명의 특성, 실시형태 및 장점들은 하기의 상세한 설명, 첨부된 특허청구의 범위 및 첨부된 도면에 의해서 양호하게 이해될 것이다.
도면을 참조하면, 본 발명에 따른 장치는 정전 척(10) 및 보호대(14)를 포함한다. 정전 척(10)의 상면에 전기적 절연층(12)이 형성된다. 보호대(14)는 절연층(12)의 측면(16)을 실질적으로 에워싼다. 정전 척(10)은 통상적으로 실리콘 웨이퍼(18)인 기판을 절연층(12)의 상부면(20)에 대하여 고정시킨다.
정전 척(10)의 형태는 특정 용도에 따라서 변한다. 예를 들면, 정전 척(10)은 절연층(12)에 의해서 덮혀 있는 전극(24)을 상면에 형성한 비전도성 받침대(22)를 포함한다. 통상적으로, 정전 척(10)의 받침대(22)는 도전체이며, 전극(24)은 절연층(12)내에 삽입된다.
제 1도에 도시된 바와 같이, 정전 척(10)은 부식성 가스를 이용하여 웨이퍼(18)를 처리하기 위하여 공정챔버(26)내의 캐소드(25)상에 위치된다. 애노드(28)은 웨이퍼(18) 윗쪽에 위치한다. 애노드(28)은 전기적인 접지로서 작용한다. 즉, 애노드(28)에 대하여 캐소드(25)에 전기적으로 바이어스를 가함으로써 공정챔버(26)에 형성된 플라즈마를 통해서 정천척의 직류회로가 완성된다.
전극(24)은 예를 들어 구리, 니켈, 크롬, 알루미늄, 철 및 이들의 혼합물이나 이들의 합금과 같은 도전성 재료로 제조된다. 전극(24)은 바람직하게는 약 1㎛ 내지 1000㎛, 보다 바람직하게는 약 10㎛ 내지 100㎛, 가장 바람직하게는 약 25㎛의 두께를 갖는다.
절연층(12)은 전극(24)과 웨이퍼(18)사이에 위치되고, 전극(24)과 웨이퍼(18) 사이에 전자들이 흐르는 것을 방지한다. 바람직하게는, 절연층(12)의 형상과 크기는 웨이퍼의 처리과정 동안에 웨이퍼(18)를 냉각시키는 양호한 열전달 경로를 제공하고 절연층(12)이 부식성 가스들에 노출되는 것을 제한하기 위해서 실리콘 웨이퍼(18)의 크기 및 형상에 대응한다. 바람직하게, 웨이퍼(18)는 절연층(12)의 상부면(20)을 덮어서 부식되지 않게 한다. 이때, 절연층(12)의 측면(16)만이 노출된다. 또는, 절연층(12)은 실리콘 웨이퍼(18)의 형상과는 다른 형상 및/또는 실리콘 웨이퍼(18)의 크기와는 다른 크기를 가질 수 있다.
통상적으로, 절연층(12)의 유전 상수는 적어도 약 2, 바람직하게는 적어도 약 3 이다. 절연층(12)의 최적 두께는 절연층(12)의 유전 상수가 증가함에 따라서 감소된다. 예를 들면, 약 3.5의 유전 상수를 갖는 절연층(12)은 약 1㎛ 내지 약 100㎛, 바람직하게는 약 25㎛ 내지 약 100㎛의 두께를 갖는다. 바람직하게도, 절연층(12)은 웨이퍼(18)가 가열되는 공정에 있어서 정전 척(10)을 사용하기 위하여, 100℃를 초과하는 온도, 바람직하게는 200℃를 초과하는 온도에 대하여 내열성을 가진다. 측면(16)의 높이는 절연층(12)의 두께에 대응한다.
절연층(12)을 구성하기에 적당한 재료들은 폴리이미드, 폴리케톤, 폴리에테르케톤, 폴리술폰, 폴리카보네이트, 폴리스티렌, 나일론, 폴리비닐클로라이드, 폴리프로필렌, 폴리에테르케톤, 폴리에테르술폰, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 플루오로에틸렌과 프로필렌의 공중합체, 셀룰로오스, 트리아세테이트, 실리콘 및 고무를 포함한다. 본 발명에 사용하기에 적합한 제조된 중합체 층(12)들은 예를 들어 미합중국 델라웨어주 윌밍톤 소재의 듀폰 데 네모우르스 컴패니(DuPdnt de Nemours Co.)에 의해서 제조된 폴리이미드 필름인 "KAPTON", 일본국 가네가푸찌 케미컬 인더스트리(Kanegafuchi ChemicaI Indus.)에 의해서 제조된 "APIQUEO" 일본국 우베인더스트리 가부시끼가이샤 (Ube Indus.Ltd.)에 의해서 제조된 "UPILEX", 일본국 니토 일렉트릭 인더스트리 가부시끼가이샤(Nitto Electric Indus. Co.)에 의해서 제조된 "NITOMID" 및 일본국 미쯔비시 플라스틱스 인더스트리 가부시끼가이샤(Mitsubishi Plastics lndus. Ltd.)에 의해서 제조된 "SUPERIOR FILM"을 포함한다. 절연층을 상면에 형성한 정전 척을 제조하기에 적당한 방법으로는 1994년 1월 31일자로 샤모우일리안(Shamouilian)에 의해서 "정전 척(ELECTROSTATIC CHUCK)"이라는 발명의 명칭으로 출원된 미합중국 특허출원 제08/189,562호에 개시된 것을 들 수 있으며, 여기에 참조에 의해 삽입한다.
절연층(12)은 열전도도 및/또는 내식성을 증가시키기 위하여 충진 재료를 또한 포함할 수 있다. 이러한 충진 재료로는 다이아몬드, 알루미나, 붕소화 지르코늄, 질화 붕소, 질화 알루미늄과 같은 것이 바람직하다. 왜냐하면, 이들 재료는 높은 열전도성과 양호한 절연성을 가지며 고온에서도 견딜 수 있기 때문이다. 바람직하게는, 충진 재료는 약 10㎛ 이하의 평균 입도를 갖는 분말이다. 그리고, 충진 재료는 약 10%내지 80%의 부피비, 통상적으로는 약 20%내지 50%의 부피비로 중합체 막에 분산된다.
또한, 정전 척(10)이 부식성의 처리 환경하에서 사용되는 경우, 절연층(12)이 화학적으로 열화되는 것을 추가로 방지하기 위하여 보호성 피복(도시 되지 않음)이 절연층(12)상에 도포된다. 바람직한 보호성 피복과 그 제조방법은 유(Wu) 등이 1993년 2월 22일자로 "집적 회로 처리장치에 사용된 웨이퍼 지지대상의 절연 재료를 위한 보호성 피복 및 그 형성방법(PROTECTIVE COATING FOR DIELECTRIC MATERIAL ON WAFER SUPPORT USED IN INTEGRATED CIRCUIT PROCESSING APPARATUS AND METHOD OF FORMING THE SAME)"이라는 발명의 명칭으로 출원한 미합중국 특허 출원 제 08/052,018 호에 상세하게 기재되어 있다.
보호대(14)는 절연층(12)의 측면(16)을 실질적으로 에워쌀 수 있는 크기 및 형상을 갖는다. 바람직하게는, 보호대(14)는 웨이퍼(18)의 측면이 부식성 가스에 의해서 처리될 수 있게 하면서도 절연층(12)에 양호한 내식성을 제공하도록 웨이퍼(18)의 측면(31)에 접촉함이 없이 웨이퍼(18)의 측면(31)을 에워싼다. 제 3도에 도시된 바와 같이, 절연층(12)이 원형 단면을 갖는 경우에, 보호대(14)는 절연층(12)의 주위를 둘러싸도록 맞춰진 적합한 크기의 환형 몸체부를 갖는다. 보호대(14)는 저면(34)을 갖추고 있는데, 이 저면은 받침대(22)의 상부면(30)상에 부합하도록 위치된다. 보호대(14)가 받침대(22)상에 위치하는 경우에, 절연층(12)의 위쪽, 바람직하게는 웨이퍼(18) 보다 높게 연장되는 크기를 가진다. 보호대(14)는 아랫쪽으로 연장된 주변 립(36)을 갖추고 있는데, 이 립은 보호대(14)를 제 위치에 고정시키기 위하여 정전 척(10)의 외면(38) 주위에 끼워 맞춰진다.
제 1도에 도시된 바와 같이, 절연층(12)의 직경은 웨이퍼(18)의 직경보다 작으며, 절연층(12)의 상부면(20)은 실리콘 웨이퍼(18)에 의해서 보호된다. 보호대(14)는 연장부(40)를 갖추고 있는데, 이 연장부는 절연층(12)의 측면(16)을 에워싸기 위해서 받침대(22)와 웨이퍼(18)의 중첩부 사이로 연장된다. 또한, 보호대(14)는 절연층(12)의 측면(16)을 한층 더 보호하도록 내부립(40) 위쪽으로 연장되는 웨지 형상의 링부(42)를 가진다.
제 2도에 도시된 바와 같이, 절연층(12)의 상부면(20)은 웨이퍼(18)에 의해서 완전하게 가려지지 않을 수도 있다. 상부면(20)의 노출된 부분을 보호하기 위해서, 보호대(14)는 상부면(20)을 실질적으로 에워싸도록 상부면(20)의 노출된 부분 위쪽으로 연장된 상부 립(44)을 가질 수 있다.
보호대(14)는 부식성 가스에 노출되는 경우에 적어도 절연층(12) 만큼 빠르게 부식되는 희생 재료로서 제조된다. 그러므로, 보호대(14)는 절연층(12)에 사용되는 재료와 동일한 재료로 제조될 수 있다. 바람직하게, 희생 재료는 부식성 가스에 노출되는 경우에 절연층(12)을 양호하게 보호하도록 절연층(12)보다 빠르게 부식된다. 그러므로, 희생 재료의 종류는 절연층(12)에 이용된 재료의 종류에 의존한다. 예를 들면, 만약에 절연층(12)이 폴리이미드로 제조되는 경우에 희생 재료는 폴리이미드로 제조될수 있으며, 대안적으로 산소 플라즈마에 노출되는 경우에 폴리이미드보다 빠르게 부식되는 폴리아미드로서 제조될 수 있다. 절연층(12)이 실리콘 산화물로 제조되는 경우, 보호대(14)는 실리콘 산화물로 제조될 수 있다. 절연층(12)이 폴리이미드로 이루어지는 경우에, 보호대(14)용으로 적합한 폴리이미드 재료로는 미합중국 델라웨어 주 윌밍턴 소재의 듀폰 데 네모우르스 케미컬 컴패니(DuPont de Nemours Chemical Co.)에 의해서 상표명 "VESPEL"로 시판 중에 있는 것을 들 수 있다. 보호대(14)는 또한 알루미나 또는 실리카와 같은 무기 충진재, 또는 섬유 보강재로 이루어질 수 있다. 그러므로 보호대(14)는 공정에서 어떤 부식성 가스가 사용되는 가에 상관없이 절연층(12)의 부식 속도를 효과적으로 감소시킨다. 또한, 보호대(14)는 지나치게 부식된 후에는 쉽게 교체될 수 있다.
희생 재료는 절연층(12)의 노출된 측면(16)에 인접하도록 제공되고, 절연층(12)의 측면(12)에서 부식성 가스의 농도를 줄이도록 적어도 절연층(12)만큼 빠르게 부식된다. 그러므로, 보호대(14)가 절연층(12)의 측면(16) 주위를 밀봉할 필요가 없다. 그러나, 보호대(14)는 최적의 보호를 제공하도록 절연층(12)에 인접하게 위치되어야 한다.
보호대(14)는 희생 재료를 사출 성형하여 제조되고, 바람직한 크기 및 형상으로 기계 가공된다. 보호대(14)는 폴리이미드 관의 절단부로부터 기계 가공될 수 있다. 이와는 달리 다른 공지된 제조방법이 이용될 수도 있다.
동작시에, 웨이퍼(18)는 절연층(12)상에 위치되며, 전극(24)에는 전압이 인가된다. 챔버내에 플라즈마가 형성되고 절연층(12)의 상부면(20)에 대하여 웨이퍼(18)가 고정된다. 보호대(14)는 받침대(22)의 상부면(30)상에 놓이며, 절연층(12)의 측면(16)을 에워싼다. 웨이퍼(18)를 처리하기 위해 공정 챔버(26)내로 부식성 가스가 공급된다. 웨이퍼(18)는 절연층(12)의 상부면(20)이 부식되지 않도록 하며, 보호대(14)는 절연층(12)의 측면(16) 근처의 부식성 가스 농도를 줄이기 위하여 부식된다. 이에 의해, 절연층(12)의 부식 속도가 감소된다. 처리가 완료된 후에 웨이퍼(18)는 정전 척(10)으로부터 제거된다.
상기에서는 비록 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 다른 실시예도 가능하다. 예를 들면, 웨이퍼(18)와 절연층(12)은 직사각형 단면을 가지며, 보호대(14)는 이에 대응하여 절연층(12)을 에워싸는 형상을 가질 수 있다. 그러므로, 하기의 특허청구의 범위는 바람직한 실시예의 상세한 설명으로서 제한되지 않는다.

Claims (24)

  1. 부식성 가스를 사용하는 공정 동안 기판을 고정시키기 위한 내식성 장치에 있어서, 상부면과 노출된 측면을 구비하는 전기적 절연층을 포함하며, 정전기력에 의해 상기 기판을 고정시키기 위해 하전될 수 있는 정전 척, 및 부식성 가스에 노출되는 경우에 적어도 상기 절연층의 부식 속도만큼의 빠르기로 부식되는 희생 재료(sacrificial material)로부터 제조되고, 상기 절연층을 부식성 가스로부터 보호하기 위해 상기 절연층의 노출된 측면을 실질적으로 에워싸는 보호대를 포함하는 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 희생 재료는 부식성 가스에 노출되는 경우에 상기 절연층의 부식 속도보다 빠르게 부식되는 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 기판은 상기 절연층의 상기 상부면상에 위치되고, 상기 보호대는 상기 기판에 의해서 가려지지 않는 상기 절연층의 상부면 부분을 실질적으로 에워싸는 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 절연층과 상기 희생 재료는 각각 폴리이미드로 이루어지는 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 절연층은 원형의 수평 단면을 가지며, 상기 보호대는 환형(annular)인 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 보호대는 상기 정전 척의 상부면에 부합되도록 상기 상부면상에 위치하는 저면을 갖추고 있으며, 상기 보호대의 높이는 적어도 상기 절연층의 두께와 동일한 장치.
  7. 제1항에 있어서, 적어도 상기 기판의 중첩부는 상기 절연층을 지나 수평으로 연장되고, 상기 보호대는 상기 기판의 상기 중첩부의 아래쪽으로 연장하는 연장부를 포함하는 하는 장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 보호대는 상기 절연층과 접촉하지 않는 장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 기판은 상기 절연층의 상기 상부면상에 위치하며, 상기 보호대는 상기 기판의 측면을 실질적으로 에워싸는 장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 보호대는 상기 기판의 상기 측면과 접촉하지 않는 장치.
  11. 제1항에 있어서, 상기 보호대는, 상기 보호대를 상기 정전 척상에 고정시키기 위하여 아랫쪽으로 연장된 립(lip)을 더 포함하는 장치.
  12. 제1항에 있어서, 상기 절연층은 폴리이미드, 폴리케톤, 폴리에테르게톤, 폴리술폰, 폴리카보네이트, 폴리스티렌, 나일론, 폴리 비닐클로라이드, 폴리프로필렌, 폴리에테르케톤, 폴리에테르술폰, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 플루오로에틸렌 프로필렌 공중합체, 셀룰로오스, 트리아세테이트, 실리콘 및 고무로 구성된 그룹으로부터 선택되는 장치.
  13. 기판을 식각하기 위한 장치에 있어서, 공정 챔버, 부식성 가스를 사용하는 공정동안 상기 공정 챔버내에 기판을 고정시키기 위한 내식성 장치를 포함하며, 상기 내식성 장치는 상면 및 노출된 측면을 구비한 전기적 절연층을 포함하는 정전 척 및 부식성 가스에 노출되는 경우에 적어도 상기 절연층의 부식 속도만큼의 빠르기로 부식되는 희생 재료로부터 제조되고, 상기 절연층을 부식성 가스로부터 보호하기 위해서 상기 절연층의 상기 노출된 측면을 실질적으로 에워싸는 보호대를 포함하며, 상기 장치는 상기 공정 챔버내로 부식성 가스를 유입하기 위한 수단을 더 포함하는 장치.
  14. 부식성 가스를 사용하는 공정 동안 기판을 고정시키기 위한 내식성 장치에 있어서, 상부면 및 노출된 측면을 구비한 전기적 절연층이 상면상에 형성되어 있으며, 원형의 수평 단면을 갖는 정전 척, 및 부식성 가스에 노출되는 경우에 적어도 상기 절연층의 부식 속도만큼의 빠르기로 부식되는 희생 재료로부터 제조되고, 상기 절연층을 부식성 가스로부터 보호하기 위해서 상기 절연층의 상기 노출된 측면을 실질적으로 에워싸고, 상기 정전척의 상부면에 부합하도록 상기 정전 척의 상기 상부면상에 위치하는 저면을 가진, 공동(hollow)의 원통형 보호대를 포함하는 장치.
  15. 제14항에 있어서, 상기 희생 재료는 부식성 가스에 노출되는 경우에 상기 절연층의 부식 속도보다 빠르게 부식되는 장치.
  16. 제14항에 있어서, 상기 기판은 상기 절연층의 상기 상부면상에 위치되며, 상기 보호대는 상기 기판에 의해서 가려지지 않은 상기 절연층의 상부면 부분을 실질적으로 에워싸는 장치.
  17. 제14항에 있어서, 상기 절연층과 상기 희생 재료는 각각 폴리이미드로 제조되는 장치.
  18. 제14항에 있어서, 상기 보호대는 상기 절연층과 접촉하지 않는 장치.
  19. 제14항에 있어서, 원형의 수평 단면을 가지는 상기 기판은 상기 절연층의 상기 상부면상에 위치되며, 상기 보호대는 상기 기판의 측면을 실질적으로 에워싸는 장치.
  20. 제19항에 있어서, 상기 보호대는 상기 기판의 상기 측면과 접촉하지 않는 장치.
  21. 부식성 가스로 기판을 처리하는 공정 동안 캐소드 위쪽에 상기 기판을 고정시키는데 사용되는 정전 척의 전기적 절연층-상기 절연층은 상기 기판이 배치되는 상부면 및 노출된 측면을 가짐-의 부식 속도를 감소시키기 위한 보호대에 있어서, 상기 캐소드의 상부면 위쪽에 배치되는 환형 몸체부(annular body portion), 및 상기 절연층의 노출된 측면을 보호하기 위해서 상기 몸체로부터 윗쪽으로 연장된 링 부분(ring portion)을 포함하고 있으며, 상기 보호대는 부식성 가스에 노출되는 경우에 적어도 상기 절연층의 부식 속도만큼 빠르게 부식되는 물질로부터 제조되는 보호대.
  22. 제21항에 있어서, 적어도 상기 기판의 중첩부는 상기 절연층을 지나 수평으로 연장되며, 상기 보호대의 상기 몸체는 상기 기판의 중첩부 아래로 연장되는 연장부를 포함하는 보호대.
  23. 제1항에 있어서, 상기 정전 척은 전극을 더 포함하며, 상기 절연층은 상기 전극 전체를 피복하는 장치.
  24. 제14항에 있어서, 상기 정전 척은 전극을 더 포함하며, 상기 절연층은 상기 전극 전체를 피복하는 장치.
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