KR100307688B1 - 개선된 내식성을 가지는 정전기 척 - Google Patents

개선된 내식성을 가지는 정전기 척 Download PDF

Info

Publication number
KR100307688B1
KR100307688B1 KR1019950020959A KR19950020959A KR100307688B1 KR 100307688 B1 KR100307688 B1 KR 100307688B1 KR 1019950020959 A KR1019950020959 A KR 1019950020959A KR 19950020959 A KR19950020959 A KR 19950020959A KR 100307688 B1 KR100307688 B1 KR 100307688B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
insulator
electrode
substrate
electrostatic chuck
chuck
Prior art date
Application number
KR1019950020959A
Other languages
English (en)
Other versions
KR960005928A (ko
Inventor
샤무일샤무일리안
죤에프.카메론
Original Assignee
조셉 제이. 스위니
어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 조셉 제이. 스위니, 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 filed Critical 조셉 제이. 스위니
Publication of KR960005928A publication Critical patent/KR960005928A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100307688B1 publication Critical patent/KR100307688B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Jigs For Machine Tools (AREA)

Abstract

부식성 가공 환경에서 감소된 부식성을 가지는 정전기 척이 기술된다. 정전기 척은 (Ⅰ)전극,(Ⅱ)전극 위에 배치되며 그 위에 기판을 지지하기에 적합한 중심부분 및 (Ⅲ) 전극 이상으로 뻗는 주변부분을 포함하는 절연체를 포함한다. 본 발명의 한 실시예에서, 절연체의 중심부분은 절연체의 주변부분에 대하여 상승되어, 절연체의 부식을 감소시키기 위하여 약 10 마이크론 이하로 유지되는 높이(H)를 가진 단을 형성한다. 척의 또 다른 실시예에서, 절연체의 주변부분이 전극이상으로 뻗으며 절연체의 부식을 감소시키기 위하여 적어도 약 2㎜로 유지되는 폭(ｗ)을 가진다.

Description

개선된 내식성을 가지는 정전기 척
제1도는 본 발명의 정전기 척을 포함하는 가공 챔버에 대한 측단면도이며;
제2도는 본 발명의 정전기 척에 대한 측단면도이며;
제3도는 제2도의 척에 대한 부분 측단면도이며;
제4도는 제2도의 척에 대한 정면도이며;
제5도는 본 발명의 척의 또다른 실시예에 대한 부분 측단면도이며;
제6도는 그 내부에 전극을 가진 절연체가 도시되는, 본 발명의 부분적으로 조립된 척에 대한 정면도이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
20 : 정전기 척 22 : 절연체
24 : 전극 27 : 단
30 : 컨넥터 36 : 홈
40 : 가공 챔버 42 : 기판
44 : 지지부 46 : 전압공급장치
본 발명은 가공 챔버에서 기판을 지지하는 개선된 내식성을 가지는 정전기 척에 관한 것이다.
반도체 조립 공정에서, 정전기 척은 기판 가공 중에 실리콘 웨이퍼와 같은 기판을 지지하기 위하여 이용된다. 전형적인 정전기 척은 가공 챔버에서 지지부에 고정되기에 적합한 베이스를 포함한다. 그 내부에 전극을 가진 절연체는 베이스 웨에 위치한다. 전기 컨넥터는 절연체내의 전극을 전압공급장치에 연결시킨다. 정전기 척은 예를 들어, 미합중국 특허 제4,184,188호, 브리글리아; 미합중국 특허 제4,399,016호, 토쿠다; 미합중국 특허 제4,384,918호, 아베; 및 출원번호 제08/189,562호, 명칭 "정전기 척", 샤모일리안 등, 1994년 1월 31일에 기술되어 있으며, 이들은 여기에 참고로 기술된다.
척을 이용하기 위하여 기판이 척 위에 배치되며, 척 위의 절연된 전극은 척의 전기 접점을 통하여 가해진 전압에 의하여 기판에 대하여 전기적으로 바이어스된다. 인가 전압은 정전기 전하가 척의 전극 및 기판에 축적 되도록 하며, 그로 인하여 정전기력이 척에 기판을 유지시킨다.
척상의 절연체는 일반적으로 폴리이미드와 같은 절연 중합체이다. 척의 전극을 절연시키기 위하여 중합체를 이용하는 것은 부식적인 반도체 조립 공정, 특히 산소 함유 가스 및 폴라즈마를 이용하는 공정에서 척의 수명을 제한한다. 산소 함유 가스 및 폴라즈마는 기판 에칭 및 가공 챔버벽세척을 포함하여 여러 가지로 이용된다. 이들 부식성 환경은 척상의 중합체 절연체를 빨리 부식시킨다.
척 위의 절연체의 부식은 척의 고장을 의미한다. 척 위의 절연체의 대부분이 척 위에 유지된 기판에 의하여 부식성 환경으로부터 보호되지만, 수천 번의 가공 사이클에 의하여 부식성 가스에 노출된 일부 절연체가 부식될 수 있다. 예를 들어, 기판이 척 위에 정전기적으로 유지될 때, 절연체의 주변 부분은 일반적으로 가공 챔버에서 부식성 환경에 노출된다. 챔버내의 부식성 가스는 노출된 절연체 주변 부분을 빠르게 부식시킨다. 절연체의 일부분만이라도 부식되면 절연체 내부의 전극에 아아크가 발생하며, 따라서 전체 척을 교환하여야 한다. 빈번한 척의 교환은 비용이 많이 들며 조립 공정을 느리게 한다. 또한, 척이 기판 가공 중에 고장나면, 전체 기판이 수천만 달러의 손실을 얻을 수 있다.
산화실리콘을 기초로한 절연체와 같은 대체 절연 재료가 산소를 함유한 플라즈마에서 전극을 보호하기 위하여 이용될 수 있지만, 이들 재료는 다른 근본 제한을 가진다. 예를 들어, 산화실리콘을 기초로한 절연체는 플루오르화 탄소 가스와 같은 플루오를 함유한 가스를 이용하는 공정에서 빠르게 부식한다. 또한, 산화실리콘을 기초로한 절연체는 제조가 어렵고 비싸다.
따라서, 가스를 함유하는 부식성 가스 환경에서 부식에 대한 저항성을 가지는 정전기 척을 가지는 것이 바람직하다. 또한, 종래 조립장치를 이용하여 값싸게 조립될 수 있는 척을 가지는 것이 바람직하다.
본 발명의 정전기 척은 이러한 요구를 만족시킨다. 이러한 정전기 척은 절연체를 포함하며, 상기 절연체는 (i) 그 내부의 전극, (ii) 전극 위에 배치되며, 그 위의 기판을 지지하기에 적합한 중심 부분, 및 (iii) 전극 이상으로 뻗은 주변 부분을 포함한다.
본 발명의 한 실시예에서, 절연체의 중심 부분은 절연체의 하부 주변 부분에 대하여 상승된다. 상승된 중심 부분 및 하부 주변 부분은 약 10미크론 이하, 더욱 바람직하게는 약 5미크론 이하의 높이 H를 가진 단(step)을 형성하여 절연체의 부식을 감소시킨다.
척의 또다른 실시예에서, 절연체의 주변 부분은 전극 이상으로 뻗으며 폭 W를 가진다. 절영체의 주변 부분의 폭 W는 적어도 약 2mm이며, 바람직하게 약 3mm여서 절연체의 부식을 감소시킨다.
본 발명의 이러한 특징, 특성 및 장점은 이하 상세한 설명, 첨부된 청구범위 및 도면을 참조로 쉽게 이해될 것이다.
본 발명의 정전기 척(20)은 일반적으로 제2도에 도시된 것처럼, 그 내부에 전극(24)을 가진 절연체(22)를 포함한다. 절연체의 중심 부분(25)은 전극(24) 위에 놓이며, 기판을 지지하기에 적합하다. 절연체의 주변 부분은 전극(24) 이상으로 뻗어 있다. 정전기 척의 한 실시예에서, 제2도에 도시된 것처럼, 절연체의 중심 부분은 하부에 위치한 절연체 주변 부분(26)에 대하여 상승되어, 제3도에 도시된 것처럼 높이(H)를 가지는 단(27)을 형성한다. 단(27)의 높이(H)는 약 10미크론, 바람직하게는 약 5미크론 이하 이여서 절연체(22)의 부식을 감소시킨다. 제5도에 도시된 것처럼, 척(20)의 다른 실시예에서, 전극 이상으로 뻗은 절연체(22)의 주변 부분(26)은 적어도 약 2mm, 바람직하게는 적어도 약 3mm의 폭(W)을 가져 절연체(22)의 부식을 감소시킨다.
일반적으로 그 내부에 전극(24)을 가진 절연체(22)는 베이스(28) 위에 배치되며, 베이스는 절연체(22)를 지지한다. 전기 컨넥터(29)는 제1도에 도시된 것처럼, 척(20)의 전극(24)을 척(20)의 베이스상의 전기 접점(30)에 전기적으로 연결시킨다. 척(20)은 또한 제1도에 도시된 것처럼 절연체(22)의 상부면 위에 홈(36)을 가지거나 제2도에 도시된 것처럼 절연체(22)를 통과하는 홈(36)을 가질 수 있다. 홈(36)은 척에 의하여 유지되는 기판을 냉각시키는 냉각 가스를 그 내부에 유지한다.
제1도를 참조하여, 본 발명의 척(20)의 동작이 설명된다. 제1도는 실리콘 웨이퍼와 같은 기판을 가공하기 위하여 이용된 부식성 가스를 함유한 일반적인 가공 챔버(40)를 도시한다. 여기에 도시된 가공 챔버(40)의 특정 실시예는 기판(42)의 플라즈마 가공에 적합하며, 척(20)의 동작을 설명하기 위하여 제공되며, 본 발명의 범위를 제한하기 위한 것이 아니다.
가공 챔버(40)는 일반적으로 지지부(44)를 포함한다. 정전기 척(20)은 지지부(44) 위에 배치되어, 척(20)의 전기 컨넥터(30)가 외부 제1전압공급장치(46)와 전기적으로 맞물리며, 상기 전압공급장치는 척(20)을 동작시키도록 전극(24)에 전압을 인가하기 위하여 제공된다. 제1전압공급장치(46)는 10㏁ 저항을 통하여 고압판독부에 연결된 약 1000 내지 3000볼트의 고압 DC원을 포함한다. 회로내의 1㏁ 저항은 회로를 흐르는 전류를 제한하며, 500㎊ 캐패시터는 교류 필터로서 제공된다.
외부 제2전압공급장치(48)는 챔버의 지지부(44)에 연결된다. 지지부(44)는 챔버(40)에서 플라즈마를 형성하는 가공 전극으로서 기능한다. 제2전압공급장치(48)는 챔버(40)에서 전기적으로 접지된 표면(50)에 대하여 지지부(44)를 전기적으로 바이어스시키기 위하여 제공된다. 전압공급장치(48)는 통상적인 것이며, 일반적으로 RF 임피던스를 포함하며, 상기 RF 임피던스는 제1도에 도시된 것처럼 분리 캐패시터와 직렬로, 가공 챔버(40)의 임피던스와 라인 전압의 임피던스를 매칭시킨다.
냉각제 소스(52)는 기판(42)으로부터의 열을 제거하고, 일정 온도로 기판(42)을 유지하기 위하여 이용될 수 있다.
가공 챔버(40)는 또한 챔버에서 유도성 플라즈마를 형성하거나, 또는 자기장을 생성하기 위하여 챔버 주위에 감긴 실린더형 코일(54)을 포함할 수 있다. 기판(42) 가공 중에 자기장은 보다 균일한 플라즈마 농도를 제공하여 보다 균일한 기판(42)의 가공을 허용할 수 있다.
사용 중에, 척(20)은 가공 챔버(40)에서 지지부(44)에 고정된다. 가공 챔버(40)는 약 1 내지 500mTorr, 특히 10 내지 100mTorr 범위의 압력까지 진공화된다. 실리콘 또는 비소화 갈륨 웨이퍼와 같은 기판(42)은 로드 록전달 챔버(도시안됨)로부터 챔버(40)로 전달되어, 척(20) 위에 배치된다. 척(20)의 전극(24)은 제1전압공급장치(46)에 의하여 기판(42)에 대하여 전기적으로 바이어스 되어 정전기 전하가 기판(42) 및 전극(24)에 축적되며, 이는 기판이 척(20)에 정전기적으로 유지되도록 한다.
가공 가스는 하나 이상의 압력화된 가스원을 이용하여 가공 챔버(40)로 유입된다. 예를 들어 기판(42)이 에칭될 때, 예를 들어 O2, Cl2, BCl3, CCl4, SiCl4, CF4, NF3및 이들의 혼합물과 같은 통상적인 에칭가스가 챔버(40)로 유입된다. 적합한 에칭가스는 에스, 울프 및 알. 엔. 토우버, VLSI 시대용 실리콘 가공, Vol. I, 챕터. 16; VLSI용 건에칭, 래티스 출판사, 선셋비치, 캘리포니아(1986)에 개시되어 있으며, 이는 여기에 참고로 기술된다.
전압공급장치(48)는 챔버(40)내의 접지된 표면(50)에 대하여 지지부(44)를 전기적으로 바이어스시키기 위하여 활성화되어, 가공 가스로부터 플라즈마를 챔버(40)에 형성한다.
교류가 챔버(40) 주위의 코일(54)을 통하여 제공되어, 챔버(40)내의 에칭 플라즈마의 균일성을 향상시키기 위하여 챔버(40)에 유도성 플라즈마를 형성하거나 또는 자기장을 생성하도록 할 수 있다. 플라즈마 활성 식각제는 기판(42)에 침투하여 기판을 에칭한다.
기판(42)의 가공 중에, 절연체(22)의 주변 부분상에 헬륨 또는 산소와 같은 불활성 가스인 비반응성 가스를 보냄으로써 척(20)의 내식성이 더욱 개선될 수 있다. 일반적으로, 비반응성 가스는 그 내부에 다수의 구멍(도시안됨)을 가진 원주형 분기관을 이용하여 원주 절연체 부분 주위로 보내지며, 이는 미합중국 특허 "내식성 정전기 척"에 기술되어 있다.
척(20)의 특성이 이하에 상세히 기술된다.
일반적으로, 척(20)은 그 내부에 전극(24)이 삽입된 절연체(22)를 포함한다. 절연체(22)는 전극 위에 배치되며, 기판을 지지하기에 적합한 중심 부분(25)을 가진다. 절연체의 주변 부분(26)은 전극(24) 이상으로 뻗어 있다. 제2도에 도시된 척의 실시예에서, 절연체(22)의 중심 부분(25)은 하부에 위치한 절연체 주변 부분(26)에 대하여 상승되어, 높이(H)를 가지는 단(27)을 형성한다. 기판(42)이 척(20)상에 정전기적으로 유지될 때, 절연체(26)의 상승된 중심 부분(25)은 기판(42)에 의하여 커버되며, 절연체(26)의 하부 주변부분(26)은 가공 챔버(40)에서 부식성 환경에 노출된다. 척(20)의 고장은 가공 챔버(40)에서 부식성 가스에 의하여 노출된 하부 주변 절연체 부분(26)의 부식으로부터 발생하는 것으로 밝혀졌다.
본 발명은 부식 문제에 대하여 신규하고 독특한 해결을 제공한다. 제3도에 도시된 것처럼, 절연체(22)의 상승된 중심 부분(25) 및 하부 주변부분(26) 사이의 단(27)의 높이를 감소시키는 것이 절연체(22)의 노출된 주변부분의 부식을 감소시킬 수 있다. 바람직하게, 단(27)의 높이(H)는 10미크론, 바람직하게 5미크론 이하이며, 더욱 바람직하게는 약 1미크론 이하이다.
제5도에 도시된 척의 실시예에서, 절연체(22)의 주변 부분(26)의 폭(W)을 적어도 약 2mm, 더욱 바람직하게 약 3mm로 유지하는 것이 척(20)의 부식을 감소시킨다는 것을 알 수 있다. 주변 절연체 부분(26)은 일반적으로 전극(24) 주위에 원형으로 배치된 환형 림(rim)을 포함한다. 일반적으로, 절연체(22)의 주변 부분(26)은 절연체(22)의 중심 부분(25)보다 낮지만, 그러나 절연체(22)의 주변 부분(26)은 절연체(22)의 중심 부분(25)과 동일 높이를 가질 수 있다.
절연체
척(20)의 절연체(22)는 일반적으로 중합체, 및 SiC, SiO2및 Si3N4와 같은 세라믹 재료를 포함한 절연 재료를 포함한다. 일반적으로, 절연체(22)는 폴리이미드, 폴리케톤, 폴리에테르케톤, 폴리술폰, 폴리카본에이트, 폴리스틸렌, 나이론, 폴리비닐클로라이드, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌, 폴리에테르케톤, 폴리에테르술폰, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 플루오르에틸렌 프로필렌 공중합체, 셀룰로스, 트리아세테이트, 실리콘 및 고무와 같은 중합체 재료를 포함한다.
절연체(22)는 그 내부의 전극(24)을 감싸는 형상 및 크기를 가지며, 그 위에 기판을 지지하기에 적합하다. 절연체(22)의 형상 및 크기는 기판(42)의 크기 및 형상에 따라 변한다. 예를 들어 기판(42)이 디스크형이면, 절연체(22) 역시 디스크 형상이다. 절연체(22)의 전체 두께는 절연체(22)를 형성하기 위하여 이용된 절연 재료의 전기 저항 및 절연 상수에 따라 변한다. 폴리이미드가 절연체(22)로서 이용될 때, 절연체는 적어도 100볼트/밀(3.9볼트/미크론), 바람직하게 적어도 1000볼트/밀(39볼트/미크론)의 절연 파괴강도를 가진다. 일반적으로, 절연체(22)는 약 1013Ω㎝ 내지 1020Ω㎝의 범위의 저항값을 가지며, 적어도 약 2, 바람직하게는 적어도 약 3인 절연상수를 가진다. 절연체(22)가 약 3.5의 절연상수를 가질 때, 전체 절연체(22)는 일반적으로 약 10내지 500㎛, 더욱 바람직하게 약 100㎛ 내지 300㎛까지 이다.
바람직하게, 절연체(22)는 50℃를 초과하는 온도에 대하여 저항력을 가지며, 더욱 바람직하게 100℃를 초과하는 온도에 대하여 저항력을 가져, 척(20)은 기판(42)이 가열되는 공정에 이용될 수 있다. 또한, 바람직하게 절연체(22)는 가공 중에 기판(42)에서 생성된 열이 척(20)을 통하여 분산될 수 있도록 높은 열전도성을 가진다. 절연체(22)의 열전도성은 적어도 약 0.10Watt/m/°K이여서, 충분한 열전이가 기판(42)의 가열을 방지하도록 한다.
또한 절연체(22)는 열전도성 및 폴라즈마 부식에 대한 저향력을 증가 시키기 위하여 다이아몬드, 알루미나, 붕화지루코늄, 질화붕소 및 질화알루미늄과 같은 높은 열전도성 충전제 재료를 포함할 수 있다. 바람직하게, 충전제 물질은 약 10㎛ 이하의 입자 크기를 가진 분말이다. 일반적으로, 충전제는 약 10% 내지 80%, 더욱 바람직하게 20% 내지 50%의 부피 비율로 절연 재료에 분산된다.
바람직하게, 절연체(22)는 제2도에 도시된 것처럼, 절연체(22)를 통하여 일정한 간격으로 배열된 홈(36)을 가진다. 홈(36)은 또한 제1도에 도시된 것처럼, 절연체(22) 위에 배치될 수 있다. 홈(36)은 기판(42)을 냉각시키는 냉각제 소스(52)로부터 냉각제를 유지하기 위한 크기를 가지며, 이를 위해 분산된다. 일반적으로, 홈(36)은 교차 채널 패턴을 가지며, 상기 채널은 이하에 기술되는 것처럼 전극(24)사이에 놓인다. 선택적인 홈 패턴이 상기 미합중국 특허출원 제08/189,562호에 기술된다.
또한, 보호 코팅(도시안됨)이 절연체(22)의 상부면 위에 가해져 척(20)이 부식성 및 마멸성 가공 환경에 이용될 때 화학적 분해로부터 절연체(22)를 보호한다. 바람직한 보호 코팅 및 이들의 제조 공정은 예를 들어 우등의 미합중국 특허출원 제08/052,018호, 1993년 2월 22일 출원, 명칭 "집적회로 가공 장치에 이용된 웨이퍼의 절연재료용 보호 코팅 및 이의 제조 방법",에 기술되며, 이는 여기에 참고로 기술된다.
전극
절연체(22)의 전극(24)은 예를 들어 구리, 니켈, 크롬, 알루미늄, 철 및 이들의 합금과 같은 소정 전기 전도재료로 만들어진다. 전극(24)의 크기 및 형상은 기판(42)의 크기 및 형상에 따라 변한다. 예를 들어, 기판(42)이 디스크형이면 전극(24) 역시 디스크형이여서, 기판(42)과 접촉하는 전극의 영역을 최대화한다.
전극(24)은 제1도에서처럼 연속적이거나, 제2도에서와 같은 패턴을 가질 수 있다. 바람직하게, 전극(24)은 여러 개의 선택적인 구조 중 하나로 패턴화된다. 어느 패턴 구조에서 전극(24)은 상호연결된 형상으로 형성되며, 상기 형상은 홈(36)이 전극 패턴사이에 형성될 수 있도록 하는 크기이며, 홈(36)은 기판(42)을 냉각시키는 그 내부의 냉각제를 유지하기 위하여 제공된다.
또다른 구조에서, 패턴화된 전극(24)은 적어도 한 쌍의 전극을 포함하여, 전극(24)이 2극 전극으로 기능할 수 있도록 한다. 적합한 2극 전극 구조는 미합중국 특허 제4,184,188호, 브리글리아; 미합중국 특허 제4,384,918호, 아베; 및 투스카다 등에 기술되며, 이들은 여기에 참고로 기술된다. 2극 전극(24) 구조가 이용될 때, 양쪽 극에서 전극쌍을 유지하기 위하여 각각의 전극쌍에 전압이 가해진다. 2극 전극 구조는 기판을 전기적으로 바이어스시키지 않고도 기판(42)에서 정전기 전하의 축적을 허용한다. 2극 전극 구조는 척(20)이 기판(42)을 전기적으로 바이어스시키는 전하 캐리어 역할을 하는 충전될 플라즈마가 없는 비플라즈마 가공에 이용될 때, 바람직할 수 있다.
베이스
척의 베이스(28)가 그 내부에 전극(24)을 가진 절연체(22)를 지지하기 위하여 제공된다. 일반적으로, 베이스(28)는 기판(42)의 형상 및 크기에 따른 형상 및 크기를 가져 베이스(28) 및 기판(42) 사이의 열전이를 최대화하며, 그리고 기판(42)을 지지하는 넓은 표면을 제공한다. 예를 들어, 기판(42)이 디스크형이면 실린더형 베이스가 바람직하다. 선택적으로 베이스(28)는 기판(42)의 형상과 다른 형상 및 기판(42)의 크기와 다른 크기를 가질 수 있다. 일반적으로, 베이스는 약 100mm 내지 255mm(4 내지 9인치)의 직경 및 약 1.5 내지 2cm의 두께를 가진 알루미늄 실린더이다.
제조 방법
본 발명에 따른 정전기 척(20)을 제조하는 바람직한 공정이 이하에 기술된다.
척(20)의 베이스(28)는 일반적으로 알루미늄판으로부터 기계가공되며, 약 127 내지 203(5-8인치) 범위인 기판의 직경과 매칭하도록 약 1.5 내지 1.8cm의 두게 및 100 내지 300mm의 직경을 가진 직각 실린더형으로 절단된다. 알루미늄판의 상부면 및 하부면은 판의 표면 거칠기가 약 1미크론 이하가될 때 까지 종래 알루미늄 연마 기술을 이용하여 연마된다. 판의 표면 연마는 기판(42) 및 지지부(44) 사이의 열전이를 충분히 허용하도록 베이스(28)상의 지지부(44) 및 기판을 균일하게 접촉하기 위하여 베이스에 대하여 필수적이다. 연마 후에, 판은 연마 이물질을 제거하기 위하여 철저하게 세척된다.
일반적으로, 절연체(22)는 제6도에 도시된 것처럼 적층(60)으로 조립되며, 이는 제2도 및 제5도에 도시된 것처럼 두개의 절연층(22a,22b)을 포함한다. 전극(24) 위에 배치된 상부 절연층(22a)은 절연체(22)의 중심 부분(25)을 형성한다. 하부 절연층(22b)은 전극(24) 하부에 배치된다. 상부 및 하부층(22a,22b)은 절연체(22)의 주변 부분(26)을 형성하기 위하여 전극 이상으로 뻗는다. 중심 부분(25)이 주변 부분(26)에 대하여 상승될 때, 높이(H)를 가진 단(27)은 절연체내에 형성된다. 절연체(22)의 주변 부분(26)은 전극(24)이상으로 넓게 뻗으며 폭(W)을 가진다.
적층부재(60)를 형성하는 바람직한 방법이 기술된다. 이 방법에서, 전기 절연 중합체 박막이 하부 절연층(22b)을 형성하기 위하여 선택된다. 적합한 절연 박막은 워싱톤, 델라웨어 소재, 듀폰사로부터 제조된 폴리이미드 "KAPTON"; 일본국, 카네가프치 화학 산업사에 의하여 제조된 "APIQUEO"; 일본 우베산업사로부터 제조된 "UPILEX"; 일본국 니토 전기 산업사에 의하여 제조된 "NITOMID"; 및 일본국 미쯔비시 플라스틱산업사에 의하여 제조된 "SUPERIOR FILM"을 포함한다.
다음에, 전극(24)은 스퍼터링과 같은 물리적 기상 증착, 화학 기상 증착 또는 전기도금 방법에 의하여 하부 절연층(22b) 위에 형성된다. 예를 들어, 통상적인 스퍼터링 기술이 전극(24)을 형성하기 위하여 이용될 수 있다. 적합한 스퍼터링 기술은 일반적으로 에스. 울프 및 알. 엔. 토우버, VLSI 시대용 실리콘 가공, Vol. I, 챕터. 16: VLSI용 건에칭, 래티스 출판사, 선셋 비치, 캘리포니아(1986)에 기술되며, 이는 여기에 참고로 기술된다.
제2절연층(22a)은 절연재료 형태로(상술한 것처럼) 전극(24)위에 가해지거나 또는 전극(24) 위에 전기절연 중합체를 스프레이, 딥핑, 페이팅, 스핀 코팅 또는 스크리닝함으로써 가해진다.
다음에 전기 컨넥터(29)는 전기 전도 접착제를 이용하여 전극(24)에 고정된다. 전기 컨넥터(29)는 종래의 온도 및 압력 기준 접착제를 이용하여 베이스(28)에 접착된다. 다음에 적층 부재(60)가 척(20)을 형성하기 위하여 종래의 압력 및 온도 민감 접착제를 이용하여 베이스(28)에 접착된다.
적층(60)에서, 전극(24) 위에 놓인 상부 절연적층(22a)은 절연체(22)의 상승된 중심 부분(25)을 형성한다. 제2도에 도시된 척(20)의 실시예에서, 절연체(22)의 상승된 중심 부분(25) 및 하부 주변 부분(26) 사이의 단(27)의 높이(H)는 여러 가지 방법 중 하나에 의하여 약 10미크론 이하로 감소된다. 절연체(22)의 단(27)의 높이(H)를 감소시키는 바람직한 방법은 약 1㎛ 내지 10㎛, 더욱 바람직하게는 약 1㎛ 내지 5㎛의 두께를 가지는 박막 전극층(24)을 하부 절연층(22b) 위에 형성하는 단계를 포함한다. 박막 전극층(24)은 전극(24) 위에 놓인 상승된 중심 절연체 부분(25)의 높이를 낮춤으로써 단(27)의 높이(H)를 낮춘다. 이러한 실시에에서, 전극(24)은 일반적으로 약 180mm 내지 200mm, 바람직하게 190 내지 195mm의 직경을 가진다.
제2도의 척(20) 역시 절연체(22)의 주변 부분(26)의 두께를 증가시킴으로써 제조될 수 있으며, 이에 의하여 단(27)의 높이(H)가 감소한다. 주변 절연체 부분(26)의 두께는 주변 절연체 부분(26)상에 절연체의 추가 층을 가함으로써 증가될 수 있다. 예를 들어, 추가 절연체층은 절연체(22)의 주변 부분(26) 위에 접착된 중합체 절연체의 미리 절단된 환형 시트를 포함할 수 있다. 선택적으로, 추가 절연체층은 페인팅 또는 딥핑에 의하여 액체 절연재료의 형태로 가해질 수 있다. 또다른 방법은 물리 또는 화학 기상 증착 방법에 의하여 절연체(22)의 주변 부분(26) 위에 SiC 또는 SiO2와 같은 절연 체층을 증착시키는 것이다.
제5도의 척(20)의 실시예에서, 척(20)의 부식은 절연체(22)의 주변 부분(26)의 폭(W)을 증가시킴으로써 감소된다. 상부 및 하부 절연층(22a,22b)은 전극 이상으로 뻗어 폭(W)을 가진 절연체(22)의 주변 부분(26)을 형성한다. 주변 절연체 부분(26)은 일반적으로 전극(24) 주위에 원형으로 배치되며, 폭(W)을 가진 환형 림을 포함한다. 절연체(22)의 주변 부분(26)의 폭(W)은 절연체(22)의 부식을 감소시키기 위하여 적어도 약 2mm, 바람직하게 적어도 약 3mm로 유지된다. 주변 절연체 부분(26)은 전극(24)의 직경을 약 190mm 이하, 바람직하게 약 188mm 이하로 유지함으로써 증가될 수 있다.
척(20)을 형성하는 선택적인 방법이 기술된다. 바람직하게, 척(20)은 패턴화된 전극(24)을 포함한다. 패턴화된 전극(24)은 (ii) 종래 포토레지스트 기술을 이용하여 연속 전극층 위에 패턴화된 레지스트층을 형성하는 단계; 및 (iii) 습식 화학 또는 플라즈마 활성 에칭 기술에 의하여, 노출된 전극층 부분을 에칭 하는 단계에 의하여 형성된다. 레지스트층은 워싱톤, 델라웨어 소재, 듀폰사로부터 제조된 "RISTON"과 같은 포토레지스트를 전극층 위에 가함으로써 형성될 수 있다. 여기에 참고로 기술된 미합중국 특허 제4,952,528호, 아베 등, 미합중국 특허 제5,079,600호, 스크너 등, 미합중국 특허 제5,221,422호, 다스 등과 같은 종래 포토리소그래픽 기술은 레지스터층을 패턴화하기 위하여 이용된다. 레지스터층을 형성한 후에, 전극층(24)은 염화철, 과황산나트륨, 또는 산 또는 염기와 같은 식각제로 다층 박막을 담그는 것과 같은 화학 에칭 방법을 이용하여 에칭될 수 있다. 선택적으로, 또한 미합중국 특허 제3,615,951호, 프랜코 등; 제5,100,499호, 더글라스; 제5,167,748호, 챙 등; 및 제5,221,430호에 기술된 기술과 같은 플라즈마 에칭 기술이 이용될 수 있으며, 이들은 여기에 참고로 기술된다.
에칭된 전극 층을 형성한 후에, 제2절연층(22a)은 상술한 바와 같이 에칭된 전극(24) 위에 가해진다. 다음에 적층이 펀칭되거나, 스탠핑되거나 또는 압축되어 절연체(22)를 통하여 홈(36)을 형성하도록 한다. 액체 중합체층이 에칭된 전극(24) 위에 가해질 때, 점성의 액체 중합체가 절연체(22)의 상부면 위에 홈(36)을 형성하기 위하여 패턴화된 전극(24) 사이의 트랜치로 흐른다.
하부 절연층(22b) 위에 전극층을 스퍼터링하는 대신에, 전극(24)을 형성하는 선택적인 방법은 다단계 전기도금 공정을 포함하며, 이는 (i) 절연층 위에 "시드(seed)" 크롬층을 스퍼터 증착하는 단계; 및 (ii) 전극 및 통합 전기 컨넥터를 형성하기 위하여 레지스트로 코팅되지 않은 크롬 시드층 위에 금속을 전기도금하는 단계를 포함한다. 미합중국 특허 제4,131,992호; 미합중국 특허 제4,022,947호; 미합중국 특허 제4,392,992호; 및 제이.에이.토톤, "플라스틱 위에 스퍼터 증착", 진공코팅 학회의 제18차 미합중국 회의 회보, 키이 비스케인, 4월 7-9(1975), 페이지 8-26에 기술된 것과 같은 종래 크롬 스퍼터링 기술이 적합하며, 상기 종래 기술들은 여기에 참고로 기술된다. 미합중국 특허 제5,252,196호, 소낸버그 등; 미합중국 특허 제5,004,525호, 베르나드스등; 미합중국 특허 제4,898,647호, 르스 등; 미합중국 특허 제4,948,474호, 밀즈코빅에 기술된 것과 같은 종래 구리도금 기술이 전극(24)을 형성하기 위하여 이용되며, 이들은 여기에 참고로 기술된다. 그 내부에 전극(24)을 가진 절연체(22)를 포함하는 적층(60)을 형성하는 또다른 방법은 절연층 및 전기 전도 전극층을 포함하는 다층 박막을 이용한다. 적당한 다층박막은 챈들러, 아리조나의 로거스사에서 제조한 "R/FLEX 1100"박막을 포함하며, 이는 25 내지 125㎛ 두께 폴리이미드 절연체층 위에 전기 도체 구리층을 포함한다. 다층 박막의 구리층은 에칭되거나, 루팅되거나 또는 밀링되어 적정 두께 및 구조를 가진 전극(24)을 얻는다. 종래 건식 또는 습식 화학 에칭 방법은 상술한 것처럼 다층 박막의 전극층을 에칭하기 위하여 이용될 수 있다. 전극층을 형성한 후에, 제2절연박막은 적층(60)을 형성하기 위하여 전극 층에 접착된다.
[실시예 1]
본 실험은 종래 정전기 척의 부식 정도 및 본 발명의 척(20)의 부식 정도를 비교하기 위하여 수행된다.
종래 척은 37미크론의 전극 두께를 가진다. 척 위의 절연체(22)의 주변 부분(26)에서 단(27)은 50미크론 이하의 높이(H)를 가진다.
종래 척 및 본 발명의 척(20)은 산타 클라라, 캘리포니아의 어플라이드 머티어리얼스사, "PRECISION 5000" 에칭 장치의 가공 챔버(40)내의 지지부(44)에 각각 고정된다. 가공 챔버(40)는 약 1 내지 500mTorr, 일반적으로 약 10 내지 100mTorr 범위의 압력으로 진공화된다. 실리콘 웨이퍼 기판(42)은 로드 록 전달 챔버(도시안됨)으로부터 챔버(40)로 전달되며, 척위에 정전기적으로 유지된다.
에칭 가공 가스는 하나 이상의 압력화된 가스 소스를 이용하여 가공 챔버(40)에 유입된다. 다음에 다중 단계를 포함하는 에칭 가공이 기판(42) 위에서 수행된다. 에칭 가공의 제1단계에서는, HBr 및 NF3을 포함한 에칭 가스, 다음 단계에서는 HBr, He/O2및 NF3을 포함한 가스 및 마지막 단계에서는 NF3에칭 가스만이 이용된다. 각각의 단계에서, 전압공급장치(48)는 접지된 표면(50)에 대하여 지지부(44)를 전기적으로 바이어스시키기 위하여 활성화되며, 이에 의하여 챔버(40)에서 가공 가스로부터 플라즈마를 형성한다. 플라즈마 활성 식각제는 기판(42)에 침투하여 에칭한다.
종래 척은 4시간의 가공 후에 고장나지만, 본 발명의 척(20)은 고장 없이 30시간을 지속한다. 이는 척(20)의 유효 수명에서 7배 증가를 나타내며, 종래 기술보다 상당한 개선을 나타낸다.
본 발명이 어느 바람직한 실시예를 참조로 상세히 기술되었지만, 많은 다른 실시예가 당업자에게 명백하다. 예를 들어, 척의 절연체내의 단은 완전히 제거될 수 있다. 따라서, 첨부된 청구범위의 사상 및 범위는 실시예의 설명에만 국한되지 않는다.

Claims (21)

  1. 부식성 가스를 함유한 가공 챔버(process chamber)에서 기판을 고정(hold)하기 위한 부식성이 감소되는 정전기 척(eletrostatic chuck)에 있어서,
    절연체 - 상기 절연체는 (i) 상기 절연체 내부에 형성되는 전극, (ii) 상기 전극 위에 배치되며 상부에 기판을 지지하기에 적합하도록 형성된 상승 중심 부분(raised central portion), 및 (iii) 상기 전극을 넘어 연장된 하부 주변 부분(lower peripheral portion)을 포함하며, 상기 상승 중심 부분 및 상기 하부 주변 부분은 높이(H)를 갖는 단차를 정의함 -를 포함하고,
    기판이 상기 척 위에 정전기적으로 고정될 때, 상기 절연체의 상기 상승 중심 부분은 상기 기판에 의하여 실질적으로 덮여있고, 상기 주변 절연체 부분은 상기 가공 챔버내의 상기 부식성 가스에 노출되며,
    상기 단차의 높이(H)는 상기 노출된 주변 절연체 부분의 부식을 감소시키기 위하여 약 10미크론 이하인 정전기 척.
  2. 제1항에 있어서, 상기 단차의 높이(H)는 약 5미크론 이하인 정전기 척.
  3. 제2항에 있어서, 상기 단의 높이(H)는 약 1미크론 이하인 정전기 척.
  4. 제1항에 있어서, 상기 주변 절연체 부분은 환형 림(annular rim)을 포함하는 정전기 척.
  5. 제4항에 있어서, 상기 주변 절연체 부분의 폭(W)은 적어도 약 2mm인 정전기 척.
  6. 제5항에 있어서, 상기 주변 절연체 부분의 폭(W)은 적어도 약 3mm인 정전기 척.
  7. 제1항에 있어서, 상기 절연체는 베이스(base) 위에 배치되는 정전기 척.
  8. 제1항에 있어서, 상기 절연체는 실린더 형상인 정전기 척.
  9. 부식성 가스를 함유한 가공 챔버에서 기판을 고정하기 위한 부식성이 감소되는 정전기 척에 있어서,
    절연체 - 상기 절연체는 (i) 상기 절연체 내부에 형성되는 전극, (ii) 상기 전극 위에 배치되며 상부에 기판을 지지하기에 적합하도록 형성된 중심 부분, 및 (iii) 상기 전극을 넘어 연장되고 폭(W)을 가지는 주변 부분을 포함함 -를 포함하고,
    기판이 상기 척 위에 정전기적으로 고정될 때, 상기 절연체의 중심 부분은 상기 기판에 의하여 실질적으로 덮여있고, 상기 주변 절연체 부분은 상기 가공 챔버내에서 상기 부식성 가스에 노출되며,
    상기 주변 부분의 폭(W)은 상기 절연체의 주변 부분의 부식을 감소시키기 위하여 적어도 약 2mm인 정전기 척.
  10. 제9항에 있어서, 상기 주변 절연체 부분의 폭(w)은 적어도 약 3mm인 정전기 척.
  11. 제9항에 있어서, 상기 절연체는 실린더 형상인 정전기 척.
  12. 부식성 가스를 함유한 가공 챔버에서 기판을 고정하기 위한 부식성 감소되는 정전기 척 조립체(electrostatic chuck assembly)에 있어서,
    (a)(i) 베이스, 및 (ii) 상기 베이스 상의 절연체 - 상기 절연체는 (1) 상기 절연체 내부에 형성되는 전극, (2) 상기 전극 위에 배치되며 상부에 기판을 지지하기에 적합하도록 형성된 상승 중심 부분 및 (3) 상기 전극을 넘어 연장된 하부 주변 부분을 포함하고, 상기 상승된 중심 부분 및 상기 하부 주변 부분이 높이(H)를 가지는 단차를 정의함 -를 포함하는 정전기 척; 및
    (b) 상기 척 위에 정전기적으로 고정되는 기판을 포함하고,
    상기 상승 중심 부분은 상기 기판에 의해 실질적으로 덮여있고, 상기 절연체의 상기 주변 부분은 상기 가공 챔버 내의 상기 부식성 가스에 노출되며,
    상기 절연체에서 단차의 높이(H)는 상기 절연체의 부식을 감소시키기 위하여 약 10미크론 이하인 정전기 척 조립체.
  13. 제12항의 정전기 척 조립체를 포함하는 가공 챔버.
  14. 부식성 가스를 함유한 가공 챔버에서 기판을 고정하기 위한 부식성이 감소되는 정전기 척 조립체에 있어서,
    (a)(i) 베이스, 및 (ii) 상기 베이스 상의 절연체 - 상기 절연체는 (1) 상기 절연체 내부에 형성되는 전극, (2) 상기 전극 위에 배치되며 상부에 기판을 지지하기에 적합하도록 형성된 중심 부분 및 (3) 상기 전극을 넘어 연장된 하부 주변 부분을 포함하고, 상기 주변 부분은 폭(W)을 갖음 -를 포함하는 정전기 척; 및
    (b) 상기 척 상에 정전기적으로 고정되는 기판을 포함하고,
    상기 중심 부분은 상기 기판에 의해 실질적으로 덮여있고, 상기 절연체의 상기 주변 부분은 상기 가공 챔버 내의 상기 부식성 가스에 노출되며,
    상기 절연체의 상기 주변 부분의 폭(W)은 상기 절연체의 부식을 감소시키기 위하여 적어도 약 2mm인 정전기 척 조립체.
  15. 제14항의 정전기 척 조립체를 포함하는 가공 챔버.
  16. 부식성이 감소되는 정전기 척을 형성하기 위한 방법에 있어,
    (a) 베이스를 형성하는 단계;
    (b) 절연체 - 상기 절연체는 (i) 상기 절연체 내부에 형성되는 전극, (ii) 상기 전극 위에 배치되고 상부에 기판을 지지하기에 적합하도록 형성된 상승 부분, 및 (iii) 상기 전극을 넘어 연장된 하부 주변 부분을 포함하며, 상기 절연체의 상기 주변 부분의 부식을 감소시키기 위해 상기 상승 중앙 부분 및 상기 주변 부분은 약 10미크론 이하의 높이(H)를 갖는 단차를 정의함 -를 형성하는 단계; 및
    (c) 상기 베이스 위에 상기 절연체를 배치하는 단계를 포함하는 정전기 척형성 방법.
  17. 제16항에 있어서, 상기 단계 (b)에서, 상기 전극의 두께는 약 5미크론 이하인 정전기 척 형성 방법.
  18. 제16항에 있어서, 상기 단계(b)에서, 상기 전극은 디스크(disc)를 포함하는 정전기 척 형성 방법.
  19. 부식성이 감소되는 정전기 척을 형성하기 위한 방법에 있어,
    (a) 베이스를 형성하는 단계;
    (b) 절연체 - 상기 절연체는 (i) 상기 절연체 내부에 형성되는 전극, (ii) 상기 전극 위에 배치되고 상부에 기판을 지지하기에 적합하도록 형성된 중심 부분, 및 (iii) 상기 전극을 넘어 연장된 하부 주변 부분을 포함하며, 상기 절연체의 상기 주변 부분의 부식을 감소시키기 위해 상기 주변 부분은 적어도 약 2mm의 폭을 갖음 -를 형성하는 단계; 및
    (c) 상기 베이스 위에 상기 절연체를 배치하는 단계를 포함하는 정전기 척형성 방법.
  20. 제19항에 있어서, 상기 단계(b)에서, 상기 주변 절연체 부분의 폭(w)은 적어도 약 3mm인 정전기 척 형성 방법.
  21. 제19항에 있어서, 상기 단계(b)에서, 상기 주변 절연체 부분은 환형 림을 포함하는 정전기 척 형성 방법.
KR1019950020959A 1994-07-18 1995-07-18 개선된 내식성을 가지는 정전기 척 KR100307688B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/276,735 1994-07-18
US08/276,735 US5606485A (en) 1994-07-18 1994-07-18 Electrostatic chuck having improved erosion resistance

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR960005928A KR960005928A (ko) 1996-02-23
KR100307688B1 true KR100307688B1 (ko) 2001-11-30

Family

ID=23057876

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950020959A KR100307688B1 (ko) 1994-07-18 1995-07-18 개선된 내식성을 가지는 정전기 척

Country Status (6)

Country Link
US (1) US5606485A (ko)
EP (1) EP0693771B1 (ko)
JP (1) JPH08172786A (ko)
KR (1) KR100307688B1 (ko)
AT (1) ATE160903T1 (ko)
DE (1) DE69501135T2 (ko)

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5822171A (en) * 1994-02-22 1998-10-13 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with improved erosion resistance
US5729423A (en) * 1994-01-31 1998-03-17 Applied Materials, Inc. Puncture resistant electrostatic chuck
US5885469B1 (en) * 1996-11-05 2000-08-08 Applied Materials Inc Topographical structure of an electrostatic chuck and method of fabricating same
JP3457477B2 (ja) * 1995-09-06 2003-10-20 日本碍子株式会社 静電チャック
US6108189A (en) * 1996-04-26 2000-08-22 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having improved gas conduits
US5986873A (en) * 1996-07-01 1999-11-16 Packard Hughes Interconnect Co. Creating surface topography on an electrostatic chuck with a mandrel
US5870271A (en) * 1997-02-19 1999-02-09 Applied Materials, Inc. Pressure actuated sealing diaphragm for chucks
EP0948042A1 (de) * 1998-03-06 1999-10-06 VenTec Gesellschaft für Venturekapital und Unternehmensberatung Elektrostatische Vorrichtung zum Halten von Wafern und anderen Bauteilen
US5969934A (en) * 1998-04-10 1999-10-19 Varian Semiconductor Equipment Associats, Inc. Electrostatic wafer clamp having low particulate contamination of wafers
US6077353A (en) * 1998-06-02 2000-06-20 Applied Materials, Inc. Pedestal insulator for a pre-clean chamber
US6013984A (en) * 1998-06-10 2000-01-11 Lam Research Corporation Ion energy attenuation method by determining the required number of ion collisions
US6067222A (en) * 1998-11-25 2000-05-23 Applied Materials, Inc. Substrate support apparatus and method for fabricating same
US6115232A (en) * 1998-12-03 2000-09-05 Lsi Logic Corporation Method for forming an ion implanted electrostatic chuck
US6169652B1 (en) 1999-03-12 2001-01-02 Euv, L.L.C. Electrostatically screened, voltage-controlled electrostatic chuck
US6261977B1 (en) * 1999-09-08 2001-07-17 United Microelectronics Corp. Method for preventing an electrostatic chuck from being corroded during a cleaning process
US6839217B1 (en) 1999-10-01 2005-01-04 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Surface structure and method of making, and electrostatic wafer clamp incorporating surface structure
US6538873B1 (en) 1999-11-02 2003-03-25 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Active electrostatic seal and electrostatic vacuum pump
US6362946B1 (en) 1999-11-02 2002-03-26 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Electrostatic wafer clamp having electrostatic seal for retaining gas
KR20010066139A (ko) * 1999-12-31 2001-07-11 황인길 척을 가지고 있는 반도체 제조 장치
JP4529168B2 (ja) * 2000-03-07 2010-08-25 Ｔｏｔｏ株式会社 静電アクチュエータおよびその製造方法
KR100384060B1 (ko) * 2000-12-04 2003-05-14 삼성전자주식회사 반도체장치 애싱설비의 척 플레이트 및 이를 이용한 척조립체
US7128804B2 (en) * 2000-12-29 2006-10-31 Lam Research Corporation Corrosion resistant component of semiconductor processing equipment and method of manufacture thereof
US7252738B2 (en) * 2002-09-20 2007-08-07 Lam Research Corporation Apparatus for reducing polymer deposition on a substrate and substrate support
CN1310285C (zh) * 2003-05-12 2007-04-11 东京毅力科创株式会社 处理装置
JP4705816B2 (ja) * 2005-07-27 2011-06-22 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
DE202006007122U1 (de) 2006-05-03 2006-09-07 Retzlaff, Udo, Dr. Mobiler, transportabler, elektrostatischer Substrathalter aus Halbleitermaterial
JP5317424B2 (ja) 2007-03-28 2013-10-16 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US8043433B2 (en) * 2008-02-11 2011-10-25 Applied Materials, Inc. High efficiency electro-static chucks for semiconductor wafer processing
US8454027B2 (en) * 2008-09-26 2013-06-04 Lam Research Corporation Adjustable thermal contact between an electrostatic chuck and a hot edge ring by clocking a coupling ring
US9869392B2 (en) 2011-10-20 2018-01-16 Lam Research Corporation Edge seal for lower electrode assembly
US9859142B2 (en) 2011-10-20 2018-01-02 Lam Research Corporation Edge seal for lower electrode assembly
KR101877339B1 (ko) * 2012-12-20 2018-07-11 주식회사 원익아이피에스 기판처리시스템의 기판캐리어 및 그를 가지는 기판처리시스템
US10090211B2 (en) 2013-12-26 2018-10-02 Lam Research Corporation Edge seal for lower electrode assembly
US20170047867A1 (en) * 2015-08-12 2017-02-16 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with electrostatic fluid seal for containing backside gas

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5275683A (en) * 1991-10-24 1994-01-04 Tokyo Electron Limited Mount for supporting substrates and plasma processing apparatus using the same

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4184188A (en) * 1978-01-16 1980-01-15 Veeco Instruments Inc. Substrate clamping technique in IC fabrication processes
US4384918A (en) * 1980-09-30 1983-05-24 Fujitsu Limited Method and apparatus for dry etching and electrostatic chucking device used therein
JPS57149734A (en) * 1981-03-12 1982-09-16 Anelva Corp Plasma applying working device
JPS6131636U (ja) * 1984-07-31 1986-02-26 株式会社 徳田製作所 静電チヤツク
JPS6372877A (ja) * 1986-09-12 1988-04-02 Tokuda Seisakusho Ltd 真空処理装置
US4724510A (en) * 1986-12-12 1988-02-09 Tegal Corporation Electrostatic wafer clamp
JPH01298721A (ja) * 1988-05-27 1989-12-01 Tokuda Seisakusho Ltd 真空処理装置
JPH0227748A (ja) * 1988-07-16 1990-01-30 Tomoegawa Paper Co Ltd 静電チャック装置及びその作成方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5275683A (en) * 1991-10-24 1994-01-04 Tokyo Electron Limited Mount for supporting substrates and plasma processing apparatus using the same

Also Published As

Publication number Publication date
US5606485A (en) 1997-02-25
DE69501135T2 (de) 1998-04-09
KR960005928A (ko) 1996-02-23
ATE160903T1 (de) 1997-12-15
EP0693771B1 (en) 1997-12-03
DE69501135D1 (de) 1998-01-15
EP0693771A1 (en) 1996-01-24
JPH08172786A (ja) 1996-07-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100307688B1 (ko) 개선된 내식성을 가지는 정전기 척
US5996218A (en) Method of forming an electrostatic chuck suitable for magnetic flux processing
US5646814A (en) Multi-electrode electrostatic chuck
US5528451A (en) Erosion resistant electrostatic chuck
US6557248B1 (en) Method of fabricating an electrostatic chuck
US5631803A (en) Erosion resistant electrostatic chuck with improved cooling system
KR100398817B1 (ko) 정전척을위한장벽실링
US5166856A (en) Electrostatic chuck with diamond coating
KR100430643B1 (ko) 두께가 균일한 절연체 막을 갖는 정전기 척
EP0486966B1 (en) Electrostatic chuck
US9692325B2 (en) High conductivity electrostatic chuck
JP4354983B2 (ja) 基板処理設備
US20040074605A1 (en) Focus ring for semiconductor treatment and plasma treatment device
KR19980071438A (ko) 척에 대한 압력 작동 밀봉 격판 및 밀봉 방법
WO1997023945A9 (en) Low voltage electrostatic clamp for substrates such as dielectric substrates
KR19990063844A (ko) 진공처리기 내의 유전성 피처리물의 정전기식유지방법 및 장치
JP3837184B2 (ja) 静電チャックの保護方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120727

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130729

Year of fee payment: 13

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140730

Year of fee payment: 14

EXPY Expiration of term