KR960705692A - 식각 균일도 개선을 위한 표면 기복 유도 플라즈마 향상 기술(topology induced plasma enhancement for etched uniformity improvement) - Google Patents

식각 균일도 개선을 위한 표면 기복 유도 플라즈마 향상 기술(topology induced plasma enhancement for etched uniformity improvement)

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Abstract

본 발명은 플라즈마를 형성하는 반응 가스를 배출하는 배출구를 포함하는 중앙부 및 상기 배출구를 실질적으로 둘러싸는 주변부(12)가 구비된 전면을 가지는 플라즈마 방전 전극(8)에 관한 것이다. 주변부(12)는 상기 전극(8)에 의해 형성되는 플라즈마의 밀도를 국부적으로 향상시키기 위해 적어도 하나 이상의 요부(30)를 갖는다. 상기 요부(30)는 대치가능한 삽입물에 형성될 수 있으며, 상기 전극(8)은 실리콘 단결정으로 만들어 질수 있다.

Description

식각 균일도 개선을 위한 표면 기복 유도 플라즈마 향상 기술(TOPOLOGY INDUCED PLASMA ENHANCEMENT FOR ETCHED UNIFORMITY IMPROVENMENT)
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래 샤워 헤드 전극의 평면도이다, 제2도는 제1도의 종래 샤워 헤드 전극의 2-2´절단선에 따른 단면도이다, 제10도 구분된 흠을 포함하는 본 발명에 따른 플라즈마 방전 전극의 평면도이다.

Claims (20)

  1. 플라즈마 반응 챔버에 사용되는 전극에 있어서, 상기 전극 노출면의 외향으로 반응 가스를 방전시키기 위한 전극의 중앙부에 있는 하나 또는 그 이상의 배출구; 및 상기 전극의 노출면에 인접하여 형성된 플라즈마의 국부적 밀도를 표면 기복적으로(topographically)향상하기 위해 전극의 주변부에 위치한 플라즈마 향상수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 전극.
  2. 제1항에 있어서, 상기 전극의 주변부는 상기 전극의 노출면에 적어도 하나 이상의 요부를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 전극.
  3. 제2항에 있어서, 상기 적어도 하나 이상의 요부는 상기 전극의 중앙부 둘레로 실질적으로 연장되는 적어도 하나의 홈을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 전극.
  4. 제2항에 있어서, 상기 적어도 하나 이상의 요부는 상기 전극의 중앙부 둘레로 실질적으로 연장되는 적어도 둘 이상의 동심형 홈을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 전극.
  5. 제3항에 있어서, 상기 홈의 폭은 전극에 의해 형성된 플라즈마 분자의 평균 자유 행정의 5배 내지 50배 사이인 것을 특징으로 하는 플라즈마 전극.
  6. 제3항에 있어서, 상기 적어도 하나 이상의 홈의 형상은 U-형, V-형, 채널-형, 또는 상기 형상 어느 것의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 전극.
  7. 제3항에 있어서, 상기 적어도 하나 이상의 홈은 상기 전극의 주변부로부터 가스를 방전시키는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 전극.
  8. 제3항에 있어서, 상기 적어도 하나 이상의 홈은 상기 전극의 주변부에 탑재된 대치가능한 삽입물에 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 전극.
  9. 제4항에 있어서, 상기 두개의 동심형 홈 중의 하나는 상기 전극의 주변부로부터 가스를 방전시키는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 전극.
  10. 제9항에 있어서, 상기 두개의 동심형 홈은 상기 전극의 주변부의 탑재된 대치가능한 삽입물에 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 전극.
  11. 제2항에 있어서, 상기 적어도 하나 이상의 요부는 상기 전극의 주변부 둘레에 배열된 다수의 함몰부를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 전극.
  12. 제11항에 있어서, 상기 함몰부 각각의 폭은 전극에 의해 형성된 플라즈마 분자의 평균 자유 행정의 5배 내지 50배 사이인 것을 특징으로 하는 플라즈마 전극.
  13. 제11항에 있어서, 상기 함몰부이 적어도 하나 이상의 형상은 실린더형, 콘형, 타원형, 반구형, 직사각형, 또는 상기 형상 어느 것의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 전극.
  14. 제11항에 있어서, 상기 함몰부의 적어도 하나 이상은 상기 전극의 주변부로부터 가스를 방전시키기 위한 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 전극.
  15. 제11항에 있어서, 상기 함몰부의 적어도 하나 이상은 상기 전극의 주변부에 탑재된 대치가능한 삽입물에 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 전극.
  16. 제1항에 있어서, 상기 전극은 실리콘 단결정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 전극.
  17. 제1항에 있어서, 상기 전극은 반도체 식각 장치의 부품을 이루는 것을 특징으로 하는 플라즈마 전극.
  18. 중앙부 및 상기 중앙부를 둘러싸는 주변부를 가지며, 상기 주변부는 플라즈마 향상 수단을 포함하는 전극을 사용하는 플라즈마 대상부품의 처리방법에 있어서, 상기 전극의 중앙부로부터 반응 가스를 방전시키는 단계; 상기 전극의 노출부의 인접하게 플라즈마를 형성시키고, 상기 플라즈마는 상기 전극의 중앙부 및 주변부에 접촉하도록 하는 단계; 및 상기 플라즈마를 플라즈마 향상 수단에 접촉시킴으로써 상기 전극의 주변부에서 상기 플라즈마의 밀도를 표면 기복적으로 (topographically) 향상시키는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 방법.
  19. 제18항에 있어서, 상기 플라즈마 향상 수단은 상기 전극의 주변부에 적어도 하나 이상의 요부를 구비하고, 상기 방법은 상기 전극의 주변부에 형성된 적어도 하나 이상의 요부로부터 가스를 방출시키는 단계를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 방법.
  20. 제18항에 있어서, 상기 플라즈마로 반도체 웨이퍼를 식각하는 단계를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960702019A 1993-11-17 1994-11-17 식각균일도개선을 위한 표면기복유도 플라즈마 향상기술 KR100352770B1 (ko)

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