KR200244930Y1 - 반도체웨이퍼산화막식각장비용로우배플 - Google Patents

Abstract

본 고안은 반도체 웨이퍼 산화막식각장비용 로우 배플에 관한 것으로, 종래에는 웨이퍼의 중앙부 보다 가장자리가 많이 식각되는 문제점이 있었다. 본 고안 반도체 웨이퍼 산화막식각장비용 로우 배플은 원판(11)의 일측에 그 원판(11)의 반지름 보다 크고, 다수개의 가스분사홀(12a)이 형성되어 있는 원형의 가스분사부(12)를 형성하여, 식각작업시 로우 배플을 통하여 분사되는 가스가 원판(11)의 하측 중앙부는 중첩해서 분사되고, 가장자리는 회전되며 공급되도록 일정속도로 회전시킴으로써, 웨이퍼의 상측에 형성되는 플라즈마에 의하여 식각되는 산화막의 식각균일도를 향상시키는 효과가 있다.

Description

반도체 웨이퍼 산화막식각장비용 로우 배플

본 고안은 반도체 웨이퍼 산화막식각장비용 로우 배플(LOW BAFFLE)에 관한 것으로, 특히 웨이퍼의 식각균일도(ETCHING UNIFORMITY)를 향상시키도록 하는데 적합한 반도체 웨이퍼 산화막식각장비용 로우 배플에 관한 것이다.

일반적으로 반도체 웨이퍼 제공공정 중 현상공정(DEVELOP PROCESS)을 마친 다음에는 웨이퍼를 식각하는 식각공정을 실시하게 되는데, 이와 같은 식각작업을 실시하는 식각장비가 도 1에 도시되어 있는 바, 이를 간단히 설명하면 다음과 같다.

도 1은 종래 반도체 웨이퍼 산화막식각장비의 구성을 보인 사시도로서, 도시된 바와 같이, 종래 반도체 웨이퍼 산화막식각장비는 챔버(1)의 내측 하부에 하부전극이 됨과 동시에 웨이퍼(2)를 고정시키기 위한 웨이퍼 척(3)이 설치되어 있고, 그 웨이퍼 척(3)의 상부에 가스를 분사하기 위한 샤워헤드(SHOWER HEAD)(4)가 설치되어 있으며, 그 샤워헤드(4)의 하측에 배플어셈블리(5)가 설치되어 있고, 상기 샤워헤드(4)와 배플어셈블리(5)의 외측에 쉘드커버(SHIELD COVER)(6)가 설치되어 있다.

그리고, 도 2는 상기 배플어셈블리(5)를 개략적으로 도시한 것으로, 도시된 바와 같이, 어퍼 배플(UPPER BAFFLE)(7)의 하측에 일정거리를 두고 로우 배플(8)이 설치되어 있고, 그 어퍼 배플(7)과 로우 배플(8)에는 다수개의 가스분사홀(7a)(8a)들이 형성되어 있으며, 이러한 가스분사홀(7a)(8a)들은 식각균일도를 감안하여 중앙부보다 가장자리부분에 많이 형성되어 있다.

도면중 미설명 부호 9는 가스주입구이다.

상기와 같이 구성되어 있는 종래 반도체 웨이퍼 산화막식각장비는 웨이퍼 척(3)의 상면에 웨이퍼(2)를 장착하고, 상기 가스주입구(9)를 통하여 가스를 주입하면 샤워헤드(4)를 통하여 분사되는 가스가 어퍼 배플(7)과 로우 배플(8)에 형성되어 있는 다수개의 가스분사홀(7a)(8a)들을 통과하며 웨이퍼(2)의 상측에 공급되는데, 이때 알에프 파워를 인가하여 플라즈마를 발생시켜서 웨이퍼(2)의 상면에 증착되어 있는 산화막을 식각하게 된다.

그러나, 상기와 같이 구성되어 있는 종래 반도체 웨이퍼 산화막식각장비에서는 어퍼 배플(7)과 로우 배플(8)에 식각균일도를 감안하여 중앙부보다 가장자리부분에 많은 가스분사홀(7a)(8a)들을 형성하였으나, 이또한 중앙부가 가장자리부분 보다 식각이 과도하게 되는 식각불균일을 초래하는 문제점이 있었다.

상기와 같은 문제점을 감안하여 안출한 본 고안의 목적은 웨이퍼의 식각균일도를 향상시키도록 하는데 적합한 반도체 웨이퍼 산화막식각장비용 로우 배플을 제공함에 있다.

도 1은 종래 반도체 웨이퍼 산화막식각장비의 구성을 보인 종단면도.

도 2는 종래 배플어셈블리를 개략적으로 보인 사시도.

도 3은 본 고안 반도체 웨이퍼 산화막식각장비용 로우 배플구조를 보인 사시도.

도 4는 본 고안 반도체 웨이퍼 산화막식각장비용 로우 배플구조를 보인 평면도.

도 5는 도 4의 A-A'를 절취하여 보인 단면도.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *

11 : 원판 12 : 가스분사부

12a : 가스분사홀

상기와 같은 본 고안의 목적을 달성하기 위하여 원판의 일측에 직경이 그 원판의 반지름 보다 큰 원형의 가스분사부를 형성하고, 그 가스분사부에 다수개의 가스분사홀을 형성하여서 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 산화막식각장비용 로우 배플이 제공된다.

이하, 상기와 같이 구성되는 본 고안 반도체 웨이퍼 산화막식각장비용 로우 배플을 첨부된 도면의 실시예를 참고하여 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.

도 3은 본 고안 반도체 웨이퍼 산화막식각장비용 로우 배플구조를 보인 사시도이고, 도 4는 본 고안 반도체 웨이퍼 산화막식각장비용 로우 배플구조를 보인 평면도이며, 도 5는 도 4의 A-A'를 절취하여 보인 단면도로서, 도시된 바와 같이, 본 고안 반도체 웨이퍼 산화막식각장비용 로우 배플은 원판(11)의 일측에 다수개의 가스분사홀(12a)들이 형성되어 있는 원형의 가스분사부(12)가 형성되어 있다.

그리고, 상기 원판(11)의 직경을 D라고 하고, 상기 가스분사부(12)의 직경을 d라고 하면, d 〉D/2의 조건을 충족해야 한다.

또한, 상기 원판(11)의 중심점을 기준으로 하여 가스분사부(12)의 외측에 내측보다 많은 수의 가스분사홀(12a)들을 형성하는 것이 바람직하다.

상기와 같이 구성되어 있는 로우 배플(13)이 설치된 산화막식장비의 동작을 설명하면 다음과 같다.

웨이퍼 척(3)의 상면에 웨이퍼(2)를 장착하고, 상기 가스주입구(9)를 통하여 가스를 주입하면 샤워헤드(4)를 통하여 분사되는 가스가 어퍼 배플(7)과 로우 배플(13)에 형성되어 있는 다수개의 가스분사홀(7a)(12a)들을 통과하며 웨이퍼(2)의 상측에 공급되는데, 이때 알에프 파워를 인가하여 플라즈마를 발생시켜서 웨이퍼(2)의 상면에 증착되어 있는 산화막을 식각하는 동작은 종래와 유사하다.

여기서, 본 고안은 상기 로우 배플(13)을 전자기적인 성질을 이용하여 일정방향과 속도로 회전시키면 가스분사부(12)에 형성된 다수개의 가스분사홀(12a)들을 통하여 웨이퍼(2)의 상측에 가스가 공급되게 되는데, 분사되는 가스는 로우 배플(13)의 중앙부 하측에는 중첩해서 분사되고, 가장자리는 일정속도로 회전되며 분사되게 된다.

이상에서 상세히 설명한 바와 같이, 본 고안 반도체 웨이퍼 산화막식각장비용 로우 배플은 원판의 일측에 그 원판의 반지름 보다 크고, 다수개의 가스분사홀이 형성되어 있는 원형의 가스분사부를 형성하여, 식각작업시 로우 배플을 통하여 분사되는 가스가 원판의 하측 중앙부는 중첩해서 분사되고, 가장자리는 일정속도로 회전되며 공급되도록 일정속도로 회전시킴으로써, 웨이퍼의 상측에 형성되는 플라즈마에 의하여 식각되는 산화막의 식각균일도를 향상시키는 효과가 있다.

Claims (2)

1. 원판의 일측에 직경이 그 원판의 반지름 보다 큰 원형의 가스분사부를 형성하고, 그 가스분사부에 다수개의 가스분사홀을 형성하여서 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 산화막식각장비용 로우 배플.
2. 제 1항에 있어서, 상기 가스분사홀은 상기 원판의 중심점을 기준으로 하여 가스분사부의 외측에 내측보다 많은 수를 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 산화막식각장비용 로우 배플.