KR960015781A - 정전기 쵸크를 구비한 챔버용 플라즈마 가드 - Google Patents

정전기 쵸크를 구비한 챔버용 플라즈마 가드 Download PDF

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Abstract

편평한 동심 링 형상을 하는 플라즈마 가드 부재가, 플라즈마 반응 챔버와 플라즈마원과 쵸크의 기판지지 능력이 감소되지 않도록 하전 입자가 하부 챔버로 부유 또는 확산되고 정전기 쵸크와 접촉하는 것을 방지하도록 청전기 쵸크를 감싸는 하부 챔버를 구비한 진공 가공 챔버에 사용된다.

Description

정전기 쵸크를 구비한 챔버용 플라즈마 가드
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 플라즈마원과 정전기 쵸크를 구비한 진공 챔버에 대한 단면도.

Claims (18)

  1. 플라즈마 반응 챔버, 플라즈마원을 구비하지만 하나의 웨이퍼 클램프도 구비하지 않는 진공 가공 챔버에 사용하고 하전된 입자가 플라즈마 반응 챔버의 외부에 도달하는 것을 방지하기 위한 플라즈마 가드 부재에 있어서, 반도체 기판과 나란히 그리고 중첩하여 장착된(그렇지 않으면 반도체 지지구의 정위치에 유지됨) 적어도 하나의 동심 링 부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 가드 부재.
  2. 제1항에 있어서, 375㎛보다 작은 갭이 플라즈마 가드 부재와 반도체 기판 사이에 유지되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 가드 부재.
  3. 제1항에 있어서, 상기 챔버를 오염시키는 어떤 입자도 발생되지 않도록 적어도 하나의 동심 링 부재가 고 내열 및 고 강도 재료로 제조되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 가드 부재.
  4. 반도체 기판 가공을 위한 진공 가공 챔버에서, 활성 가스의 하전된 입자를 발생시킬 수 있는 플라즈마원과, 정전기적으로 반도체 기판을 파지하기 위한 정전기 쵸크와, 상기 반도체 기판과 나란히 그리고 중첩되게 위치된 적어도 하나의 플라즈마 가드 부재를 포함하고, 적어도 하나의 플라즈마 가드 부재가 활성 가스의 하전된 입자가 정전기 쵸크와 접촉하는 것을 방지하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판 가공을 위한 진공 가공챔버.
  5. 제4항에 있어서, 상기 챔버가 에칭 챔버, 화학적 증착(CVD) 챔버 및 물리적 증착(PVD) 챔버로 구성된 그룹에서 선택되는 것을 특징으로 하는 반도체 기판 가공을 위한 진공 가공 챔버.
  6. 제4항에 있어서, 상기 챔버가 에칭 챔버인 것을 특징으로 하는 반도체 기판 가공을 위한 진공 가공 챔버.
  7. 제4항에 있어서, 적어도 하나의 플라즈마 가드 부재가 상부 및 하부면에 편평한 영역을 갖는 동심 링을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판 가공을 위한 진공 가공 챔버.
  8. 제4항에 있어서, 적어도 하나의 플라즈마 부재가 실리콘, 수정, 실리콘 카바이드 및 질화 실리콘으로 구성된 그룹에서 선택된 재료로 제조되는 것을 특징으로 하는 반도체 기판 가공을 위한 진공 가공 챔버.
  9. 제4항에 있어서, 적어도 하나의 플라즈마 가드 부재가 실리콘으로 제조된 제1동심 링과 수정으로 제조된 제2동심 링을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판 가공을 위한 진공 가공 챔버.
  10. 제4항에 있어서, 적어도 하나의 플라즈마 가드 부재가 반도체 기판과 나란하고 더욱이 방사 방향으로 최소 2.5㎜정도 반도체 기판의 모서리와 중첩되는 것을 특징으로 하는 반도체 기판 가공을 위한 진공 가공챔버.
  11. 제4항에 있어서, 적어도 하나의 플라즈마 가드 부재가 반도체 기판과 첩촉되지 않는 것을 특징으로 하는 반도체 기판 가공을 위한 진공 가공 챔버.
  12. 제4항에 있어서, 적어도 하나의 플라즈마 가드 부재가 반도체 기판으로부터 375㎛미만의 갭을 유지하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판 가공을 위한 진공 가공 챔버.
  13. 제4항에 있어서, 적어도 하나의 플라즈마 가드 부재가 반도체 기판으로부터 250㎛미만의 갭을 유지하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판 가공을 위한 진공 가공 챔버.
  14. 제4항에 있어서, 적어도 하나의 플라즈마 가드 부재가 반도체 기판으로부터 3디바이 미만의 갭을 유지하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판 가공을 위한 진공 가공 챔버.
  15. 제4항에 있어서, 기판이 반도체 웨이퍼인 것을 특징으로 하는 반도체 기판 가공을 위한 진공 가공 챔버.
  16. 플라즈마원과 정전기 쵸크를 구비한 플라즈마 반응 영역의 챔버 하드웨어 외측으로 하전 입자가 도달하는 것을 방지하는 반도체 기판 가공 방법에 있어서, 기판을 기판 지지부로 정전기적으로 유인하는 단계와, 플라즈마원에서 발생하는 하전 입자가 플라즈마 반응 영역 외측의 챔버 하드웨어와 접촉하는 것을 방지하도록 적어도 하나의 플라즈마 가드 부재를 반도체 기판의 상구 주연면에 중첩시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판 가공 방법.
  17. 제16항에 있어서, 적어도 하나의 플라즈마 가드 부재와 반도체 기판 사이에 일정한 거리를 유지하는 단계를 또한 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판 가공 방법.
  18. 제16항에 있어서, 적어도 하나의 플라즈마 가드 부재가 실리콘 또는 수정으로 제조되는 것을 특징으로 하는 반도체 기판 가공 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950035949A 1994-10-18 1995-10-18 정전기쵸크를구비한챔버용플라즈마가드 KR100353958B1 (ko)

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