JP3365638B2 - 基板を処理するための装置 - Google Patents
基板を処理するための装置Info
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- JP3365638B2 JP3365638B2 JP52417598A JP52417598A JP3365638B2 JP 3365638 B2 JP3365638 B2 JP 3365638B2 JP 52417598 A JP52417598 A JP 52417598A JP 52417598 A JP52417598 A JP 52417598A JP 3365638 B2 JP3365638 B2 JP 3365638B2
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- substrate holder
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S134/00—Cleaning and liquid contact with solids
- Y10S134/902—Semiconductor wafer
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、処理流体を含有する容器と、少なくとも１
つの基板ホルダとを備えた基板を処理するための装置で
あって、処理流体に接触する容器、及び／又は基板ホル
ダの構成部材が保護層を有している形式のものに関す
る。
つの基板ホルダとを備えた基板を処理するための装置で
あって、処理流体に接触する容器、及び／又は基板ホル
ダの構成部材が保護層を有している形式のものに関す
る。
このような形式の装置は、国際公開第95/02473号パン
フレット、若しくは米国特許第383484号明細書に基づき
公知であり、この公知の装置ではプラスチックから成る
ガイドエレメントが、金属から成る容器内壁に固定され
ている。
フレット、若しくは米国特許第383484号明細書に基づき
公知であり、この公知の装置ではプラスチックから成る
ガイドエレメントが、金属から成る容器内壁に固定され
ている。
更に、基板、特に半導体ウェーハを処理するための別
の装置が、刊行物ドイツ連邦共和国特許出願公開第4413
077号明細書、及び同一出願人のドイツ連邦共和国特許
出願公開第19546990号明細書に基づき公知であり、更
に、未公開のドイツ特許出願第19616402.8号明細書、ド
イツ特許出願第19615969.5号明細書、ドイツ特許出願第
19637875.3号明細書、ドイツ特許出願第19644253.2号明
細書及びドイツ特許出願第19644254.0号明細書に記載さ
れている。この公知の装置の場合、例えば特殊鋼等の金
属から成る容器、又は基板ホルダは、保護層によってコ
ーティングされており、この保護層は、腐食作用を有す
る処理流体から容器壁と基板ホルダとを保護し、且つ処
理流体が金属部材によって汚染されることを防止する。
の装置が、刊行物ドイツ連邦共和国特許出願公開第4413
077号明細書、及び同一出願人のドイツ連邦共和国特許
出願公開第19546990号明細書に基づき公知であり、更
に、未公開のドイツ特許出願第19616402.8号明細書、ド
イツ特許出願第19615969.5号明細書、ドイツ特許出願第
19637875.3号明細書、ドイツ特許出願第19644253.2号明
細書及びドイツ特許出願第19644254.0号明細書に記載さ
れている。この公知の装置の場合、例えば特殊鋼等の金
属から成る容器、又は基板ホルダは、保護層によってコ
ーティングされており、この保護層は、腐食作用を有す
る処理流体から容器壁と基板ホルダとを保護し、且つ処
理流体が金属部材によって汚染されることを防止する。
特開平６−283486号公報、又はドイツ連邦共和国特許
出願公開第3930056号明細書に基づき公知の、ウェーハ
の搬送及び保持のためのウェーハカセット、又はウェー
ハケージにおいては、複数のガイド兼保持エレメントが
設けられており、これらのガイド兼保持エレメントは、
ウェーハの収納および取出し時に、該ウェーハにおける
損傷を防止するために所定の形状、又は丸い面取り部を
有している。刊行物特開平４−130724号公報、及び特開
平６−204197号公報には、処理容器、若しくはウェーハ
ホルダが石英から成るウェーハ洗浄装置が開示されてい
る。
出願公開第3930056号明細書に基づき公知の、ウェーハ
の搬送及び保持のためのウェーハカセット、又はウェー
ハケージにおいては、複数のガイド兼保持エレメントが
設けられており、これらのガイド兼保持エレメントは、
ウェーハの収納および取出し時に、該ウェーハにおける
損傷を防止するために所定の形状、又は丸い面取り部を
有している。刊行物特開平４−130724号公報、及び特開
平６−204197号公報には、処理容器、若しくはウェーハ
ホルダが石英から成るウェーハ洗浄装置が開示されてい
る。
ドイツ連邦共和国特許第3527515号明細書に基づき公
知の、シリコーン片の噴霧のための装置、並びにこのた
めのチャンバにおいては、プラスチックから成るパンが
成形されており、このパンは、極めてアクティブな化学
薬品の損傷作用に対して化学作用をおこさない。
知の、シリコーン片の噴霧のための装置、並びにこのた
めのチャンバにおいては、プラスチックから成るパンが
成形されており、このパンは、極めてアクティブな化学
薬品の損傷作用に対して化学作用をおこさない。
本発明の課題は、特に基板用のガイド兼保持エレメン
トに関して容器内に最適に形成され、廉価に製作可能で
あり且つ長い寿命を有する、基板を処理するための装置
を提供することである。
トに関して容器内に最適に形成され、廉価に製作可能で
あり且つ長い寿命を有する、基板を処理するための装置
を提供することである。
この課題は、処理流体を含有する容器と、少なくとも
１つの基板ホルダとを備えており、処理流体に接触する
容器の構成部材が保護層を有しており、基板用のガイド
エレメントが前記保護層に溶接されており、ガイドエレ
メントが、前記保護層に溶接され、且つ相互に溶接され
たプラスチックコードから成っていることを特徴とす
る、基板を処理するための装置によって解決される。
１つの基板ホルダとを備えており、処理流体に接触する
容器の構成部材が保護層を有しており、基板用のガイド
エレメントが前記保護層に溶接されており、ガイドエレ
メントが、前記保護層に溶接され、且つ相互に溶接され
たプラスチックコードから成っていることを特徴とす
る、基板を処理するための装置によって解決される。
本発明による手段、即ちコードの形の基板用ガイドエ
レメント及び／又は保持エレメントを保護層に溶接する
ことに基づき、このような形式の装置の製作は特に簡単
且つ廉価である。純度の高い石英から製作された容器よ
りも著しく廉価な、金属から成る容器を選択することも
可能である。これにより、縁部領域、又は先細りに延び
る領域における保護層の付与が、確実には可能でなく、
該領域において特に容易に損傷されるという問題も最早
生じることはない。
レメント及び／又は保持エレメントを保護層に溶接する
ことに基づき、このような形式の装置の製作は特に簡単
且つ廉価である。純度の高い石英から製作された容器よ
りも著しく廉価な、金属から成る容器を選択することも
可能である。これにより、縁部領域、又は先細りに延び
る領域における保護層の付与が、確実には可能でなく、
該領域において特に容易に損傷されるという問題も最早
生じることはない。
例えば1mmの厚さの保護層、又は保護薄膜が、ペルフ
ルオロアルコキシポリマー（PFA）から成っていると有
利である。
ルオロアルコキシポリマー（PFA）から成っていると有
利である。
コーティングされた容器壁の互いに向かい合う内面に
おいて、基板のための、プラスチックから成るガイドエ
レメントが保護層に溶接されていると有利である。この
ことは、同じガイドエレメントを備えた石英容器より
も、著しく廉価である。更に、比較的粗い石英における
基板の粒子含有性の摩砕が防止される。容器のための基
礎材料としては、例えば特殊鋼、又はアルミニウム等の
金属も使用され得る。
おいて、基板のための、プラスチックから成るガイドエ
レメントが保護層に溶接されていると有利である。この
ことは、同じガイドエレメントを備えた石英容器より
も、著しく廉価である。更に、比較的粗い石英における
基板の粒子含有性の摩砕が防止される。容器のための基
礎材料としては、例えば特殊鋼、又はアルミニウム等の
金属も使用され得る。
本発明の有利な構成では、ガイドエレメントはそれぞ
れ複数のプラスチックストリップから成っており、これ
らのプラスチックストリップは流体容器の内壁にそれぞ
れ互いに向かい合うように接着、若しくは溶接されてい
る。
れ複数のプラスチックストリップから成っており、これ
らのプラスチックストリップは流体容器の内壁にそれぞ
れ互いに向かい合うように接着、若しくは溶接されてい
る。
この場合、プラスチックストリップは、有利にはガイ
ドエレメントの高さに相応する厚さを有している。
ドエレメントの高さに相応する厚さを有している。
本発明の別の有利な構成では、プラスチックコード
は、例えば4mmの直径を有している。適当なガイドエレ
メントを形成するために、これらのプラスチックコード
は保護層に溶接され、且つプラスチックコード同士で互
いに溶接される。ガイドエレメントの形はコード縁部を
丸く面取りするか、又は平滑化することにより得られ
る。
は、例えば4mmの直径を有している。適当なガイドエレ
メントを形成するために、これらのプラスチックコード
は保護層に溶接され、且つプラスチックコード同士で互
いに溶接される。ガイドエレメントの形はコード縁部を
丸く面取りするか、又は平滑化することにより得られ
る。
基板用のガイドスリットが、互いに適宜間隔の置かれ
たガイドエレメントによって形成されない場合は、適当
な幅のプラスチックストリップ、又はプラスチックコー
ドから形成されたプラスチックストリップに基板用のガ
イドスリットを形成することが特に有利である。この場
合、ガイドスリットの間隔は、流体処理のために設けら
れる基板パッケージのパッケージ密度に対応して選択さ
れ、且つ互いに等間隔を有している。
たガイドエレメントによって形成されない場合は、適当
な幅のプラスチックストリップ、又はプラスチックコー
ドから形成されたプラスチックストリップに基板用のガ
イドスリットを形成することが特に有利である。この場
合、ガイドスリットの間隔は、流体処理のために設けら
れる基板パッケージのパッケージ密度に対応して選択さ
れ、且つ互いに等間隔を有している。
基板用のガイドエレメント、つまり溶接されたプラス
チックストリップ、又はプラスチックコードは、有利に
は保護層と同じ材料から成っている。このためにはPFA
が有利である。
チックストリップ、又はプラスチックコードは、有利に
は保護層と同じ材料から成っている。このためにはPFA
が有利である。
ガイドスリットを基板用の出入り口領域においてＶ字
形に形成することは極めて有利であり、これにより、導
入された基板は本来のガイド兼保持領域に向かってセン
タリングされ、且つ入口領域でガイドエレメントに接触
して傾斜しない。更に、基板用のＶ字形の出入り口領域
は、該Ｖ字形の出入り口領域に基づき、例えば洗浄液等
の処理流体による洗浄及び貫流がより良好であるという
利点も有している。
形に形成することは極めて有利であり、これにより、導
入された基板は本来のガイド兼保持領域に向かってセン
タリングされ、且つ入口領域でガイドエレメントに接触
して傾斜しない。更に、基板用のＶ字形の出入り口領域
は、該Ｖ字形の出入り口領域に基づき、例えば洗浄液等
の処理流体による洗浄及び貫流がより良好であるという
利点も有している。
処理流体に接触する容器壁に保護層に設け、この保護
層にガイド兼保持エレメントを溶接するという本発明に
基づき、容器壁、若しくは容器全体のための基本材料と
して金属、有利には特殊鋼、又はアルミニウムを使用す
ることも可能である。これにより、より一層少ない製作
コストも比較的長い寿命も得られる。なぜならば、容器
に一般には石英から製作されており、石英の寿命は、例
えば半導体ウェーハに使用される処理流体との関連にお
いて制限されているからである。
層にガイド兼保持エレメントを溶接するという本発明に
基づき、容器壁、若しくは容器全体のための基本材料と
して金属、有利には特殊鋼、又はアルミニウムを使用す
ることも可能である。これにより、より一層少ない製作
コストも比較的長い寿命も得られる。なぜならば、容器
に一般には石英から製作されており、石英の寿命は、例
えば半導体ウェーハに使用される処理流体との関連にお
いて制限されているからである。
本発明の更に別の有利な構成では、容器は保護層、及
び該保護層に基板用のガイド兼保持エレメントを溶接す
るという本発明により可能性にも関わらず、石英から製
作されている。このことは、例え確実で摩擦の無い基板
処理を保証しようとしても、保護層が何らかの理由で損
傷され、これにより、鋼容器、又はアルミニウム容器で
は処理流体の汚染が生じる恐れがある場合に、特に有利
である。石英容器では、前記の危険は保護層が損傷した
場合にも生じることはない。この石英容器は保護層に基
づき、従来の装置よりも著しく長い寿命を有している。
び該保護層に基板用のガイド兼保持エレメントを溶接す
るという本発明により可能性にも関わらず、石英から製
作されている。このことは、例え確実で摩擦の無い基板
処理を保証しようとしても、保護層が何らかの理由で損
傷され、これにより、鋼容器、又はアルミニウム容器で
は処理流体の汚染が生じる恐れがある場合に、特に有利
である。石英容器では、前記の危険は保護層が損傷した
場合にも生じることはない。この石英容器は保護層に基
づき、従来の装置よりも著しく長い寿命を有している。
本発明の特に有利な構成では、基本ホルダは金属から
成るウェブを有しており、このウェブは、本発明によれ
ば保護層によってコーティングされており、且つ保護層
によるコーティングの後でプラスチックから成る刃状の
基板支持エレメントが溶接されている。プラスチックか
ら成る刃状の基板収容エレメントは、保護層によるコー
ティングにも関わらず溶接可能であるために、本発明で
は金属から成るウェブも使用可能なので、基板ホルダは
極めて狭幅に製作され、延いては流れ技術的に最適化さ
れ得る。従って、前掲の未公開のドイツ特許出願第1964
4254.0号明細書に記載されているように、基板ホルダの
周囲の流れ特性を改良するための手段を設けて形成する
ことは最早必要ない。
成るウェブを有しており、このウェブは、本発明によれ
ば保護層によってコーティングされており、且つ保護層
によるコーティングの後でプラスチックから成る刃状の
基板支持エレメントが溶接されている。プラスチックか
ら成る刃状の基板収容エレメントは、保護層によるコー
ティングにも関わらず溶接可能であるために、本発明で
は金属から成るウェブも使用可能なので、基板ホルダは
極めて狭幅に製作され、延いては流れ技術的に最適化さ
れ得る。従って、前掲の未公開のドイツ特許出願第1964
4254.0号明細書に記載されているように、基板ホルダの
周囲の流れ特性を改良するための手段を設けて形成する
ことは最早必要ない。
本発明の更に別の有利な構成では、プラスチックから
成る刃状の基板支持エレメントを保護層によってコーテ
ィングされた金属の基板ホルダに溶接する代わりに、基
板支持エレメントを基板ホルダにキャップ又はカバーと
して被せ嵌めることも可能である。
成る刃状の基板支持エレメントを保護層によってコーテ
ィングされた金属の基板ホルダに溶接する代わりに、基
板支持エレメントを基板ホルダにキャップ又はカバーと
して被せ嵌めることも可能である。
刃状の基板支持エレメントは、基板を基板ホルダにお
いて互いに等間隔で保持するために、有利には基板用
の、均等に間隔を置かれた複数のノッチを備えて形成さ
れている。
いて互いに等間隔で保持するために、有利には基板用
の、均等に間隔を置かれた複数のノッチを備えて形成さ
れている。
基板ホルダの本発明による特に有利な構成では、基板
ホルダに対して平行に配置され、且つ該基板ホルダに結
合された少なくとも１つの安定ウェブが設けられてい
る。これにより更に、基板が支持される本来の基板ホル
ダを一層狭幅に、延いては流れが一層好適になるように
形成することが可能である。それというのも、１つの安
定ウェブ、又は基板ホルダの両側に配置された安定ウェ
ブが、基板ホルダが固定的であり、且つ振動しないため
に働くからである。
ホルダに対して平行に配置され、且つ該基板ホルダに結
合された少なくとも１つの安定ウェブが設けられてい
る。これにより更に、基板が支持される本来の基板ホル
ダを一層狭幅に、延いては流れが一層好適になるように
形成することが可能である。それというのも、１つの安
定ウェブ、又は基板ホルダの両側に配置された安定ウェ
ブが、基板ホルダが固定的であり、且つ振動しないため
に働くからである。
この場合、流れのためにできるだけ小さな裂断縁部を
達成し、延いては乱流をできるだけ小さく抑止するため
には、前記安定ウェブが流れ技術的な理由から可能な限
り狭幅であり、且つ特に上側、つまり流れの裂断領域に
おいて可能な限り鋭利であることも望ましい。しかし、
刃状エレメント等の縁部、又は先細に延びる縁部を保護
層によってコーティングすることは非常に困難、又は全
く不可能であるので、特にこのような縁部においては、
保護層は密ではないか、又は付着し続けない。この理由
から、本発明の更に別の有利な構成では、保護層によっ
てコーティングされている安定ウェブも、その上側にお
いては刃状に形成されているのではなく、刃状エレメン
トが設けられており、この刃状エレメントは、安定ウェ
ブの保護層に溶接、又は被せ嵌められている。
達成し、延いては乱流をできるだけ小さく抑止するため
には、前記安定ウェブが流れ技術的な理由から可能な限
り狭幅であり、且つ特に上側、つまり流れの裂断領域に
おいて可能な限り鋭利であることも望ましい。しかし、
刃状エレメント等の縁部、又は先細に延びる縁部を保護
層によってコーティングすることは非常に困難、又は全
く不可能であるので、特にこのような縁部においては、
保護層は密ではないか、又は付着し続けない。この理由
から、本発明の更に別の有利な構成では、保護層によっ
てコーティングされている安定ウェブも、その上側にお
いては刃状に形成されているのではなく、刃状エレメン
トが設けられており、この刃状エレメントは、安定ウェ
ブの保護層に溶接、又は被せ嵌められている。
以下に、本発明の有利な実施例を図面につき詳しく説
明する。
明する。
第１図は本発明による装置の概略横断面図であり、
第２図は、ガイドエレメントを説明するための、第１
図に示した実施例の拡大部分断面図であり、 第3a図、第3b図及び第3c図は、プラスチックコードに
よる製作を説明するための、ガイドエレメントの拡大横
断面図であり、 第4a図、第4b図及び第4c図は、第3a図、第3b図及び第
3c図に示した横断面の側面図であり、 第５図は、ガイドスリットに向かう注視方向で見たガ
イドエレメントの拡大図であり、 第６図は、基板ホルダ領域の拡大横断面図であり、 第７図は、第６図に横断面で示された基板ホルダの側
面図である。
図に示した実施例の拡大部分断面図であり、 第3a図、第3b図及び第3c図は、プラスチックコードに
よる製作を説明するための、ガイドエレメントの拡大横
断面図であり、 第4a図、第4b図及び第4c図は、第3a図、第3b図及び第
3c図に示した横断面の側面図であり、 第５図は、ガイドスリットに向かう注視方向で見たガ
イドエレメントの拡大図であり、 第６図は、基板ホルダ領域の拡大横断面図であり、 第７図は、第６図に横断面で示された基板ホルダの側
面図である。
第１図に示した流体容器は、側壁2,3、並びに処理す
べき基板５の円形形状に適合された容器底部４を有して
いる。
べき基板５の円形形状に適合された容器底部４を有して
いる。
容器側壁2,3の内面には、基板５のための複数のガイ
ドエレメント６が互いに上下に配置されており、これら
のガイドエレメント６において基板が導入・導出の際に
案内され、且つ流体処理中に保持される。
ドエレメント６が互いに上下に配置されており、これら
のガイドエレメント６において基板が導入・導出の際に
案内され、且つ流体処理中に保持される。
容器底部４には、基板ホルダ10、及び安定ウェブ11,1
2のための各１つの取付け穴7,8,9が設けられており、こ
れらの取付け穴7,8,9には、前記基板ホルダ10、及び安
定ウェブ11,12がそれぞれ沈下可能である。
2のための各１つの取付け穴7,8,9が設けられており、こ
れらの取付け穴7,8,9には、前記基板ホルダ10、及び安
定ウェブ11,12がそれぞれ沈下可能である。
横方向支柱13を介して安定ウェブ11,12は基板ホルダ1
0に結合されており、且つこの基板ホルダ10を付加的に
機械的に保持するので、基板ホルダ10は固定され、且つ
上下移動の際にも振動しない。
0に結合されており、且つこの基板ホルダ10を付加的に
機械的に保持するので、基板ホルダ10は固定され、且つ
上下移動の際にも振動しない。
流体容器の下側には複数の流体流入ノズル14が位置し
ており、これらの流体流入ノズル14は、それぞれノズル
プレート16において流体通路15に接続されており、これ
らの流体通路15を介して処理流体が、流れ特性を沈静化
するための流体領域17に流入する。その後この処理流体
は、互いに等間隔、且つ平行に配置された複数のプレー
ト18間を貫流する。これらのプレート18は、それぞれ流
れスリットを備えた中間室を形成し、これらの中間室を
通って処理流体が容器底部４から容器内部領域に流出す
る。容器側壁2,3の下側領域、つまりプレート18の領域
にも、やはりプレート用の複数のガイドエレメント、若
しくは保持エレメント19が設けられており、これらのガ
イドエレメント、若しくは保持エレメント19は、有利に
は基板５用のガイドエレメント６と同じ形式で形成され
ているか、又は異なって形成されていてもよい。図示の
実施例では、個々のプレートは流れ領域17の上位に位置
するプレートウェブ20,21に載置されている。
ており、これらの流体流入ノズル14は、それぞれノズル
プレート16において流体通路15に接続されており、これ
らの流体通路15を介して処理流体が、流れ特性を沈静化
するための流体領域17に流入する。その後この処理流体
は、互いに等間隔、且つ平行に配置された複数のプレー
ト18間を貫流する。これらのプレート18は、それぞれ流
れスリットを備えた中間室を形成し、これらの中間室を
通って処理流体が容器底部４から容器内部領域に流出す
る。容器側壁2,3の下側領域、つまりプレート18の領域
にも、やはりプレート用の複数のガイドエレメント、若
しくは保持エレメント19が設けられており、これらのガ
イドエレメント、若しくは保持エレメント19は、有利に
は基板５用のガイドエレメント６と同じ形式で形成され
ているか、又は異なって形成されていてもよい。図示の
実施例では、個々のプレートは流れ領域17の上位に位置
するプレートウェブ20,21に載置されている。
流体容器１の少なくとも一方の側壁３の外側には超音
波変換器22が位置しており、この超音波変換器22によっ
て、容器内部が超音波、又はメガヘルツ領域の超音波
（megaschall）によって負荷される。
波変換器22が位置しており、この超音波変換器22によっ
て、容器内部が超音波、又はメガヘルツ領域の超音波
（megaschall）によって負荷される。
この装置、及び基板５のための処理過程の別の詳細に
関する反復を避けるためには、本願の内容となる前掲の
ドイツ連邦共和国特許第4413077号明細書、ドイツ連邦
共和国特許第19546990号明細書及びドイツ連邦共和国特
許第19644253.2号明細書を参照されたい。
関する反復を避けるためには、本願の内容となる前掲の
ドイツ連邦共和国特許第4413077号明細書、ドイツ連邦
共和国特許第19546990号明細書及びドイツ連邦共和国特
許第19644253.2号明細書を参照されたい。
第２図は、第１図に示した本発明による実施例の概略
横断面図の部分拡大図である。側壁２は、例えば特殊鋼
又はアルミニウム等の金属から例えば成っている。処理
流体にさらされる側壁の内面には、例えば1mmの厚さを
有する例えばPFA層、又はPFA薄膜等の保護層24が付与さ
れている。この保護層24には、基板５葉のガイドエレメ
ント、若しくは保持エレメント６が溶接されている。こ
れらのガイド兼保持エレメント６は、有利にはプラスチ
ックから、特に保護層24と同じ材料、つまり、この実施
例の場合もPFAから成っている。ガイド兼保持エレメン
ト６にはガイドスリット25が位置しており、これらのガ
イドスリット25において、基板５が収納・取出しの際に
案内され、且つ処理中に保持される。
横断面図の部分拡大図である。側壁２は、例えば特殊鋼
又はアルミニウム等の金属から例えば成っている。処理
流体にさらされる側壁の内面には、例えば1mmの厚さを
有する例えばPFA層、又はPFA薄膜等の保護層24が付与さ
れている。この保護層24には、基板５葉のガイドエレメ
ント、若しくは保持エレメント６が溶接されている。こ
れらのガイド兼保持エレメント６は、有利にはプラスチ
ックから、特に保護層24と同じ材料、つまり、この実施
例の場合もPFAから成っている。ガイド兼保持エレメン
ト６にはガイドスリット25が位置しており、これらのガ
イドスリット25において、基板５が収納・取出しの際に
案内され、且つ処理中に保持される。
一貫したスリットが可能であるにも関わらず、２つの
理由から、鉛直方向で相対して配置され、且つ相互間隔
を置かれた複数のガイド兼保持エレメント６を設けるこ
とが有利である。個別のガイド兼保持エレメント６によ
って、基板５との触媒領域が小さく保たれており、これ
により短いガイドスリット25の流れ、及び洗浄は一層良
好である。
理由から、鉛直方向で相対して配置され、且つ相互間隔
を置かれた複数のガイド兼保持エレメント６を設けるこ
とが有利である。個別のガイド兼保持エレメント６によ
って、基板５との触媒領域が小さく保たれており、これ
により短いガイドスリット25の流れ、及び洗浄は一層良
好である。
本発明の別の有利な実施形態では、基板５は、有利に
は処理位置において、導入兼保持エレメント６だけでな
く、２つのガイドエレメント、若しくは保持エレメント
によって保持される。これにより、基板５のガイドエレ
メント６との接触領域を縮小することもやはり可能であ
る。
は処理位置において、導入兼保持エレメント６だけでな
く、２つのガイドエレメント、若しくは保持エレメント
によって保持される。これにより、基板５のガイドエレ
メント６との接触領域を縮小することもやはり可能であ
る。
特に容器の側壁２が金属から成っている場合は、保護
層24のあらゆる損傷を防止するために、基板５がその上
下運動に際して保護層24に接触する恐れの無いことが保
証されていなければならない。従って、基板５と側壁
２、若しくは保護層24との間の最少間隔26は、1mmを下
回らないことが望ましい。
層24のあらゆる損傷を防止するために、基板５がその上
下運動に際して保護層24に接触する恐れの無いことが保
証されていなければならない。従って、基板５と側壁
２、若しくは保護層24との間の最少間隔26は、1mmを下
回らないことが望ましい。
以下に、第３図及び第４図に基づいて本発明の実施形
態を説明する。第３図及び第４図では、ガイド兼保持エ
レメント６は保護層24に形成される。第１の層31では、
複数のPFAコード21が相並んで保護層24に溶接され、且
つPFAコード32同士も互いに溶接される。適当に段付け
されて、第２の層33では別のコード32が第１の層31に溶
接される。ガイド兼保持エレメント６の、ほぼ台形の形
を達成するためには、第3a図及び第3b図に示したよう
に、溶接されたPFAコード32の両側面が斜めに面取りさ
れて平滑化される。
態を説明する。第３図及び第４図では、ガイド兼保持エ
レメント６は保護層24に形成される。第１の層31では、
複数のPFAコード21が相並んで保護層24に溶接され、且
つPFAコード32同士も互いに溶接される。適当に段付け
されて、第２の層33では別のコード32が第１の層31に溶
接される。ガイド兼保持エレメント６の、ほぼ台形の形
を達成するためには、第3a図及び第3b図に示したよう
に、溶接されたPFAコード32の両側面が斜めに面取りさ
れて平滑化される。
第3c図及び第4c図には、等間隔のガイドスリット25の
切除、又はフライス切削加工後のガイド兼保持エレメン
ト６が示されている。
切除、又はフライス切削加工後のガイド兼保持エレメン
ト６が示されている。
上で述べたガイド兼保持エレメント６を形成するため
には、択一的に垂直方向、又は水平方向でPFAストリッ
プを保護層24に溶接することも可能である。
には、択一的に垂直方向、又は水平方向でPFAストリッ
プを保護層24に溶接することも可能である。
第５図に示したように、ガイド兼保持エレメント６に
設けられたガイドスリット25は上下でＶ字形に拡張され
ているので、ガイドスリット25に導入された基板５がセ
ンタリングされて案内され、これにより、その後基板５
は、該基板５の厚さに適合された比較的狭い領域におい
て確実に案内され、且つ保持される。
設けられたガイドスリット25は上下でＶ字形に拡張され
ているので、ガイドスリット25に導入された基板５がセ
ンタリングされて案内され、これにより、その後基板５
は、該基板５の厚さに適合された比較的狭い領域におい
て確実に案内され、且つ保持される。
第６図には、第１図で既に示した基板ホルダ10の横断
面が拡大されて示されているのに対して、第７図には側
面図が示されている。この基板ホルダ10は、金属から成
るウェブ61を有しており、このウェブ61には保護層が設
けられている。上側に向いた面62において、刃状の基板
収容部材63が保護層の設けられたウェブ61に溶接されて
いる。特に図７から判るように、基板支持部材の刃状縁
部64は複数のノッチ65を有しており、これらのノッチ65
において、基板５が互いに等間隔で間隔を置かれて保持
されている。
面が拡大されて示されているのに対して、第７図には側
面図が示されている。この基板ホルダ10は、金属から成
るウェブ61を有しており、このウェブ61には保護層が設
けられている。上側に向いた面62において、刃状の基板
収容部材63が保護層の設けられたウェブ61に溶接されて
いる。特に図７から判るように、基板支持部材の刃状縁
部64は複数のノッチ65を有しており、これらのノッチ65
において、基板５が互いに等間隔で間隔を置かれて保持
されている。
ウェブ61は、例えば極めて安定した剛性の特殊鋼等の
任意の材料から製作されていてよいので、このウェブ61
を非常に狭幅に、且つ処理流体のための最適な流れ特性
に適合させて形成することが可能である。これにより、
特に基板ホルダ10は非常に狭幅に形成され得、且つ下か
ら上に向かって流れる処理流体に関して小さな抵抗しか
成さない。
任意の材料から製作されていてよいので、このウェブ61
を非常に狭幅に、且つ処理流体のための最適な流れ特性
に適合させて形成することが可能である。これにより、
特に基板ホルダ10は非常に狭幅に形成され得、且つ下か
ら上に向かって流れる処理流体に関して小さな抵抗しか
成さない。
基板ホルダ10の両側面に対して平行に、各１つの安定
ウェブ11,12がそれぞれ等間隔を置いて位置しており、
これらの安定ウェブ11,12は、任意の材料から製作され
ていてよく、やはり保護層が設けられている。横方向結
合材料（図示せず）を介して、これらの安定ウェブ11,1
2は基板ホルダ10に結合されていて、該基板ホルダ10の
不撓性を増大させる。
ウェブ11,12がそれぞれ等間隔を置いて位置しており、
これらの安定ウェブ11,12は、任意の材料から製作され
ていてよく、やはり保護層が設けられている。横方向結
合材料（図示せず）を介して、これらの安定ウェブ11,1
2は基板ホルダ10に結合されていて、該基板ホルダ10の
不撓性を増大させる。
安定ウェブ11,12の上側領域は、それぞれプラスチッ
ク、有利には保護層と同じ材料から成る刃上部材66,67
を有している。これらの刃状部材66,67は、上側の面68,
69において保護層に溶接されている。刃状のシャープな
縁部に基づき、基板ホルダ10の場合と同様に小さな裂断
縁部が生ぜしめられ、これにより、流体容器１内の流れ
特性は、仮に妨害されたとしてもごく僅かしか妨害され
ない。前記のような縁部のコーティングは確実には可能
でないか、若しくは持続しないので、刃状縁部用の、プ
ラスチックから成る刃状部材66,67の溶接が必要とされ
る。
ク、有利には保護層と同じ材料から成る刃上部材66,67
を有している。これらの刃状部材66,67は、上側の面68,
69において保護層に溶接されている。刃状のシャープな
縁部に基づき、基板ホルダ10の場合と同様に小さな裂断
縁部が生ぜしめられ、これにより、流体容器１内の流れ
特性は、仮に妨害されたとしてもごく僅かしか妨害され
ない。前記のような縁部のコーティングは確実には可能
でないか、若しくは持続しないので、刃状縁部用の、プ
ラスチックから成る刃状部材66,67の溶接が必要とされ
る。
本発明は、有利な実施例に基づき説明された。当業者
には、本発明の思想から外れること無しに、多数の実施
例及び変化実施例が知られている。本発明による特徴
は、図示の実施例において、それぞれ容器側壁2,3の部
材、及び基板支持部材63の形の基板ホルダ10との関連に
おいてしか説明されていない。しかし本発明による原理
は、処理流体にさらされた別の構成部材及びエレメント
との関連において、例えば前掲のドイツ連邦共和国特許
第19546990号明細書に記載のガイド兼保持エレメントに
おいても適用可能である。
には、本発明の思想から外れること無しに、多数の実施
例及び変化実施例が知られている。本発明による特徴
は、図示の実施例において、それぞれ容器側壁2,3の部
材、及び基板支持部材63の形の基板ホルダ10との関連に
おいてしか説明されていない。しかし本発明による原理
は、処理流体にさらされた別の構成部材及びエレメント
との関連において、例えば前掲のドイツ連邦共和国特許
第19546990号明細書に記載のガイド兼保持エレメントに
おいても適用可能である。
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/68
H01L 21/304 642
Claims (14)
- 【請求項１】処理流体を含有する容器（１）と、少なく
とも１つの基板ホルダ（10）とを備えており、処理流体
に接触する容器（１）の構成部材が保護層（24）を有し
ており、基板（５）用のガイドエレメント（6,63）が前
記保護層（24）に溶接されており、ガイドエレメント
（６）が、前記保護層（24）に溶接され且つ相互に溶接
されたプラスチックコード（32）から成っていることを
特徴とする、基板を処理するための装置。 - 【請求項２】保護層（24）がペルフルオロアルコキシポ
リマー（PFA）から成っている、請求項１記載の装置。 - 【請求項３】コーティングされた容器壁（2,3）の互い
に向かい合う内面において、基板（５）用の、プラスチ
ックから成るガイドエレメント（６）が保護層（24）に
溶接されている、請求項１又は２記載の装置。 - 【請求項４】ガイドエレメント（6,63）がPFAから成っ
ている、請求項１から３までのいずれか１項記載の装
置。 - 【請求項５】ガイドエレメント（６）が、基板（５）用
のガイドスリット（25）を有している、請求項１から４
までのいずれか１項記載の装置。 - 【請求項６】ガイドスリット（25）が、基板（５）用の
Ｖ字形の出入り口領域を有している、請求項５記載の装
置。 - 【請求項７】保護層（24）によってコーティングされた
容器壁（2,3）が金属から、有利には特殊鋼、またはア
ルミニウムから成っている、請求項１から６までのいず
れか１項記載の装置。 - 【請求項８】保護層（24）によってコーティングされた
容器壁（2,3）が石英から成っている、請求項１から６
までのいずれか１項記載の装置。 - 【請求項９】処理流体を含有する容器（１）と、少なく
とも１つの基板ホルダ（10）とを備えており、処理流体
に接触する基板ホルダ（10）の構成部材が、保護層によ
ってコーティングされたウェブ（61）を有しており、該
ウェブにプラスチックから成る刃状の基板支持エレメン
ト（63）が溶接されていることを特徴とする、基板を処
理するための装置。 - 【請求項１０】処理流体を含有する容器（１）と、少な
くとも１つの基板ホルダ（10）とを備えており、処理流
体に接触する基板ホルダ（10）の構成部材が、保護層に
よってコーティングされたウェブを有しており、該ウェ
ブにプラスチックから成る刃状の基板支持エレメントが
キャップとして被せ嵌められていることを特徴とする、
基板を処理するための装置。 - 【請求項１１】前記支持エレメントの刃状縁部（64）
が、基板用の均等に間隔を置かれた複数のノッチ（65）
を有いている、請求項９又は10記載の装置。 - 【請求項１２】基板ホルダ（10）に対して平行に配置さ
れ、且つ該基板ホルダに結合された少なくとも１つの安
定ウェブ（11,12）が設けられている、請求項９から11
までのいずれか１項記載の装置。 - 【請求項１３】基板ホルダ（10）の両側に、安定ウェブ
（11,12）が設けられている、請求項12記載の装置。 - 【請求項１４】安定ウェブ（11,12）が、それぞれ保護
層によってコーティングされた金属から成っており、こ
れらの安定ウェブに刃状エレメント（66,67）が溶接、
又は被せ嵌められている、請求項12又は13記載の装置。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19648498A DE19648498C1 (de) | 1996-11-22 | 1996-11-22 | Vorrichtung zum Behandeln von Substraten, insbesondere von Halbleiter-Wafern |
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| PCT/EP1997/005409 WO1998024114A1 (de) | 1996-11-22 | 1997-10-01 | Vorrichtung zum behandeln von substraten |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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|---|---|---|---|
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| KR (1) | KR100323901B1 (ja) |
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| US6840250B2 (en) * | 2001-04-06 | 2005-01-11 | Akrion Llc | Nextgen wet process tank |
| US6595224B2 (en) * | 2001-06-20 | 2003-07-22 | P.C.T. Systems, Inc. | Bath system with sonic transducers on vertical and angled walls |
| US7156927B2 (en) * | 2002-04-03 | 2007-01-02 | Fsi International, Inc. | Transition flow treatment process and apparatus |
| CN1732711B (zh) * | 2002-11-01 | 2010-11-03 | 艾奎昂有限责任公司 | 具有声能源传输的衬底加工槽和加工衬底的方法 |
| US7582180B2 (en) * | 2004-08-19 | 2009-09-01 | Micron Technology, Inc. | Systems and methods for processing microfeature workpieces |
| KR101654436B1 (ko) | 2014-12-17 | 2016-09-05 | (주)수아 | 화약을 이용한 탈출구 확보장치 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4691722A (en) * | 1984-08-01 | 1987-09-08 | Fsi Corporation | Bowl for liquid spray processing machine |
| DE3712064A1 (de) * | 1987-04-09 | 1988-10-27 | Prettl Laminar Flow & Prozesst | Einrichtung zum bearbeiten von werkstuecken, insbesondere von wafern in einem reinraum einer halbleiterfertigung |
| JPH0278246A (ja) * | 1988-09-14 | 1990-03-19 | Kakizaki Seisakusho:Kk | 薄板処理用バスケット |
| JP3194209B2 (ja) | 1992-11-10 | 2001-07-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 洗浄処理装置 |
| JPH06283486A (ja) | 1993-03-30 | 1994-10-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | ウエハ保持装置及びウエハ収納カセット |
| US5383484A (en) | 1993-07-16 | 1995-01-24 | Cfmt, Inc. | Static megasonic cleaning system for cleaning objects |
| DE4413077C2 (de) * | 1994-04-15 | 1997-02-06 | Steag Micro Tech Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur chemischen Behandlung von Substraten |
| JP3145252B2 (ja) * | 1994-07-29 | 2001-03-12 | 淀川化成株式会社 | 基板支承用側板およびそれを用いたカセット |
| US5772784A (en) * | 1994-11-14 | 1998-06-30 | Yieldup International | Ultra-low particle semiconductor cleaner |
| DE19546990C2 (de) * | 1995-01-05 | 1997-07-03 | Steag Micro Tech Gmbh | Anlage zur chemischen Naßbehandlung |
| DE19637875C2 (de) * | 1996-04-17 | 1999-07-22 | Steag Micro Tech Gmbh | Anlage zur Naßbehandlung von Substraten |
| DE19616402C2 (de) * | 1996-04-24 | 2001-11-29 | Steag Micro Tech Gmbh | Vorrichtung zum Behandeln von Substraten in einem Fluid-Behälter |
| US5868882A (en) * | 1996-06-28 | 1999-02-09 | International Business Machines Corporation | Polymer protected component |
| DE19644253A1 (de) | 1996-10-24 | 1998-05-07 | Steag Micro Tech Gmbh | Vorrichtung zum Behandeln von Substraten |
-
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- 1996-11-22 DE DE19648498A patent/DE19648498C1/de not_active Expired - Fee Related
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1997
- 1997-10-01 KR KR1019997004518A patent/KR100323901B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1997-10-01 JP JP52417598A patent/JP3365638B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1997-10-01 WO PCT/EP1997/005409 patent/WO1998024114A1/de not_active Application Discontinuation
- 1997-10-01 EP EP97911167A patent/EP0948804A1/de not_active Withdrawn
- 1997-10-01 US US09/308,850 patent/US6189552B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1997-11-19 TW TW086117260A patent/TW377498B/zh active
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