KR101111361B1 - 비뉴턴 유체를 이용하여 기판을 이송하는 방법 및 장치 - Google Patents

비뉴턴 유체를 이용하여 기판을 이송하는 방법 및 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR101111361B1
KR101111361B1 KR1020060054064A KR20060054064A KR101111361B1 KR 101111361 B1 KR101111361 B1 KR 101111361B1 KR 1020060054064 A KR1020060054064 A KR 1020060054064A KR 20060054064 A KR20060054064 A KR 20060054064A KR 101111361 B1 KR101111361 B1 KR 101111361B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
newtonian fluid
chamber
opening
delete delete
Prior art date
Application number
KR1020060054064A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20060131680A (ko
Inventor
라리오스 존 엠 드
마이크 레브킨
존 파크
미하일 코로리크
프레드 씨 리데커
Original Assignee
램 리써치 코포레이션
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 램 리써치 코포레이션 filed Critical 램 리써치 코포레이션
Publication of KR20060131680A publication Critical patent/KR20060131680A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101111361B1 publication Critical patent/KR101111361B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67784—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations using air tracks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65G—TRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
    • B65G49/00—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for
    • B65G49/05—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for for fragile or damageable materials or articles
    • B65G49/06—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for for fragile or damageable materials or articles for fragile sheets, e.g. glass
    • B65G49/063—Transporting devices for sheet glass
    • B65G49/064—Transporting devices for sheet glass in a horizontal position
    • B65G49/065—Transporting devices for sheet glass in a horizontal position supported partially or completely on fluid cushions, e.g. a gas cushion
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65G—TRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
    • B65G54/00—Non-mechanical conveyors not otherwise provided for

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

기판을 이송하는 방법이 제공된다. 이 방법에서, 비뉴턴 유체가 공급되고, 기판은 이 비뉴턴 유체에 부유하게 된다. 비뉴턴 유체는 기판을 지지할 수 있다. 그 후, 공급력이 비뉴턴 유체에 인가되어, 비뉴턴 유체가 흐르도록 하고, 그에 의해 그 흐름은 기판을 흐름의 방향을 따라 이동시킬 수 있게 된다. 또한, 비뉴턴 유체를 이용하여 기판을 이송하는 장치 및 시스템이 설명된다.
기판 이송 방법, 기판 이송 장치, 기판 이송 시스템, 비뉴턴 유체

Description

비뉴턴 유체를 이용하여 기판을 이송하는 방법 및 장치{METHOD AND APPARATUS FOR TRANSPORTING A SUBSTRATE USING NON-NEWTONIAN FLUID}
도 1 은 본 발명의 일 실시형태에 따른, 기판을 이송하는 방법의 고레벨 개관의 플로우차트이다.
도 2a 는 본 발명의 일 실시형태에 따른, 수평 방향을 따라 기판을 이송하는 장치의 단순화된 사시도이다.
도 2b 는 도 2a 에 나타낸 장치의 이송부의 측단면도이다.
도 3a 는 본 발명의 일 실시형태에 따른, 수직 방향을 따라 기판을 이송하는 장치의 단순화된 사시도이다.
도 3b 는 도 3a 에 나타낸 장치의 이송부의 측단면도이다.
도 4a 내지 도 4c 는 본 발명의 일 실시형태에 따른, 기판을 이송하는 또 다른 장치의 다양한 도면이다.
도 5 는 본 발명의 일 실시형태에 따른, 기판을 이송하기 위해 도 4 에 나타낸 장치를 이용하는 반도체 기판 클리닝 시스템의 블록도이다.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
210: 비뉴턴 유체 212: 기판
216, 303: 챔버 230: 도관의 상부 평면
232: 도관의 하부 평면 240: 도관의 높이
304: 도관의 우측 수직면 305: 도관의 좌측 수직면
312: 홀딩 핀 316: 투입단
317: 배출단 330: 패널
332: 유입 포트 502: 기판 클리닝 시스템
504: 투입 스테이션 508: 배출 스테이션
510: 클리닝 스테이션 A 511: 클리닝 스테이션 B
512: 비뉴턴 유체 애플리케이터
반도체 웨이퍼와 같은 기판은 다양한 방법으로 한 위치에서 다른 위치로 이동될 수 있다. 예를 들어, 반도체 제조 시스템에서 시스템 내의 기판을 이동시키기 위해 기계적인 롤러가 전형적으로 사용된다. 구체적으로는, 롤러의 테이퍼된 면 (tapered surface) 이 기판의 에지를 잡을 수 있도록 기판이 롤러들 사이에 위치할 수도 있다. 기판을 이동시키기 위해서, 롤러가 회전하여 기판을 그 회전 방향으로 민다. 롤러 및 다른 기계적인 디바이스의 문제점은 롤러와 관련된 메커니즘이 복잡해질 수 있다는 것이다. 또한, 기판을 이동시키기 위해서는 롤러가 기판과 접촉하여야만 한다. 이러한 접촉은 기판에 상당한 응력을 가할 수 있고, 이는 기판의 열화를 가져올 수도 있다.
물 또한 기판을 이동시키는 데 사용되었다. 예를 들어, 기판이 물의 흐름 속에 위치하여 흐름의 방향으로 기판이 이동될 수 있다. 기판을 이송하기 위해 물을 이용함에 있어서의 문제점은 기판이 가라앉아 바닥면에 붙을 수 있고, 그에 의해 기판의 이송을 방해한다는 것이다. 기판이 표면에 붙는 경우, 기판은 쉽게 제거될 수 없다. 물이 기판을 지지할 수 없기 때문에 기판이 바닥으로 가라앉는다. 따라서, 기판을 이송하기 위해 물을 이용하는 것은 신뢰할 만한 것이 못되며, 기판은 바닥에 붙기 쉽다.
전술한 점을 고려하여, 기판을 이송하기 위한 더 간단하고 더욱 신뢰가능한 방법 및 장치를 제공할 필요가 있다.
넓게 말하자면, 본 발명은 기판을 이송하는 방법, 장치 및 시스템을 제공함으로써 이러한 요구를 충족시킨다. 본 발명은 방법, 시스템, 또는 디바이스를 포함하여 수많은 방식으로 구현될 수 있다는 것을 인식해야 한다. 본 발명의 몇몇 창의적인 실시형태가 하기 설명된다.
본 발명의 제 1 양태에 따라, 도관 (導管; conduit) 형태의 캐버티(cavity) 를 가진 챔버를 포함하는 장치가 제공된다. 도관을 통해 기판의 이송을 가능하게 하는 비뉴턴 유체 (non-Newtonian fluid) 를 운반하도록 도관이 구성된다.
본 발명의 제 2 양태에 따라, 기판을 이송하는 시스템이 제공된다. 시스템은, 투입단, 배출단, 및 챔버 벽의 유입 포트를 가진 챔버를 포함한다. 투입단은 기판을 수용할 수 있는 제 1 개구를 정의하고, 배출단은 제 2 개구를 정의한다. 유입 포트는 제 1 개구에 근접하고, 비뉴턴 유체를 챔버내로 유입하도록 구성된다. 시스템은 유입 포트에 연결된 비뉴턴 유체 애플리케이터 (applicator) 를 추가적으로 포함한다. 비뉴턴 유체 애플리케이터는 비뉴턴 유체를 유입 포트를 통해 챔버내로 유입하여 비뉴턴 유체가 제 2 개구로 흐를 수 있도록 구성되고, 그에 의해 흐름은 기판을 제 1 개구로부터 제 2 개구로 이동시킬 수 있다.
본 발명의 제 3 양태에 따라, 기판을 이송하기 위한 방법이 제공된다. 이 방법에서, 비뉴턴 유체가 공급되고, 기판은 비뉴턴 유체에 부유 (浮遊) 한다. 비뉴턴 유체가 기판을 지지할 수 있기 때문에 기판은 부유할 수 있다. 그 후, 공급력 (supply force) 이 비뉴턴 유체에 인가되어 비뉴턴 유체가 흐르게 하고, 그에 의해 흐름은 기판을 흐름의 방향을 따라 이동시킬 수 있다.
본 발명의 제 4 양태에 따라, 기판을 이송하기 위한 방법이 제공된다. 이 방법에서, 도관 형태의 챔버는 비뉴턴 유체로 채워진다. 챔버는 투입단과 배출단을 가진다. 비뉴턴 유체에 기판이 부유하도록 기판이 챔버의 투입단으로 도입된다. 비뉴턴 유체의 흐름이 기판의 표면에 대해 이동하고, 비뉴턴 유체가 배출단으로 배출되도록 챔버를 통해 추가적인 비뉴턴 유체가 가해진다.
본 발명의 다른 양태와 이점들은 참조 도면과 함께 본 발명의 원리를 예시하는 하기 상세한 설명으로부터 더욱 명백해질 것이다.
본 발명은, 동일 참조 번호는 동일 구성 요소를 나타내는 참조 도면과 함께 하기 상세한 설명으로부터 쉽게 이해될 것이다.
본 발명은 기판을 이송하기 위한 방법, 장치, 시스템에 대해 설명된다. 그러나, 본 발명은 이들 구체적 세부 사항의 전부 또는 일부가 없어도 실시될 수도 있다는 것은 당업자에게 명백하다. 또한, 본 발명을 불필요하게 모호하게 하지 않도록 하기 위해 공지의 프로세스 단계는 상세히 설명하지 않았다.
여기에 설명된 실시형태들은 비뉴턴 유체를 이용하여 기판을 이송하기 위한 방법, 장치, 및 시스템을 제공한다. 본질적으로, 기판을 비뉴턴 유체의 흐름 속에 위치시킴으로써 기판이 이송된다. 비뉴턴 유체의 흐름은 기판을 흐름의 방향을 따라 이동시킨다. 이하에서 더욱 자세히 설명하겠지만, 일 실시형태에서, 기판을 이송하는 장치는 도관 형태의 캐버티를 가진 챔버를 포함한다. 도관은, 도관을 통해 기판의 이송을 가능하게 하는 비뉴턴 유체를 운반할 수 있다.
도 1 은 본 발명의 일 실시형태에 따른, 기판을 이송하는 방법의 고레벨 개관의 플로우차트이다. 도 1 에 나타낸 바와 같이, 단계 110 에서 비뉴턴 유체가 제일 먼저 공급된다. 비뉴턴 유체는 인가된 전단력 (shear force) 에 따라 점도 (viscosity) 가 변화하는 유체이다. 비뉴턴 유체의 예로서는 고체와 액체의 극단 사이의 중간 위치를 점유하는 연성 응집 물질 (soft condensed matter) 이 있다. 연성 응집 물질은 외부 응력에 의해 쉽게 변형되고, 연성 응집 물질의 예에는 에멀젼, 콜로이드, 폼 (foam) 등이 포함된다. 에멀젼은, 예를 들어, 치약, 마요네즈, 물 속의 오일 등과 같은 혼합되지 않는 용액의 혼합물이라는 것을 인식해야 한다. 콜로이드는 물 속에 분산된 폴리머이고, 젤라틴은 콜로이드의 한 예이다. 폼은 액체 매트릭스 (liquid matrix) 에서 정의되는 가스 버블이고, 쉐이빙 크림이 폼의 한 예이다.
비뉴턴 유체가 공급된 후에, 단계 112 에서 기판이 비뉴턴 유체에 부유하게 된다. 즉, 기판이 비뉴턴 유체에 침지된다. 비뉴턴 유체에 부유하는 기판이 비뉴턴 유체의 항복점을 초과하지 않을 만큼 기판의 중량은 충분히 작다. 따라서, 비뉴턴 유체는 기판을 지지할 수 있다.
기판은 임의의 적합한 베이스 재료이다. 한 예시적인 실시형태에서, 기판은 실리콘 결정과 같은 반도체 재료의 얇은 슬라이스인 반도체 웨이퍼이며, 그 웨이퍼의 상부에는 다양한 재료의 확산 및 퇴적에 의해 마이크로회로가 구성된다. 또 다른 예시적인 실시형태에서, 기판은 자기 매체 코팅의 둥글고 단단한 원판으로 구성되는 하드 디스크 플래터 (platter) 이다.
도 1 을 더 참조하면, 기판이 비뉴턴 유체에 부유된 후에, 단계 114 에서 공급력이 비뉴턴 유체에 인가되어 비뉴턴 유체를 흐르게 한다. 이하에서, 더욱 자세히 설명될 것이지만, 기판이 비뉴턴 유체에 부유하기 때문에, 비뉴턴 유체의 흐름은 기판 상에 힘을 가하고, 기판을 흐름의 방향을 따라 이동시킨다. 그 결과, 비뉴턴 유체의 흐름은 기판을 이송할 수 있다.
도 2a 는 본 발명의 일 실시형태에 따른, 기판을 수평 방향을 따라 이송하는 장치의 단순화된 사시도이다. 장치 (214) 는 도관 형태의 캐버티를 갖는 챔버 (216) 를 포함한다. 이하에서 더욱 자세히 설명되는 바와 같이, 도관은 도관을 통해 기판의 이송을 가능하게 하는 비뉴턴 유체 (non-Newtonian fluid) 를 운반하도록 구성된다. 도 2a 는 캐버티가 직사각 형태를 갖는 것을 나타낸다. 그러나, 캐버티는 기판을 수용하고 이송할 수 있는 치수의 임의의 적합한 형태에 의해 정의될 수도 있다는 것을 인식해야 한다. 예를 들어, 또 다른 실시형태에서, 캐버티는 원통 형태를 가질 수 있다.
도 2b 는 도 2a 에 나타낸 장치의 이송부의 절단선 A-A 를 따른 측단면도이다. 도 2b 에 나타낸 바와 같이, 장치 (214) 의 챔버 (216) 는 비뉴턴 유체 (210) 로 채워진다. 기판 (212) 은 비뉴턴 유체 (210) 내에 부유한다. 챔버 (216) 의 이송부는 기판 (212) 을 이송할 수 있는 치수의 채널 도관 (channel conduit) 으로 정의된다. 예를 들어, 도 2b 는 이송부를 정의하는 부분적으로 둘러싸인 도관을 나타낸다. 특히, 측면에서 바라볼 때, 부분적으로 둘러싸인 도관은 상부 평면 (230) 및, 상부 평면과 하부 평면 사이의 기판 (212) 을 둘러쌀 수 있도록 상부 평면에 대해 배향된 하부 평면 (232) 으로 정의된다. 상부 평면 (230) 과 하부 평면 (232) 사이의 거리에 의해 정의되는 도관의 높이 (240) 는 기판 (212) 의 두께보다 더 큰 임의의 적합한 치수를 가질 수 있다. 예를 들어, 기판 (212) 의 두께가 1 mm 라면, 높이 (240) 는 4 mm 일 수 있다.
기판 (212) 을 이송하기 위해, 비뉴턴 유체를 흐르게 하도록 공급력이 비뉴턴 유체 (210) 에 인가된다. 공급력은 임의의 적합한 방법에 의해 생성될 수도 있다. 예를 들어, 추가적인 비뉴턴 유체 (210) 를 챔버내로 펌핑함으로써 공급력이 생성될 수도 있다. 비뉴턴 유체 (210) 의 흐름은 기판 (212) 을 흐름의 방향을 따라 이동시킬 수 있다. 도 2b 는 좌에서 우로, 그리고 기판 (212) 의 표면에 대체로 평행한 흐름의 방향을 나타낸다. 비뉴턴 유체 (210) 의 흐름은 기판 (212) 의 표면에 대해 이동하고, 기판의 표면에 평행한 힘을 가하여 기판을 흐름의 속도나 그에 근접한 속도로 좌에서 우로 수평으로 이동시킨다.
도 3a 는 본 발명의 일 실시형태에 따른, 수직 방향을 따라 기판을 이송하는 장치의 단순화된 사시도이다. 장치 (302) 는 원통 도관 형태의 캐버티를 가진 챔버 (303) 를 포함한다. 도관은 도관을 통해 기판의 이송을 가능하게 하는 비뉴턴 유체를 운반하도록 구성된다.
도 3b 는 도 3a 에 나타낸 장치의 이송부의 절단선 B-B 를 따른 측단면도이다. 도 3b 에 나타낸 바와 같이, 장치 (302) 의 챔버 (303) 는 비뉴턴 유체 (210) 로 채워진다. 기판 (212) 은 비뉴턴 유체 (210) 내에 부유하게 된다. 챔버 (303) 의 이송부는 기판 (212) 을 수직으로 이송할 수 있는 치수의 채널 도관으로 정의된다. 측면에서 바라볼 때, 도관은 좌측 수직면 (305) 과 우측 수직면 (304) 으로 정의된다. 좌측 수직면 (305) 은 좌측 수직면과 우측 수직면 사이의 기판 (212) 을 둘러쌀 수 있도록 우측 수직면 (304) 에 대해 배향된다. 이 실시형태에서, 기판 (212) 은 좌측 수직면 (305) 및 우측 수직면 (304) 에 대체로 수직 배향된다.
기판 (212) 을 수직으로 이송하기 위해, 비뉴턴 유체를 흐르게 하도록 공급력이 비뉴턴 유체 (210) 에 인가된다. 도 3b 에 나타낸 바와 같이, 비뉴턴 유 체 (210) 는 하부에서 상부로 수직으로 흐른다. 비뉴턴 유체 (210) 의 흐름의 방향은 기판 (212) 의 표면에 대체로 수직하다. 따라서, 흐름은 기판 (212) 의 하부면에 대체로 수직한 힘을 가하여 기판을 수직 상방으로 이동시킨다.
도 4a 내지 도 4c 는 본 발명의 일 실시형태에 따른, 기판을 이송하기 위한 또 다른 장치의 다양한 도면이다. 도 4a 는 장치 (310) 의 평면도를 나타내고, 도 4b 는 장치 (310) 의 측면도를 나타내고, 도 4c 는 장치 (310) 의 확대된 측면도를 나타낸다. 장치 (310) 는 챔버, 유입 포트 (332), 홀딩 핀 (312), 패널 (330) 을 포함한다. 챔버는 직사각 도관 형태의 캐버티를 가진다. 챔버는 투입단 (316) 과 그 투입단에 대향하게 위치되는 배출단 (317) 을 가진다. 투입단 (316) 은 기판 (212) 을 수용할 수 있는 제 1 개구로 정의된다. 배출단 (317) 은 기판 (212) 을 배출할 수 있는 제 2 개구로 정의된다. 제 1 개구를 밀봉하는 데 사용될 수 있는, 투입단 (316) 의 제 1 개구에 근접한 패널 (330) 이 추가적으로 포함된다.
또한, 장치 (310) 는 챔버 벽에 연결된 유입 포트 (332) 를 포함한다. 유입 포트 (332) 는 비뉴턴 유체를 챔버 내로 유입하도록 구성된다. 도 4a 의 평면도에 나타낸 바와 같이, 일 실시형태에서, 유입 포트들 (332) 은 챔버의 폭을 따라 연장된다. 그러나, 유입 포트 (332) 는 임의의 적합한 형태와 사이즈를 가질 수 있다는 것을 인식해야 한다. 비뉴턴 유체 애플리케이터 (미도시) 가 유입 포트 (332) 에 연결되어 비뉴턴 유체를 유입 포트를 통해 챔버 내로 유입할 수 있다. 도 4b 의 실시형태에서, 장치 (310) 는 투입단 (316) 에 근접하게 위치한 2 개의 유입 포트 (332) 를 포함한다. 측면도는 유입 포트 (332) 의 하나는 챔버의 상부에 위치하고, 다른 유입 포트는 하부에 위치하는 것을 나타낸다. 유입 포트 (332) 는 상부와 하부로부터의 비뉴턴 유체의 대향하는 흐름들을 형성하기 위해 서로 대향하게 위치된다. 대향하는 흐름들은 기판의 대향하는 표면 상에 힘들을 가함으로써 챔버의 중앙에 기판 (212) 이 부유되어 유지되는 것을 돕는다. 그러나, 원하는 방향으로의 흐름에 따라, 장치 (310) 는 하나의 유입 포트 또는 3 개 이상의 유입 포트들을 포함할 수 있다. 또한, 이하에서 더욱 자세히 설명될 것이지만, 원하는 방향으로의 흐름이 투입단에서 배출단 (317) 으로의 방향이기 때문에 유입 포트 (332) 는 투입단 (316) 에 근접하여 위치한다. 그럼에도 불구하고, 상이한 흐름 특성들을 형성하기 위해 유입 포트들 (332) 은 챔버 내의 임의의 적합한 위치에 위치할 수도 있다.
도 4a 내지 도 4c 를 더 참조하면, 기판 (212) 이 장치 (310) 의 챔버로 도입되기 전에, 비뉴턴 유체 애플리케이터는 비뉴턴 유체를 유입 포트 (332) 를 통해 챔버 내로 유입하여, 챔버를 비뉴턴 유체로 채운다. 챔버가 비뉴턴 유채로 채워진 후, 기판 (212) 이 투입단 (316) 의 제 1 개구를 통해 챔버 내로 도입된다. 기판이 비뉴턴 유체에 부유하도록 기판 (212) 이 도입된다. 즉, 기판이 챔버의 표면과 접촉하지 않도록, 기판 (212) 이 챔버 내에 위치한다. 비뉴턴 유체는 기판이 챔버의 중앙에 부유하도록 기판 (212) 을 지지하는 능력을 가진다. 또한, 유입 포트들 (332) 로부터의 대향하는 흐름들은 기판의 대향하는 표면들에 힘들을 가함으로써, 기판 (212) 이 챔버의 중앙에 부유하여 유지되는 것을 돕는다.
기판 (212) 이 챔버 내로 도입된 후, 투입단 (316) 의 제 1 개구에 근접한 패널 (330) 이 폐쇄되어 제 1 개구를 밀봉한다. 비뉴턴 유체는 투입단 (316) 의 제 1 개구를 통해 배출될 수 없기 때문에, 유입 포트 (332) 로부터 유입된 비뉴턴 유체는 투입단으로부터 배출단 (317) 으로 향하여 흘러 배출단의 제 2 개구에서 배출된다. 비뉴턴 유체의 흐름은 기판 (212) 의 표면에 대해 이동하고, 기판 상에 흐름의 방향으로 힘을 가한다. 그 결과, 흐름은 기판 (212) 을 배출단 (317) 으로 이동시킨다.
장치 (310) 의 실시형태들은 챔버 내에 하나 이상의 홀딩 핀 (312) 을 포함할 수 있다. 홀딩 핀 (312) 은 기판 (212) 의 에지를 수용하는 데 사용되어 기판의 이동을 방지한다. 도 4a 및 도 4b 의 실시형태에서, 홀딩 핀 (312) 은 배출단 (317) 에 근접하여 위치하여, 비뉴턴 유체가 챔버를 통해 흐를 때 기판 (212) 이 배출단의 제 2 개구를 통하여 이동하는 것을 방지한다. 홀딩 핀 (312) 은 비뉴턴 유체가 도관을 통하여 흐르는 것을 가능하게 하면서 기판 (212) 을 홀딩할 수 있다. 기판 (212) 의 이동을 가능하게 하기 위해, 홀딩 핀 (312) 은 기판의 홀딩을 해제하여 비뉴턴 유체의 흐름이 기판을 도관을 따라 이동시켜 배출단 (317) 의 제 2 개구의 밖으로 내보내는 것이 가능하도록 구성될 수도 있다. 예를 들어, 일 실시형태에서, 홀딩 핀 (312) 이 하강되어 기판 (212) 이 이동하도록 할 수 있다.
도 5 는 본 발명의 일 실시형태에 따른, 기판을 이송하기 위해 도 4a 내지 도 4c 에 나타낸 장치를 이용하는 반도체 기판 클리닝 시스템의 블록도이다. 기판 클리닝 시스템 (502) 은 기판으로부터 입자와 트레이스 (trace) 금속 오염을 제거하기 위해 반도체 디바이스 제조 프로세스에서 사용된다. 도 5 에 나타낸 바와 같이, 기판 클리닝 시스템 (502) 은 투입 스테이션 (504), 클리닝 스테이션 A (510), 클리닝 스테이션 B (511), 드라잉 스테이션 (506), 비뉴턴 유체 애플리케이터 (512), 및 배출 스테이션 (508) 을 포함한다. 기판 클리닝 시스템 (502) 의 실시형태들은 기판을 이송하기 위해 클리닝 스테이션 A (510) 및 클리닝 스테이션 B (511) 에 도 4a 내지 도 4c 에 나타낸 장치를 내장할 수 있다. 클리닝 스테이션 A (510) 및 클리닝 스테이션 B (511) 는 기판을 클리닝하도록 구성된 임의의 적합한 클리닝 디바이스를 포함할 수 있다는 것을 인식해야 한다. 예를 들어, 클리닝 스테이션 A (510) 및 클리닝 스테이션 B (511) 는 기판을 클리닝하기 위해 폼을 사용할 수 있다. 기판을 클리닝하기 위한 폼의 사용에 관한 더 많은 정보를 위해서는, 2005 년 6 월 15 일에 출원된 "비뉴턴 유체를 이용하여 기판을 클리닝하는 방법 및 장치 (Method and Apparatus for Cleaning a Substrate Using Non-Newtonian Fluids)" 라는 제목의 미국 특허 출원 제 11/153,957 호를 참조할 수도 있다.
기판을 클리닝하는 예시적인 프로세스는 투입 스테이션 (504) 으로 기판이 투입되는 것으로 시작한다. 클리닝 스테이션 A (510) 및 클리닝 스테이션 B (511) 에 연결된 비뉴턴 유체 애플리케이터 (512) 는 비뉴턴 유체 및 비뉴턴 유체를 클리닝 스테이션 A (510) 의 챔버 내로 유입하기 위한 공급력을 제공한다. 클리닝 스테이션 A (510) 의 챔버가 비뉴턴 유체로 채워진 후에, 투입 챔버 (504) 의 롤러는 기판을 클리닝 스테이션 A 의 챔버로 밀어서 챔버 내에 위치한 홀딩 핀에서 정지한다. 기판이 클리닝 스테이션 A (510) 에 완전히 삽입될 때, 클리닝 스테이션 A 의 패널은 클리닝 스테이션의 개구를 폐쇄하여 밀봉한다. 그 다음, 적합한 클리닝 방법을 이용하여 클리닝 스테이션 A (510) 는 기판을 클리닝한다. 기판이 클리닝된 후, 홀딩 핀이 하강되어 클리닝 스테이션 A (510) 밖으로의 비뉴턴 유체의 흐름과 함께 기판이 이동하도록 한다.
클리닝 스테이션 A (510) 가 기판을 클리닝한 후, 기판은 린스되고, 제 2 클리닝을 위하여 클리닝 스테이션 B (511) 로 도입된다. 클리닝 스테이션 B (511) 는 클리닝 스테이션 A (510) 와 동일한 클리닝 프로세스를 사용할 수도 있고, 상이한 클리닝 프로세스를 사용할 수도 있다. 클리닝 스테이션 B (511) 가 기판을 클리닝한 후, 기판은 비뉴턴 유체의 흐름을 이용하여 클리닝 스테이션 B 의 밖으로 이송되고, 기판은 린스되고, 그 다음, 드라잉 스테이션 (506) 에서 드라이된다. 그 후, 롤러는 클리닝되고 드라이된 기판을 배출 스테이션 (508) 밖으로 밀어내고, 기판은 기판 클리닝 시스템 (502) 으로부터 배출된다.
요약하면, 전술한 실시형태들은 기판을 이송하는 방법, 장치, 및 시스템을 제공한다. 기본적으로, 비뉴턴 유체의 흐름은 기판을 한 위치에서 또 다른 위치로 이동시키는 데 사용된다. 물과는 달리, 비뉴턴 유체는 기판을 지지할 수 있다. 그 결과, 기판이 비뉴턴 유체에 놓일 때 바닥에 가라앉아 붙지않는다. 또한, 비뉴턴 유체가 기판을 지지할 수 있기 때문에, 이송하는 동안 어떠한 기계적인 메커니즘도 기판과 접촉하지 않는다. 비뉴턴 유체는 기판 상에 어떠한 주목할 만한 응력도 가하지 않는다. 그 결과, 롤러의 사용과는 달리, 기판 상에 심각한 응력을 가함이 없이, 기판은 비뉴턴 유체에 의해 이송될 수 있다.
본 발명의 몇몇 실시형태들을 여기에 자세히 설명하였지만, 본 발명의 사상과 범위에서 벗어남이 없이 본 발명의 많은 다른 구체적인 형태들이 실현될 수도 있다는 것은 당업자에게는 자명한 것일 것이다. 따라서, 본 실시예와 실시형태들은 한정적이 아닌 예시적인 것으로 받아들여져야 하며, 본 발명은 여기에 제공된 상세 사항에 한정되지 않고, 첨부된 청구항의 범위 내에서 변형되고 실시될 수도 있다.
본 발명에 의해 기판을 이송하기 위한 더 간단하고 더욱 신뢰가능한 방법 및 장치를 제공할 수 있다.

Claims (20)

  1. 기판이 도입되는 제 1 개구를 정의하는 투입단, 및 상기 투입단에 대향하는 배출단을 가진 챔버로서, 상기 제 1 개구는 상기 제 1 개구를 통해 상기 챔버로의 액세스를 개방 및 폐쇄하는 패널을 갖고, 상기 배출단은 제 2 개구를 정의하고, 상기 챔버는 상부 벽 및 하부 벽을 갖고, 상기 상부 벽 및 상기 하부 벽 양자는 그 상부 벽 및 하부 벽을 통해 정의된 대향하는 유입구들을 가지며, 상기 유입구들은 상기 제 1 개구에 근접하는, 상기 챔버; 및
    상기 기판의 도입 전에 상기 챔버 내에 배치된 비뉴턴 유체 (non-Newtonian fluid) 로서, 상기 패널이 상기 제 1 개구를 통한 상기 챔버로의 액세스를 폐쇄한 때에 상기 비뉴턴 유체가 상기 유입구들을 통해 도입되어서, 상기 비뉴턴 유체는 상기 챔버에서의 상기 기판을 지지하고, 상기 유입구들을 통한 상기 비뉴턴 유체의 흐름은 상기 패널이 폐쇄된 때에 상기 제 1 개구에 근접한 영역으로부터 상기 제 2 개구를 향하여 상기 기판을 이송하는, 상기 비뉴턴 유체
    를 구비하는, 기판 이송 시스템.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판의 이동이 발생하는 상기 챔버의 이송부는 상기 기판을 이송할 수 있는 치수의 채널 도관 (channel conduit) 으로 정의되는, 기판 이송 시스템.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판의 이동이 발생하는 상기 챔버의 이송부는 도관으로 정의되는, 기판 이송 시스템.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 도관은,
    제 1 평면; 및
    상기 제 1 평면에 대해 배향된 제 2 평면으로서, 상기 제 1 평면과 상기 제 2 평면 사이에서 상기 기판을 둘러싸도록 구성된, 상기 제 2 평면을 포함하는, 기판 이송 시스템.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 개구에 근접하는, 상기 챔버 내의 홀딩 핀을 더 구비하고,
    상기 홀딩 핀은 상기 기판의 에지를 수용하여, 상기 비뉴턴 유체가 상기 챔버를 통해 흐를 때 상기 제 2 개구를 통한 상기 기판의 이동을 방지하도록 구성된, 기판 이송 시스템.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 홀딩 핀은, 상기 기판이 상기 제 2 개구를 통해 상기 챔버 밖으로 이동할 수 있게 하도록 하강되는 것이 가능한, 기판 이송 시스템.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 비뉴턴 유체의 흐름의 방향은 상기 기판의 표면에 대체로 수직한, 기판 이송 시스템.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 비뉴턴 유체의 흐름의 방향은 상기 기판의 표면에 대체로 평행한, 기판 이송 시스템.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 비뉴턴 유체는 폼 (foam), 콜로이드, 및 에멀젼 중 하나 이상으로 정의되는, 기판 이송 시스템.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 유입구들은 대응하는 상부 벽 및 하부 벽의 길이에 걸쳐 연장된 채널들인, 기판 이송 시스템.
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 삭제
  15. 삭제
  16. 삭제
  17. 삭제
  18. 삭제
  19. 삭제
  20. 삭제
KR1020060054064A 2005-06-15 2006-06-15 비뉴턴 유체를 이용하여 기판을 이송하는 방법 및 장치 KR101111361B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/154,129 US7416370B2 (en) 2005-06-15 2005-06-15 Method and apparatus for transporting a substrate using non-Newtonian fluid
US11/154,129 2005-06-15

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110103118A Division KR101111360B1 (ko) 2005-06-15 2011-10-10 비뉴턴 유체를 이용하여 기판을 이송하는 방법 및 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20060131680A KR20060131680A (ko) 2006-12-20
KR101111361B1 true KR101111361B1 (ko) 2012-02-24

Family

ID=36710031

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060054064A KR101111361B1 (ko) 2005-06-15 2006-06-15 비뉴턴 유체를 이용하여 기판을 이송하는 방법 및 장치
KR1020110103118A KR101111360B1 (ko) 2005-06-15 2011-10-10 비뉴턴 유체를 이용하여 기판을 이송하는 방법 및 장치

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110103118A KR101111360B1 (ko) 2005-06-15 2011-10-10 비뉴턴 유체를 이용하여 기판을 이송하는 방법 및 장치

Country Status (8)

Country Link
US (2) US7416370B2 (ko)
EP (1) EP1734574A1 (ko)
JP (1) JP5010856B2 (ko)
KR (2) KR101111361B1 (ko)
CN (1) CN1880200B (ko)
MY (1) MY142184A (ko)
SG (1) SG128607A1 (ko)
TW (1) TWI322128B (ko)

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040031167A1 (en) 2002-06-13 2004-02-19 Stein Nathan D. Single wafer method and apparatus for drying semiconductor substrates using an inert gas air-knife
US7913703B1 (en) 2003-06-27 2011-03-29 Lam Research Corporation Method and apparatus for uniformly applying a multi-phase cleaning solution to a substrate
US7648584B2 (en) 2003-06-27 2010-01-19 Lam Research Corporation Method and apparatus for removing contamination from substrate
US7737097B2 (en) 2003-06-27 2010-06-15 Lam Research Corporation Method for removing contamination from a substrate and for making a cleaning solution
US8316866B2 (en) 2003-06-27 2012-11-27 Lam Research Corporation Method and apparatus for cleaning a semiconductor substrate
US7799141B2 (en) 2003-06-27 2010-09-21 Lam Research Corporation Method and system for using a two-phases substrate cleaning compound
US8522801B2 (en) 2003-06-27 2013-09-03 Lam Research Corporation Method and apparatus for cleaning a semiconductor substrate
US8522799B2 (en) 2005-12-30 2013-09-03 Lam Research Corporation Apparatus and system for cleaning a substrate
US8323420B2 (en) 2005-06-30 2012-12-04 Lam Research Corporation Method for removing material from semiconductor wafer and apparatus for performing the same
US7862662B2 (en) 2005-12-30 2011-01-04 Lam Research Corporation Method and material for cleaning a substrate
US8043441B2 (en) 2005-06-15 2011-10-25 Lam Research Corporation Method and apparatus for cleaning a substrate using non-Newtonian fluids
EP2428557A1 (en) 2005-12-30 2012-03-14 LAM Research Corporation Cleaning solution
US8480810B2 (en) * 2005-12-30 2013-07-09 Lam Research Corporation Method and apparatus for particle removal
US7997289B1 (en) * 2006-10-03 2011-08-16 Xyratex Technology Limited Methods of and apparatus for cleaning and conveying a substrate
US7897213B2 (en) 2007-02-08 2011-03-01 Lam Research Corporation Methods for contained chemical surface treatment
US8388762B2 (en) * 2007-05-02 2013-03-05 Lam Research Corporation Substrate cleaning technique employing multi-phase solution
US8226775B2 (en) 2007-12-14 2012-07-24 Lam Research Corporation Methods for particle removal by single-phase and two-phase media
US8845812B2 (en) * 2009-06-12 2014-09-30 Micron Technology, Inc. Method for contamination removal using magnetic particles
US10258986B2 (en) 2014-11-12 2019-04-16 University Of New Hampshire Viscoelastic fluid drop production
CN116551419B (zh) * 2023-07-07 2023-09-19 杭州鄂达精密机电科技有限公司 用于批量阀座打孔的全自动装夹组件

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4236851A (en) 1978-01-05 1980-12-02 Kasper Instruments, Inc. Disc handling system and method
US4871284A (en) 1982-10-29 1989-10-03 Fibre Dynamics Limited Hydraulic transportation
US5068040A (en) 1989-04-03 1991-11-26 Hughes Aircraft Company Dense phase gas photochemical process for substrate treatment
US5488521A (en) 1988-10-17 1996-01-30 Conner Peripherals, Inc. Information recording apparatus with a non-newtonian liquid bearing

Family Cites Families (136)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL251243A (ko) * 1959-05-04
US3212762A (en) 1960-05-23 1965-10-19 Dow Chemical Co Foam generator
US3436262A (en) * 1964-09-25 1969-04-01 Dow Chemical Co Cleaning by foam contact,and foam regeneration method
US3617095A (en) 1967-10-18 1971-11-02 Petrolite Corp Method of transporting bulk solids
US3978176A (en) * 1972-09-05 1976-08-31 Minnesota Mining And Manufacturing Company Sparger
GB1507472A (en) * 1974-05-02 1978-04-12 Bunker Ramo Foamable coating remover composition
US4156619A (en) * 1975-06-11 1979-05-29 Wacker-Chemitronic Gesellschaft Fur Elektronik-Grundstoffe Mbh Process for cleaning semi-conductor discs
US4133773A (en) * 1977-07-28 1979-01-09 The Dow Chemical Company Apparatus for making foamed cleaning solutions and method of operation
US4238244A (en) 1978-10-10 1980-12-09 Halliburton Company Method of removing deposits from surfaces with a gas agitated cleaning liquid
US4838289A (en) * 1982-08-03 1989-06-13 Texas Instruments Incorporated Apparatus and method for edge cleaning
US4911761A (en) * 1984-05-21 1990-03-27 Cfm Technologies Research Associates Process and apparatus for drying surfaces
US4573830A (en) * 1984-06-21 1986-03-04 International Business Machines Corporation Chip decelerator
JPS6181324A (ja) * 1984-09-26 1986-04-24 Shinko Electric Co Ltd 搬送装置
ES2011470B3 (es) * 1986-07-08 1990-01-16 Kohlensaurewerk Deutschland Gmbh Procedimiento para la disgregacion de sustancias volatiles
NL8601939A (nl) 1986-07-28 1988-02-16 Philips Nv Werkwijze voor het verwijderen van ongewenste deeltjes van een oppervlak van een substraat.
US4838219A (en) * 1986-11-13 1989-06-13 Feuling James J Curved intake duct having improved flow characteristics
US4962776A (en) 1987-03-26 1990-10-16 Regents Of The University Of Minnesota Process for surface and fluid cleaning
US4817652A (en) * 1987-03-26 1989-04-04 Regents Of The University Of Minnesota System for surface and fluid cleaning
US4849027A (en) * 1987-04-16 1989-07-18 Simmons Bobby G Method for recycling foamed solvents
US5105556A (en) * 1987-08-12 1992-04-21 Hitachi, Ltd. Vapor washing process and apparatus
US5048549A (en) * 1988-03-02 1991-09-17 General Dynamics Corp., Air Defense Systems Div. Apparatus for cleaning and/or fluxing circuit card assemblies
US5181985A (en) * 1988-06-01 1993-01-26 Wacker-Chemitronic Gesellschaft Fur Elektronik-Grundstoffe Mbh Process for the wet-chemical surface treatment of semiconductor wafers
US5000795A (en) * 1989-06-16 1991-03-19 At&T Bell Laboratories Semiconductor wafer cleaning method and apparatus
US5102777A (en) * 1990-02-01 1992-04-07 Ardrox Inc. Resist stripping
US5271774A (en) 1990-03-01 1993-12-21 U.S. Philips Corporation Method for removing in a centrifuge a liquid from a surface of a substrate
DE69102311T2 (de) * 1990-03-07 1994-09-29 Hitachi Ltd Vorrichtung und Verfahren zur Oberflächenreinigung.
DE4038587A1 (de) * 1990-12-04 1992-06-11 Hamatech Halbleiter Maschinenb Transportvorrichtung fuer substrate
US5306350A (en) * 1990-12-21 1994-04-26 Union Carbide Chemicals & Plastics Technology Corporation Methods for cleaning apparatus using compressed fluids
US5261966A (en) * 1991-01-28 1993-11-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of cleaning semiconductor wafers using mixer containing a bundle of gas permeable hollow yarns
US5175124A (en) 1991-03-25 1992-12-29 Motorola, Inc. Process for fabricating a semiconductor device using re-ionized rinse water
US5148549A (en) * 1991-04-23 1992-09-22 Ergodyne Corporation Back support with side openings and attached apron
US5242669A (en) * 1992-07-09 1993-09-07 The S. A. Day Mfg. Co., Inc. High purity potassium tetrafluoroaluminate and method of making same
US5288332A (en) * 1993-02-05 1994-02-22 Honeywell Inc. A process for removing corrosive by-products from a circuit assembly
US5336371A (en) * 1993-03-18 1994-08-09 At&T Bell Laboratories Semiconductor wafer cleaning and rinsing techniques using re-ionized water and tank overflow
JP2659321B2 (ja) * 1993-04-20 1997-09-30 川崎製鉄株式会社 ウエハ移送装置
US5464480A (en) 1993-07-16 1995-11-07 Legacy Systems, Inc. Process and apparatus for the treatment of semiconductor wafers in a fluid
US5911837A (en) * 1993-07-16 1999-06-15 Legacy Systems, Inc. Process for treatment of semiconductor wafers in a fluid
US5472502A (en) 1993-08-30 1995-12-05 Semiconductor Systems, Inc. Apparatus and method for spin coating wafers and the like
EP0725752B1 (en) * 1993-08-31 2001-01-31 Stamet Incorporated An apparatus for transporting particulate material and a method of operating such an apparatus
US5950645A (en) 1993-10-20 1999-09-14 Verteq, Inc. Semiconductor wafer cleaning system
US5656097A (en) * 1993-10-20 1997-08-12 Verteq, Inc. Semiconductor wafer cleaning system
US5518542A (en) 1993-11-05 1996-05-21 Tokyo Electron Limited Double-sided substrate cleaning apparatus
US5938504A (en) * 1993-11-16 1999-08-17 Applied Materials, Inc. Substrate polishing apparatus
JPH07147263A (ja) * 1993-11-24 1995-06-06 Ebara Corp ウエハ搬送装置
US5417768A (en) * 1993-12-14 1995-05-23 Autoclave Engineers, Inc. Method of cleaning workpiece with solvent and then with liquid carbon dioxide
DE69523208T2 (de) * 1994-04-08 2002-06-27 Texas Instruments Inc Verfahren zur Reinigung von Halbleiterscheiben mittels verflüssigter Gase
US5498293A (en) * 1994-06-23 1996-03-12 Mallinckrodt Baker, Inc. Cleaning wafer substrates of metal contamination while maintaining wafer smoothness
US6081650A (en) * 1994-06-30 2000-06-27 Thomson Licensing S.A. Transport processor interface and video recorder/playback apparatus in a field structured datastream suitable for conveying television information
US5705223A (en) * 1994-07-26 1998-01-06 International Business Machine Corp. Method and apparatus for coating a semiconductor wafer
US5514417A (en) * 1994-08-04 1996-05-07 Schuller International, Inc. Method of and apparatus for coating a molded fibrous workpiece
US5772784A (en) * 1994-11-14 1998-06-30 Yieldup International Ultra-low particle semiconductor cleaner
JP3504023B2 (ja) * 1995-05-26 2004-03-08 株式会社ルネサステクノロジ 洗浄装置および洗浄方法
US5660642A (en) * 1995-05-26 1997-08-26 The Regents Of The University Of California Moving zone Marangoni drying of wet objects using naturally evaporated solvent vapor
US5964958A (en) 1995-06-07 1999-10-12 Gary W. Ferrell Methods for drying and cleaning objects using aerosols
US5968285A (en) 1995-06-07 1999-10-19 Gary W. Ferrell Methods for drying and cleaning of objects using aerosols and inert gases
US6532976B1 (en) * 1995-07-10 2003-03-18 Lg Semicon Co., Ltd. Semiconductor wafer cleaning apparatus
DE19622015A1 (de) * 1996-05-31 1997-12-04 Siemens Ag Verfahren zum Ätzen von Zerstörungszonen an einem Halbleitersubstratrand sowie Ätzanlage
TW416987B (en) * 1996-06-05 2001-01-01 Wako Pure Chem Ind Ltd A composition for cleaning the semiconductor substrate surface
WO1998013149A1 (fr) * 1996-09-25 1998-04-02 Shuzurifuresher Kaihatsukyodokumiai Systeme de lavage utilisant un gaz liquefie de haute densite
TW357406B (en) 1996-10-07 1999-05-01 Tokyo Electron Ltd Method and apparatus for cleaning and drying a substrate
US5858283A (en) * 1996-11-18 1999-01-12 Burris; William Alan Sparger
US6896826B2 (en) * 1997-01-09 2005-05-24 Advanced Technology Materials, Inc. Aqueous cleaning composition containing copper-specific corrosion inhibitor for cleaning inorganic residues on semiconductor substrate
US5900191A (en) * 1997-01-14 1999-05-04 Stable Air, Inc. Foam producing apparatus and method
US7320457B2 (en) * 1997-02-07 2008-01-22 Sri International Electroactive polymer devices for controlling fluid flow
US5800626A (en) * 1997-02-18 1998-09-01 International Business Machines Corporation Control of gas content in process liquids for improved megasonic cleaning of semiconductor wafers and microelectronics substrates
US6701941B1 (en) * 1997-05-09 2004-03-09 Semitool, Inc. Method for treating the surface of a workpiece
JPH10321572A (ja) * 1997-05-15 1998-12-04 Toshiba Corp 半導体ウェーハの両面洗浄装置及び半導体ウェーハのポリッシング方法
JPH1126423A (ja) * 1997-07-09 1999-01-29 Sugai:Kk 半導体ウエハ等の処理方法並びにその処理装置
US6152805A (en) 1997-07-17 2000-11-28 Canon Kabushiki Kaisha Polishing machine
US5932493A (en) * 1997-09-15 1999-08-03 International Business Machines Corporaiton Method to minimize watermarks on silicon substrates
US5904156A (en) * 1997-09-24 1999-05-18 International Business Machines Corporation Dry film resist removal in the presence of electroplated C4's
US6491764B2 (en) 1997-09-24 2002-12-10 Interuniversitair Microelektronics Centrum (Imec) Method and apparatus for removing a liquid from a surface of a rotating substrate
US6398975B1 (en) * 1997-09-24 2002-06-04 Interuniversitair Microelektronica Centrum (Imec) Method and apparatus for localized liquid treatment of the surface of a substrate
JP3039493B2 (ja) 1997-11-28 2000-05-08 日本電気株式会社 基板の洗浄方法及び洗浄溶液
US6270584B1 (en) * 1997-12-03 2001-08-07 Gary W. Ferrell Apparatus for drying and cleaning objects using controlled aerosols and gases
JPH11334874A (ja) * 1998-05-25 1999-12-07 Speedfam-Ipec Co Ltd 搬送装置
US6049996A (en) * 1998-07-10 2000-04-18 Ball Semiconductor, Inc. Device and fluid separator for processing spherical shaped devices
US6161311A (en) * 1998-07-10 2000-12-19 Asm America, Inc. System and method for reducing particles in epitaxial reactors
US5944581A (en) * 1998-07-13 1999-08-31 Ford Motor Company CO2 cleaning system and method
JP3003684B1 (ja) * 1998-09-07 2000-01-31 日本電気株式会社 基板洗浄方法および基板洗浄液
JP2000141215A (ja) * 1998-11-05 2000-05-23 Sony Corp 平坦化研磨装置及び平坦化研磨方法
US6090217A (en) 1998-12-09 2000-07-18 Kittle; Paul A. Surface treatment of semiconductor substrates
JP2000260739A (ja) * 1999-03-11 2000-09-22 Kokusai Electric Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
US6290780B1 (en) * 1999-03-19 2001-09-18 Lam Research Corporation Method and apparatus for processing a wafer
US6272712B1 (en) * 1999-04-02 2001-08-14 Lam Research Corporation Brush box containment apparatus
KR100585448B1 (ko) * 1999-04-08 2006-06-02 동경 엘렉트론 주식회사 막 형성방법 및 막 형성장치
US6562726B1 (en) * 1999-06-29 2003-05-13 Micron Technology, Inc. Acid blend for removing etch residue
RU2149930C1 (ru) * 1999-07-30 2000-05-27 Рябков Данила Витальевич Способ модифицирования поверхности металлических изделий и устройство для реализации способа
WO2001012384A2 (en) * 1999-08-12 2001-02-22 Speedfam-Ipec Corporation Apparatus for moving a workpiece
US20020121290A1 (en) * 1999-08-25 2002-09-05 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for cleaning/drying hydrophobic wafers
US6734121B2 (en) * 1999-09-02 2004-05-11 Micron Technology, Inc. Methods of treating surfaces of substrates
US6228563B1 (en) * 1999-09-17 2001-05-08 Gasonics International Corporation Method and apparatus for removing post-etch residues and other adherent matrices
US6858089B2 (en) * 1999-10-29 2005-02-22 Paul P. Castrucci Apparatus and method for semiconductor wafer cleaning
US6576066B1 (en) * 1999-12-06 2003-06-10 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Supercritical drying method and supercritical drying apparatus
US6286231B1 (en) * 2000-01-12 2001-09-11 Semitool, Inc. Method and apparatus for high-pressure wafer processing and drying
US6276459B1 (en) * 2000-02-01 2001-08-21 Bradford James Herrick Compressed air foam generator
US6594847B1 (en) * 2000-03-28 2003-07-22 Lam Research Corporation Single wafer residue, thin film removal and clean
US6457199B1 (en) 2000-10-12 2002-10-01 Lam Research Corporation Substrate processing in an immersion, scrub and dry system
DE50112692D1 (de) * 2000-05-17 2007-08-16 Henkel Kgaa Wasch- oder reinigungsmittelformkörper
US6508882B1 (en) * 2000-05-24 2003-01-21 Gaston Systems, Inc. Apparatus for applying a chemical foam to a traveling substrate
US6927176B2 (en) * 2000-06-26 2005-08-09 Applied Materials, Inc. Cleaning method and solution for cleaning a wafer in a single wafer process
US6488040B1 (en) * 2000-06-30 2002-12-03 Lam Research Corporation Capillary proximity heads for single wafer cleaning and drying
KR100366623B1 (ko) * 2000-07-18 2003-01-09 삼성전자 주식회사 반도체 기판 또는 ｌｃｄ 기판의 세정방법
KR100750018B1 (ko) * 2000-07-26 2007-08-16 동경 엘렉트론 주식회사 반도체 기판의 처리를 위한 고압 챔버 및 반도체 기판의고압 처리를 위한 장치
TW495863B (en) * 2000-08-11 2002-07-21 Chem Trace Inc System and method for cleaning semiconductor fabrication equipment
US6328042B1 (en) * 2000-10-05 2001-12-11 Lam Research Corporation Wafer cleaning module and method for cleaning the surface of a substrate
US20020094684A1 (en) * 2000-11-27 2002-07-18 Hirasaki George J. Foam cleaning process in semiconductor manufacturing
US6525009B2 (en) * 2000-12-07 2003-02-25 International Business Machines Corporation Polycarboxylates-based aqueous compositions for cleaning of screening apparatus
US6493902B2 (en) 2001-02-22 2002-12-17 Chung-Yi Lin Automatic wall cleansing apparatus
US6627550B2 (en) 2001-03-27 2003-09-30 Micron Technology, Inc. Post-planarization clean-up
JP3511514B2 (ja) * 2001-05-31 2004-03-29 エム・エフエスアイ株式会社 基板浄化処理装置、ディスペンサー、基板保持機構、基板の浄化処理用チャンバー、及びこれらを用いた基板の浄化処理方法
US6802911B2 (en) 2001-09-19 2004-10-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Method for cleaning damaged layers and polymer residue from semiconductor device
BR0214226A (pt) * 2001-11-19 2004-09-21 Unilever Nv Composição de limpeza, processo para manualmente limpar substratos sujos, e, kit para realizar o processo
TW497494U (en) * 2001-12-28 2002-08-01 Metal Ind Redearch & Amp Dev C Fluid driven stirring device for compressing gas cleaning system
US20030171239A1 (en) * 2002-01-28 2003-09-11 Patel Bakul P. Methods and compositions for chemically treating a substrate using foam technology
EP1508044B1 (en) * 2002-05-09 2010-09-01 The University of Chicago Device and method for pressure-driven plug transport and reaction
US20040159335A1 (en) * 2002-05-17 2004-08-19 P.C.T. Systems, Inc. Method and apparatus for removing organic layers
US6846380B2 (en) * 2002-06-13 2005-01-25 The Boc Group, Inc. Substrate processing apparatus and related systems and methods
US20040002430A1 (en) * 2002-07-01 2004-01-01 Applied Materials, Inc. Using a time critical wafer cleaning solution by combining a chelating agent with an oxidizer at point-of-use
US6733596B1 (en) * 2002-12-23 2004-05-11 Lam Research Corporation Substrate cleaning brush preparation sequence, method, and system
US6953315B2 (en) * 2003-01-16 2005-10-11 North Carolina State University Apparatus and method for controlling flow of process materials
US20040163681A1 (en) * 2003-02-25 2004-08-26 Applied Materials, Inc. Dilute sulfuric peroxide at point-of-use
US6951042B1 (en) 2003-02-28 2005-10-04 Lam Research Corporation Brush scrubbing-high frequency resonating wafer processing system and methods for making and implementing the same
US6946396B2 (en) 2003-10-30 2005-09-20 Nissan Chemical Indusries, Ltd. Maleic acid and ethylene urea containing formulation for removing residue from semiconductor substrate and method for cleaning wafer
KR20050044085A (ko) * 2003-11-07 2005-05-12 삼성전자주식회사 집적회로 소자의 세정액 및 그 세정액을 이용한 세정방법
US7353560B2 (en) * 2003-12-18 2008-04-08 Lam Research Corporation Proximity brush unit apparatus and method
US8043441B2 (en) * 2005-06-15 2011-10-25 Lam Research Corporation Method and apparatus for cleaning a substrate using non-Newtonian fluids
US8323420B2 (en) * 2005-06-30 2012-12-04 Lam Research Corporation Method for removing material from semiconductor wafer and apparatus for performing the same
US7568490B2 (en) * 2003-12-23 2009-08-04 Lam Research Corporation Method and apparatus for cleaning semiconductor wafers using compressed and/or pressurized foams, bubbles, and/or liquids
CN1654617A (zh) * 2004-02-10 2005-08-17 捷时雅株式会社 清洗用组合物和半导体基板的清洗方法及半导体装置的制造方法
US20050183740A1 (en) * 2004-02-19 2005-08-25 Fulton John L. Process and apparatus for removing residues from semiconductor substrates
US7140393B2 (en) * 2004-12-22 2006-11-28 Tokyo Electron Limited Non-contact shuttle valve for flow diversion in high pressure systems
US7291565B2 (en) * 2005-02-15 2007-11-06 Tokyo Electron Limited Method and system for treating a substrate with a high pressure fluid using fluorosilicic acid
US7536962B2 (en) * 2005-04-19 2009-05-26 Kamterter Ii, L.L.C. Systems for the control and use of fluids and particles
US7765949B2 (en) * 2005-11-17 2010-08-03 Palo Alto Research Center Incorporated Extrusion/dispensing systems and methods
US8048383B2 (en) * 2006-04-20 2011-11-01 Velocys, Inc. Process for treating and/or forming a non-Newtonian fluid using microchannel process technology

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4236851A (en) 1978-01-05 1980-12-02 Kasper Instruments, Inc. Disc handling system and method
US4871284A (en) 1982-10-29 1989-10-03 Fibre Dynamics Limited Hydraulic transportation
US5488521A (en) 1988-10-17 1996-01-30 Conner Peripherals, Inc. Information recording apparatus with a non-newtonian liquid bearing
US5068040A (en) 1989-04-03 1991-11-26 Hughes Aircraft Company Dense phase gas photochemical process for substrate treatment

Also Published As

Publication number Publication date
US20060285930A1 (en) 2006-12-21
SG128607A1 (en) 2007-01-30
TW200738543A (en) 2007-10-16
US7416370B2 (en) 2008-08-26
JP5010856B2 (ja) 2012-08-29
MY142184A (en) 2010-10-15
US20080267721A1 (en) 2008-10-30
US7591613B2 (en) 2009-09-22
TWI322128B (en) 2010-03-21
CN1880200A (zh) 2006-12-20
KR20060131680A (ko) 2006-12-20
KR20110120853A (ko) 2011-11-04
KR101111360B1 (ko) 2012-02-24
JP2007053341A (ja) 2007-03-01
CN1880200B (zh) 2013-02-06
EP1734574A1 (en) 2006-12-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101111361B1 (ko) 비뉴턴 유체를 이용하여 기판을 이송하는 방법 및 장치
JP4871651B2 (ja) 非ニュートン流体を使用して基板を洗浄する方法及び装置
KR100236412B1 (ko) 반도체처리시스템의세정장치
US7897213B2 (en) Methods for contained chemical surface treatment
US7946303B2 (en) Carrier for reducing entrance and/or exit marks left by a substrate-processing meniscus
TWI792129B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
US7849554B2 (en) Apparatus and system for cleaning substrate
TW202013561A (zh) 基板處理裝置以及基板處理方法
US6502591B1 (en) Surface tension effect dryer with porous vessel walls
JP3365638B2 (ja) 基板を処理するための装置
TW202220087A (zh) 基板處理裝置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
A302 Request for accelerated examination
E902 Notification of reason for refusal
A107 Divisional application of patent
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150108

Year of fee payment: 4

LAPS Lapse due to unpaid annual fee