KR950025977A - 전위검지회로 - Google Patents

전위검지회로 Download PDF

Info

Publication number
KR950025977A
KR950025977A KR1019950003040A KR19950003040A KR950025977A KR 950025977 A KR950025977 A KR 950025977A KR 1019950003040 A KR1019950003040 A KR 1019950003040A KR 19950003040 A KR19950003040 A KR 19950003040A KR 950025977 A KR950025977 A KR 950025977A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
potential
mosfet
detected
detection circuit
power supply
Prior art date
Application number
KR1019950003040A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100194488B1 (ko
Inventor
나오토 도미타
Original Assignee
사토 후미오
가부시키가이샤 도시바
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 사토 후미오, 가부시키가이샤 도시바 filed Critical 사토 후미오
Publication of KR950025977A publication Critical patent/KR950025977A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100194488B1 publication Critical patent/KR100194488B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R19/00—Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof
    • G01R19/165—Indicating that current or voltage is either above or below a predetermined value or within or outside a predetermined range of values
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R19/00—Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof
    • G01R19/165—Indicating that current or voltage is either above or below a predetermined value or within or outside a predetermined range of values
    • G01R19/16533—Indicating that current or voltage is either above or below a predetermined value or within or outside a predetermined range of values characterised by the application
    • G01R19/16538—Indicating that current or voltage is either above or below a predetermined value or within or outside a predetermined range of values characterised by the application in AC or DC supplies
    • G01R19/16552—Indicating that current or voltage is either above or below a predetermined value or within or outside a predetermined range of values characterised by the application in AC or DC supplies in I.C. power supplies
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/30—Marginal testing, e.g. by varying supply voltage
    • G01R31/3004—Current or voltage test
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M3/00—Conversion of dc power input into dc power output
    • H02M3/02—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac
    • H02M3/04—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters
    • H02M3/06—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider
    • H02M3/07—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider using capacitors charged and discharged alternately by semiconductor devices with control electrode, e.g. charge pumps
    • H02M3/073—Charge pumps of the Schenkel-type

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
  • Dram (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Read Only Memory (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)

Abstract

본 발명은, 피검지전위에 영향을 주지 않으면서 검지레벨의 전원전위에 대한 의존성을 낮게 할 수 있는 전위검지회로를 제공하는 것을 목적으로 하고 있다.
본 발명은, MOSFET(T6)의 드레인에 전원전위(V2)를 인가하고, 게이트에 피검지전위(V1)를 인가한다. 이 MOSFET(T6)의 소스에 정전류회로(12)를 접속한다. 그리고, 기준전위발생회로(13)로부터 출력되는 기준전위(Vref)와 MOSFT(T6)의 소스전위를 비교회로(11)로 비교하여, 피검지전위의 레벨을 검지하는 것을 특징으로 하고 있다. 피검지전위(V1)는 MOSFET(T6)의 게이트에 인가함으로써 피검지전위(V1)에 영향을 주지 않고서 전위를 검지 할 수 있다. MOSFET(T6)는 오극관영역에서 동작시키면 전원전위(V2)에 대한 의존성을 작게 할 수 있다. 기준전위발생회로(13)를 전원전위(V2)에 대한 의존성이 없는 회로로 구성하면 보다 전원전위(V2)에 대한 의존성을 절감할 수 있다.

Description

전위검지회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예에 따른 전위검지회로의 개략구성을 나타낸 블럭도,
제2도는 제1도에 나타낸 전위검지회로의 상세한 구성예를 나타낸 회로도.

Claims (5)

  1. 드레인에 전원전위(V2)가 인가되고, 게이트에 피검지전위(V1)가 인가되는 MOSFET(T6)와, 이 MOSFET(T6)의 소스에 접속되는 부하수단(12), 기준전위(Vref)를 발생시키는 기준전위발생수단(13) 및, 상기 MOSFET(T6)의 소스전위와 상기 기준전위발생수단(13)으로부터 출력되는 기준전위를 비교하는 비교수단(11)을 구비하고, 이 비교수단(11)의 비교출력에 의해 상기 피검지전위의 레벨을 검지하는 것을 특징으로 하는 전위검지회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 MOSFET(T6)의 임계치전압을 Vth, 상기 피검지 전위를 V1, 상기 전원전위를 V2로 할 때, V1-Vth≤V2의 관계를 만족하는 것을 특징으로 하는 전위검지회로.
  3. 제1항에 있어서, 상기 부하수단(12)이 정전류회로인 것을 특징으로 하는 전위검지회로.
  4. 제1항에 있어서, 상기 비교수단(11)이 상기 MOSFET(T6)의 소스전위와 상기 기준전위의 전위차를 증폭하는 차동증폭기인 것을 특징으로 하는 전위검지회로.
  5. 제1항 내지 제4항중 어느 한항에 있어서, 상기 기준전위발생수단(13)이 MOSFET(T19, T20)를 갖추고, 이 MOSFET(T19, T20)의 임계치전압을 이용하여 전원전위에 대한 의존성이 없는 기준전위를 생성하는 것을 특징으로 하는 전위검지회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950003040A 1994-02-17 1995-02-17 전위검지회로 KR100194488B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2044594A JPH07229932A (ja) 1994-02-17 1994-02-17 電位検知回路
JP94-20445 1994-02-17

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR950025977A true KR950025977A (ko) 1995-09-18
KR100194488B1 KR100194488B1 (ko) 1999-06-15

Family

ID=12027259

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950003040A KR100194488B1 (ko) 1994-02-17 1995-02-17 전위검지회로

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5677643A (ko)
JP (1) JPH07229932A (ko)
KR (1) KR100194488B1 (ko)

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5852376A (en) * 1996-08-23 1998-12-22 Ramtron International Corporation Bandgap reference based power-on detect circuit including a supression circuit
KR100219501B1 (ko) * 1996-11-13 1999-09-01 윤종용 파워 온 리셋 회로
US5959481A (en) 1997-02-18 1999-09-28 Rambus Inc. Bus driver circuit including a slew rate indicator circuit having a one shot circuit
JP3206502B2 (ja) 1997-07-30 2001-09-10 日本電気株式会社 半導体集積回路のテスト方法
JP3211881B2 (ja) 1998-06-11 2001-09-25 日本電気株式会社 半導体記憶装置
US6377105B1 (en) 1998-06-30 2002-04-23 Stmicroelectronics Limited On-chip higher-to-lower voltage input stage
JP2000019200A (ja) * 1998-07-01 2000-01-21 Mitsubishi Electric Corp 電位検出回路
FR2783617B1 (fr) * 1998-09-18 2000-12-22 St Microelectronics Sa Systeme de regulation d'une pompe de charge
JP2001077681A (ja) * 1999-09-02 2001-03-23 Fujitsu Ltd パワー・オン・リセット信号作成回路
JP4748841B2 (ja) * 2000-10-24 2011-08-17 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
KR100550637B1 (ko) * 2000-12-30 2006-02-10 주식회사 하이닉스반도체 저전압 감지기를 내장한 고전압 검출기
JP4794782B2 (ja) * 2001-09-18 2011-10-19 セイコーインスツル株式会社 電圧検出回路、及び電子機器
JP4030409B2 (ja) * 2002-10-31 2008-01-09 株式会社ルネサステクノロジ レベル判定回路
US7176720B1 (en) * 2003-03-14 2007-02-13 Cypress Semiconductor Corp. Low duty cycle distortion differential to CMOS translator
US6940318B1 (en) * 2003-10-06 2005-09-06 Pericom Semiconductor Corp. Accurate voltage comparator with voltage-to-current converters for both reference and input voltages
US7049865B2 (en) * 2004-03-05 2006-05-23 Intel Corporation Power-on detect circuit for use with multiple voltage domains
JP2005274642A (ja) * 2004-03-23 2005-10-06 Sony Corp 表示装置および表示装置の駆動方法
JP2008283798A (ja) * 2007-05-11 2008-11-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd スイッチング制御装置
KR20100098954A (ko) * 2009-03-02 2010-09-10 삼성전자주식회사 레벨 검출기 및 이를 구비하는 전압 발생기
WO2020104885A1 (ja) * 2018-11-22 2020-05-28 株式会社半導体エネルギー研究所 二次電池の異常検知装置、および、半導体装置

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4471209A (en) * 1981-12-31 1984-09-11 Hollander James M Electrically heated hand grips for vehicle handle bars
JPS58190775A (ja) * 1982-04-30 1983-11-07 Fujitsu Ltd 電源電圧検出回路
JP2592234B2 (ja) * 1985-08-16 1997-03-19 富士通株式会社 半導体装置
KR910001293B1 (ko) * 1986-03-31 1991-02-28 가부시키가이샤 도시바 전원전압검출회로
US4769784A (en) * 1986-08-19 1988-09-06 Advanced Micro Devices, Inc. Capacitor-plate bias generator for CMOS DRAM memories
US4788510A (en) * 1987-05-29 1988-11-29 American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories Differential input stage for differential line receivers and operational amplifiers
JPH01112815A (ja) * 1987-10-26 1989-05-01 Toshiba Corp 半導体集積回路
US4849661A (en) * 1988-06-16 1989-07-18 Intel Corporation CMOS input buffer with switched capacitor reference voltage generator
JPH0284761A (ja) * 1988-09-21 1990-03-26 Nec Corp 基準電圧発生回路
US5266840A (en) * 1988-10-25 1993-11-30 Siemens Aktiengesellschaft Circuit for detecting the failure of a load which is connected in series with an electronic switch
JPH079442B2 (ja) * 1989-09-20 1995-02-01 株式会社東芝 電流検出回路
US5077521A (en) * 1989-12-26 1991-12-31 Ncr Corporation Supply connection integrity monitor
US5063304A (en) * 1990-04-27 1991-11-05 Texas Instruments Incorporated Integrated circuit with improved on-chip power supply control
KR100209449B1 (ko) * 1990-05-21 1999-07-15 가나이 쓰토무 반도체 집적회로 장치
JPH052037A (ja) * 1991-06-25 1993-01-08 Mitsubishi Electric Corp ゼロクロス検出回路
CA2066929C (en) * 1991-08-09 1996-10-01 Katsuji Kimura Temperature sensor circuit and constant-current circuit
KR950002015B1 (ko) * 1991-12-23 1995-03-08 삼성전자주식회사 하나의 오실레이터에 의해 동작되는 정전원 발생회로
KR950008453B1 (ko) * 1992-03-31 1995-07-31 삼성전자주식회사 내부전원전압 발생회로
US5263201A (en) * 1992-12-02 1993-11-23 Hood Stephen G Trousers having zipper slide with button

Also Published As

Publication number Publication date
KR100194488B1 (ko) 1999-06-15
US5677643A (en) 1997-10-14
JPH07229932A (ja) 1995-08-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR950025977A (ko) 전위검지회로
KR910006732A (ko) 전류검출회로
US5004970A (en) Device and a process for detecting current flow in a MOS transistor
KR940022550A (ko) 고전압 발생 장치
KR940012396A (ko) 전원전압의 강압회로
KR880700548A (ko) Ttl대 cmos입력버퍼
KR860007753A (ko) 반도체 집전회로
KR920017116A (ko) 전류 감지 증폭회로
KR970002375A (ko) 일정한 문턱전압을 갖는 히스테리시스 시스템
KR920018758A (ko) 집적 반도체 회로
KR860003741A (ko) 클램프 회로
KR940024629A (ko) 통신회로시스템
KR920003630A (ko) 두가지 동작 모드를 갖는 증폭기
KR900019364A (ko) 적분기 회로
KR850006902A (ko) 전압레벨 검출회로
KR940023028A (ko) 금속 산화물 반도체(mos) 트랜지스터를 이용한 전압/전류 변환 회로
KR870011703A (ko) 집적 회로
KR970050825A (ko) 아날로그 저장매체의 프로그래밍 장치
KR920001845A (ko) 전하전송소자의 입력바이어스회로
KR900011132A (ko) 전류미러(current mirror)
KR930011274A (ko) 입력회로
KR900001127A (ko) 클램프회로
KR900013703A (ko) 증폭단 회로
KR910007261A (ko) 펄스회로
KR970059751A (ko) 수신 신호 레벨 검출기의 히스테리시스 회로

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20030130

Year of fee payment: 5

LAPS Lapse due to unpaid annual fee