KR860003741A - 클램프 회로 - Google Patents

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KR860003741A
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모타심 아메드 시에드
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글렌 에이취. 브르스틀
알.씨.에이 코포레이션
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    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
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    • H03K5/003—Changing the DC level

Abstract

내용 없음

Description

클램프 회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 본 발명의 양호한 실시예를 포함한 신호 처리 장치의 블록도.
제 2 도는 제 1 도에 도시된 신호 처리 장치를 실행하기 위한 회로도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
104,106 : 반도체 다이오드 112 : 전류 공급부
120 : 비교기 122 : 비디오 신호원
208 : 분압기

Claims (7)

  1. 신호를 선정된 전위 레벨로 클램프 하기 위해서, 상기 신호를 수신하기 위한 신호 결합부(126)와; 기준 전위를 제공하기 위한 전원수단(102)을 구비하는 클램프 회로에 있어서, 상기 전원 수단과 상기 신호 결합부 사이에 결합된 반도체 접합수단(104)과, 상기 기준 전위 레벨과 상기 신호 결합부에서의 전이간의 전위차를 감지하여 상기 전위차를 나타내는 출력신호를 제공하기 위하여 결합된 비교기 수단(120) 및, 상기 신호 결합부와 결합되며, 상기 신호가 상기 반도체 접합 수단을 순방향 바이어스 시키려 하는 극성을 가질 때, 상기 반도체 접합 수단이 순방향 바이어스 되게 하는 극성으로 제 1 바이어스 전류를 선택적으로 인가하기 위하여 상기 비교기 출력신호에 응답하게 되는 제어가능 바이어스 전류 공급 수단(114)을 특징으로 하는 클램프 회로.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 제어 가능 전류 공급 수단(114)은 상기 신호가 상기 반도체 접합을 역방향 바이어스 시키려 하는 극성을 가질 때 제 2 바이어스 전류를 인가하기 위하여 상기 비교기 출력 신호에 응답하고, 상기 제 2 바이어스 전류는 상기 제 1 바이어스 전류보다 실제 작은 것을 특징으로 하는 클램프 회로.
  3. 제 1 또는 2 항에 있어서, 상기 반도체 접합수단은 에미터, 베이스 및 콜렉터 전극을 갖는 트랜지스터(204)의 베이스-에미터 접합을 구비하고, 상기 에미터 전극은 상기 신호 결합부(126)에 결합되고, 상기 베이스 전극은 상기 전원수단(108)에 결합되며, 상기 콜렉터는 동작 전위원(+Vcc)에 결합되는 것을 특징으로 하는 클램프 회로.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 반도체 수단은 또한 상기 에미터 전극을 통과하는 전류가 선정된 상한선을 초과하는 것을 막기 위하여 전류 제한 수단(276,278)을 구비하는 것을 특징으로 하는 클램프 회로.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 비교기 수단(120)은 상기 접합이 순방향 바이어스 될 때 상기 베이스-에미터 접합의 양단간에 발생하는 전압 강하를 옵셋하기 위해 전압 옵셋 수단(238)을 포함하는 것을 특징으로 하는 클램프 회로.
  6. 제 4 항에 있어서, 상기 제어가능 바이어스 전류 공급 수단(114)은 상기 비교기 출력신호를 수신하기위하여 결합된 입력을 포함하는 전류 반사 증폭기(268-274)를 구비하는 것을 특징으로 하는 클램프 회로.
  7. 제 1,2,4,5 또는 6 항에 있어서, 상기 신호는 캐패시터(124)를 통하여 상기 신호 결합(126)에 인가되는 것을 특징으로 하는 클램프 회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019850008041A 1984-10-31 1985-07-02 클램프 회로 KR930009191B1 (ko)

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US666,860 1984-10-31

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