JPS5944123A - 比較回路 - Google Patents

比較回路

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JPS5944123A
JPS5944123A JP57155466A JP15546682A JPS5944123A JP S5944123 A JPS5944123 A JP S5944123A JP 57155466 A JP57155466 A JP 57155466A JP 15546682 A JP15546682 A JP 15546682A JP S5944123 A JPS5944123 A JP S5944123A
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Japan
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JP57155466A
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JPH0446009B2 (ja
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Masashi Shoji
庄司 正志
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NEC Corp
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NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/01Details
    • H03K3/011Modifications of generator to compensate for variations in physical values, e.g. voltage, temperature
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/023Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use of differential amplifiers or comparators, with internal or external positive feedback
    • H03K3/0233Bistable circuits
    • H03K3/02337Bistables with hysteresis, e.g. Schmitt trigger

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は比較回路、特に入力電圧に対する出力電圧がヒ
ステリシス特性を持つ比較回路に関する。
従来のこの種の比較回路の一例を第1図に示す。
第1図において、比較器3の非反転入力端子2は抵抗8
を通して出力端子5に接続されるとともに、抵抗7およ
び基準電源9を通して接地されており、入力信号は反転
入力端子lに印加される。端子4および6はそれぞれ電
源および接地端子である。
この回路にて、入力信号が徐々に上昇されて出力端子5
の出力′電圧がほぼ電源電圧けから急激にほぼ接地電圧
に遷移する入力電圧Vt)lと、この状態から入力信号
が徐々に下降されて出力電圧がほぼ接地電圧から電源に
ほぼ屯源区圧けに遷移する入力電圧VtLとの差電圧、
即ちヒステリシス特性Vtは抵抗7および8の抵抗値を
それぞれ几lおよびR2とすると、近似的に次式で得ら
れる。
但り、o<VR,、、F<v” このように、従来のヒステリシス特性を持つ比較回路の
ヒステリシス電圧は、出力端子5より非反転入力端子2
に正帰還して得られるものである。
よって、入力信号に重畳する雑音等により発生する出力
電圧の遷移繰り返し現象を除くに必要なヒステリシス電
圧値を、抵抗7および8の抵抗値を適切に選択すること
により設定できる。ところが、+ このヒステリシス電圧値は電源電圧V  KJE%比例
し、電源電圧の変動に伴って変化してしまう欠点がある
。さらに、高゛亀源電圧で期用される比較回路において
、ヒステリシス電圧を小さく設定する場合には、抵抗7
および8の抵抗比が大きくなり、このため集積回路で実
現する場合にそのバラツキ幅が大きく、また抵抗8は高
抵抗となりその占有面積が大きくなり実用に耐えない場
合がある。
本発明の目的は、電源電圧によるヒステリシス電圧の変
動をなくシ、集積回路で実現するに好適な帰還抵抗を設
定し得る比較回路を提供することにある。
本発明によれば、反転、非反転入力端子を有する比較器
と、この比較器の出力信号の一部を正帰還せしめる帰還
回路と、入力信号が脇1の設定電圧以上で、更にこの第
1の設定電圧より小さい第2の設定電圧以下で前記比較
器の出力信号レベルを保持する出力電圧保持回路とを備
えた比較回路を得る。
以下、本発明の実施例につき図面を参照して詳細に説明
する。
第2図は本発明の一実施例を示す比!咬回路の回路図で
ある。第2図において、13は反転入力端子11および
非反転入力端子12ケ入力端子とする比較器であり、電
源の一端は電源端子14に、他端は接地端子16に接続
されている。抵抗17および18は帰還抵抗、19は基
準電圧源である。
比較器13の出力端子15は互いに導電型の異なるトラ
ンジスタ21およびトランジスタ22の共通エミッタに
接続されており、トランジスタ21および22のベース
は共に基準電圧源19に妾続されている。トランジスタ
21のコレクタは電源端子14に接続されており、トラ
ンジスタ22のコレクタは接地端子16に接続されてい
る。比較器の出力端子15に入力端子の一端が、他の入
力端子が抵抗17と基準電圧源19の接続点に接続され
た比較器29の出力端が比較回路の出力端子26に接続
されている。
かかる構成において、いま反転入力端子11に印加され
る入力端子が基準電圧源19の基準電圧VREFより充
分小さい場合には、比較器出力端子15はハイレベルに
あり、その電圧はトランジスタ22が導通しているので
、基準電圧VREFよりトランジスタ22のベース・エ
ミッタ間順方向電圧VBEだけ高い電圧に保持されてい
る。非反転入力端子12には電圧VBEの抵抗17およ
び18による分圧電圧V1だけ基準電圧VRKFよりさ
らに商い電圧が加えられている。比較回路出力端子26
の出力電圧は比較器29で反転されるから、はぼ接地醒
位付近にある。入力電圧が徐々に上昇して非反転入力端
子12の印加電圧(VREF+ V 1  )より高く
なると、出力端子15はロウレベルとなってトランジス
タ21が導通し、出力I端子26の出力゛電圧は電源醒
王V+付近に上昇する。出力端子15の出カド圧は、基
準電圧vREμリトランジスタ21のベース・エミッタ
間電圧Vおだけ低い電圧に保持され、非反転入力端子1
2には、その電圧■BFiの抵抗17および18による
分圧電圧■lだけ基準電圧VREFより低い電圧が加え
られる。入力電圧が更に上昇してもこの状態は変らない
この状態から入力電圧を下降させて基準電圧vRFiF
よりも低い非反転入力端子12の電圧(VnnvVl 
)に達すると、出力端子15はノ・イレベルとなり、出
力端子26の出力電圧はほぼ接地電圧に遷位する。
このように比較回路のの力端子26の出力′電圧は入力
電圧に対してヒステリシス特性を有し、ヒステリシス電
圧■t は抵抗17および18の抵抗値をそれぞれ几□
lおよび几12とすると、近似的に次式で得られる。
すなわち、従来のヒステリシス電圧は電源電圧+ ■ に依存するのに対して、本発明のヒステリシス電圧
は電源電圧V+に依存せず、はぼ定電圧なトランジスタ
のベース・エミッタ間順方向電圧vBEで膜受される。
更に通常、電圧vBF、の直は電源成圧V+に対して充
分小さくヒステリシス電圧を小さく設定する場合でも、
抵抗17およ2抵抗18の抵抗比は従来例より充分小さ
くなりこの事は集積回路で実現するのに好適である。
第3図は本発明の他の実施例で、第2図の実用例と同一
のものは同一符号を用いてそれらの説明は省略する。第
3図では、トランジスタ21のエミッタがツェナーダイ
オード27を通して比較器の出力端子15に接続されて
おり、コレクタは抵抗20を通して電源端子14に接続
されると共にトランジスタ24のベースに接続されてい
る。同様に、トランジスタ22のエミッタはツェナーダ
イオード28を通して出力端子15に接続されており、
コレクタは抵抗23を通して接地端子16に4妾続され
ると共にトランジスタの25のベースに接続されている
。トランジスタ24のエミッタは電源端子14へ、トラ
ンジスタ25のエミッタは接地端子16へ接続されてお
ハ トランジスタ24.25のコレクタはそれぞれ共通
接1読されて出力端子26に接続されている。
上記構成の比較回路において、ヒステリシz噂圧は成田
VT3Eとツェナーダイオードの降伏電圧v2と帰還抵
抗17118の抵抗比で設定され、第2図の実施例と同
等の効果を得ることができる。
本実施例はVBEとvz のその1願係数は異符号の同
程度の値を示すことから温度依存の少ないヒステリシス
醒圧を得ることができる。爽に、反転増幅器として抵抗
20ν23およびトランジスタ24.25より構成する
ことにより、回路の簡略化を計ることができる。
$4図は、本発明のさらに他の実施例で、第2図の実施
例と異なる点は次にある。比較器13が抵抗31および
32Iトランジスタ33.34および36ならびに定電
流源35および36で構成されている。比較器29に却
当する反転増1嘔器を非反転増幅器とし、その非反転増
幅器がトランジスタ37および46.ならびに抵抗38
および39とで構成される。トランジスタ40と抵抗3
9との接続点が出力端子26に接続され、入力端のトラ
ンジスタ37のベースがトランジスタ34と抵抗32の
接続点に接続されている。上記構成の比較回路において
、非反転増幅器の入力端子に比較器13の段間より得ら
れる出力信号を加えるもので、第2図の実施例と同等の
効果が得られる。
以上説明したように、本発明の比較回路によれば、半導
体集積回路に適した回路構成の比較回路が得られ、ヒス
テリシス醒圧と′電源電圧を独立に設定できる。
同、本発明は上述した例にのみ限定されず、幾多の変更
を加え得るものとする。例えばトランジスタ21および
22のベースにバイアスする基準電圧源を各々別電源と
してヒステリシス屯圧を設定することができる。
【図面の簡単な説明】 第1図は従来の比較回路の回路図 r、’g 2図は本
発明の比較回路の一実施例を示す回路図、第3図及び第
4図は本発明の比較回路の他の実施例を示す回路図であ
る。 1.2,11,12・・・・・・入力端子、3.13゜
29・・・・・・比較器、4.14・・・・・・電源端
子、5T15I26・・」・・・出力端子、6・16・
・・・・・接地端子、7・8p17p18 220t2
3  I 31+32+38+39・・・・・・抵抗、
9.19・・・・・・基準電圧源、21゜22+24ν
25+33+ 34シ36+37140・・・・・・ト
ランジスタ、27.28・・・・・・ツェナーダイオー
ド、35.36・・・・・・定電流源。 第1図 第2図 14 第3図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 入力信号電圧が供給される第1の入力端子および該第1
    の入力端子と異極性の第2の入力端子を有する比較器と
    、該比較器の出力信号電圧の一部を前記第2の入力端子
    に帰還せしめる帰還回路と、前記入力信号電圧が第1の
    設定電圧以上で更に該第1の設定電圧よジ小さい第2の
    設定電圧以下で前記比較器の出力信号レベルを保持する
    出力電圧保持回路とを14aえてなることを特徴とする
    比較回路。
JP57155466A 1982-09-07 1982-09-07 比較回路 Granted JPS5944123A (ja)

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JP57155466A JPS5944123A (ja) 1982-09-07 1982-09-07 比較回路
US06/529,880 US4556805A (en) 1982-09-07 1983-09-06 Comparator circuit having hysteresis voltage substantially independent of variation in power supply voltage

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JPS5944123A true JPS5944123A (ja) 1984-03-12
JPH0446009B2 JPH0446009B2 (ja) 1992-07-28

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ID=15606663

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JPH0446009B2 (ja) 1992-07-28
US4556805A (en) 1985-12-03

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