KR950010336A - 증폭장치 - Google Patents

증폭장치 Download PDF

Info

Publication number
KR950010336A
KR950010336A KR1019940022048A KR19940022048A KR950010336A KR 950010336 A KR950010336 A KR 950010336A KR 1019940022048 A KR1019940022048 A KR 1019940022048A KR 19940022048 A KR19940022048 A KR 19940022048A KR 950010336 A KR950010336 A KR 950010336A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
source
input
voltage
field effect
amplifier
Prior art date
Application number
KR1019940022048A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100187777B1 (ko
Inventor
마히토 시노하라
Original Assignee
미타라이 하지메
캐논 가부시기가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 미타라이 하지메, 캐논 가부시기가이샤 filed Critical 미타라이 하지메
Publication of KR950010336A publication Critical patent/KR950010336A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100187777B1 publication Critical patent/KR100187777B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/50—Amplifiers in which input is applied to, or output is derived from, an impedance common to input and output circuits of the amplifying element, e.g. cathode follower
    • H03F3/505—Amplifiers in which input is applied to, or output is derived from, an impedance common to input and output circuits of the amplifying element, e.g. cathode follower with field-effect devices
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/34—Dc amplifiers in which all stages are dc-coupled
    • H03F3/343—Dc amplifiers in which all stages are dc-coupled with semiconductor devices only
    • H03F3/345—Dc amplifiers in which all stages are dc-coupled with semiconductor devices only with field-effect devices

Abstract

본 발명은 트랜지스터의 역치전압이 변동해도 증폭장치의 선형입력범위의 하한치가 변화되는 것을 방지하는 것을 목적으로 하며, 이 목적을 달성하기 위하여, 증폭장치의 입력을 받는 전계효과트랜지스터(17)의 소스전극에 인가되는 전원전압을, 전계효과트랜지스터로 구성된 소스폴로워(21,22)의 출력에 의해 공급하거나, 또는 증폭장치의 입력을 받는 바이폴라트랜지스터의 이미터전극에 인가되는 전원 전압을, 바이폴라트랜지스터로 구성된 이미터플로워의 출력에 의해 공급한 구성으로 하였다.

Description

증폭장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 의한 증폭장치의 제1실시예를 도시한 회로도,
제2도는 본 발명에 의한 증폭장치의 제2실시예를 도시한 회로도.

Claims (4)

  1. 전계효과트랜지스터로 구성된 증폭장치에 있어서, 증폭장치에의 입력을 받는 전계효과트랜지스터의 소스전극에 인가되는 전원 전압을, 전계효자트랜지스터로 구성된 소스 플로워의 출력에 의해 공급한 것을 특징으로 하는 증폭장치.
  2. 제1항에 있어서, 입력전압의 상한 또는 하한이 소정의 리세트 전위에 의거해서 설정되고, 헤당 리세트전위를 설정하기 위한 전압원이, 상기 소스플로워의 전압원 및 입력전압공급원으로서 소용되는 것을 특징으로 하는 증폭기.
  3. 바이폴라 트랜지스터로 구성된 증폭장치에 있어서, 증폭장치에의 입력을 받는 바이폴라 트랜지스터의 이미터전극에 인가되는 전원 전압을, 바이폴라트랜지스터로 구성된 이미터폴로워의 출력에 의해 공급한 것을 특징으로 하는 증폭장치.
  4. 제3항에 있어서, 입력전압의 상한 또는 하한이 소정의 리세트전위에 의거해서 설정되고, 해당 리세트전위를 설정하기 위한 전압원이, 상기 이미터폴로워의 전압원 및 입력전압공급원으로서 소용되는 것을 특징으로 하는 증폭기.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940022048A 1993-09-03 1994-09-02 증폭 장치 KR100187777B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP24213993A JP3293699B2 (ja) 1993-09-03 1993-09-03 増幅装置
JP93-242139 1993-09-03

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR950010336A true KR950010336A (ko) 1995-04-28
KR100187777B1 KR100187777B1 (ko) 1999-06-01

Family

ID=17084897

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019940022048A KR100187777B1 (ko) 1993-09-03 1994-09-02 증폭 장치

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5654673A (ko)
EP (1) EP0642219B1 (ko)
JP (1) JP3293699B2 (ko)
KR (1) KR100187777B1 (ko)
DE (1) DE69416474T2 (ko)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10228326A (ja) * 1997-02-14 1998-08-25 Canon Inc 定電圧出力回路
JP3282663B2 (ja) * 1997-09-01 2002-05-20 日本電気株式会社 オンチップソースフォロアアンプを有する固体撮像素子
KR100296451B1 (ko) * 1998-09-21 2001-10-26 윤종용 개선된이득을가지는소오스팔로워회로및그것을이용한고체촬상장치의출력회로
US6603456B1 (en) * 1999-02-09 2003-08-05 Kabushiki Kaisha Toshiba Signal amplifier circuit load drive circuit and liquid crystal display device
JP2003124757A (ja) * 2001-10-16 2003-04-25 Texas Instr Japan Ltd アーリー効果の影響を低減する方法および装置
JP4520952B2 (ja) * 2006-02-14 2010-08-11 セイコーインスツル株式会社 音楽練習支援機器

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IT1186108B (it) * 1985-11-27 1987-11-18 Sgs Microelettronica Spa Circuito ripetitore di tensione a basso offset
JPH084131B2 (ja) * 1987-01-29 1996-01-17 キヤノン株式会社 光電変換装置
EP0327846A1 (de) * 1988-02-10 1989-08-16 Siemens Aktiengesellschaft Schaltungsanordnung zum verzerrungsarmen Schalten von Signalen
IT1229360B (it) * 1989-05-23 1991-08-08 Ist Nazionale Fisica Nucleare Amplificatore ad alto guadagno con basso rumore e bassa dissipazione di potenza, impiegante transistori ad effetto di campo.
US5045808A (en) * 1990-02-26 1991-09-03 Triquint Semiconductor, Inc. Single-stage high-gain amplifier

Also Published As

Publication number Publication date
KR100187777B1 (ko) 1999-06-01
EP0642219A1 (en) 1995-03-08
DE69416474T2 (de) 1999-07-22
DE69416474D1 (de) 1999-03-25
JP3293699B2 (ja) 2002-06-17
US5654673A (en) 1997-08-05
EP0642219B1 (en) 1999-02-10
JPH0774553A (ja) 1995-03-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR900013380A (ko) 전압 제어회로
KR920009084A (ko) 버퍼회로
KR850006783A (ko) 스위칭 회로
KR930020852A (ko) 반도체 집적 회로 장치
KR910002115A (ko) 이장 발진기
KR940020668A (ko) 조절된 캐스코드 이득 증대를 위한 궤환 증폭기(Feedback Amplifier for Regulated Cascode Gain Enhancement)
KR880008518A (ko) 필터장치
KR920018758A (ko) 집적 반도체 회로
KR950010336A (ko) 증폭장치
KR860003741A (ko) 클램프 회로
KR920003670A (ko) D/a 변환기
KR870002694A (ko) 증폭회로
KR880011996A (ko) 차동증폭기
KR860009546A (ko) 고전압 증폭기 출력단 및 이를 내장한 연산증폭기
KR970029739A (ko) 반도체 전위 공급 장치 및 이를 이용한 반도체 기억 장치
KR940023028A (ko) 금속 산화물 반도체(mos) 트랜지스터를 이용한 전압/전류 변환 회로
KR900004098A (ko) 이득 제어 증폭회로
KR870008241A (ko) 정전류 공급회로
KR900011132A (ko) 전류미러(current mirror)
KR890011195A (ko) 증폭회로
KR910021007A (ko) 증폭기
KR920005459A (ko) 증폭 회로
KR900702642A (ko) 광대역 증폭기
KR970077970A (ko) 차동 증폭기
KR890003207A (ko) 플라이백 전압 발생기를 가진 키네스코프 요오크용 수직편향 회로

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20031224

Year of fee payment: 6

LAPS Lapse due to unpaid annual fee