KR950025890A - 포토레지스트를 이용한 마스크 패턴 형성방법 - Google Patents
포토레지스트를 이용한 마스크 패턴 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 제조공정 중 깊은 단차를 이루는 포토레지스트 패턴 형성후 패턴 저변부의 포토레지스트에 의한 스컴의 잔존을 방지하는 포토레지스트를 이용한 마스크 패턴 형상방법에 관한 것으로, 특히 예정된 포토마스크 형성부위에 포토리소 그래피 공정을 진행하여 포토레지스트 패턴(3)을 형성하는 단계; 확산비(diffusion rate)가 높은 불순물을 도핑하여 불순물 도핑영역(5)을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 함으로써 본 발명은 깊은 콘택홀 내의 스컴제거가 용이하며, 완만한 경사의 콘택홀을 형성할 있어 이후 금속배선 형성시 스템커버리지(Step Coverage)특성이 개선되는 효과를 얻을 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 포토레지스트를 이용한 마스크 패턴형성 공정 단면도.
Claims (2)
- 포토레지스트 패턴 형성후 패턴 저변부의 스컴의 잔존을 방지하는 포토레지스트를 이용한 마스크 패턴 형성 방법에 있어서, 예정된 포토마스크 형성후 형성부위에 포토리소그래피 공정을 진행하여 포토레지스트 패턴(3)을 형성하는 단계; 확산(diffusion rate)가 높은 불순물을 도핑하여 불순물도핑 영역(5)을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 포토레지스트를 이용한 마스크 패턴 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 확산비가 높은 불순물은 브론(B)인 것을 특징으로 하는 포토레지스트를 이용한 마스크 패턴 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940003873A KR950025890A (ko) | 1994-02-28 | 1994-02-28 | 포토레지스트를 이용한 마스크 패턴 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940003873A KR950025890A (ko) | 1994-02-28 | 1994-02-28 | 포토레지스트를 이용한 마스크 패턴 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950025890A true KR950025890A (ko) | 1995-09-18 |
Family
ID=66689611
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940003873A KR950025890A (ko) | 1994-02-28 | 1994-02-28 | 포토레지스트를 이용한 마스크 패턴 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR950025890A (ko) |
-
1994
- 1994-02-28 KR KR1019940003873A patent/KR950025890A/ko not_active Application Discontinuation
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