KR960035817A - 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 - Google Patents

반도체 소자의 콘택홀 형성방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 높은 단차를 이루는 고집적 소자에서도 양호한 스텝커버리지 특성을 나타내는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법에 관한 것으로, 반도체기판에 게이트전극층, 절연층을 포함하는 하지층 형성후 평탄화층을 형성하되, 원하는 평탄화층의 두께보다 두껍게 형성하는 제1단계; 콘택 마스크를 사용한 리소그래피 공정을 통해 상기 평탄화층을 식각하되, 콘택홀 하부에 소정정도 잔류하도록 하는 제2단계; 콘택홀 하부의 식각률을 증대시키기 위해 불순물을 이온주입하는 제3단계; 블랭킷 에치백 식각으로 상기 평탄화층중 원하는 두께보다 더 형성된 두께 및 콘택홀 하부에 잔류하는 평탄화층을 제거하는 제4단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.

Description

반도체 소자의 콘택홀 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 일실시예에 따른 콘택홀 형성후 금속배선 형성과정을 나타내는 단면도.
제3도는 본 발명의 다른 실시예에 따른 콘택홀 형성과정을 나타내는 단면도.

Claims (5)

  1. 반도체 소자의 콘택홀 형성방법에 있어서, 반도체기판에 게이트전극층, 절연층을 포함하는 하지층형성후 평찬화층을 형성하되, 원하는 평탄화층의 두께보다 두껍게 형성하는 제1단계; 콘택 마스크를 사용한 리소그래피 공정을 통해 상기 평탄화층을 식각하되, 콘택홀하부에 소정정도 잔류하도록 하는 제2단계; 콘택홀 하부의 식각률을 증대시키기 위해 불순물을 이온주입하는 제3단계; 블랭킷 에치백 식각으로 상기 평탄화층 중 두께보다 더 형성된 두께 및 콘택홀 하부에 잔류하는 평탄화층을 제거하는 제4단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 평탄화층은 불순물을 함유한 절연층인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 불순물을 함유한 절연층은 BPSG층인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 제1단계의 BPSG층은 예정된 두께의 1.5배 두께로 과다 증착한 후 플로우시킴으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.
  5. 반도체 소자의 콘택홀 형성방법에 있어서, 반도체기판에 게이트전극층, 절연층을 포함하는 하지층 형성후 평탄화층을 형성하는 제1단계; 질화층, 액상절연층을 형성하는 제2단계; 콘택 마스크를 사용한 리소그래피 공정을 통해 상기 액상절연층, 질화층, 평탄화층을 식각하되, 콘택홀 하부에 평탄화층이 소정정도 잔류하도록 하는 제3단계; 상기 질화층을 식각정지층으로 이용한 블랭킷 에치백 식각으로 상기 액상절연층 및 콘택홀 하부에 잔류하는 평탄화층을 제거하는 제4단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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