KR950009276A - 플래시 메모리 시험장치 - Google Patents
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Abstract
어드레스마다 프로그램 펄스 인가 회수를 취득할 수 있는 플래시 메로리 시험장치를 제공하는 것을 목적한다. 이를 위하여 기록 시험 혹은 소거 시험되는 플래시 메모리(MUT)로부터 독출되는 독출 데이타와 시험 패턴 발생기(2)에서 출력 되는 기대치 데이터를 논리 비교기(4)에 의하여 비교하고, 독출 데이터와 기대치 데이터가 불일치하는 경우에는 불량 해석 메모리(5)에 대하여 페일 신호가 출력되어서 그 메모리부(53)에 페일 데이타(FD)가 기억되는 동시에, 일치하는 경우에는 패스 신호가 출력되는 플래시 메모리 시험장치에 있어서, 불량 해석 메모리(5)에 카운터(54)와, 이 카운터(54)에 의하여 프로그램 펄스 혹은 소거 펄스의 기록 회수를 카운트하고, 이 카운트 데이터를 불량 해석 메모리(5)내의 메모리부(53)의 입력 데이터로서 전환 공급하는 구성을 설치한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 실시예를 설명하는 도면,
제2도는 페일 데이터의 기록을 설명하는 도면,
제3도는 소거 동작을 설명하는 도면,
제4도는 카운터값의 기록을 설명하는 도면,
제5도는 반도체 메모리 시험장치의 기본 구성을 나타내는 도면
제6도는 불량 해석 메모리의 내부 구조를 나타내는 도면,
제7도는 불량 데이터를 격납하는 방법을 설명하는 도면.
Claims (3)
- 기록 시험 혹은 소거 시험되는 플래시 메모리로 부터 독출되는 독출데이타와 시험 패턴 발생기로부터 출력되는 기대치 데이타를 논리 비교기에 의하여 비교하고, 독출 데이터와 기대치 데이터가 불일치하는 경우에는 페일 신호가 출력되는 플래시 메모리 시험장치에 있어서, 카운터와; 이 카운터에 의하여 프로그램 펄스 혹은 소거 펄스의 기록 회수를 카운트하고, 이 카운트 데이터를 입력 데이터로서 공급하는 메로리부를 구비하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 시험장치
- 기록 시험 혹은 소거 시험되는 플래시 메모리로부터 독출되는 독출데이타와 시험 패턴 발생기로부터 출력되는 기대치 데이타를 논리 비교기에 의하여 비교하고, 독출 데이터와 기대치 데이터가 불일치하는 경우에는 불량 해석 메모리에 대하여 페일 신호가 출력되어서 시험 패턴 발생에서 발생하는 어드레스 신호에 의하여 지정되는 불량 해석 메모리내의 메모리부에 이 페일 신호에 의하여 페일 데이터가 기억되는 동시에, 일치하는 경우에는 패스 신호가 출력되는 플래시 메모리 시험장치에 있어서, 불량 해석 메모리에 카운터와; 이 카운터에 의하여 프로그램 펄스 혹은 소거 펄스의 기록 회수를 카운트하고, 이 카운트 데이타를 불량 해석 메모리내의 메모리부에 입력 데이터로서 공급하는 구성을 구비하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 시험장치.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 카운터에 의한 카운트 데이터를 메모리부의 입력 데이터로서 선택 전환 공급하는 구성을 구비하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 시험장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP93-225545 | 1993-09-10 | ||
JP5225545A JPH0778499A (ja) | 1993-09-10 | 1993-09-10 | フラッシュメモリ試験装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR950009276A true KR950009276A (ko) | 1995-04-21 |
KR100212594B1 KR100212594B1 (ko) | 1999-08-02 |
Family
ID=16830976
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019940022698A KR100212594B1 (ko) | 1993-09-10 | 1994-09-09 | 플래시 메모리 시험장치 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5539699A (ko) |
JP (1) | JPH0778499A (ko) |
KR (1) | KR100212594B1 (ko) |
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Legal Events
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A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
AMND | Amendment | ||
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E601 | Decision to refuse application | ||
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