KR950008582B1 - 유전 기판에 적합한 유리 세라믹 - Google Patents

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Abstract

내용 없음.

Description

유전 기판에 적합한 유리 세라믹
본 발명은 Al2O3패키지보다 우수한 성질은 나타내는 다중층 패키지(multilayer package)에 사용되는 새로운 기판 소재에 관한 것이다.
전자 공학에 있어서의 놀라운 발전은, 기초적인 전자 능동 소자, 이름하여 트랜지스터에 있어서의 진보 및 단일 실리콘 또는 비소화 갈륨 웨이퍼(wafer) 또는 칩(chip)상에 끊임없이 증가하는 많은수의 전자 소자를 패키지할 수 있는 성능에 있어서의 진보에 보조를 맞추어 왔다. 이러한 능동 소자(또는 집적 회로)들은 다른 소자들 및 궁극적으로 작동 매체에 전기적으로 접속되어야 성능이 발휘된다. 이러한 소자는 과열을 피하여야 하며, 과도한 물리적 남용 및 환경으로부터 보호를 받아야만 한다.
이러한 필요한 접속 및 보호는 일정 패키지에 능동 소자를 수납시키는 것에 의해 해결될 수 있다. 그러한 패키지는 칩을 보호하면서 상호 접속시키고, 지지한다.
오늘란 제조되는 집적 회로의 거의 대부분은 유기 플라스틱 패키지에 수납된다. 그러나, 고도의 신뢰성 및 장기간의 수명이 필요한 용도에 대하여는 밀봉된 세라믹 패키지가 사용된다. 알루미나(Al2O3 )및 알루미나 다중층 패키지가 이러한 용도에 가장 흔히 사용된다.
집적회로 소자가 복잡성을 더해감에 따라, 하나의 칩상에 패키지되는 능동 소자들이 점점 많아질수록, 칩간의 또는 작동 설비에 입출력되는 전송 신호에 대한 그 시스템의 신호 반응 시간의 비율은 더욱 커지고 있다. 이상적인 유니트는 단일 칩상에 전 시스템을 위치시키고, 칩 신호를 제거하거나 또는 극소화하는 것이다. 그러한 조리부품은 아직도 미개발 상태에 있다.
상호 접속 신호속도 및 통합성의 증대는, 칩사이의 신호 경로를 단축하는 것에 의해서 및 향상된 전기적 특성들 즉, 더욱 낮은 유전상수와 더욱 낮은 손실계수를 갖는 세라믹 소재를 사용하는 것에 의해, 그리고 신호 전도체의 저항 및 잡음을 감소시키는 것에 의해 달성될 수 있다. 칩들이 더욱 근접하게 공간 배치될수록, 매우 미세하고 근접하게 공간 배치된 신호 라인 및 미세한 내부 접속물(비아 : vias)을 구비한 다중층 패키지가 요구된다. 엄격히 치수 조절된 표면 평활성은 만족스러운 미세 라인 금속화 및 비아레지스트레이션을 위하여 극히 중요하다. Al2O3기판 및 다중층 패키지는 매끄럽고 평탄한 표면으로 연마 가공될 수 있는 반면에, Al2O3의 높은열 수축율(∼18%)과 결부된 기계 가공상의 곤란성은 고밀도의 비아 및 패드 레지스트레이션을 이루는데 있어서 문제가 되고 있다. 주위온도에서의 Al2O3의 비교적 고유전 상수(∼9-10)로 인해 신호라인을 근접하게 공간 배치하는 성능이 제한되며(혼선, 잡음의 초래), 또한 신호 속도, 그 자체를 느리게 한다.
Al2O3다중층 패키지의 사용에 있어서 또 다른 주요한 단점은, Al2O3를 소결하는데 필요한 고소성온도(≥1500℃) 때문에 금속화를 위해 몰리브덴 또는 텅스텐 등과 같은 고내화성 금속을 사용할 필요가 있다는 것이다. 이들의 전기 저항은 비교적 낮으나 은, 동 또는 금보다는 상당히 높으며, 몰리브덴 및 텅스텐은 땜질 하기전에 금도금을 필요로 한다.
따라서, 본 발명의 목적은 Al2O3패키지보다 우수한 특성을 나타내는 다중층 패키지에 대한 새로운 기판 소재를 개발하는데 있으며, 이들 특성들로서는 저 유전 상수(<6), 1000℃ 이하의 소결 온도, 부수적인 가공 처리를 요하지 않는 매끄럽고 평탄한 표면, 그리고 비아(via) 및 패드의 배치에 대한 향상된 치수 조절성을 들 수 있다.
상기 목적은 기판 소재의 주된 결정상으로서 윌레마이트(2ZnO.SiO2: 규산 아연광) 함유 유리 세라믹을 사용하므로써 성취될 수 있다.
윌레마이트는 오랫동안 양호한 유전 특성을 나타내고 있는 것으로 인식되어 왔지만, 고함량의 ZnO(ZnO 73.1 중량%, SiO226.9 중량%) 때문에 전자 기판을 생산하는데 사용되지 못하고 있다. 이러한 고 ZnO 함량으로 인해 비용이 많이들 뿐더러, 아연의 휘발화에 의해 더욱더 중요한 문제점을 일으키고 있으며, 결정화의 조절도 만만치 않은 일이었다. 그러나, 875℃-1000℃(바람직하게는 >900℃)에서, 비교적 단시간, 예컨대, 10분-2시간 동안의 열처리에 의해, 적당한 수준의 ZnO를 함유한 유리 조성물을 고결정성의 유리 세라믹체로 전환시킬 수 있으며, 이때, 웰레마이트는 우세한 결정상, 때로는 유일한 결정상을 구성한다는 것을 본 발명자는 발견하였다. 이러한 유리 조성물의 주성분은 산화물 중량을 기준으로 약 15-45%으로 ZnO, 10-30%의 Al2O3및 30-55%의 SiO2로 구성된다. 5% 이하의 B2O3,5% 이하의CaO, SrO, BaO, PbO 또는 이들 중 둘 이상의 혼합물, 7% 이하의 Cs2O, 15% 이하의 MgO 및 15% 이하의 MnO도 임의로 존재할 수 있으며, 이러한 임의 성분의 총량은 15%를 초과하지 않는다. 이들 부가물은 결정화 정도를 더 크게 하고/또는 소결 및/또는 열처리를 더 낮은 온도에서 이루어지게 할 수 있다. 최소한 3%의 MgO를 함유하는 것은 그러한 점에 있어서 특히 바람직하며, MgO의 존재는 2차 결정상으로서 코디어라이트(2MgO.2Al2O3.5SiO2: 근청석)를 산출할 수 있다. 또한 아연 스피넬인 가이나이트(Zno.Al2O3)도 소량으로 나타날 수 있다. 이보다 적은 양의 알칼리 금속 산화물 Li2O, Na1O 및 K2O는 부당한 플럭싱(fluxing)을 방지하기 위하여, 그리고 원하는 소정의 전기적 특성을 확실히 위하여 조성물내에 거의 존재하지 않도록 하여야 한다.
Mg+2및 Mn+2와 같은 이온은 윌레마이트 구조내에 들어가서 고용체를 형성할 수 있다. 따라서, 본 명세서상의 용어, 윌레마이트는 상기 고용체를 함유한다. Ca+2, Sr+2, Pb+2, Ba+1및 Cs+1이온은 너무커서 윌레마이트 결정구조내에 들어갈 수 없다. 이들의 존재는 β-석영상의 이른 결정화를 지연시키므로써 유리의 소결 특성을 향상시킬 수 있다. 그러나, 모든 경우에 있어서, 이들 함유량은 대단히 소량으로 함유되어, 윌레마이트와 함께 침전된 코디어라이트 결정구조내로 혼입될 것이다. 그러므로, 그것의 농도가 크면 원치않는 결정상의 성장을 초래한다.
최종 생성물내서의 동일성을 변환시킬 수 있는 능력은, 그에 의해 나타나는 특성들을 엄격히 조절하는 것에 의해 얻어질 수 있다. 예를들면, 선형 열팽창계수(0-300℃)는 실리콘(35-45×10-7/℃)과 양립할 수 있도록 만들 수 있다. 본 발명 소재의 유전 상수는 주위 온도에서 5∼6사이이며, 본 발명 소재의 열 수축율은 상품 로트마다 더 양호하게 조절될 수 있으므로, 그것에 대한 출발 뱃치 소재, 즉 유리는 더 균질하고 일정한 조성물을 제공한다.
그리고, 유리 세라믹은 유리 그 자체를 결정화하는 모 유리체의 열처리를 통해 형성되기 때문에 유리 세라믹체의 표면은 후속의, 기계 가공의 필요없이 미끄럽고 평탄하게 제조될 수 있다.
본 발명 우리 세라믹은 종래의 방식, 즉 하기의 일반적인 3단계에 의해 벌크 형태로 제조될 수 있다 : 먼저, 통상적으로 핵생서체를 함유하는 유리-형성 뱃치를 용융한 다음 ; 두번째로 그러한 용융 뱃치를 변형 온도 범위 이하로 냉각시킴과 동시에 그것으로부터 바람직한 배열의 유리체를 형성시키며 ; 세번째 그러한 유리체를 소정의 온도(875°-1000℃)로 열처리하여 그 자리에서 유리체를 결정화한다. 사용 가능한 핵생성제로서는, 8-12% ZrO2및 Au, Pd 및 Pt 등과 같은 0.01-0.05%의 귀금속을 들 수 있다. 핵생성제로서 TiO2를 사용하면 윌레마이트보다는 가아나이트를 성장시킨다.
또한, 본 발명의 유리 세라믹은 상기와 같은 핵생성제 없이도 제조될 수 있다. 이 방법에서, 상기 방법의 2차 단계로부터 생성된 유리를 미세 분말로 분쇄하고, 분말을 875-1000℃ 사이의 온도에서 가열하여 이들 입자를 하나의 몸체, 예를들면, 시이트 또는 필름 형태로 소결시킴과 동시에, 그 자리에서 유리를 결정화시킨다. 분말화된 유리 입자의 표면에 의해 핵이 생성된다.'
상기 두번째 단계는 직접 회로 패키지를 형성시키는데 특히 유용하다. 그러므로 미분된 유리 입자(보편적으로 10미크론 미만의 직경)를 주조하여, 테이프내로 결합시키며 이것을 순서대로 적층하여 수득한 조립체를 875-1000℃에서 소성하면 바람직한 두께의 유리-세라믹 기판이 형성된다.
ZnO 농도가 73.1% 훨씬 이하일지라도 본 발명의 유리-세라믹내에서의 윌레마이트 결정상의 발달을 설명하기 위하여 몇개의 메카니즘이 가정되어 있다. 예를 들면, 첫째, Mg+2및 Mn+2이온은 윌레마이트 구조내의 Zn+2와 치환될 수 있다고 알려져 있다. 둘째, Al2O3는 ZnO 및 SiO2의 조합을 대신할 수 있다 ; 즉, Al2O3는 동수의 산소원자 및 같은 전하 균형을 가진 SiO2+ZnO와 치환될 수 있다. Al2O3+B2O3가 2SiO2+2ZnO와 반응하면, B1 3이온은 Si+4이온을 치환하고, Al+3이온은 Zn+2이온을 치환한다. Si+4이온+양이온 빈자리와 2Zn+2의 치환 가능성도 이론화될 수 있다. 그러한 치환은 분명히 국소적인 전하 불균형을 초래해하지만, 이러한 불균형은 어드정도까지 인용될 수 있는 것으로 믿어진다.
각각의 메카니즘은 윌레마이트 고용체의 함량을 상승시키며, 이때, 전반적인 X-레이 회절유형은 윌레마이트의 일반적인 특성을 나타내지만, 피이크는 조금 이동되며, 강도도 다소 변화한다. 이러한 메카니즘의 몇몇 결합으로 인해 보편적으로 예측되는 것보다 아마도 더 큰 결정도를 얻을 수 있는 것으로 추측된다. 잔존하는 유리상은, 양이온 확산이 매우 어려우며, 우수한 전기 저항 및 유전 거동이 관측되는 소위 유리 형성에 있어서의 카발(cabal) 영역내에 있을 것이다.
미합중국 특허 제 3,460,967호, 제 3,460,987호, 제 3,681,097호, 제 3,681,102호, 제 3,854,963호, 제 3,951,669호, 제 4,199,340호, 제 4,256,796호, 제 4,358,541호 및 제 4,385,127호 들은 당해 기술 상태의 대표예로 현재 간주되고 있다.
표 1에서 본 발명의 다양한 양상을 예시하는 것으로 산화물 중량을 기준으로 중량부로 표현되는 많은 유리조성물 전구체를 수록하고 있다. 개개성분의 합은 대략 100으로서, 모든 실제적인 용도를 위해, 수록된 수치는 중량%로 간주될 수 있다. 실체 뱃치 성분은 함께 용융될 때, 적당한 비율로 바람직한 산화물로 전환되는 산화물 또는 기타 화합물의 어떠한 물질로도 구성될 수 있다.
표(I)에서 수록된 각각의 예시적인 조성물에 대한 성분들을 화합한 다음, 균일한 용융물을 얻는데 도움이 되도록 함께 보울밀(ball mill)하고, 백금도가니내에 채우고, 그 위에 뚜껑을 덮었다. 도가니를 약 1650℃로 작동하는 로(furnace) 내에 도입하고, 배치물을 약 6시간 동안 용융하였다. 약 8"×4"×0.5"의 치수를 가진 유리 슬랩(slab)을 형성하기 위하여 용융물을 강철 주형내로 부었으며, 거기서, 슬랩을 약 700℃로 작동하는 소둔로(annealer)내로 즉시 이동시켰다. 슬랩 형태로 용융물을 주조하므로써 유리의 질을 검사할 수 있다. 또한, 다양한 물리적 성질을 시험하는데 사용하기 위하여, 표본들을 슬랩으로부터 다이아몬드 톱으로 절단할 수 있다. 미분된 입자가 바람직할 경우, 용융 유리를 가느다란 스트림으로서 수도물조내에 부을 수 있으며, 이것을 유리 기술분야에서는 실무 용어로 "드라기깅(drigaging)"이라 부른다. 수득한 유리 입자를 소정의 입자 크기로 건조 및 분쇄한다.
다음의 실시예들은 실험실 작업을 나타낸 것이다. 표(I)에 나타낸 조성물들은 상업적인 유리 제조 설비에 사용될 수 있도록 규모를 확대시킬 수 있다. As2O3및/또는 Sb2O3와 같은 청징(淸澄)제가 실험실 용융물에서 사용되지 않았을지라도, 청징제를 가하므로써 상업적 생산에 있어서 최적 유리품질을 얻는데 유용할 수도 있다.
[표 I]
Figure kpo00001
실시예 I의 유리 슬랩을 960℃에서 2시간동안 열처리에 의해 그 상태를 결정화시켰다. 결정화된 샘플의 X-레이 회절 분석은 윌레마이트의 대표적인 피크를 보여준다. 다양한 온도 및 주파수(frequency)에서의 유전 특성은 실시예 I의 결정화된 생성물에서 측정하였으며, 그 측정의 결과치는 하기의 표(Ⅱ)에 기록되어 있다. 전기 저항은 Log ρ로 표현됨, 유전 상수는 D.C로서, 손실계수는 D.F.로서 표현되어 있다.
[표 Ⅱ]
Figure kpo00002
다른 실시예의 유리 슬랩을 분쇄하여 미합중국 시브(Sieve) 제200호(74미크론)을 통과시킨 후, 0.5"의 직경 및 0.25"의 높이를 가진 버튼-모양의 표본으로 건조 압축되고, 다양한 온도로 열처리되었다. 상당한 농도의 MgO가 조성물내로 혼입될 경우, X-레이 회절분석한 결과, 2차결정상으로서 코디어라이트(2MgO.2Al2O3.5SiO2)의 발달을 나타내었다.
상기 언급된 바와같이, 실시예 11-14에서 Pb+2, Ba+2, Ca12및 Cs+이온은 이론에 의해 정확히 입증되지는 않을지라도, 코디어라이트 결정 격자내로 혼입될 수 있다는 것을 추측할 수 있다. Cs+이온의 이온 반경은 코디어라이트 결정 구조내에 있는 커다란 캐비티와 양립할 수 있기 때문에 Cs+이온의 존재는 코디어라이트 구조를 안정화시킬 수 있다.
915℃에서 2시간 동안 열처리를 한 후, 실시예 2의 버튼 모양의 샘플을 X-레이 회절분석한 결과 통상의 윌레마이트유형에서 변화가 일어났음이 입증되었다. 특히, 약 3.48Å에서 피크는 약 2.85Å 및 2.33Å에서의 대표적인 피크에 비해 훨씬 강화되었다. 이러한 쉬프트는 소량의 β-석영상 또는 β-아연 실리케이트의 발단 때문인 것으로 추측되었다. β-아연 실리케이트는 이극광인 무수의 아연 실리케이트를 750℃로 가열할 때 관측되었다. β-아연 실리케이트는 3.55Å에서 우세한 X-레이 피크를 가진다. 약 960℃에서 β-아연 실리케이트는 아연 O-실리케이트 즉 윌레마이트로 변형한다.
실시예 3의 버튼 모양의 표본이 915℃에서 2시간 동안 열처리되는 경우, 253Å의 파장을 가진 복사선에 노출되었을 때, 그것은 오렌지빛의 형광을 나타냈지만 ; 유사한 버튼 모양의 샘플이 980℃에서 2시간동안 열처리되는 경우는, 2537Å 파장의 복사선에 노출되었을 때, 윌리마이트의 전형적인 녹색을 형광을 나타내었다.
염기성 ZnO-Al2O3-SiO2조성물 시스템에 B2O3및/또는 MgO를 첨가하므로써, 보다 낮은 온도 및/또는 보다 짧은 기간내에 윌레마이트의 전형적인 X-레이 회절형을 나타내는 결정을 발달시킬 수 있다. 실시예 4 및 5는 그러한 현상을 입증하고 있으며 ; 그것의 버튼 모양의 견본은 915℃에서 2시간동안 열처리한 후에, 윌레마이트의 전형적인 X-레이 회절형을 나타내고 있다.
상기에서 관찰한 바에 따라, 상당량의 MgO의 첨가로 인해 부가적인 결정상인 코디어라이트를 산출할 수 있으며, 그로 인하여, 보다 큰 전체 결정화도를 얻을 수 있다. 표(Ⅲ)은 915℃에서 2시간 및 980℃에서 2시간동안 열처리를 한 후, 실시예 6-11로부터 제조된 버튼 모양의 샘플에 의해 나타낸 X-레이 회절유형에서 관측된 상대적인 피크 높이를 수록하고 있다.
[표 Ⅲ]
Figure kpo00003
Figure kpo00004
다중층인 세라믹 집적 회로 패키지는 소결을 통하여, 개개의 세라믹 회로 플라이(ply) 다수를 함께 적층하므로써 형성되고, 여기서, 각각의 플라이는 패턴화된 전기 전도층 및 소정의 권선 회로를 형성하도록 각각의 플라이의 패턴화된 전기 전도층을 접속하기 위하여 플라이중에 형성된 소위 비아라고 불리는 관통 홀 접속기를 포함한다. 일반적으로, 개개의 플라이들은 유기 결합 매체와 함께 결합시킨 세라믹 물질의 미분 입자들로 제조된 테이프로부터 절단한 것이다.
그러므로, 통상적으로는 접속기용 테이프상에 홀이 천공되고, 전기 전도층은 테이프상에 덮여지며, 소정의 수효의 테이프는 적당한 레지스트리(registry)로 비아와 함께 적층되고, 그 적층물을 함께 소결시키고, 그것의 상부에 금속을 입힌다.
표(Ⅳ)는 다음의 방법에 따라서 테이프로 제작된 상기 몇개의 실시예에서 측정된 많은 물리적 특성을 기록하고 있다.
각 실시예의 유리를 Al2O3보올을 사용하여 약 24시간동안 보올밀하여, 10미크론 미만의 직경을 가진 분말을 산출하였다. 그후 분말을 약 24시간동안 보올 밀내에서 고체 : 유기 물질의 3 : 2중량비로 유기 전색제(vehicle)와 혼합하였다. 유기 전색체는 주로 결합제(폴리비닐 부티랄), 용매(톨루엔), 및 계면활성제(에스테르 인산염)로 구성된다. 수득한 슬러리를, 닥터 블레이드(doctor blade)를 사용하여 폴리에스테르 필름 위에 약 0.005-0.02"의 두께로 연속 도포하고, 약 25℃에서 공기중 건조하여 유기 용매를 증발제거한다. 수득한 테이프를 약 3"×3"의 치수를 가진 시이트로 절단하고, 그 시이트중 8-10개를 적층하였다. 940℃에서 120분동안 소성시키면, 약 0.06"의 두께를 가진 일체의 복합 적층물이 형성된다. 동시에 유리 분말을 그 자리에서 소성시켜 결정화시켜서, 직접 회로 패키지용 기판으로서 사용하기에 적합한 유리 세라믹체를 제조하였다. 언급된 특성들은 종래의 측정 방법에 따라서 결정되었다.
표(Ⅳ)에서 나타난 바와같이, g/㎤의 밀도, psi 단위의 파괴 모듈러스(MOR), ×10-7/℃ 단위의 선형 열팽창 계수(Coef. Exp.)가 사용되었으며, 주위 온도에서 측정된 유전 상수(D.C) 및 손실 계수(D.F.) 도표에 나타냈다.
[표 Ⅳ]
Figure kpo00005
전술한 설명한 바와같이, 본 발명의 소재는 매우 급속히 그 자리에서 고결정체로 결정화될 수 있다 ; 즉, 약 875°-1000℃ 사이의 온도에서는, 주위 온도로부터 노출을 통한 결정화 온도까지의 전체적인 소성 사이클 간격이 10∼15분 정도의 짧은 노출 시간이 사용 가능하며, 주위 온도로 환원시키는데는 약 1시간이 소요된다. 이러한 빠른 소성 능력은, 결정화가, 집적 회로의 상업적 생산에 사용되는 형태의 두꺼운 필름 잉크를 사용하여서도 유용한 소성 스케쥴을 이용하여 얻어질 수 있다는 점에서 집적 회로 패키지의 제조에 있어서 특히 바람직하다.
테이프층의 수가 4 이상이고, 및/또는 적층물의 소성이 중성 대기(예를들면 질소) 또는 환원대기(예를들면 수소)중에서 수행되는 경우에, 적층물은 결정화 열처리 하기전 유기 성분의 완전한 제거를 확실히 하기 위해 적정 시간동안 250℃보다 약간 높이 온도로 처음에 노출시키는 것이 바람직하다.
표(Ⅴ)는 결정화 소성 스케쥴을 제외하고는, 표(Ⅳ)에서 기록된 표본들에 대하여 상기 언급된 것과 유사한 방법으로 테이프로 제작된 실시예 4,5,6 및 8에 대해 측정된 물리적 설질을 수록하였다. 시이트의 적층물을 레아(lehr)위에 놓고, 다음의 열처리 스케쥴로 처리한다 :
약 60℃/분으로 주위 온도로부터 800℃까지, 약 12.5℃/분으로 800℃로부터 925℃까지 , 약 15분동안 925℃에서 유지, 약 25℃/분으로 925℃로부터 800℃까지, 약 70℃/분으로 800℃로부터 주위온도까지,
레아내로 표본들을 진입시킨 뒤 꺼내는데 소요된 총시간은 약 1시간 미만이었다.
[표 Ⅴ]
Figure kpo00006
표(Ⅳ)는 실시예 4,5 및 8에서 X-레이 회절 측정에 의해 입증된 결정상을 기록하고 있다. 각각의 경우에 있어서, "주된 상(major phase)"은 그 제품의 50부피% 이상을 이루고 있다.
[표 Ⅶ]
Figure kpo00007
표(Ⅳ) 및 (Ⅴ)에서 나타난 특성값 비교는, 다소 광범위한 범위가 가능하다는 것을 명확히 예시하고 있으며, 선형 열팽창 계수에 대하여 나타낸 것이 가장 현저히 광범위하다. 이들 변화는, 다른 상 조합물을 유도하는 조성 및/또는 열처리 방법의 차이로 인한 것이다 ; 예를들면, 윌레마이트외에 코디어라이트 또는 가아나이트 결정의 발달 그러므로, 가아나이트 결정의 생성은 생성물 전체의 선형 열팽창 계수를 강하게 상승시키며 ; 이와는 대조적으로 코디어라이트가 존재하면 팽창을 감소시킬 수 있다. 따라서, 조성 및 열처리를 주의 깊게 조절하면 선형 열팽창 계수는 다소 광범위한 스펙트럼의 소재들과 양립할 수 있도록 요구조건에 맞게 만들어진 수 있다.

Claims (9)

  1. 유전 상수가 6미만이고, 주된 결정상으로서 윌레마이트를 포함하며, LiO2, Na2O 및 K2O를 거의 포함하지 않고, 산화물 중량을 기준으로 15∼45%의 ZnO, 10∼30%의 Al2O3및 30∼55%의 SiO2를 주성분으로 하는 유리 세라믹체.
  2. 약 875-1000℃ 사이의 온도에서 소결시키므로써, 유전 상수가 6미만이고, 주된 결정상으로서 윌레마이트를 포함하는 유리 세라믹체로 소결될 수 있는 열결정성 유리로서, 상기 유리는 LiO2, Na2O 및 K2O를 거의 포함하지 않고, 산화물 중량을 기준으로 15∼45%의 ZnO, 10∼30%의 Al2O3및 30∼55%의 SiO2를 주성분으로 하는 열결정성 유리.
  3. 유전 상수가 6미만이고, 주된 결정상으로서 윌레마이트를 포함하며, LiO2, Na2O 및 K2O를 거의 포함하지 않고, 산화물 중량을 기준으로 15∼45%의 ZnO, 10∼30%의 Al2O3및 30∼55%의 SiO2를 주성분으로 하는 유리 세라믹 물질로 이루어진 집적회로 패키지용 기판.
  4. 제1항에 있어서, 8∼12%의 ZrO2및 Au, Pd 및 Pt로 이루어지는 군으로부터 선택된 0.001∼0.05%의 귀금속으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 핵생성제를 추가로 포함하는 유리 세라믹체.
  5. 제1항 또는 제4항에 있어서, 5% 이하의 B2O3, 5% 이하의 CaO, SrO, BaO, PbO 또는 이들 중 둘 이상의 혼합물, 7% 이하의 CS2O, 15% 이하의 MgO 및 15% 이하의 MnO로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나 이상의 금속 산화물을 추가로 포함하되, 이들의 총량은 15% 이하인 유리 세라믹체.
  6. 제2항에 있어서, 상기 유기가 8∼12%의 ZrO2및 Au, Pd 및 Pt로 이루어지는 군으로부터 선택된 0.001∼0.05%의 귀금속으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 핵생성제를 추가로 포함하는 열결정성 유리.
  7. 제2항 또는 제6항에 있어서, 상기 유리가 5% 이하의 B2O3, 5% 이하의 CaO, SrO, BaO, PbO, 또는 이들 중 둘 이상의 혼합물, 7% 이하의 CS2O, 15% 이하의 MgO 및 15% 이하의 MnO로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나 이상의 금속 산화물을 추가로 포함하되, 이들의 총량은 15% 이하인 열 결정성 유리.
  8. 제3항에 있어서, 상기 유리 세라믹 물질이 8∼12%의 ZrO2및 Au, Pd 및 Pt로 이루어지는 군으로부터 선택된 0.001∼0.05%의 귀금속으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 핵생성제를추가로 포함하는 직접 회로 패키지용 기판.
  9. 제3항 또는 제8항에 있어서, 상기 유리 세라믹 물질이 5% 이하의 B2O, PbO 또는 이들 중 둘 이상의 혼합물, 7% 이하의 s2O, 15% 이하의 MgO 및 15% 이하의 MnO로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나 이상의 금속 산화물을 추가로 포함하되, 이들의 총량은 15% 이하인 집적 회로 패키지용 기판.
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