KR950004265A - 충전 펌프 - Google Patents

충전 펌프 Download PDF

Info

Publication number
KR950004265A
KR950004265A KR1019940017747A KR19940017747A KR950004265A KR 950004265 A KR950004265 A KR 950004265A KR 1019940017747 A KR1019940017747 A KR 1019940017747A KR 19940017747 A KR19940017747 A KR 19940017747A KR 950004265 A KR950004265 A KR 950004265A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
mos transistor
terminal
channel mos
signal
charge pump
Prior art date
Application number
KR1019940017747A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100298159B1 (ko
Inventor
도미니끄 사비냑
디터 글라이스
만프레트 멩케
Original Assignee
발도르프, 피켄셔
지멘스 악티엔게젤샤프트
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 발도르프, 피켄셔, 지멘스 악티엔게젤샤프트 filed Critical 발도르프, 피켄셔
Publication of KR950004265A publication Critical patent/KR950004265A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100298159B1 publication Critical patent/KR100298159B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M3/00—Conversion of dc power input into dc power output
    • H02M3/02—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac
    • H02M3/04—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters
    • H02M3/06—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider
    • H02M3/07—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider using capacitors charged and discharged alternately by semiconductor devices with control electrode, e.g. charge pumps
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
    • G11C5/14—Power supply arrangements, e.g. power down, chip selection or deselection, layout of wirings or power grids, or multiple supply levels
    • G11C5/145—Applications of charge pumps; Boosted voltage circuits; Clamp circuits therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M3/00—Conversion of dc power input into dc power output
    • H02M3/02—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac
    • H02M3/04—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters
    • H02M3/06—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider
    • H02M3/07—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider using capacitors charged and discharged alternately by semiconductor devices with control electrode, e.g. charge pumps
    • H02M3/073—Charge pumps of the Schenkel-type
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G11C11/4063—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
    • G11C11/407—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
    • G11C11/4074—Power supply or voltage generation circuits, e.g. bias voltage generators, substrate voltage generators, back-up power, power control circuits

Abstract

충전 펌프는 푸시 풀로 동작하는 2개의 펌프 절반(1,2)를 갖는다. 각 절반은 시프트 캐패시터(11,19) 및 시프트 캐패시터와 저장 캐패시터(5) 사이에 접속되는 PMOS 트랜지스터(10,17)를 포함한다. 시프트 캐패시터가 MMOS 트랜지스터(12,18)를 통해 완전한 공급 전압(VDD)으로 충전된다. 이 경우, 게이트 제어전압은 공급전압 (VDD) 이상이며 PMOS 트랜지스터는 그것의 게이트 단자로 피드백되는 출력레벨(A)에 의해 확실하게 차단된다. 시프트 과정동안 PMOS 트랜지스터가 완전한 출력전압 (A, VSS)에 의해 도통되게 제어되기 때문에, 공급전압(VDD)의 변동시에도 확실한 펌프 작동이 가능하다.

Description

충전 펌프
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 푸시풀 충전 펌프의 회로도 및 신호 다이어그램, 제2도는 펌프 절반의 상세한 회로도 및 신호 다이어그램, 제4도는 발진기 및 펄스 형성기의 회로도.

Claims (11)

  1. a) 저장 캐패시터(5)가 제1공급전위(VSS)용 단자 및 출력전위(A)를 인출하기 위한 또다른 단자(6)를 가지며, b) 제1신호(B1)에 의해 제어되는 게이트 단자를 가진 p채널 MOS 트랜지스터의 드레인-소오스 구간의 단자가 저장 캐패시터(5)의 또다른 단자(6)에 접속되고, c) 시프트 캐패시터(11)의 단자가 p채널 MOS 트랜지스터 (10)의 또다른 단자에 접속되며, 시프트 캐패시터(11)의 또다른 단자가 제2신호 (D1)에 의해 제어되고, d) n채널 MOS 트랜지스터(12)의 드레인-소오스 구간이 제2공급전위(VDD)와 시프트 캐패시터(11)의 단자 사이에 접속되며 n채널 MOS 트랜지스터(12)의 게이트 단자가 제3신호(C1)에 의해 제어되고, e) 발진기(3)로부터 공급받는 펄스형성기(4)에 의해, 제2신호(D1)가 하이레벨을 가질때만 p채널 MOS 트랜지스터(10)가 도통되고, 제2신호(D1)가 로우레벨을 가질때만 n채널 MOS 트랜지스터(12)가 도통되도록 신호가 발생되는 것을 특징으로 하는 충전펌프.
  2. 제1항에 있어서, 제1신호(B1)의 하이레벨이 출력전위(A)에 놓이고, 로우레벨이 제1공급전위(VSS)에 놓이는 것을 특징으로 하는 충전펌프.
  3. 제1항 또는 2항에 있어서, 제3신호(C1)의 하이레벨이 제2공급전위(VDD) 이상이고 로우레벨이 공급전위(VDD,VSS)사이에 놓이는 것을 특징으로 하는 충전펌프.
  4. 제1항 내지 2항중 어느 한 항에 있어서, 시프트 캐패시터(11)의 단자와 제2공급전위(VDD) 사이에 MOS 다이오드로서 접속된 MOS트랜지스터(35)가 접속되는 것을 특징으로 하는 충전펌프.
  5. 제1항 내지 제4항중 어느 한 항에 있어서, 저장 캐패시터(5)의 또다른 단자(6)와 제2공급전위(VDD)사이에 MOS 다이오드로서 접속된 MOS 트랜지스터(34)가 접속되는 것을 특징으로 하는 충전펌프.
  6. 제2항에 있어서, 제1신호(B1)의 레벨을 발생시키기 위해 교차결합된 레벨변화기(14)가 제공되고, 상기 레벨 변환기(14)는 출력전위(A) 및 제1공급전위(VSS)로부터 전압을 공급받으며, 그것의 입력측은 펄스 형성기(4)에 접속되고 그것의 출력측은 p채널 MOS 트랜지스터(10)의 게이트 단자에 접속되는 것을 특징으로 하는 충전펌프.
  7. 제3항에 있어서, n채널 MOS 트랜지스터(12)의 게이트 단자와 펄스 형성기 (4) 사이에 또다른 시프트 캐패시터(42)가 접속되고, n채널 MOS 트랜지스터(12)의 게이트 단자가 전달 게이트(41)를 통해 인버터(36)의 출력에 접속되며, 인버터(36)의 입력측이 펄스 형성기 장치(4)에 접속되고, 인버터(36)의 출력과 제1공급전위 (VSS)에 접속된 인버터(36)의 스위칭 트랜지스터(38)의 드레인 단자 사이에 MOS 트랜지스터로서 접속된 p채널 MOS 트랜지스터(40,39)가 접속되는 것을 특징으로 하는 충전펌프.
  8. 제1항 내지 7항중 어느 한 항에 있어서, p채널 MOS 트랜지스터(10)가 p 도핑된 반도체 기판(50)내의 n 도핑된 웰(51)내에 배열되고, 웰(51)이 부동전위에 놓이며, 웰(51)이 가드링(57)을 갖는 것을 특징으로 하는 충전펌프.
  9. 제8항에 있어서, p채널 MOS 트랜지스터(10)의 웰(51)이 웰내에 MOS 다이오드로서 접속된 p채널 MOS 트랜지스터(55)를 통해 출력전위(A)에 접속되는 것을 특징으로 하는 충전펌프.
  10. 제9항에 있어서, 발진기가 링형 발진기이며, 상기 링형 발진기는 제어 신호(CTRL)에 의해 차단가능하고 접속시 예정된 위상위치로 시작되게 진동하는 것을 특징으로 하는 충전펌프.
  11. 제1항 내지 10항중 어느 한 항에 있어서, 저장 캐패시터(5)의 또다른 단자 (6)에 접속되어 푸시 풀신호에 의해 제어되는 2개의 충전 펌프가 푸시 풀로 구현되는 것을 특징으로 하는 충전펌프.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940017747A 1993-07-23 1994-07-22 충전펌프 KR100298159B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE4324855A DE4324855C1 (de) 1993-07-23 1993-07-23 Ladungspumpe
DEP4324855.1 1993-07-23

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR950004265A true KR950004265A (ko) 1995-02-17
KR100298159B1 KR100298159B1 (ko) 2001-10-24

Family

ID=6493604

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019940017747A KR100298159B1 (ko) 1993-07-23 1994-07-22 충전펌프

Country Status (8)

Country Link
US (1) US5546296A (ko)
EP (1) EP0635837B1 (ko)
JP (1) JP3920362B2 (ko)
KR (1) KR100298159B1 (ko)
AT (1) ATE180355T1 (ko)
DE (2) DE4324855C1 (ko)
HK (1) HK1003738A1 (ko)
TW (1) TW250585B (ko)

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0737643B1 (en) * 1995-04-14 2000-09-13 STMicroelectronics S.r.l. Voltage generator-booster for supplying an approximately constant voltage level
JP3173327B2 (ja) * 1995-06-16 2001-06-04 富士通株式会社 半導体装置
KR0179852B1 (ko) * 1995-10-25 1999-04-15 문정환 차지 펌프 회로
DE69612829T2 (de) * 1996-01-15 2001-09-27 Cons Ric Microelettronica Von sehr niedriger Speisespannung betriebbare hochwirksame Spannungserhöhungsschaltung
US5668710A (en) * 1996-07-03 1997-09-16 Telcom Semiconductor, Inc. Charge pump circuit having independent inverted and non-inverted terminals
US6064250A (en) * 1996-07-29 2000-05-16 Townsend And Townsend And Crew Llp Various embodiments for a low power adaptive charge pump circuit
DE19651768C1 (de) * 1996-12-12 1998-02-19 Siemens Ag Schaltungsanordnung zur Erzeugung einer erhöhten Ausgangsspannung
FR2758021B1 (fr) * 1996-12-31 1999-03-05 Sgs Thomson Microelectronics Circuit elevateur de tension
US5818766A (en) * 1997-03-05 1998-10-06 Integrated Silicon Solution Inc. Drain voltage pump circuit for nonvolatile memory device
DE19748577C1 (de) * 1997-11-04 1999-01-21 Bosch Gmbh Robert Ladungspumpe
DE19924568B4 (de) 1999-05-28 2014-05-22 Qimonda Ag Ladungspumpe
US6965219B2 (en) * 2002-06-28 2005-11-15 Microsemi Corporation Method and apparatus for auto-interleaving synchronization in a multiphase switching power converter
JP2004166820A (ja) 2002-11-18 2004-06-17 Aruze Corp 遊技機
US7207883B2 (en) * 2002-11-19 2007-04-24 Aruze Corporation Gaming machine
US8096867B2 (en) 2002-11-20 2012-01-17 Universal Entertainment Corporation Gaming machine and display device with fail-tolerant image displaying
JP2004166959A (ja) 2002-11-20 2004-06-17 Aruze Corp 遊技機
JP2004166964A (ja) * 2002-11-20 2004-06-17 Aruze Corp 遊技機
US7972206B2 (en) 2002-11-20 2011-07-05 Wms Gaming Inc. Gaming machine and display device therefor
JP2004166962A (ja) 2002-11-20 2004-06-17 Aruze Corp 遊技機
JP2004166961A (ja) * 2002-11-20 2004-06-17 Aruze Corp 遊技機
JP2004166963A (ja) 2002-11-20 2004-06-17 Aruze Corp 遊技機
US7892094B2 (en) 2003-05-14 2011-02-22 Universal Entertainment Corporation Gaming machine with a light guiding plate subjected to a light scattering process and having a light deflection pattern
US20050077950A1 (en) * 2003-10-14 2005-04-14 Robinson Curtis B. Negative charge pump
FR2864271B1 (fr) * 2003-12-19 2006-03-03 Atmel Corp Circuit de pompe a charge a rendement eleve, a faible cout
US8231464B2 (en) 2005-12-19 2012-07-31 Wms Gaming Inc. Multigame gaming machine with transmissive display
US7855591B2 (en) * 2006-06-07 2010-12-21 Atmel Corporation Method and system for providing a charge pump very low voltage applications
JP2008017945A (ja) 2006-07-11 2008-01-31 Aruze Corp 遊技機、及び、遊技制御方法
US7652522B2 (en) * 2006-09-05 2010-01-26 Atmel Corporation High efficiency low cost bi-directional charge pump circuit for very low voltage applications
KR101343305B1 (ko) * 2007-06-13 2013-12-20 세미컨덕터 콤포넨츠 인더스트리즈 엘엘씨 전하 펌프 제어기 및 그것을 위한 방법
US8172666B2 (en) 2008-04-01 2012-05-08 Aruze Gaming America, Inc. Slot machine
KR20100138146A (ko) * 2009-06-24 2010-12-31 삼성전자주식회사 고효율의 차지 펌프
US9300283B1 (en) 2015-02-18 2016-03-29 Freescale Semiconductor,Inc. Single capacitor, low leakage charge pump
CN106849646B (zh) * 2017-03-30 2019-09-10 中国人民解放军国防科学技术大学 一种具有抗辐照特性的低抖动电荷泵

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4500799A (en) * 1980-07-28 1985-02-19 Inmos Corporation Bootstrap driver circuits for an MOS memory
EP0126788B1 (de) * 1983-05-27 1987-06-03 Deutsche ITT Industries GmbH MOS-Bootstrap-Gegentaktstufe
JP2752640B2 (ja) * 1988-08-07 1998-05-18 日本電気アイシーマイコンシステム株式会社 中間レベル発生回路
DE3904910A1 (de) * 1989-02-17 1990-08-23 Texas Instruments Deutschland Integrierte gegentakt-ausgangsstufe
US5264743A (en) * 1989-12-08 1993-11-23 Hitachi, Ltd. Semiconductor memory operating with low supply voltage
JPH0812754B2 (ja) * 1990-08-20 1996-02-07 富士通株式会社 昇圧回路
DE4128290C1 (ko) * 1991-08-27 1992-12-03 Samsung Electronics Co., Ltd., Suwon, Kr

Also Published As

Publication number Publication date
EP0635837B1 (de) 1999-05-19
ATE180355T1 (de) 1999-06-15
DE59408267D1 (de) 1999-06-24
JPH0757462A (ja) 1995-03-03
DE4324855C1 (de) 1994-09-22
TW250585B (ko) 1995-07-01
EP0635837A2 (de) 1995-01-25
US5546296A (en) 1996-08-13
KR100298159B1 (ko) 2001-10-24
EP0635837A3 (de) 1996-10-30
JP3920362B2 (ja) 2007-05-30
HK1003738A1 (en) 1998-11-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR950004265A (ko) 충전 펌프
KR970051173A (ko) 승압펄스 발생회로
KR900013380A (ko) 전압 제어회로
KR890013862A (ko) 전압레벨 변환회로
US5184030A (en) Back bias generating circuit
KR900002558A (ko) 출력회로
KR960701515A (ko) 반도체 장치
KR920015378A (ko) 기판 바이어스 회로
KR910008863A (ko) 반도체 집적회로
KR900002552A (ko) 출력회로
KR910002127A (ko) 전원절환회로
KR940024629A (ko) 통신회로시스템
KR940003011A (ko) 출력전압에 있어 전계효과트랜지스터의 한계치전압의 손실이 생기지 않는 전압발생회로
GB1330679A (en) Tri-level voltage generator circuit
KR960030395A (ko) 저전압출력회로 및 반도체장치
KR880012006A (ko) Rc 시정수를 이용한 가변 클럭 지연회로
KR920010907A (ko) 자유 전하 회로
KR930011274A (ko) 입력회로
KR950022128A (ko) 트랜지스터 회로
KR950012459A (ko) 다(多)비트 출력 메모리 회로용 출력 회로
KR950015377A (ko) 어드레스 천이 검출회로
KR870000804A (ko) Cmos파워-온 검출회로
KR100186345B1 (ko) 레벨시프트 회로
KR970013754A (ko) 레벨 쉬프트 회로
KR910015862A (ko) 기판 바이어스 전압 검출 회로

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120517

Year of fee payment: 12

LAPS Lapse due to unpaid annual fee