KR940007982A - 위상쉬프트 포토마스크, 위상쉬프트 포토마스크 블랭크 및 이들의 제조방법 - Google Patents

위상쉬프트 포토마스크, 위상쉬프트 포토마스크 블랭크 및 이들의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 비교적 간편한 방법으로 위상쉬프트층의 외부부분영역을 제거하여 결함이 적고, 아울러 비용절감화를 가능하게 하는 위상쉬프트 포토마스크, 위상쉬프트 포토마스크 블랭크 및 이들의 제조방법에 관한 것으로, 투명기판(21)의 일면측 전면에 위상쉬프트층(23)을 형성한 후에 기판(21)의 외주영역만을 에칭액(25)에 침지해서 위상쉬프트층(23)의 외주영역을 에칭으로 제거하여 기판(21)영역보다 작은 영역으로 한정된 위상쉬프트층(27)을 형성한다.

Description

위상쉬프트 포토마스크, 위상쉬프트 포토마스크 블랭크 및 이들의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제5도는 제2의 본 발명 위상쉬프트 포토마스크 블랭크의 제조공정을 나타내는 개념의 단면도,
제6도는 제3의 본 발명 위상쉬프트 포토마스크 블랭크의 제조공정을 나타내는 개념의 단면도,
제7도는 제1발명에 관한 일실시예의 위상쉬프트 포토마스크 블랭크의 단면도,
제8도는 제7도 블랭크 제조방법의 일실시예를 설명하기 위한 단면도.

Claims (24)

  1. 투명기판상에 적어도 위상쉬프트층을 갖는 위상쉬프트 포토마스크 블랭크에 있어서, 상기 기판상의 위상쉬프트층 외주영역이 제거되어 기판 영역보다 작은 영역으로 한정된 위상쉬프트층을 갖는 것을 특징으로 하는 위상쉬프트 포토마스크 블랭크.
  2. 제1항에 있어서, 상기 위상쉬프트층이 도포성유리로 된 것을 특징으로 하는 위상쉬프트 포토마스크 블랭크.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 위상쉬프트층의 외주영역의 제거가 에칭에 의해 행해지고 있는 것을 특징으로 하는 위상쉬프트 포토마스크 블랭크.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 위상쉬프트층의 외주영역의 제거가 상기 위상쉬프트층을 튕기는 재료층을 상기 기판의 외주영역에 설치함으로써 행해지고 있는 것을 특징으로 하는 위상쉬프트 포토마스크 블랭크.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 위상쉬프트층의 외주영역의 제거가 상기 위상쉬프트층을 리프트 오프할 수 있는 재료층을 상기 기판의 외주영역에 설치함으로써 행해지고 있는 것을 특징으로 하는 위상쉬프트 포토마스크 블랭크.
  6. 투명기판상에 적어도 위상쉬프트패턴을 갖는 위상쉬프트 포토마스크에 있어서, 상기 기판상의 위상쉬프트패턴의 외주영역이 제거되어 기판 영역보다 작은 영역으로 한정된 위상쉬프트패턴을 갖는 것을 특징으로 하는 위상쉬프트 포토마스크.
  7. 제6항에 있어서, 상기 위상쉬프트패턴이 도포성유리로 된 것을 특징으로 하는 위상쉬프트 포토마스크.
  8. 제6항 또는 제7항에 있어서, 상기 위상쉬프트패턴의 외주영역의 제거가 에칭에 의해 행해지고 있는 것을 특징으로 하는 위상쉬프트 포토마스크.
  9. 제6항 또는 제7항에 있어서, 상기 위상쉬프트패턴의 외주영역의 제거가 상기 쉬프트패턴을 튕기는 재료층을 상기 기판의 외주영역에 설치함으로써 행해지고 있는 것을 특징으로 하는 위상쉬프트 포토마스크.
  10. 제6항 또는 제7항에 있어서, 상기 위상쉬프트패턴의 외주영역의 제거가 상기 위상쉬프트층을 리프트 오프할 수 있는 재료층을 상기 기판의 외주영역에 설치함으로써 행해지고 있는 것을 특징으로 하는 위상쉬프트 포토마스크.
  11. 투명기판상의 일면측 전면에 위상쉬프트층을 형성한 후에 기판의 외주영역만을 에칭액에 침지해서 위상쉬프트층의 외주영역을 에칭으로 제거하여 기판영역보다 작은 영역으로 한정된 위상쉬프트패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 위상쉬프트 포토마스크 블랭크의 제조방법..
  12. 제11항에 있어서, 상기 에칭을 알칼리성 에칭액을 사용하여 행하는 것을 특징으로 하는 위상쉬프트 포토마스크 블랭크의 제조방법.
  13. 투명기판의 일면측 전면에 위상쉬프트패턴을 형성한 후에 상기 기판의 외주영역만을 에칭액에 침지해서 위상쉬프트패턴의 외주영역을 에칭으로 제거하여 기판영역보다 작은 영역으로 한정된 위상쉬프트패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 위상쉬프트 포토마스크의 제조방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 에칭을 알칼리성 에칭액을 사용하여 행하는 것을 특징으로 하는 위상쉬프트 포토마스크의 제조방법.
  15. 투명기판의 일주부에 상층의 위상쉬프트층을 튕기는 재료층을 설치하여 상층에 위상쉬프트층을 설치할때 상기 외주부만의 위상쉬프트층을 튕겨서 결여시키는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 위상쉬프트 포토마스크 블랭크의 제조방법.
  16. 제15항에 있어서, 상층의 위상쉬프트층을 튕기는 재료층이 플루오르수지인 것을 특징으로 하는 위상쉬프트 포토마스크 블랭크의 제조방법.
  17. 투명기판의 외주부에 상층의 위상쉬프트층을 튕기는 재료층을 설치하여 상층에 위상쉬프트층을 설치할때 상기 외주부만의 위상쉬프트층을 튕겨서 결여시키는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 위상쉬프트 포토마스크의 제조방법.
  18. 제17항에 있어서, 상층의 위상쉬프트층을 튕기는 재료층이 플루오르수지인 것을 특징으로 하는 위상쉬프트 포토마스크의 제조방법.
  19. 투명기판의 외주부에 상층의 위상쉬프트층을 리프트 오프할 수 있는 재료층을 설치하는 공정과, 상층에 위상쉬프트층을 설치하는 공정과, 위상쉬프트층을 리프트 오프하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 위상쉬프트 마스크 블랭크의 제조방법.
  20. 제19항에 있어서, 리프트 오프가 가열에 의해 행해지는 것을 특징으로 하는 위상쉬프트 마스크 블랭크의 제조방법.
  21. 제20항에 있어서, 상층의 위상쉬프트층을 리프트 오프할 수 있는 재료층이 상온(25℃)에서 고체, 150℃이하의 융점을 가지고 있어 적온가열로 융해되는 물질인 것을 특징으로 하는 위상쉬프트 마스크 블랭크의 제조방법.
  22. 투명기판의 외주부에 상층의 위상쉬프트층을 리프트 오프할 수 있는 재료층을 설치하는 과정과, 상층에 위상쉬프트층을 설치하는 공정과, 위상쉬프트층을 리프트 오프하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 위상쉬프트 마스크 제조방법.
  23. 제22항에 있어서, 리프트 오프가 가열에 의해 행해지는 것을 특징으로 하는 위상쉬프트 마스크의 제조방법.
  24. 제23항에 있어서, 상층의 위상쉬프트층을 리프트 오프할 수 있는 재료층이 상온(25℃)에서 고체, 150℃이하의 융점을 가지고 있어 적온가열로 융해되는 물질인 것을 특징으로 하는 위상쉬프트 마스크의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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