KR900008661A - 리소그래픽 패터닝용 마스크와 그 제조방법 - Google Patents

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KR900008661A
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히로시 야스다
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야마모도 다꾸마
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Abstract

내용 없음.

Description

리소그래픽 패터닝을 마스크와 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2(A)도 내지 제2(E)도는 제1도의 마스크 제조과정과 그 문제점을 보여주는 도,
제3(A)도 및 제3(B)도는 각각 본 발명에 따른 마스크의 하부측과 그 단면도,
제4(A)내지 제4(E)도는 제3(A)도의 마스크를 제조하는 여러단계를 보여주는 도.

Claims (17)

  1. 마스크의 상부측부터 하부측까지 통하는 관통공이 구비된 기판체; 관통공을 봉입하기 위하여 기판체의 상부측에 구비되고, 대체로 평편한 상부표면과 대체로 평편한 하부표면으로 한정되어 약 2㎛에서 약 20㎛의 범위의 두께를 가지는 마스크층; 및 관통공에 근접한 부분의 마스크층에 구비된 다수의 패턴 창으로 구성되는 것을 특징으로 하는 리소그래픽 패터닝용 마스크.
  2. 제1항에 있어서, 상기 관통공은 최소한 수백 마이크론의 크기를 가지는 것을 특징으로 하는 마스크.
  3. 제1항에 있어서, 상기 관통공은 최소한 수밀리미터의 크기를 가지는 것을 특징으로 하는 마스크.
  4. 제1항에 있어서, 상기 관통공은 약수십밀리미터의 크기를 가지는 것을 특징으로 하는 마스크.
  5. 제1항에 있어서, 상기 다수의 패턴창 각각은 최소한 약 300㎛×300㎛의 크기를 가지는 것을 특징으로 하는 마스크.
  6. 제1항에 있어서, 상기 기판체는 글라스로 구성되고 상기 마스크층은 실리콘으로 구성되는 것을 특징으로 하는 마스크.
  7. 제1항에 있어서, 상기 기판체는 실리콘산화층으로 덮여진 실리콘 체로 구성되고 상기 마스크층은 실리콘으로 구성되는 것을 특징으로 하는 마스크.
  8. 제1항에 있어서, 상기 마스크층은 금속층에 의하여 더욱 덮여지는 것을 특징으로 하는 마스크.
  9. 제8항에 있어서, 상기 금속층은 탄탈륨으로 구성되는 것을 특징으로 하는 마스크.
  10. 기판체는 상부측에 최소한 한개의 실리콘 산화층을 가지는데, 상기 기판체의 상기 상부측에 실리콘기판을 접속하는 단계; 실리콘 기판이 약20㎛보다는 작으나 약2㎛보다 큰 감소된 두께를 가지도록 기판체에 접속된 실리콘 기판두께를 감소하는 단계 다수의 마스크패턴은 창 형태로 마스크패턴영역에 구비되도록 실리콘 기판에 마스크 패턴영역을 형성하도폭 실리콘 기판을 패터닝하는 단계; 및 마스크 패턴영역 아래에 위치된 기판체 일부가 제거되도록 기판체는 에칭하는 단계로 구성되는 리소그래픽 패터닝용 마스크를 제조하는 방법.
  11. 제10항에 있어서, 두께를 감소시키는 상기 단계는 실리콘기판의 래핑으로 구성되는 것을 특징으로 하는 방법.
  12. 제10항에 있어서, 상기 마스크 패턴 각각은 최소한 약300㎛×30㎛의 크기를 가지는 것을 특징으로 하는 방법.
  13. 제10항에 있어서, 기판체의 상부측에 실리콘 기판을 접속하는 각 단계는 실리콘 기판과 기판체가 서로 접촉되어 있는 상태에서 900℃와 1000℃ 사이의 온도로 실리콘 기판과 기판체를 어닐링 하는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 방법.
  14. 제10항에 있어서, 상기 기판체는 실리콘 산화물을 포함하는 글라스로 구성되고 불화물 에칭용매를 이용하는 등방성 에칭단계로 구성되는 상기 에칭단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 방법.
  15. 제10항에 있어서, 상기 기판체는 실리콘 산화물층을 수반하는 실리콘체로 구성되며 실리콘 기판을 접속하는 상기 단계는 신리콘의 열산화에 의하여 기판체의 상부측에 실리콘 산화충을 구비하는 단계를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  16. 제15항에 있어서, 상기 에칭단계는 수산화칼륨용액을 이용하는 실리콘체의 이방성 에칭과 불화물 에칭용매에 의한 실리콘 산화층의 등방성 에칭으로 구성되는 것을 특징으로 하는 방법.
  17. 제10항에 있어서, 패터닝단계 이후에 실리콘기판에 금속층을 형성하는 단계를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR8916091A 1988-11-07 1989-11-07 Mask for lithographic patterning and manufacturing method thereof KR940002732B1 (en)

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