KR960024665A - X-ray 리소그라피용 마스크 및 그 제조 방법 - Google Patents
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- 238000001015 X-ray lithography Methods 0.000 title claims abstract description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 5
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims abstract 44
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract 18
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 13
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract 13
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract 13
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims abstract 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
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Abstract
본 발명은 X-ray 리소그라피용 마스크 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히, 블랭크 상태의 마스크를 윈도영역이 정의된실리콘 기판과, 기판 상부에 형성시킨 제1멤브레인과, 기판 하부에 형성시켜 윈도영역을 정의한 제2멤브레인과, 제1멤브레인의 상면에 접합된 제3멤브레인과, 제2멤브레인과 접합된 제4멤브레인과, 윈도영역을 제외한 제4멤브레인의 일부에 접합된 니켈층과, 니켈층을 매개로 제4멤브레인의 하부에 접합된 지지기판인 세라믹 링을 구비하여 형성시키며, 이를 실리콘 기판 상면에 제1멤브레인을 형성시키면서, 기판 하면에 제2멤브레인을 형성시키는 단계와, 제2멤브레인에 윈도영역을정의하기 위하여 패터닝하는 단계와, 실리콘 기판을 제2멤브레인의 패턴을 마스크로 하여 식각하는 단계와, 제1멤브레인의 상면에 제3멤브레인을 형성시키면서, 제2멤브레인의 하면과, 식각된 실리콘 기판의 측면과, 실리콘 기판에 의해 노출된 제1멤브레인의 하면에 걸쳐 제4멤브레인을 형성시키는 단계와, 상기 제4멤브레인의 전면에 니켈을 증착시켜 니켈층을형성시킨 후, 니켈층을 이용하여 제4멤브레인의 일부에 세라믹 링을 양극 결합시키고, 세라믹 링을 마스크로 노출된 니켈을 제거하는 단계를 포함하여 형성시키므로서 단일막으로 멤브레인을 형성시킴에 따라 발생하던 스트레스에 의한 마스크의 변형을 해결한 것을 특징으로 한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 X-ray 리소그라피용 마스크의 구조와 그 제조 방법의 각 단계를 도시한 도면.
Claims (5)
- X-ray 리소그라피용 마스크에 있어서, 윈도영역이 정의된 실리콘 기판과, 상기 기판 상부에 접합시킨 제1멤브레인과 상기 기판 하부에 접합시킨 윈도영역을 정의한 제2멤브레인과, 상기 제1멤브레인의 상면에 접합시킨 제3멤브레인과, 상기 제2멤브레인과, 상기 실리콘 기판의 측부와, 상기 제1멤브레인의 하면에 접합시킨 제4멤브레인과, 윈도영역을 제외한 상기 제4멤브레인의 일부에 접합시킨 니켈층과, 상기 니켈층을 매개로 제4멤브레인의 하부에 접합시킨 지지기판인 세라믹 링을 구비하여 형성시킨 X-ray 리소그라피용 마스크.
- X-ray 리소그라피용 마스크의 제조방법에 있어서, 1) 실리콘 기판 상면에 제1 멤브레인을 형성시키면서,기판 하면에 제2멤브레인을 형성시키는 단계와, 2) 상기 제2멤브레인에 윈도영역을 정의하기 위하여 패터닝하는 단계와,3) 상기 실리콘 기판을 상기 제2멤브레인의 패턴을 마스크로 하여 식각하는 단계와, 4) 상기 제1멤브레인의 상면에 제3멤브레인을 형성시키면서, 제2멤브레인의 하면과, 식각된 상기 실리콘 기판의 측면과, 상기 실리콘 기판에 의해 노출된 제1멤브레인의 하면에 걸쳐 제4멤브레인을 형성시키는 단계와, 5) 상기 제4멤브레인의 전면에 니켈을 증착시켜 니켈층을 형성시킨 후, 상기 니켈층을 이용하여 제4멤브레인의 일부에 세라믹 링을 양극 결합시키고, 상기 세라믹 링을 마스크로 노출된 니켈을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 X-ray 리소그라피용 마스크 제조 방법.
- 제2항에 있어서, 상기 1) 단계의 상기 제1, 제2멤브레인을 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 또는 실리콘 옥시나이트라이드 중의 하나를 선택하여 형성시키는 것을 특징으로 하는 X-ray 리소그라피용 마스크 제조 방법.
- 제2항에 있어서, 상기 4)단계의 상기 제3, 제4멤브레인을 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 또는 실리콘 옥시나이트라이드 중의 하나를 선택하여 형성시키는 것을 특징으로 하는 X-ray 리소그라피용 마스크 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 1)단계의 상기 제1, 제2 멤브레인과, 상기 4)단계의 상기 제3, 제4멤브레인을 형성시킬 때, 데포지션 온도를 같이하여 형성시키는 것을 특징으로 하는 X-ray 리소그라피용 마스크 제조 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019940039576A KR0135002B1 (ko) | 1994-12-30 | 1994-12-30 | X-ray 리소그라피용 마스크 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019940039576A KR0135002B1 (ko) | 1994-12-30 | 1994-12-30 | X-ray 리소그라피용 마스크 및 그 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR960024665A true KR960024665A (ko) | 1996-07-20 |
KR0135002B1 KR0135002B1 (ko) | 1998-04-18 |
Family
ID=19405661
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019940039576A KR0135002B1 (ko) | 1994-12-30 | 1994-12-30 | X-ray 리소그라피용 마스크 및 그 제조방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR0135002B1 (ko) |
-
1994
- 1994-12-30 KR KR1019940039576A patent/KR0135002B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR0135002B1 (ko) | 1998-04-18 |
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