KR980003794A - 셀 어퍼처 마스크 제조방법 - Google Patents

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    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/20—Masks or mask blanks for imaging by charged particle beam [CPB] radiation, e.g. by electron beam; Preparation thereof

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Abstract

본 발명은 반도체소자의 리소그라피 공정에서 전자빔 직묘에 의한 패턴을 형성 하는데 이용되는 SOI(silicon on insulation) 구조의 셀 어퍼처 마스크(Cell Aperture Mask) 제조 방법에 관한 것으로, SOI 웨이퍼에 실리콘 산화막을 약 5000A 이상 저압화학증착(LPCVD)방식으로 증착하여 SOI 웨이퍼상의 실리콘층의 식각시 마스크로 이용하고, 또한, 단일 레지스트 공정으로 셀 어퍼처 마스크를 제조하는 것이다.

Description

셀 어퍼처 마스크 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도의 (a)-(h)는 종래의 기술로 SOI(silicon on insulation)구조의 셀 어퍼처 마스크를 제조하는 단계를 도시한 단면도.
제2도의 (a)-(g)는 본 발명에 의해 SOI 구조의 셀 어퍼처 마스크를 제조하는 단계를 도시한 단면도.

Claims (6)

  1. 셀 어퍼처 마스크 제조방법에 있어서, 실리콘 웨이퍼 상부에 실리콘 산화막을 증착하고, 그 상부에 실리콘 층을 증착하는 단계와, 상기 실리콘층과 실리콘 웨이퍼의 표면에 실리콘 산화막을 형성하는 단계와, 상기 실리콘 산화막의 상부면에 레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 상기 레지스트 패턴을 마스크로 이용한 식각공정으로 하부의 실리콘 산화막을 식각하여 실리콘 산화막 패턴을 형성하고, 상기 레지스트 패턴을 제거하는 단계와, 상기 실리콘 웨이퍼의 저부면에 백사이드 식각용 레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 상기 백사이드용 레지스트 패턴을 마스크로 이용한 식각 공정으로 노출된 실리콘 산화막을 식각한 다음, 상기 실리콘 웨이퍼를 습식 식각하는 단계와, 상기 백사이드용 레지스트 패턴을 제거하여 셀 어퍼처 마스크를 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 셀 어퍼처 마스크 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 레지스트 패턴은 단일 레지스트 패턴 공정을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 셀 어퍼처 마스크 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 실리콘 웨이퍼는 결정방향이 (100)인 것을 특징으로 하는 셀 어퍼처 마스크 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 실리콘 산화막을 1㎛의 두께로 증착하는 것을 특징으로 하는 셀 어퍼처 마스크 제조방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 실리콘층은 결정 방향이 (111)인 것을 특징으로 하는 셀 어퍼처 마스크 제조방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 실리콘 산화막은 약 0.3-0.8㎛ 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 셀 어퍼처 마스크 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초 출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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