KR960001880A - 반도체소자의 실리콘층 제조방법 - Google Patents
반도체소자의 실리콘층 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR960001880A KR960001880A KR1019940013732A KR19940013732A KR960001880A KR 960001880 A KR960001880 A KR 960001880A KR 1019940013732 A KR1019940013732 A KR 1019940013732A KR 19940013732 A KR19940013732 A KR 19940013732A KR 960001880 A KR960001880 A KR 960001880A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- silicon layer
- film
- semiconductor device
- semiconductor substrate
- manufacturing
- Prior art date
Links
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
본 발명은 반도체소자의 실리콘층 제조방법에 관한것으로서, 소정 구조의 반도체기판상에 절연막과 실릴콘층을 순차적으로 형성하고, 상기 구조의 반도체기판을 확산로에 장착한 후, POCl3와 O2분위기에서 750-1000℃정도의 온도로 열처리하여 상기 실리콘층상에 P2O5막을 형성하고, 상기 실릴콘층을 내부로 인을 확산시켜 도핑하며, 상기 P2O5막을 HF를 포함하는 식각용액으로 제거하고, 상기 반도체기판을 고온의 순수로 세정하여 상기 실리콘층상에 친수성의 얇은 산화막을 형성하며, 상기 실리콘층을 패턴잉하여 실리콘층 패턴을 형성하였으므로, 상기 얇은 산화막에 의해 실리콘층의 표면이 보호되러 순수에 포함되어 있는 실리카가 결함 형태로 실리콘층의 표면에 부착되지 않아 실리콘층 패턴잉 공정시 패턴들간의 단락을 방지하여 제조단가를 절감하고 공정수율 및 소자 동작의 신뢰성이 향상된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A 도 및 제1C도는 본 발명에 따른 반도체소자의 실리콘층 패턴 제조 공정도.
Claims (5)
- 소정구조의 반도체기판상에 절연막을 형성하는 공정과, 상기 절연막상에 실리콘층을 형성하는 공정과, 상기 구조의 반도체기판을 POCl3와 O2분위기에서 소정조건으로 열처리하여 상기 실리콘층상에 P2O5막을 형성하고 상기 실리콘층에 인을 도핑하는 공정과, 상기 P2O5막을 HF를 포함하는 식각용액으로 제거하는 공정과, 상기 반도체기판을 소정온도의 순수로 세정하여 상기 실리콘층상에 친수성 얇은 산화막을 형성하는 공정과, 상기 실리콘층을 패턴잉하여 실리콘층 패턴을 형성하는 공정을 구비하는 반도체소자의 실리콘층 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 P2O5막을 750-1000℃ 정도의 온도에서 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 실리콘층 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 순수에 의한 세척을 50-100℃ 정도의 온도에서 5-60분 정도 진행하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 실리콘층 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 얇은 산화막을 15-30Å 정도의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 실리콘층 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 실리콘층이 게이트전극용이나 캐패시터전극용인 것을 특징으로 하는 반도체소자의 실리콘층 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940013732A KR960001880A (ko) | 1994-06-17 | 1994-06-17 | 반도체소자의 실리콘층 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940013732A KR960001880A (ko) | 1994-06-17 | 1994-06-17 | 반도체소자의 실리콘층 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960001880A true KR960001880A (ko) | 1996-01-26 |
Family
ID=66710781
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940013732A KR960001880A (ko) | 1994-06-17 | 1994-06-17 | 반도체소자의 실리콘층 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960001880A (ko) |
-
1994
- 1994-06-17 KR KR1019940013732A patent/KR960001880A/ko not_active Application Discontinuation
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR960013147B1 (ko) | 반도체 디바이스상에 저항기를 패턴 형성하기 위한 방법 | |
| KR920001625A (ko) | 표면적이 극대화된 실리콘층 및 그 제조방법 | |
| US4292156A (en) | Method of manufacturing semiconductor devices | |
| US4039358A (en) | Method of manufacturing an insulated gate type field effect semiconductor device | |
| KR970030626A (ko) | 반도체 소자의 소자 분리막 제조방법 | |
| KR960001880A (ko) | 반도체소자의 실리콘층 제조방법 | |
| JPS6119133A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR100196420B1 (ko) | 소자격리영역의 형성방법 | |
| KR960012576A (ko) | 박막 반도체 장치의 제조방법 | |
| US3728167A (en) | Masking method of making semiconductor device | |
| JPH03116968A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR100282425B1 (ko) | 캐패시터의제조방법 | |
| KR950021107A (ko) | 콘택홀 형성방법 | |
| KR950030397A (ko) | 반도체 소자의 캐패시터 형성방법 | |
| KR960002578A (ko) | 반도체소자의 전하보존전극 제조방법 | |
| US3676126A (en) | Planar technique for producing semiconductor microcomponents | |
| KR970053546A (ko) | 반도체 장치의 금속 배선 형성 방법 | |
| KR960039285A (ko) | 반도체 소자 제조방법 | |
| JPS6279625A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6118348B2 (ko) | ||
| KR950009923A (ko) | 반도체 장치의 저장전극 제조방법 | |
| JPS59115542A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR980009028A (ko) | 반도체장치의 소자분리 방법 | |
| KR20000020889A (ko) | 반도체소자의 필드영역 형성방법 | |
| JPS6250974B2 (ko) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E601 | Decision to refuse application |