KR940006392A - 고체촬상장치 및 그의 제조방법 - Google Patents

고체촬상장치 및 그의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR940006392A
KR940006392A KR1019930009319A KR930009319A KR940006392A KR 940006392 A KR940006392 A KR 940006392A KR 1019930009319 A KR1019930009319 A KR 1019930009319A KR 930009319 A KR930009319 A KR 930009319A KR 940006392 A KR940006392 A KR 940006392A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
receiving elements
light
light receiving
state imaging
imaging device
Prior art date
Application number
KR1019930009319A
Other languages
English (en)
Other versions
KR970006732B1 (en
Inventor
슈이치 이시베
Original Assignee
시기 모리야
샤프 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 시기 모리야, 샤프 가부시끼가이샤 filed Critical 시기 모리야
Publication of KR940006392A publication Critical patent/KR940006392A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR970006732B1 publication Critical patent/KR970006732B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/148—Charge coupled imagers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/148—Charge coupled imagers
    • H01L27/14831—Area CCD imagers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H01L27/14685—Process for coatings or optical elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0216—Coatings
    • H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02162—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
    • H01L31/02164—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors for shielding light, e.g. light blocking layers, cold shields for infrared detectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L31/02327—Optical elements or arrangements associated with the device the optical elements being integrated or being directly associated to the device, e.g. back reflectors

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

고체촬상장치는 공개되었다.
고체촬상장치는, 빛을 전하내로 모으기 위하여 매트릭스에 배열된 복수의 수광소자와, 제1방향으로 변환된 전하를 전송하기 위하여 제2방향에 따라 배열된 복수의 수광소자 사이에 형성된 복수의 제1전하전송부와, 복수의 제1전하전송부에서 전하를 받고 제2방향으로 전하를 전송하기 위하여, 복수의 제1전하전송부 각각의 단부에 제공된 제2전하전송부와, 빛을 복수의 수광소자 각각 위에 모으기 위하여 복수의 수광소자 각각위에 형성된 복수의 집광부를 포함하고 고체촬상장치에 있어서 복수의 집광부는 제1 및 제2방향으로 실질적으로 동일한 곡률을 가진 마이크로렌즈의 각각을 특징으로 한다.

Description

고체촬상장치 및 그의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도는 본 발명에 따른 PAL시스템의 인터라인 전송시스템(Interline transfer system)용 1/2인치 광학시스템의 수광스크린을 가지는 고체촬상장치의 수평방향(제2도의 A-A′선을 따라서)에 따른 단면도,
제1B도는 본 발명의 고체촬상장치의 수직방향(제2도의 B-B′선을 따라서)에 따른 단면도,
제1C도는 본 발며에 따른 고체촬상장치 제조방법을 예시한 수평방향(제2도의 A-A′선을 따라서)에 따른 단면도,
제1D도는 본 발명에 따른 고체촬상장치 제조방법을 예시한 수직방향(제2도의 B-B′선을 따라서)에 따른 단면도,
제2도는 본 발명에 따른 고체촬상장치를 표시한 평면도,
제3A도는 마이크로렌즈 재료의 열적변형특성을 예시한 개략도,
제3B도는 마이크로렌즈의 열적변형특성을 표시한 그래프.

Claims (8)

  1. 고체촬상장치에 있어서, 빛을 전하로 변환하기 위하여 매트릭스형태로 배열된 복수의 수광소자와, 상기 복수수광소자 각각으로 변환된 상기 전하를 제1방향으로 전송하기 위하여, 제2방향으로 배열된 상기 복수수광소자 사이에 형성된 복수의 제1전하전송부와, 상기 복수의 제1전하전송부에서 상기 전하를 받고 상기 제2방향으로 상기 전하를 전송하기 위하여 상기 복수와 제1전하전송부 각각 단부에 제공된 제2전하 전송부와, 상기 빛을 상기 복수광소자의 각각에 모으기 위하여, 상기 복수의 수광소자위에 형성된 복수의집광부를 포함하는 고체촬상장치에 있어서 상기 복수의 집광부 각각은 상기 제1 및 제2방향으로 실질적으로 동일한 곡률을 가지는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치 및 그의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 마이크로렌즈의 볼록한 곡선 각각은 상기 매트릭스의 최단피치의 방향으로 대응하는 방향에 서로 접해있는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  3. 고체촬상장치의 제조방법에 있어서, 빛을 전하에 변환하기 위하여, 매트릭스 형태로 배열된 복수의 수광소자를 기판표면 부근에 형성하는 공정과, 상기의 복수의 수광소자의 각각에 변환된 상기 전하를 제1방향으로 전송하기 위하여 제2방향에 따라 배열된 상기 복수수광소자 사이에 형성된 복수의 제1전하전송부를 상기 기파표면 부근에 형성되는 공정과, 상기 복수의 제1전하전송 전송부에서 상기 전하를 받고 상기 제2방향에 상기 전하를 전송하기 위하여 상기 복수의 제1전하전송부의 각각의 단부의 그 기판표면 부근에 설계된 상기 제2전하전송부를 형성하는 공정과, 상기 복수의 수광소자 각각의 위재료에 상기 제1 및 제2방향에 실질적으로 동일한 길이를 가진 상기 복수의 패턴 각각에 대해 변형처리를 수행하고, 상기 제1 및 제2방향에 실질적으로 동일한 곡률을 가지는 상기 복수의 집광부를 복수의 수광소자상에 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치의 제조방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 복수의 집광부는 상기 매트릭스의 최단피치의 방향에 대응하는 방향으로 서로 접하는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치의 제조방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 변형처리는 상기 복수의 패턴을 열처리하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치의 제조방법.
  6. 빛을 전하로 변환하기 위하여 매트릭스상으로 배열된 상기 복수의 수광소자와, 빛을 상기 복수의 수광소자의 각각에 모으기 위하여 상기 복수의 수광소자 각각의 상방에 형성된 복수의 집광부를 가지는 고체촬상장치에 있어서 상기 복수의 집광부는 제1 및 제2방향에 실질적으로 동일한 곡률을 가지는 각각의 마이크로렌즈로 되어있는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 마이크로렌즈는 상기 제1 및 상기 제2방향의 적어도 일 방향에 서로 접해 있는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 마이크로렌즈의 볼록한 곡선은 근접한 상기 마이크로렌즈의 볼록한 곡선과 물리적으로 교차하는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR93009319A 1992-05-27 1993-05-27 Method of producing solid-state imaging device KR970006732B1 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4135379A JPH05335531A (ja) 1992-05-27 1992-05-27 固体撮像装置
JP92-135379 1992-05-27

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR940006392A true KR940006392A (ko) 1994-03-23
KR970006732B1 KR970006732B1 (en) 1997-04-29

Family

ID=15150337

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR93009319A KR970006732B1 (en) 1992-05-27 1993-05-27 Method of producing solid-state imaging device

Country Status (5)

Country Link
US (2) US5422285A (ko)
EP (1) EP0573219B1 (ko)
JP (1) JPH05335531A (ko)
KR (1) KR970006732B1 (ko)
DE (1) DE69313024T2 (ko)

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2925444B2 (ja) * 1993-10-05 1999-07-28 シャープ株式会社 固体撮像素子およびその製造方法
KR0136933B1 (ko) * 1994-05-21 1998-04-24 문정환 씨씨디(ccd) 영상소자 및 제조방법
US5739548A (en) * 1995-05-02 1998-04-14 Matsushita Electronics Corporation Solid state imaging device having a flattening layer and optical lenses
JP3405620B2 (ja) * 1995-05-22 2003-05-12 松下電器産業株式会社 固体撮像装置
KR0148734B1 (ko) * 1995-06-22 1998-08-01 문정환 시시디 촬상소자 제조방법
US5693967A (en) * 1995-08-10 1997-12-02 Lg Semicon Co., Ltd. Charge coupled device with microlens
KR0186195B1 (ko) * 1995-12-11 1999-05-01 문정환 컬러선형 전하결합소자 및 이의 구동방법
KR100223853B1 (ko) * 1996-08-26 1999-10-15 구본준 고체촬상소자의 구조 및 제조방법
JPH10125887A (ja) * 1996-10-21 1998-05-15 Toshiba Corp 固体撮像素子
DE19651667C2 (de) 1996-12-12 2003-07-03 Rudolf Groskopf Vorrichtung zur dreidimensionalen Untersuchung eines Objektes
JPH10270672A (ja) * 1997-03-25 1998-10-09 Sony Corp 固体撮像素子
DE19816309B4 (de) * 1997-04-14 2008-04-03 CiS Institut für Mikrosensorik gGmbH Verfahren zur Direktmontage von Silizium-Sensoren und danach hergestellte Sensoren
JPH1164608A (ja) * 1997-08-26 1999-03-05 Dainippon Printing Co Ltd レンチキュラーレンズ
JP3120778B2 (ja) * 1998-04-20 2000-12-25 日本電気株式会社 固体撮像装置およびその検査方法および製造方法
KR100553672B1 (ko) * 1998-09-21 2006-09-20 삼성전자주식회사 고체 컬러 이미지 소자의 제조 방법
JP2001147515A (ja) * 1999-09-07 2001-05-29 Ricoh Co Ltd フォトマスク設計方法、フォトマスク設計装置、コンピュータ読取可能な記憶媒体、フォトマスク、フォトレジスト、感光性樹脂、基板、マイクロレンズ及び光学素子
JP4123667B2 (ja) * 2000-01-26 2008-07-23 凸版印刷株式会社 固体撮像素子の製造方法
US6417022B1 (en) * 2000-04-12 2002-07-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method for making long focal length micro-lens for color filters
KR100477784B1 (ko) * 2000-08-31 2005-03-22 매그나칩 반도체 유한회사 트렌치 내부의 공기로 이루어지는 집광층을 구비하는이미지 센서 및 그 제조 방법
JP2003197897A (ja) * 2001-12-28 2003-07-11 Fuji Film Microdevices Co Ltd 半導体光電変換装置
US6969899B2 (en) * 2003-12-08 2005-11-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Image sensor with light guides
JP4830306B2 (ja) * 2004-06-23 2011-12-07 凸版印刷株式会社 固体撮像素子の製造方法
US7450161B1 (en) 2004-12-02 2008-11-11 Magnachip Semiconductor Ltd. System and method to enhance the uniformity of intensity distribution on digital imaging sensors
US7763918B1 (en) * 2004-12-02 2010-07-27 Chen Feng Image pixel design to enhance the uniformity of intensity distribution on digital image sensors
US7564629B1 (en) * 2004-12-02 2009-07-21 Crosstek Capital, LLC Microlens alignment procedures in CMOS image sensor design
KR20060077536A (ko) * 2004-12-30 2006-07-05 동부일렉트로닉스 주식회사 씨모스 이미지 센서 및 그의 제조방법
KR100693927B1 (ko) * 2005-02-03 2007-03-12 삼성전자주식회사 마이크로 렌즈 제조방법, 마이크로 렌즈 어레이 제조방법및 이미지 센서 제조방법
US7829965B2 (en) 2005-05-18 2010-11-09 International Business Machines Corporation Touching microlens structure for a pixel sensor and method of fabrication
JP2014056014A (ja) * 2012-09-11 2014-03-27 Canon Inc 撮像素子および撮像装置

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3724924A (en) * 1970-12-23 1973-04-03 Comp Generale Electricite Multiple focusing device
USRE31255E (en) * 1979-02-21 1983-05-24 Honeywell Inc. Light emitting and light detecting semiconductor device for interfacing with an optical fiber
JPS6033345B2 (ja) * 1979-06-08 1985-08-02 日本電気株式会社 電荷転送撮像装置とその駆動方法
JPS59198754A (ja) * 1983-04-26 1984-11-10 Toshiba Corp カラ−用固体撮像デバイス
JPS6053073A (ja) * 1983-09-02 1985-03-26 Hitachi Ltd マイクロレンズ付固体撮像素子および製法
JPS6059752A (ja) * 1983-09-13 1985-04-06 Nec Corp 半導体装置の製造方法
JPS6242558A (ja) * 1985-08-20 1987-02-24 Matsushita Electronics Corp 固体撮像装置
US4694185A (en) * 1986-04-18 1987-09-15 Eastman Kodak Company Light sensing devices with lenticular pixels
DE3613901A1 (de) * 1986-04-24 1987-10-29 Ego Elektro Blanc & Fischer Strahlheizkoerper fuer kochgeraete oder dgl.
JP2678491B2 (ja) * 1988-12-28 1997-11-17 京セラ株式会社 光透過型半導体パッケージ
US4966831A (en) * 1989-04-20 1990-10-30 Eastman Kodak Company Lens arrays for light sensitive devices
US5132759A (en) * 1989-07-28 1992-07-21 Kabushiki Kaisha Toshiba Solid-state imaging device in which reverse bias voltage is automatically set
JPH03148173A (ja) * 1989-11-02 1991-06-24 Mitsubishi Electric Corp マイクロレンズの形成方法
JPH03163871A (ja) * 1989-11-22 1991-07-15 Toshiba Corp 固体撮像装置およびその製造方法
US5239412A (en) * 1990-02-05 1993-08-24 Sharp Kabushiki Kaisha Solid image pickup device having microlenses
ATE149743T1 (de) * 1990-04-27 1997-03-15 Omron Tateisi Electronics Co Lichtemittierende halbleitervorrichtung mit fresnel-linse
US5118924A (en) * 1990-10-01 1992-06-02 Eastman Kodak Company Static control overlayers on opto-electronic devices
KR960000223B1 (ko) * 1990-11-16 1996-01-03 가부시키가이샤 도시바 고체촬상장치 및 그 제조방법
JPH0521769A (ja) * 1991-07-15 1993-01-29 Sharp Corp 固体撮像素子

Also Published As

Publication number Publication date
US5422285A (en) 1995-06-06
DE69313024D1 (de) 1997-09-18
US5583354A (en) 1996-12-10
KR970006732B1 (en) 1997-04-29
DE69313024T2 (de) 1998-02-26
EP0573219B1 (en) 1997-08-13
EP0573219A1 (en) 1993-12-08
JPH05335531A (ja) 1993-12-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR940006392A (ko) 고체촬상장치 및 그의 제조방법
KR100654146B1 (ko) 고체 촬상 장치 및 카메라
KR0136933B1 (ko) 씨씨디(ccd) 영상소자 및 제조방법
EP0511404A4 (en) Solid-state imaging device and method of manufacturing the same
KR940006391A (ko) 고체촬상장치
EP1198126A3 (en) Image pickup apparatus
KR960002876A (ko) 고체 촬상장치 및 전하결합 장치 제조방법
US5488239A (en) Solid state image sensor with shaped photodiodes
KR100388803B1 (ko) 고체 촬상 소자 및 그 제조방법
KR960008132B1 (ko) 고체촬상장치의 제조방법
KR950002410A (ko) 고체 촬상 장치
KR960043789A (ko) 고 전하 전달율을 갖는 ccd형 고상 이미지 픽업 소자
KR0123035B1 (ko) 저저항 게이트전극을 갖는 고체 촬상소자 및 그 제조방법
EP0989740A3 (en) Imaging apparatus with partial readout of the photoelectrical conversion elements
KR880002280A (ko) 전하이송형 고체촬상소자
KR0147684B1 (ko) 고체촬상소자
EP0851504A3 (en) Solid-state image device, its driving method and process for its manufacture
JPS63310172A (ja) 電荷転送装置
JPH03114236A (ja) 電荷転送装置
KR100407982B1 (ko) 고체촬상소자
US20080074750A1 (en) Image sensor and fabricating method thereof
KR980006448A (ko) 스미어(Smear) 및 블루밍(Blooming) 특성이 개선된 고체 촬상 소자
KR100259085B1 (ko) 고체촬상소자구조및이의제조방법
KR0123051Y1 (ko) 고체 촬상소자의 구조
JP2000332227A (ja) 固体撮像装置とその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120907

Year of fee payment: 16

EXPY Expiration of term