KR940006392A - 고체촬상장치 및 그의 제조방법 - Google Patents
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- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 239000007787 solid Substances 0.000 title claims abstract description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
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- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14685—Process for coatings or optical elements
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- H01L31/0216—Coatings
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- H—ELECTRICITY
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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Abstract
고체촬상장치는 공개되었다.
고체촬상장치는, 빛을 전하내로 모으기 위하여 매트릭스에 배열된 복수의 수광소자와, 제1방향으로 변환된 전하를 전송하기 위하여 제2방향에 따라 배열된 복수의 수광소자 사이에 형성된 복수의 제1전하전송부와, 복수의 제1전하전송부에서 전하를 받고 제2방향으로 전하를 전송하기 위하여, 복수의 제1전하전송부 각각의 단부에 제공된 제2전하전송부와, 빛을 복수의 수광소자 각각 위에 모으기 위하여 복수의 수광소자 각각위에 형성된 복수의 집광부를 포함하고 고체촬상장치에 있어서 복수의 집광부는 제1 및 제2방향으로 실질적으로 동일한 곡률을 가진 마이크로렌즈의 각각을 특징으로 한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도는 본 발명에 따른 PAL시스템의 인터라인 전송시스템(Interline transfer system)용 1/2인치 광학시스템의 수광스크린을 가지는 고체촬상장치의 수평방향(제2도의 A-A′선을 따라서)에 따른 단면도,
제1B도는 본 발명의 고체촬상장치의 수직방향(제2도의 B-B′선을 따라서)에 따른 단면도,
제1C도는 본 발며에 따른 고체촬상장치 제조방법을 예시한 수평방향(제2도의 A-A′선을 따라서)에 따른 단면도,
제1D도는 본 발명에 따른 고체촬상장치 제조방법을 예시한 수직방향(제2도의 B-B′선을 따라서)에 따른 단면도,
제2도는 본 발명에 따른 고체촬상장치를 표시한 평면도,
제3A도는 마이크로렌즈 재료의 열적변형특성을 예시한 개략도,
제3B도는 마이크로렌즈의 열적변형특성을 표시한 그래프.
Claims (8)
- 고체촬상장치에 있어서, 빛을 전하로 변환하기 위하여 매트릭스형태로 배열된 복수의 수광소자와, 상기 복수수광소자 각각으로 변환된 상기 전하를 제1방향으로 전송하기 위하여, 제2방향으로 배열된 상기 복수수광소자 사이에 형성된 복수의 제1전하전송부와, 상기 복수의 제1전하전송부에서 상기 전하를 받고 상기 제2방향으로 상기 전하를 전송하기 위하여 상기 복수와 제1전하전송부 각각 단부에 제공된 제2전하 전송부와, 상기 빛을 상기 복수광소자의 각각에 모으기 위하여, 상기 복수의 수광소자위에 형성된 복수의집광부를 포함하는 고체촬상장치에 있어서 상기 복수의 집광부 각각은 상기 제1 및 제2방향으로 실질적으로 동일한 곡률을 가지는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치 및 그의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 마이크로렌즈의 볼록한 곡선 각각은 상기 매트릭스의 최단피치의 방향으로 대응하는 방향에 서로 접해있는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
- 고체촬상장치의 제조방법에 있어서, 빛을 전하에 변환하기 위하여, 매트릭스 형태로 배열된 복수의 수광소자를 기판표면 부근에 형성하는 공정과, 상기의 복수의 수광소자의 각각에 변환된 상기 전하를 제1방향으로 전송하기 위하여 제2방향에 따라 배열된 상기 복수수광소자 사이에 형성된 복수의 제1전하전송부를 상기 기파표면 부근에 형성되는 공정과, 상기 복수의 제1전하전송 전송부에서 상기 전하를 받고 상기 제2방향에 상기 전하를 전송하기 위하여 상기 복수의 제1전하전송부의 각각의 단부의 그 기판표면 부근에 설계된 상기 제2전하전송부를 형성하는 공정과, 상기 복수의 수광소자 각각의 위재료에 상기 제1 및 제2방향에 실질적으로 동일한 길이를 가진 상기 복수의 패턴 각각에 대해 변형처리를 수행하고, 상기 제1 및 제2방향에 실질적으로 동일한 곡률을 가지는 상기 복수의 집광부를 복수의 수광소자상에 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치의 제조방법.
- 제3항에 있어서, 상기 복수의 집광부는 상기 매트릭스의 최단피치의 방향에 대응하는 방향으로 서로 접하는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치의 제조방법.
- 제4항에 있어서, 상기 변형처리는 상기 복수의 패턴을 열처리하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치의 제조방법.
- 빛을 전하로 변환하기 위하여 매트릭스상으로 배열된 상기 복수의 수광소자와, 빛을 상기 복수의 수광소자의 각각에 모으기 위하여 상기 복수의 수광소자 각각의 상방에 형성된 복수의 집광부를 가지는 고체촬상장치에 있어서 상기 복수의 집광부는 제1 및 제2방향에 실질적으로 동일한 곡률을 가지는 각각의 마이크로렌즈로 되어있는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
- 제6항에 있어서, 상기 마이크로렌즈는 상기 제1 및 상기 제2방향의 적어도 일 방향에 서로 접해 있는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
- 제7항에 있어서, 상기 마이크로렌즈의 볼록한 곡선은 근접한 상기 마이크로렌즈의 볼록한 곡선과 물리적으로 교차하는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4135379A JPH05335531A (ja) | 1992-05-27 | 1992-05-27 | 固体撮像装置 |
JP92-135379 | 1992-05-27 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR940006392A true KR940006392A (ko) | 1994-03-23 |
KR970006732B1 KR970006732B1 (en) | 1997-04-29 |
Family
ID=15150337
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR93009319A KR970006732B1 (en) | 1992-05-27 | 1993-05-27 | Method of producing solid-state imaging device |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US5422285A (ko) |
EP (1) | EP0573219B1 (ko) |
JP (1) | JPH05335531A (ko) |
KR (1) | KR970006732B1 (ko) |
DE (1) | DE69313024T2 (ko) |
Families Citing this family (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2925444B2 (ja) * | 1993-10-05 | 1999-07-28 | シャープ株式会社 | 固体撮像素子およびその製造方法 |
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-
1992
- 1992-05-27 JP JP4135379A patent/JPH05335531A/ja active Pending
-
1993
- 1993-05-26 US US08/067,461 patent/US5422285A/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-05-27 DE DE69313024T patent/DE69313024T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1993-05-27 KR KR93009319A patent/KR970006732B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1993-05-27 EP EP93304134A patent/EP0573219B1/en not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-03-13 US US08/404,140 patent/US5583354A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0573219B1 (en) | 1997-08-13 |
EP0573219A1 (en) | 1993-12-08 |
US5583354A (en) | 1996-12-10 |
KR970006732B1 (en) | 1997-04-29 |
DE69313024D1 (de) | 1997-09-18 |
DE69313024T2 (de) | 1998-02-26 |
US5422285A (en) | 1995-06-06 |
JPH05335531A (ja) | 1993-12-17 |
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Date | Code | Title | Description |
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