JP2000332227A - 固体撮像装置とその製造方法 - Google Patents
固体撮像装置とその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 画素を高密度化すること、あるいは集光効率
を高めることを可能とするマイクロレンズの構造を有す
る固体撮像装置とその製造方法を提供することを課題と
する。 【解決手段】 固体撮像装置は、互いに直行する行方向
と列方向の２次元に複数の受光素子（２）を形成した基
板（１）と、基板の上に形成され、行方向に延在し、列
方向の断面が凸レンズ形状である複数行の第１の蒲鉾型
マイクロレンズ（３）と、第１の蒲鉾型マイクロレンズ
の上に形成され、列方向に延在し、行方向の断面が凸レ
ンズ形状である複数列の第２の蒲鉾型マイクロレンズ
（４）とを有し、第１と第２の蒲鉾型マイクロレンズが
交わる領域の下に受光素子が形成され、第１と第２の蒲
鉾型マイクロレンズを通過した光が受光素子に集光され
る。
を高めることを可能とするマイクロレンズの構造を有す
る固体撮像装置とその製造方法を提供することを課題と
する。 【解決手段】 固体撮像装置は、互いに直行する行方向
と列方向の２次元に複数の受光素子（２）を形成した基
板（１）と、基板の上に形成され、行方向に延在し、列
方向の断面が凸レンズ形状である複数行の第１の蒲鉾型
マイクロレンズ（３）と、第１の蒲鉾型マイクロレンズ
の上に形成され、列方向に延在し、行方向の断面が凸レ
ンズ形状である複数列の第２の蒲鉾型マイクロレンズ
（４）とを有し、第１と第２の蒲鉾型マイクロレンズが
交わる領域の下に受光素子が形成され、第１と第２の蒲
鉾型マイクロレンズを通過した光が受光素子に集光され
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、固体撮像装置に係
わり、特に、複数の受光素子に光を効率的に集光するた
めに好都合な構造のマイクロレンズを有する固体撮像装
置とその製造方法に関する。
わり、特に、複数の受光素子に光を効率的に集光するた
めに好都合な構造のマイクロレンズを有する固体撮像装
置とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＣＣＤイメージセンサをはじめとする固
体撮像装置には、半導体基板に形成された複数のフォト
ダイオードなどの受光素子の各々の上に微小なマイクロ
レンズが設けられている。マイクロレンズで集光された
光は、受光素子の受光領域に効率的に導かれる。固体撮
像装置では、複数の受光素子（画素）に対応して配列し
た複数のマイクロレンズのつながりで構成されたマイク
ロレンズアレイが用いられる。
体撮像装置には、半導体基板に形成された複数のフォト
ダイオードなどの受光素子の各々の上に微小なマイクロ
レンズが設けられている。マイクロレンズで集光された
光は、受光素子の受光領域に効率的に導かれる。固体撮
像装置では、複数の受光素子（画素）に対応して配列し
た複数のマイクロレンズのつながりで構成されたマイク
ロレンズアレイが用いられる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】図４に従来のマイクロ
レンズアレイを用いた固体撮像装置の一部を模式的に示
す。図４（ａ）は、平面図であり、図４（ｂ）は図４
（ａ）のＩ−Ｉ´線に沿った縦断面図である。複数のマ
イクロレンズ２０は、半導体基板２１の上に形成されて
いる。半導体基板２１には例えばフォトダイオード２２
とＣＣＤ(図示せず。)などが形成されている。マイクロ
レンズ２０はフォトダイオード２２の受光領域に光を集
光するように配置される。
レンズアレイを用いた固体撮像装置の一部を模式的に示
す。図４（ａ）は、平面図であり、図４（ｂ）は図４
（ａ）のＩ−Ｉ´線に沿った縦断面図である。複数のマ
イクロレンズ２０は、半導体基板２１の上に形成されて
いる。半導体基板２１には例えばフォトダイオード２２
とＣＣＤ(図示せず。)などが形成されている。マイクロ
レンズ２０はフォトダイオード２２の受光領域に光を集
光するように配置される。
【０００４】図４に示す従来の固体撮像装置では、個々
のマイクロレンズ２０は互いに分離していて、隣接する
マイクロレンズ間にレンズの役目をしない無効領域２３
が広く形成されている。このような構造では、固体撮像
装置の全面積に対する実質的な受光面積の割合が少なく
なるので、光の利用効率が低い。また、マイクロレンズ
の配置間隔で受光素子の配列が決まるので、多数の画素
を高密度化する場合に不利な制限となる。
のマイクロレンズ２０は互いに分離していて、隣接する
マイクロレンズ間にレンズの役目をしない無効領域２３
が広く形成されている。このような構造では、固体撮像
装置の全面積に対する実質的な受光面積の割合が少なく
なるので、光の利用効率が低い。また、マイクロレンズ
の配置間隔で受光素子の配列が決まるので、多数の画素
を高密度化する場合に不利な制限となる。
【０００５】本発明の目的は、画素数を高密度化するこ
と、あるいは集光効率を高めることを可能とするマイク
ロレンズの構造を有する固体撮像装置又はその製造方法
を提供することにある。
と、あるいは集光効率を高めることを可能とするマイク
ロレンズの構造を有する固体撮像装置又はその製造方法
を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の一観点によれ
ば、互いに直行する行方向と列方向の２次元に複数の受
光素子を形成した基板と、前記基板の上に形成され、前
記行方向に延在し、前記列方向の断面が凸レンズ形状で
ある複数行の第１の蒲鉾型マイクロレンズと、前記第１
の蒲鉾型マイクロレンズの上に形成され、前記列方向に
延在し、前記行方向の断面が凸レンズ形状である複数列
の第２の蒲鉾型マイクロレンズとを有し、前記第１と第
２の蒲鉾型マイクロレンズが交わる領域の下に前記受光
素子が形成され、前記第１と第２の蒲鉾型マイクロレン
ズを通過した光が前記受光素子に集光される固体撮像装
置が提供される。
ば、互いに直行する行方向と列方向の２次元に複数の受
光素子を形成した基板と、前記基板の上に形成され、前
記行方向に延在し、前記列方向の断面が凸レンズ形状で
ある複数行の第１の蒲鉾型マイクロレンズと、前記第１
の蒲鉾型マイクロレンズの上に形成され、前記列方向に
延在し、前記行方向の断面が凸レンズ形状である複数列
の第２の蒲鉾型マイクロレンズとを有し、前記第１と第
２の蒲鉾型マイクロレンズが交わる領域の下に前記受光
素子が形成され、前記第１と第２の蒲鉾型マイクロレン
ズを通過した光が前記受光素子に集光される固体撮像装
置が提供される。
【０００７】本発明の他の観点によれば、（ａ）半導体
基板内で互いに直行する行方向と列方向の２次元に複数
の受光素子を形成する工程と、（ｂ）前記半導体基板の
上に、前記行方向に延在し、前記列方向の断面が凸レン
ズ形状である複数行の第１の蒲鉾型マイクロレンズを形
成する工程と、（ｃ）前記第１の蒲鉾型マイクロレンズ
の上に、前記列方向に延在し、前記行方向の断面が凸レ
ンズ形状である複数列の第２の蒲鉾型マイクロレンズを
形成する工程とを有し、前記工程（ｂ）及び（ｃ）は、
前記第１と第２の蒲鉾型マイクロレンズが交わる領域の
下に前記受光素子が形成され、前記第１と第２の蒲鉾型
マイクロレンズを通過した光が前記受光素子に集光され
るように前記第１及び第２の蒲鉾型マイクロレンズを形
成する固体撮像装置の製造方法が提供される。
基板内で互いに直行する行方向と列方向の２次元に複数
の受光素子を形成する工程と、（ｂ）前記半導体基板の
上に、前記行方向に延在し、前記列方向の断面が凸レン
ズ形状である複数行の第１の蒲鉾型マイクロレンズを形
成する工程と、（ｃ）前記第１の蒲鉾型マイクロレンズ
の上に、前記列方向に延在し、前記行方向の断面が凸レ
ンズ形状である複数列の第２の蒲鉾型マイクロレンズを
形成する工程とを有し、前記工程（ｂ）及び（ｃ）は、
前記第１と第２の蒲鉾型マイクロレンズが交わる領域の
下に前記受光素子が形成され、前記第１と第２の蒲鉾型
マイクロレンズを通過した光が前記受光素子に集光され
るように前記第１及び第２の蒲鉾型マイクロレンズを形
成する固体撮像装置の製造方法が提供される。
【０００８】第１と第２の蒲鉾型マイクロレンズを直交
させ、両者が交わる領域の下に受光素子を配置したこと
により、レンズの無効領域が最小限となり、効率的に集
光される。
させ、両者が交わる領域の下に受光素子を配置したこと
により、レンズの無効領域が最小限となり、効率的に集
光される。
【０００９】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の実施例による固
体撮像装置の平面図及び側断面図を示す。図１（ａ）
は、平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）の固体撮像
装置を紙面の下方から見た側断面図であり、図１（ｃ）
は図１（ａ）の固体撮像装置を紙面の右方から見た側断
面図である。
体撮像装置の平面図及び側断面図を示す。図１（ａ）
は、平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）の固体撮像
装置を紙面の下方から見た側断面図であり、図１（ｃ）
は図１（ａ）の固体撮像装置を紙面の右方から見た側断
面図である。
【００１０】半導体基板１に受光素子であるフォトダイ
オード２が公知のプロセス技術により形成されている。
複数のフォトダイオード２は、画素に対応しており、互
いに直交する列方向と行方向に沿って所定間隔で配列さ
れている。
オード２が公知のプロセス技術により形成されている。
複数のフォトダイオード２は、画素に対応しており、互
いに直交する列方向と行方向に沿って所定間隔で配列さ
れている。
【００１１】なお、図１では具体的に描いてないが、例
えばＣＣＤカラーイメージセンサである場合には、半導
体基板１にフォトダイオード２の他、フォトダイオード
２から電荷を読み出すためのトランスファーゲートと、
読み出した電荷を転送するための電荷結合素子（ＣＣ
Ｄ）と、不要な光を遮る遮光膜と、カラーフィルタなど
も形成される。
えばＣＣＤカラーイメージセンサである場合には、半導
体基板１にフォトダイオード２の他、フォトダイオード
２から電荷を読み出すためのトランスファーゲートと、
読み出した電荷を転送するための電荷結合素子（ＣＣ
Ｄ）と、不要な光を遮る遮光膜と、カラーフィルタなど
も形成される。
【００１２】半導体基板１の上には、光透過層６が形成
される。光透過層６の上には、列方向（図の垂直方向）
に延在する層中蒲鉾型マイクロレンズ３が形成されてい
る。蒲鉾型マイクロレンズ３は、列方向の断面が矩形で
あり、行方向（図の水平方向）の断面が凸レンズ形状で
ある。
される。光透過層６の上には、列方向（図の垂直方向）
に延在する層中蒲鉾型マイクロレンズ３が形成されてい
る。蒲鉾型マイクロレンズ３は、列方向の断面が矩形で
あり、行方向（図の水平方向）の断面が凸レンズ形状で
ある。
【００１３】さらに、層中蒲鉾型マイクロレンズ３の上
には、光透過層５が形成される。光透過層５の上には、
行方向に延在する表面蒲鉾型マイクロレンズ４が形成さ
れている。蒲鉾型マイクロレンズ４は、列方向の断面が
凸レンズ形状であり、行方向の断面が矩形である。
には、光透過層５が形成される。光透過層５の上には、
行方向に延在する表面蒲鉾型マイクロレンズ４が形成さ
れている。蒲鉾型マイクロレンズ４は、列方向の断面が
凸レンズ形状であり、行方向の断面が矩形である。
【００１４】表面蒲鉾型マイクロレンズ４は、焦点距離
ｆｓを有し、図１（ｃ）の点線で示すように、外部から
の光３１を、各フォトダイオード２の位置で列方向に集
光する。層中蒲鉾型マイクロレンズ３は、焦点距離ｆｉ
を有し、図１（ｂ）の点線で示すように、表面蒲鉾形マ
イクロレンズ４を通過してきた光３１を、各フォトダイ
オード２の位置で行方向に集光する。
ｆｓを有し、図１（ｃ）の点線で示すように、外部から
の光３１を、各フォトダイオード２の位置で列方向に集
光する。層中蒲鉾型マイクロレンズ３は、焦点距離ｆｉ
を有し、図１（ｂ）の点線で示すように、表面蒲鉾形マ
イクロレンズ４を通過してきた光３１を、各フォトダイ
オード２の位置で行方向に集光する。
【００１５】従って、表面蒲鉾形マイクロレンズ４と層
中蒲鉾型マイクロレンズ３とが交差する領域を通過した
光３１はその下のフォトダイオード２上に効果的に集光
される。焦点距離ｆｓ＞焦点距離ｆｉの関係を有する。
フォトダイオード２は、表面蒲鉾型マイクロレンズ４と
層中蒲鉾型マイクロレンズ３が交わる領域の下に形成さ
れる。
中蒲鉾型マイクロレンズ３とが交差する領域を通過した
光３１はその下のフォトダイオード２上に効果的に集光
される。焦点距離ｆｓ＞焦点距離ｆｉの関係を有する。
フォトダイオード２は、表面蒲鉾型マイクロレンズ４と
層中蒲鉾型マイクロレンズ３が交わる領域の下に形成さ
れる。
【００１６】表面蒲鉾型マイクロレンズ４と、層中蒲鉾
型マイクロレンズ３との間には、層中蒲鉾型マイクロレ
ンズ３よりも屈折率の低い樹脂材料あるいはＳｉＯ2な
どの透明無機材料による光透過層５を設けている。層中
蒲鉾型マイクロレンズ３と、基板１との間には、酸化シ
リコン、窒化シリコンなどの透明無機材料による光透過
層６が設けられている。
型マイクロレンズ３との間には、層中蒲鉾型マイクロレ
ンズ３よりも屈折率の低い樹脂材料あるいはＳｉＯ2な
どの透明無機材料による光透過層５を設けている。層中
蒲鉾型マイクロレンズ３と、基板１との間には、酸化シ
リコン、窒化シリコンなどの透明無機材料による光透過
層６が設けられている。
【００１７】次に、図２と図３の工程図を参照して、本
発明の実施例によるマイクロレンズを備えた固体撮像装
置の製造方法を（ａ）から（ｇ）に順に説明する。この
工程図は、基板上のマイクロレンズの部分の拡大断面図
である。なお、マイクロレンズの下に形成されている固
体撮像素子の基板の詳細については省略している。
発明の実施例によるマイクロレンズを備えた固体撮像装
置の製造方法を（ａ）から（ｇ）に順に説明する。この
工程図は、基板上のマイクロレンズの部分の拡大断面図
である。なお、マイクロレンズの下に形成されている固
体撮像素子の基板の詳細については省略している。
【００１８】始めに、図２（ａ）において、フォトダイ
オード２、電荷結合素子（ＣＣＤ）、フォトダイオード
２から電荷を読み出すためのトランスファーゲート、不
要な光を遮る遮光膜などが公知のプロセス技術により半
導体基板１０に形成される。半導体基板１０の上に光透
過性のＰＳＧ（ｐｈｏｓｐｈｏ−ｓｉｌｉｃａｔｅ−ｇ
ｌａｓｓ）膜１１がＣＶＤによる形成される。
オード２、電荷結合素子（ＣＣＤ）、フォトダイオード
２から電荷を読み出すためのトランスファーゲート、不
要な光を遮る遮光膜などが公知のプロセス技術により半
導体基板１０に形成される。半導体基板１０の上に光透
過性のＰＳＧ（ｐｈｏｓｐｈｏ−ｓｉｌｉｃａｔｅ−ｇ
ｌａｓｓ）膜１１がＣＶＤによる形成される。
【００１９】次に、図２（ｂ）に示すように、ＣＭＰ等
によりＰＳＧ膜１１の表面を平坦化する。ＰＳＧ膜１１
の屈折率は約１．５である。
によりＰＳＧ膜１１の表面を平坦化する。ＰＳＧ膜１１
の屈折率は約１．５である。
【００２０】さらに、図２（ｃ）に示すように、平坦化
したＰＳＧ膜１１を介して、フォトダイオード２の上に
ＣＶＤによりＳｉＮ層を形成する。フォトリソグラフィ
及びエッチングにより、ＳｉＮ層を列方向に細長くパタ
ーニングして、所定パターンのＳｉＮ層１２を形成す
る。ＳｉＮ層１２は、後に形成する層中蒲鉾型マイクロ
レンズ３の芯となる。このＳｉＮ層１２の屈折率は約
２．０である。ＳｉＮの代わりにＳｉＯＮでもよい。
したＰＳＧ膜１１を介して、フォトダイオード２の上に
ＣＶＤによりＳｉＮ層を形成する。フォトリソグラフィ
及びエッチングにより、ＳｉＮ層を列方向に細長くパタ
ーニングして、所定パターンのＳｉＮ層１２を形成す
る。ＳｉＮ層１２は、後に形成する層中蒲鉾型マイクロ
レンズ３の芯となる。このＳｉＮ層１２の屈折率は約
２．０である。ＳｉＮの代わりにＳｉＯＮでもよい。
【００２１】次に、図２（ｄ）に示すように、ＳｉＮ層
１２を覆って基板全面上にさらにＳｉＮ層１３をＣＶＤ
により堆積する。ＳｉＮ層１２及び１３は、断面が蒲鉾
形状の層中蒲鉾型マイクロレンズ３（図１）を形成す
る。
１２を覆って基板全面上にさらにＳｉＮ層１３をＣＶＤ
により堆積する。ＳｉＮ層１２及び１３は、断面が蒲鉾
形状の層中蒲鉾型マイクロレンズ３（図１）を形成す
る。
【００２２】次に、図２（ｅ）に示すように、屈折率が
ＳｉＮ層１３よりも小さな約１．５の有機材料の光透過
層１４を形成する。光透過層１４の屈折率をＳｉＮ層１
３の屈折率よりも小さくすることにより、ＳｉＮ層１３
はフォトダイオード２に集光するレンズとして機能す
る。
ＳｉＮ層１３よりも小さな約１．５の有機材料の光透過
層１４を形成する。光透過層１４の屈折率をＳｉＮ層１
３の屈折率よりも小さくすることにより、ＳｉＮ層１３
はフォトダイオード２に集光するレンズとして機能す
る。
【００２３】さらに、その上にレンズ材料層１５を行方
向に細長い複数のパターンに形成する。レンズ材料層１
５は、光透過層１４よりも屈折率が大きく、屈折率が約
１．６の感光性樹脂であり、フォトリソグラフィにより
パターニングすることができる。
向に細長い複数のパターンに形成する。レンズ材料層１
５は、光透過層１４よりも屈折率が大きく、屈折率が約
１．６の感光性樹脂であり、フォトリソグラフィにより
パターニングすることができる。
【００２４】図２（ｅ）を右側から見た断面図を図３
（ｆ）に示す。このレンズ材料層１５は、材料が熱可塑
性（熱軟化性）及び感光性樹脂であり、例えばアクリル
系樹脂のポリグリシジルメタクリレート（ＰＧＭＡ）等
が用いられ、断面が矩形でパターニングされる。パター
ニング後に、レンズ材料層１５を１８０℃で約３０秒間
加熱すると、レンズ材料層１５が溶けて角が丸くなり、
図３（ｇ）で示したような断面が凸レンズ状の表面蒲鉾
型マイクロレンズ４に変形する。この熱可塑性樹脂材料
は、熱硬化性を有し、熱変形のあとで硬化し、冷却した
後は、それ以後加熱しても変形はしない。レンズ材料層
１５は、その上の空気よりも屈折率が高いので、外光を
フォトダイオード２に集光することができる。
（ｆ）に示す。このレンズ材料層１５は、材料が熱可塑
性（熱軟化性）及び感光性樹脂であり、例えばアクリル
系樹脂のポリグリシジルメタクリレート（ＰＧＭＡ）等
が用いられ、断面が矩形でパターニングされる。パター
ニング後に、レンズ材料層１５を１８０℃で約３０秒間
加熱すると、レンズ材料層１５が溶けて角が丸くなり、
図３（ｇ）で示したような断面が凸レンズ状の表面蒲鉾
型マイクロレンズ４に変形する。この熱可塑性樹脂材料
は、熱硬化性を有し、熱変形のあとで硬化し、冷却した
後は、それ以後加熱しても変形はしない。レンズ材料層
１５は、その上の空気よりも屈折率が高いので、外光を
フォトダイオード２に集光することができる。
【００２５】以上の工程を経て図１に示したような蒲鉾
型マイクロレンズ３，４を交差するように組み合わせた
固体撮像装置が完成する。
型マイクロレンズ３，４を交差するように組み合わせた
固体撮像装置が完成する。
【００２６】なお、表面蒲鉾型マイクロレンズ４及び層
中蒲鉾型マイクロレンズ３は、レンズとして機能するた
めの屈折率を有するものであれば、他の材料を使用する
ことができる。例えば、層中蒲鉾型マイクロレンズ３を
樹脂で形成してもよい。
中蒲鉾型マイクロレンズ３は、レンズとして機能するた
めの屈折率を有するものであれば、他の材料を使用する
ことができる。例えば、層中蒲鉾型マイクロレンズ３を
樹脂で形成してもよい。
【００２７】以上実施例に沿って本発明を説明したが、
本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種
々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に
自明であろう。
本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種
々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に
自明であろう。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
互いに直交する第１及び第２の蒲鉾型マイクロレンズが
重なる部分を通過する光が有効に受光素子に集光される
ので、無効領域が最小限に狭められ、レンズの集光効率
を高めることができ画素（受光素子）を高密度化するこ
とができる。
互いに直交する第１及び第２の蒲鉾型マイクロレンズが
重なる部分を通過する光が有効に受光素子に集光される
ので、無効領域が最小限に狭められ、レンズの集光効率
を高めることができ画素（受光素子）を高密度化するこ
とができる。
【図１】本発明の実施例による蒲鉾型マイクロレンズを
備えた固体撮像装置の平面図と側断面図である。
備えた固体撮像装置の平面図と側断面図である。
【図２】本発明の実施例による固体撮像装置の製造方法
の工程を示す断面図である。
の工程を示す断面図である。
【図３】本発明の実施例による固体撮像装置の製造方法
の工程を示す別の方向から見た断面図である。
の工程を示す別の方向から見た断面図である。
【図４】従来の技術による固体撮像装置のマイクロレン
ズアレイの構造を示す平面図と断面図である。
ズアレイの構造を示す平面図と断面図である。
１ 半導体基板 ２ フォトダイオード ３ 層中蒲鉾型マイクロレンズ ４ 表面蒲鉾形マイクロレンズ ５、６ 光透過層 １０ 半導体基板 １１ ＰＳＧ膜 １２、１３ ＳｉＮ層 １４ 有機材料層 １５ レンズ材料層 ２０ 従来のマイクロレンズ ２１ 半導体基板 ２２ フォトダイオード ２３ 無効領域
フロントページの続き Ｆターム(参考） 4M118 AA10 AB01 BA10 CA02 FA06 GB03 GC07 GD04 GD05 GD07 5C024 AA01 CA12 CA31 EA04 FA01 GA01 GA51
Claims (10)
- 【請求項１】 互いに直行する行方向と列方向の２次元
に複数の受光素子を形成した基板と、 前記基板の上に形成され、前記行方向に延在し、前記列
方向の断面が凸レンズ形状である複数行の第１の蒲鉾型
マイクロレンズと、 前記第１の蒲鉾型マイクロレンズの上に形成され、前記
列方向に延在し、前記行方向の断面が凸レンズ形状であ
る複数列の第２の蒲鉾型マイクロレンズとを有し、前記
第１と第２の蒲鉾型マイクロレンズが交わる領域の下に
前記受光素子が形成され、前記第１と第２の蒲鉾型マイ
クロレンズを通過した光が前記受光素子に集光される固
体撮像装置。 - 【請求項２】 前記第１の蒲鉾型マイクロレンズが無機
材料で形成され、前記第２の蒲鉾型マイクロレンズが有
機材料で形成されている請求項１記載の固体撮像装置。 - 【請求項３】 前記第１の蒲鉾型マイクロレンズは前記
第２の蒲鉾型マイクロレンズよりも焦点距離が短い請求
項１又は２記載の固体撮像装置。 - 【請求項４】 さらに、前記第１の蒲鉾型マイクロレン
ズと前記第２の蒲鉾型マイクロレンズとの間に前記第１
の蒲鉾型マイクロレンズよりも屈折率の低い透過層を有
する請求項１〜３のいずれかに記載の固体撮像装置。 - 【請求項５】 前記透過層は、前記第２の蒲鉾型マイク
ロレンズよりも屈折率が低い請求項４記載の固体撮像装
置。 - 【請求項６】 （ａ）半導体基板内で互いに直行する行
方向と列方向の２次元に複数の受光素子を形成する工程
と、 （ｂ）前記半導体基板の上に、前記行方向に延在し、前
記列方向の断面が凸レンズ形状である複数行の第１の蒲
鉾型マイクロレンズを形成する工程と、 （ｃ）前記第１の蒲鉾型マイクロレンズの上に、前記列
方向に延在し、前記行方向の断面が凸レンズ形状である
複数列の第２の蒲鉾型マイクロレンズを形成する工程と
を有し、前記工程（ｂ）及び（ｃ）は、前記第１と第２
の蒲鉾型マイクロレンズが交わる領域の下に前記受光素
子が形成され、前記第１と第２の蒲鉾型マイクロレンズ
を通過した光が前記受光素子に集光されるように前記第
１及び第２の蒲鉾型マイクロレンズを形成する固体撮像
装置の製造方法。 - 【請求項７】 前記第１の蒲鉾型マイクロレンズが無機
材料で形成され、前記第２の蒲鉾型マイクロレンズが有
機材料で形成され、 前記工程（ｃ）は、前記有機材料を加熱することにより
前記凸レンズ形状の第２の蒲鉾型マイクロレンズを形成
する請求項６記載の固体撮像装置の製造方法。 - 【請求項８】 前記第１の蒲鉾型マイクロレンズは前記
第２の蒲鉾型マイクロレンズよりも焦点距離が短い請求
項６又は７記載の固体撮像装置の製造方法。 - 【請求項９】 さらに、（ｄ）前記工程（ｂ）及び
（ｃ）の間に、前記第１の蒲鉾型マイクロレンズと前記
第２の蒲鉾型マイクロレンズとの間に前記第１の蒲鉾型
マイクロレンズよりも屈折率の低い透過層を形成する工
程を有する請求項５〜７のいずれかに記載の固体撮像装
置の製造方法。 - 【請求項１０】 前記透過層は、前記第２の蒲鉾型マイ
クロレンズよりも屈折率が低い請求項９記載の固体撮像
装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11140426A JP2000332227A (ja) | 1999-05-20 | 1999-05-20 | 固体撮像装置とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11140426A JP2000332227A (ja) | 1999-05-20 | 1999-05-20 | 固体撮像装置とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000332227A true JP2000332227A (ja) | 2000-11-30 |
Family
ID=15268426
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11140426A Withdrawn JP2000332227A (ja) | 1999-05-20 | 1999-05-20 | 固体撮像装置とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000332227A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018060129A (ja) * | 2016-10-07 | 2018-04-12 | 大日本印刷株式会社 | 光学素子、撮像モジュール、撮像装置 |
-
1999
- 1999-05-20 JP JP11140426A patent/JP2000332227A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018060129A (ja) * | 2016-10-07 | 2018-04-12 | 大日本印刷株式会社 | 光学素子、撮像モジュール、撮像装置 |
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