JPH03163871A - 固体撮像装置およびその製造方法 - Google Patents

固体撮像装置およびその製造方法

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JPH03163871A
JPH03163871A JP1302030A JP30203089A JPH03163871A JP H03163871 A JPH03163871 A JP H03163871A JP 1302030 A JP1302030 A JP 1302030A JP 30203089 A JP30203089 A JP 30203089A JP H03163871 A JPH03163871 A JP H03163871A
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solid
condensing
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state imaging
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Tadashi Enomoto
匡志 榎本
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) この発明は固体撮像装置およびその製造方法に係わり、
特に固体撮像装置の受光部の構造およびその製造方法に
関する。
(従来の技術) 一般に、固体撮像装置は、固体撮像索了からなる複数の
画素を配列することによって構威される。
1つの固体撮像素子では、入射した光を感光部であるフ
ォトダイオード等で電気的信号に変換し、信号出力を行
なう。
このような固体撮像装置において、これの受光部の・J
法を大きくすることなく、受光感度を高める方法として
は、フォトダイオード(感光部)上方にマイクロ集光レ
ンズを配置し、外光をこの感光部に集光する方法がある
第9図、第10図は、それそれマイクロ集光レンズを利
用した従来の固体撮像装置の受光部の断面図、および平
面図である。沁9図の断面は第10図中のB−B−線に
沿うものである。
第9図において、1は半導体基板であり、これの表面領
域には、フォトダイオード2が形威され、そして配列さ
れている。その表曲は、パシベーンヨン膜3にて被覆さ
れており、このパンシベーション膜3上には、被染色膜
、例えばゼラチンからなるカラーフィルタ4(4,〜4
〕)が設置されている。カラーフィルタの参照符号中、
例えば4.は赤に、42は緑に、4,は青にと、それぞ
れ光の3原色に対応するものである。このカラーフィル
タ4上は、パッシベーション膜5で被覆されており、こ
のパッシベーション膜5上には、上述した受光息度を高
めるためのマイクロ集光レンズ106′が、フォトダイ
オード2に対応して配列されている。
このマイクロ集光レンズ106′の配列状態を第10図
の平面図でみると、マイクロ集光レンズ106″は、フ
ォトダイオード2が列をなす一つの方向(図中ではY方
向)に繋がって形成されている。すなわち、このマイク
ロ集光レンズ106′の形状は、いわゆる“カマボコ”
状である。
このように、マイクロ集光レンズ106゛の形状が従来
では“カマボコ”状であったので、X方向の断面(B−
t3’線に相当)には、レンズに曲率がイj在するが、
X方向と直交するY方向には、レンズに曲率がない。
このため、第11図のレンズ効果図に示すように、例え
ばX方向からしか外光8を集光できないので、集光有効
領域9の面積は狭いものである。
すなわちレンズの集光度が低い。
また、第9図に示すように、従来装置では、マイクロ集
光レンズ106′が装置上を覆っていない領域110(
以降、集光無効領域と称す)の而積が大きいために、こ
の集光無効鎮域110に人射する外光8aによって、フ
レアの発生が多くなっている。
また、集光無効領域110とマイクロ集光レンズ106
′との界面に入射する外光8bにあっては、特にスミア
の発生を招いている。
5 もちろんであるが、この集光無効領域110は集光に寄
ちしないため、装置の受光感度の向上を妨げる一つの要
因となっている。
この集光無効飴域110は、以ドに説明する従来の製造
方法で、その方法上、形成されてしまうものである。
第12園(a)ないし第12図(C)は、従来の固体撮
像装置の、特に受光部の製造方法について、製逍工程順
に示した断面図である。第12図(a)ないし第12図
(C)において、第9図ないし第11図と同一部分には
、同一の参照符号を付し、重複する説明は避ける。
まず、第12図(a)に示すように、カラーフィルタ4
上を被覆するパッシベーション膜5を形成した後、マイ
クロ集光レンズの構成材料となる透明膜106を塗布す
る。
次いで、第12図(b)に示すように、透明膜106上
に、フォトレジスト107を塗布し、写真蝕刻法により
、このフォトレジスト107に、“カマボコ”状の集光
レンズ形成パターンを転写6 する。
次いで、@12図(C)に示すように、フォトレジスト
107を介して、異方性エッチングである、例えばRI
E法により、透明膜106をエッチングする。しかし、
この時、フォトレジスト107、および透明膜106が
共に有機物であるために、サイドエッチングが発生する
結果的に、第9図に示すように、“カマボコ”状のマイ
クロ集光レンズ106′は各々分断され、集光無効領域
110をHした形状になってしまう。
(発明が解決しようとする課題) この発明は上記のような点に鑑みてl)されたもので、
特にマイクロ集光レンズの集光度を高めて、より高い受
光感度を持つ固体撮像装置およびその製逍h゜法を提供
することを目的とする。
[発明の構戊] (課題を解決するための手段) この発明による固体撮像装置によれば、感光部を複数a
する固体撮像索Tを含む半導体基板と、 前記基板上の所定位置に配置された被染色膜による光学
的フィルタと、 前記光学的フィルタ上に形或され、複数の前記感光部に
それぞれ対応する複数の集光レンズとを備える固体撮像
装置において、 複数の前記集光レンズは互いに近接して配置され、集光
レンズ集合体を成し、固体撮像装置における受光部全域
は、実質的に集光レンズ集a体によって覆われ、 かつそれぞれの集光レンズは、前記固体撮像素子の対応
する感光部に対して入射する全入射光を集光する曲率を
有することを特徴とする。
また、その製造方法は、 半導体基板内に、複数の感光部を有する固体撮像素子を
形成する工程と、 前記固体撮像素子が形或された半導体基板上に、第1の
保誂膜を形成する工程と、 前記第1の保護膜上に、被染色膜による光学的フィルタ
・パターンを形成する]二程と、前記光学的フィルタ・
パターン上に、第2の保護膜を形成する工程と、 前記第2の保護膜上に、フォトレジストを塗布する工程
と、 前記フォトレジストを複数の集光レンズ・セグメントに
それぞれパターニングする工程と、各集光レンズ・セグ
メントに光を照射し、各集光レンズ・セグメントを透明
化する工程と、透明化された各集光レンズ・セグメント
を加熱し、各集光レンズ・セグメントを、それぞれ集光
レンズに熱嚢形させ、集光レンズ集合体を形成する工程
と、 を具備することを特徴とする。
(作用) 上記のような固体撮像装置にあっては、固体撮像装置の
受光部のほぼ全域が、複数の集光レンズを互いに近接さ
せることで形成した集光レンズ集合体で実質的に覆われ
ているから、集光無効領域が極力少なくなる。
さらに集光レンズ集合体を構成する個々の集光レンズに
あっては、固体撮像素子の感光部に対し9 て入射する全入射光集光する曲率を有するから、集光レ
ンズの集光度が高いうえ、集光有効領域も広くなるから
、フレアおよびスメアの原因になる光の無効領域への入
射が少なくなる。
また、その製造方法、特に受光部の形成方法にあっては
、まず、フォトレジストを各集光レンズ・セグメントに
分割パターニング、次いで分割された各集光レンズ・セ
グメントに光を当てて透明化、次いで透明化された各集
光レンズ・セグメントを各集光レンズ形状に熱変形させ
て果光レンズ集合体を得るから、異方性エッチングによ
って集光レンズを形成する必要がない。
よって、その形成に際し、集光レンズが7J:在しない
領域の面積を縮小して集光レンズを固体撮像素子の感光
部上に形成でき、ひいては固体撮像装置の受光部ほぼ全
域が、実質的に集光レンズ集合体にて覆われるように形
或できる。
(実施例) 以F1図面を参照して、この発明の実施例について説明
する。
1 0 第1図は、この発明の第1の実施例に係わる因体撮像装
置の、特に受光部の一部を拡大して示した断面園、第2
図は、その平面図である。第1図の断面は、第2図中A
−A−線に沿っている。
第1図および第2図において、従来の第9図および第1
0図と同一部分については同一の参照符号を付し、重複
する説明は避ける。
第1図に示すように、この発明の特徴は、各マイクロ集
光レンズ6゛゜を、固体撮像累子の感光部としてフォト
ダオード2に対応して配置し、しかもこれらを互いに近
接させて配置している点にある。
この各マイクロ集光レンズ6“の配置状態を第2図の平
面図でみると、それぞれのマイクロ集光レンズ6−は、
フォトダイオード2の一つ一つにそれぞれ対応し、これ
の上方に配置されている。
しかも、各マイクロ集光レンズ6゛は、それ単体でレン
ズとなっており、各々のマイクロ集光レンズ6”゜は、
球面、あるいはほぼ球面状の曲面をHする。
11 つまり、上記マイクロ集光レンズ6゜゛のそれぞれは、
フォトダイオード2の一つに女・1し入射する全入射光
を集光する曲率を有している。
この結果、第3図のレンズ効果図に示すように、マイク
ロ集光レンズ6゛゜に入剥する外光8は、X方向からだ
けでなく、それと直交するY方向からもフォトダイオー
ド2の、特に感光部に集光されるようになる。つまり、
全方角から外光8を集光できるので、集光有効領域9の
曲積は拡がる。
よってマイクロ集光レンズ6゛′の集光度は^まり、こ
のようなマイクロ集光レンズ6−を備える圃体撮像装置
は、受光感度が向上する。
また、上記第1図に示したように、第1の実施例では、
各マイクロ集光レンズ6゜゜が互いに近接して配置され
るので、マイクロ集光レンズが、固体撮像装置の受光部
上に存(1:.Lない領域の面積は縮小される。例えば
従来装置の上記領域の幅は大体2μm(第9図および第
10図中に110として図示)であったが、本発明に係
わる装置では人体0,5μm(第1図、第2図中に10
として図1 2 示)程度、あるいはそれ以下である。
マクロ的にみれば、固体撮像装置の受光部の全域が、マ
イクロ集光レンズ6゛゜による集光レンズ集合体で、実
質的に覆われていることになる。
そして、集光無効領域は、ほとんど無視できる程度に縮
小され、しかもこの縮小分は、上述したマイクロ集光レ
ンズ6′゛によって、ほとんど全て集光有効飴域に切り
替えることができる。
この結果、集光無効領域に入射する外光はほとんどなく
なり、フレアの発生や、また、スメアの発生も低減され
、固体撮像装置の1=頼性の向上も併せて達成される。
次に、第4図ないし第6図を参照して、従来装置が備え
るマイクロ集光レンズと、本発明装置が備えるマイクロ
集光レンズとの集光度を比較する。
なお、この比較例は、セルピッチが約9.5μmx9,
5lzmの場合を示す。
第4図には、従来装置が備えるマイクロ集光レンズのフ
ォトダイオード2に対する集光有効領域9が図示されて
いる。
1 3 第4図に示すように、従来における集光角゜効領域9の
縦、横の幅は、それぞれya,xaとなっている。
第5図には、本発明装置が備えるマイクロ集光レンズの
フォトダイオード2に対する集光有効順域9が図示され
ている。
第5図に示すように、本発明における集光有効領域9の
縦、横の幅は、それぞれyb,xbとなっている。
第6図(a)のグラフは、横軸に有効集光領域9のX方
尚の長さを、縦軸に従来をにおける集光度を1.0とし
た集光比をプロッl− L,ている。
第6図(a)のグラフから明確なように、本発明におけ
る幅xbは、従来における幅xaよりも長く、従来との
集光比も171.23となっている。
また、第6図(b)のグラフは、横軸にH効集光領域9
のY方向の長さを、縦軸に従来をにおける集光度を1.
0とした集光比をプロットしている。
そして、第6図(b)のグラフから明確なよう14 に、本発明における幅ybは、従来における幅yaより
も長く、従来との集光比も約1,23となっている。
結果として、本発明装置か備えるマイク0集光レンズは
、従来装置が備えるマイクロ集光レンズよりも集光度か
、 1.23  X1.23  ま 1.51と、約1.5
倍に向上する。
したがって、同体撮像装置の受光感度は、果光度が向上
する分高まる。
次に、第1の実施例に係わる固体撮像装置の製造方法、
特に装置受光部に着目した製遣方法について、第7図(
a)ないし第7図(d> Sを参照して説明する。第7
図(a’)ないしli7図(d)において、従来の第1
2図と同一部分については同一の参照初号を付す。
まず、第7図(a)に示すように、まず、従来と同様な
製造方法により、半導体鮎板1の表山領域にフォトダイ
オード2を形成し、これをパツシベーション膜3で覆う
。次いて、例えばゼラチン15 等の被染色膜にて構成されたカラーフィルタ4(41〜
43)を形成する。次いで、カラーフィルタ4上を、パ
ッシベーション膜5で覆う。
次いで、第7図(b)に示すように、全面にフォトレジ
スト6を、例えば2.0μmの厚みに塗布する。
ここで、本発明では、このフォトレジス1. 6に、例
えばノボラック系のフェノール樹脂を用いる。
実施例では、一例として富士ハント製11PI?II8
2(ポジ型)用いる。
次いで、写真蝕刻法により、フォトレジスト6を、所定
のマイクロ集光レンズパターンにパタニングする。以後
、パターニングされた個々のフォトレジスト6小片を、
マイクロ集光レンズ・セグメント6と呼ぶ。
次いで、第7図(C)に示すように、マイクロ集光レン
ズ・セグメント6に、光、例えば紫外線7を当て、上記
セグメント6、各々を透明化する。
実施例では、フォトレジストを透明にする工程の条件と
し、上記セグメント6に対し、波長16 約365〜405nmの、いわゆる紫外線7を、約30
秒間PLAにて照射し、透明化する。
そして、第7図(d)に、透明化された上記セグメント
を6−の参照符号を付して示す。
次いで、第1図に示すように、透明化された上記セグメ
ント6′を、例えば温度140℃程度で約10分間加熱
し、各セグメント6−を、各々所望のマイクロ集光レン
ズ6゜゛の形状に熱嚢形させる。
以上の工程をもって、一失施例に関わる固体撮像装置が
製造、特にその受光部が形成される。
このような製造方法によれば、異方性エッチングを格別
行なうことなく、マイクロ集光レンズ6゜゜を形成でき
るので、捉来のように、受光部上に上記レンズ6゜゛が
存在しない領域の曲積が増加することはない。
したがって、上述した第1の実施例装置のように、固体
撮像装置の受光部の全域が、ほぼマイクロ集光レンズ6
゜゜て覆われた形、すなわち集光レンズ集合体の形状に
製逍することができる。
17 そして、受光部上に、上記レンズ6−が存在しない領域
の輻は、」二連したように約0.5μm程度、あるいは
それ以下まで縮小させることができる。
従来でも、上記領域の面積縮小を図るため、エッチング
の異方性を上げる等の処置が施されている。
しかし、異方性を上げると、第12図(a)に示す透明
膜106の表面が荒れる等の問題を生ずる。さらに、工
程も長くなるため、歩留り低下の原因にもなる。
ところで、上記カラーフィルタ4は、例えばゼラチンの
ような被染色膜で構威されている。被染色膜は、高い熱
が加わると変色を起こす。つまり、耐熱性に乏しいもの
である。
例えば被染色膜の構成利料として、ゼラチンが用いられ
ている場合には、温度180℃、1時間程度の加熱で、
変色等の状態変化が発坐し、もはやカラーフィルタとし
ての信頼性を喪失してしまう。
1 8 さらに、この変色は、温度200℃、1侍間程度の加熱
になると、いっそう激しくなる。
つまり、カラーフィルタ4のような、被染色膜を白゛す
る固体撮像装置を製造するには、その製逍工程において
、熱工程を厳しく管理する必要がある。
従来にも、フォトレジストを透明化し、これによって集
光レンズを形或するという提案はあった。
しかし、従来提案では、フォトレジストの透明化をする
のに、180℃、3時間という高温、長時間の熱工程を
必要とする。
これでは、工程中の熱衝撃が大き過ぎ、カラフィルタ4
のような被染色騰を有する固体撮像装置には、適用する
ことが難しい。
その点、本允明では、第7図(C)および(d)に示し
たように、紫外線7でフォトレジストで構成されるセグ
メント6を透明化させるので、高い熱は必要でない。
しかも、紫外線7の照射時間も約30秒程度と短時間で
済む。
1つ そして、次の熱変形工程でも、約140℃で10分程度
の熱工程であり、カラーフィルタ4には、変色等の影響
をほとんど与えない。
以上のように、本発明に係わる装置の製逍方法では、カ
ラーフィルタ4のような、被染色膜を6−する固体撮像
装置でも、カラーフィルタ4の変色等を招くことなく、
容易に製造できるものである。
ところで、フォトレジストの解像性の点については、上
記解像性がサブミクロンのオーダーであり、実質セルサ
イズ5μmないし10μm程度のフォトダイオードに対
しては、非常に微小なロス分であり、ほとんど影響はな
い。
次に、ゼラチンのような被染色膜を用いた固体撮像装置
の他の例を、本発明の第2の実施例として第8図にその
断面を示す。第8図において、第1図と同一部分につい
ては同一の参照符号を付し、重複する説明は避ける。
第8図に示すように、第2の実施例は、白黒固体撮像装
置であり、フレアおよびスミアの低減のため、マイクロ
集光レンズ6゛゜と、半導体基板〕20 との間に黒遮蔽膜11を形成したものである。
このような、黒遮蔽膜11を有する固体撮像装置にも、
各マイクロ集光レンズ6゜゜が、互いに近接して配置さ
れること、各マイクロ集光レンズ6゜゜が、それぞれー
っのフォトダイオードに対して全方角から集光できる等
の条件を満たすことで、受光感度の向上の効果を褥られ
る。
しかも、その製造方法にあっては、例えばゼラチンのよ
うな被染色膜にて構成される黒遮蔽膜11を傷めるよう
なことはない。
次に、紫外線照射によって透明化するフォトレジストに
ついて述べる。
上記第1の実施例では、フォトレジストに、ノボラック
系フェノール樹脂によるものを用いた。
この他に紫外線照対で透明化するフォトレジストの材質
には以下のような種類がある。
●カルボキシル基含有スチレン系共重合体・カルボキシ
ル基含有アクリル系共重合体◆カルボキシル基含有メタ
クリル系共重合体例えば以上の3種類を材質とするフォ
トレジス21 トを、マイクロ集光レンズの構成材料として、本発明に
係わる固体撮像装置に使用して構わない。
なお、上記カルボキシル基としては、 ●無水マレイン酸 ・マレイン酸ハーフエステル ●マレイン酸エステル ●アクリル酸 ・メタクリル酸 等がある。
また、スチレン系としては、 ●スチレン ◆α−メチルスチレン ●ビニルトルエン ●クロロスチレン ●ビニルナフタレン 等がある。
また、アクリル系またはメタクリル系としては、・アク
リル酸メチル ●メタクリル酸メチル ・メタクリル酸フェニル 22 ・ブトキシアクリレート ・2−ヒドロキシエチルアクリレート 笠がある。
そして、集光レンズ構成材料に、これらの組み合わせに
より得られた樹脂によるフォトレジストを用いることに
より、上記レンズ材料として最適なものを選ぶことがで
きる。
また、3元」(重合体としては、 ・グリシジルメタクリレート ●グリシジルビニルエーテル 等を用いることもできる。
さらに、集光レンズ構成材料となる上記フォトレジスト
に熱硬化剤を添加すれば、集光レンズとして形成された
後、レンズの形状変化を低減させることも可能である。
特に図示はしないが、カルボキシル基at−iスチレン
共重合体であるスチレンと無水マレイン酸によるフォト
レジストを用いた場合には、マイクロ集光レンズの性能
、並びに信頼性が高まる。
例として、フォトレジストを透明化した後、熱23 耐久試験を行なった結果、上記カルボキシル基含有スチ
レン共重合体フォトレジストでは、温度200℃にて3
時間の加熱を行なっても、特に透明性に関する劣化がみ
られなかった。
さらに、温度150℃では500時間以上加熱しても上
記劣化が認められなかった。
本発明に係わる固体撮像装置の集光レンズの利料として
は、このような耐久性に富んだフォトレジストを用いる
ことが、装置自体の信頼性の面からも望ましい。
また、上記フォl・レジストに、例えば熱硬化剤を添加
し、レンズの形状変化を抑制することも、望ましいこと
である。
なお、本発明は、第1の実施例のようにカラフィルタを
有するカラー固体撮像装置、第2の実施例ように白黒固
体撮像装置であるが黒遮蔽膜を有するもの、といったよ
うに被染色膜を持つ固体撮像装置に適用されることが効
果的である。
しかし、何もそのような被染色膜を持つ固体撮像装置で
なくとも、受光感度が高められること、24 あるいはその製造工程において熱衝撃が少ないこと、と
いった利点があることから、被染色膜を持たない固体撮
像装置に、適用してももちろん構わない。
[発明の効果コ 以上説明したように、この発明によれば、特に高い集光
度を持つマイクロ集光レンズを備え、より高い受光感度
を持った固体撮像装置と、その製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の第1の実施例に係わる固体撮像装置の
断向図、第2図はその・1′曲図、第3図は第1の実施
例装置のレンズ効果図、第4図は従来の固体撮像装置に
おけるルンズ集光有効領域を示す図、第5園は本発明に
係わる固体撮像装置におけるレンズ集光n゛効領域を示
す図、第6図(a)はX方向の集光h゛効領域の幅と従
来を1とした時の集光比との関係、第6図(b)はY/
7向の集光有効領域の幅と従来を1とした時の集光比と
の関係、第7図(a)ないし第7図(d)は第1の実2
5 施例に係わる固体撮像装置を製造工程順に示した断面図
、第8図は第2の実施例に係わる固体撮像装置の断面図
、第9図は従来装置の断面図、第10図はその平面図、
第11図は従来装置のレンズ効果図、第12図C,1)
ないし第12図(C)は従来装置の製造方法を製造工程
順に示した断面図である。 1・・・半導体基板、2・・・フォトダイオード、4(
4、〜4,)・・・カラーフィルタ、6・・・マイクロ
集光レンズ・セグメント(フォトレジスト)、7・・・
紫外線、9・・・集光有効領域、10・・・集光無効領
域、11・・・黒遮蔽膜。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)感光部を複数有する固体撮像素子を含む半導体基
    板と、 前記基板上の所定位置に配置された被染色膜による光学
    的フィルタと、 前記光学的フィルタ上に形成され、複数の前記感光部に
    それぞれ対応する複数の集光レンズとを備える固体撮像
    装置において、 複数の前記集光レンズは互いに近接して配置され、集光
    レンズ集合体を成し、固体撮像装置における受光部ほぼ
    全域は、実質的に集光レンズ集合体によって覆われ、 かつそれぞれの集光レンズは、前記固体撮像素子の対応
    する感光部に対して入射する全入射光を集光する曲率を
    有することを特徴とする固体撮像装置。
  2. (2)固体撮像装置の製造方法であって、 半導体基板内に、複数の感光部を有する固体撮像素子を
    形成する工程と、 前記固体撮像素子が形成された半導体基板上に、第1の
    保護膜を形成する工程と、 前記第1の保護膜上に、被染色膜による光学的フィルタ
    ・パターンを形成する工程と、 前記光学的フィルタ・パターン上に、第2の保護膜を形
    成する工程と、 前記第2の保護膜上に、フォトレジストを 塗布する工程と、 前記フォトレジストを複数の集光レンズ・セグメントに
    それぞれパターニングする工程と、各集光レンズ・セグ
    メントに光を照射し、各集光レンズ・セグメントを透明
    化する工程と、透明化された各集光レンズ・セグメント
    を加熱し、各集光レンズ・セグメントを、それぞれ集光
    レンズに熱変形させ、集光レンズ集合体を形成する工程
    と、 を具備することを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
JP1302030A 1989-11-22 1989-11-22 固体撮像装置およびその製造方法 Pending JPH03163871A (ja)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US5422285A (en) * 1992-05-27 1995-06-06 Sharp Kabushiki Kaisha Method of producing solid-state imaging device
KR100467978B1 (ko) * 2001-08-20 2005-01-24 (주)시아이센서 3차원 시뮬레이션을 이용한 이미지 센서의 최적화 제조방법

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