JP2014056014A - 撮像素子および撮像装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】撮像面位相差方式による焦点検出性能と撮像性能とを両立させる。
【解決手段】撮像素子107は、二次元マトリックス状に配置された複数の画素と、画素の各々に対して配置され光学像に応じた光を画素に入射するマイクロレンズ305とを有し、画素の各々は所定の第1方向に沿って第1分割数で分割され、第1方向に直交する第2方向に沿って第2分割数で分割された複数の光電変換部301,302を備えている。そして、マイクロレンズは第2方向における第2曲率が第1方向における第1曲率よりも大きい。
【選択図】図3
【解決手段】撮像素子107は、二次元マトリックス状に配置された複数の画素と、画素の各々に対して配置され光学像に応じた光を画素に入射するマイクロレンズ305とを有し、画素の各々は所定の第1方向に沿って第1分割数で分割され、第1方向に直交する第2方向に沿って第2分割数で分割された複数の光電変換部301,302を備えている。そして、マイクロレンズは第2方向における第2曲率が第1方向における第1曲率よりも大きい。
【選択図】図3
Description
本発明は、イメージセンサなどの撮像素子およびこの撮像素子を用いた撮像装置に関する。
一般に、デジタルカメラなどの撮像装置において、撮影レンズの焦点状態を検出する手法の一つとして、画素の各々にマイクロレンズを配置した2次元撮像素子を用いる瞳分割位相差方式(撮像面位相差方式)が知られている。
例えば、1つの画素について1つのマイクロレンズを配置するとともに複数の光電変換部を形成した2次元撮像素子を用いて撮像面位相差方式によって、撮影レンズの焦点状態を検出するようにしたものがある(特許文献1参照)。ここでは、複数の光電変換部は1つのマイクロレンズを介して撮影レンズの射出瞳の異なる領域で受光を行う。そして、複数の光電変換部の出力信号に応じて像ずれ量を求め、撮像面位相差方式による焦点検出が行われる。
さらに、特許文献1では、複数の光電変換部の出力信号を加算して撮像信号(画像信号)を得る。また、特許文献1には画素の各々において左側および右側の光電変換部で得られた視差信号をそれぞれ右眼用および左眼用に別々に表示部に表示して立体画像とすることが記載されている。
一方、二次元撮像素子が複数の撮像画素と部分的に配置された1対の焦点検出用画素と備えて、1対の焦点検出用画素が開口部を有する遮光層により撮影レンズの射出瞳の異なる領域で受光するようにしたものがある(特許文献2参照)。特許文献2においては、撮像画素によって撮像信号を出力し、焦点検出用画素の出力信号(焦点検出用信号)に応じて像ずれ量を求め、焦点検出を行うようにしている。
上述のように、特許文献1又は特許文献2に記載の撮像素子においては、撮像面位相差方式による焦点検出を行うための焦点検出用信号と撮像画像を生成するための撮像信号とを、1つの撮像素子で取得するようにしている。
ところが、上述のように撮像面位相差方式によって撮影レンズの焦点状態を精度よく検出しようとすると、つまり、焦点検出性能を向上させようとすると、不可避的に画像を得るための撮像性能が低下してしまうというか課題がある。
つまり、撮像面位相差方式による焦点検出性能を良好とするマイクロレンズの曲率と撮像性能を良好とするマイクロレンズの曲率とが必ずしも一致せず、焦点検出性能および撮像性能を両立させることが難しいという課題がある。
従って、本発明の目的は、焦点検出性能および撮像性能を両立させることのできる撮像素子および撮像装置を提供することにある。
上記の目的を達成するため、本発明による撮像素子は、光学像が結像され、当該光学像に応じた画像信号を出力する撮像素子であって、二次元マトリックス状に配置された複数の画素と、前記画素の各々に対して配置され、前記光学像に応じた光を前記画素に入射するマイクロレンズとを有し、前記画素の各々には、所定の第1方向に沿って第1分割数で分割され、前記第1方向に直交する第2方向に沿って第2分割数で分割された複数の光電変換部が備えられており、前記マイクロレンズは、前記第2方向における第2曲率が前記第1方向における第1曲率よりも大きいことを特徴とする。
本発明による撮像装置は、上記の撮像素子と、前記撮像素子に前記光学像を結像するレンズ部と、前記撮像素子の出力である画像信号を画像処理して画像データとする画像処理手段とを有することを特徴とする。
本発明によれば、撮像面位相差方式による焦点検出性能と撮像性能とを両立させることができる。
以下、本発明の実施の形態による撮像素子および撮像装置について図面を参照して説明する。
図1は、本発明の実施の形態による撮像素子を備える撮像装置の一例についてその構成を示すブロック図である。
図示の撮像装置は、例えば、デジタルカメラ(以下単にカメラと呼ぶ)であり、カメラは結像光学系の先端に配置された第1レンズ群101を備えている。そして、この第1レンズ群101は光軸方向に進退可能である。第1レンズ群の後段には絞り兼用シャッタ102が配置され、絞り兼用シャッタ102はその開口径を調節することによって撮影の際の光量調節を行い、さらには静止画撮影の際には露光秒時調節用シャッタとして用いられる。
絞り兼用シャッタ102の後側には第2レンズ群103が配置されている。そして絞り兼用シャッタ102および第2レンズ群103は一体となって光軸方向に進退し、第1レンズ群101の進退動作と連動して変倍作用(ズーム機能)を行う。
第3レンズ群105は光軸方向に沿って進退可能であり、この進退によって、第3レンズ群105は焦点調節を行う。第3レンズ群105の後側には光学的ローパスフィルタ106が配置され、この光学的ローパスフィルタ106は撮影画像における偽色およびモアレを軽減するための光学素子である。そして、光学的ローパスフィルタ106の後段において、2次元CMOSフォトセンサーおよびその周辺回路からなる撮像素子107が結像光学系の結像面に配置されている。撮像素子107には光学像が結像し、撮像素子107は光学像に応じた画像信号を出力する。
カム筒(図示せず)を回動すると、ズームアクチュエータ111は第1レンズ群101および第2レンズ群103を光軸方向に進退駆動して変倍動作を行う。絞りシャッタアクチュエータ112は絞り兼用シャッタ102の開口径を制御して撮影光量を調節するとともに、静止画撮影の際の露光時間制御を行う。フォーカスアクチュエータ114は第3レンズ群105を光軸方向に進退駆動して焦点調節を行う。
照明用電子フラッシュ115は撮影の際に必要に応じて被写体を照明する。証明用電子フラッシュ115として、キセノン管を用いた閃光照明装置を用いることが好ましいが、連続発光可能なLEDを備える照明装置を用いるようにしてもよい。AF補助光部116は所定の開口パターンを有したマスクの像を投光レンズを介して被写界に投影する。これによって、暗い被写体又は低コントラスト被写体に対する焦点検出能力を向上させる。
CPU121はカメラ全体の制御を司り、図示はしないが、演算部、ROM、RAM、A/Dコンバータ、D/Aコンバータ、および通信インターフェイス回路などを備えている。そして、CPU121はROMに記憶された所定のプログラムに基づいてカメラを制御して、例えば、AF、撮影、画像処理、および記録などの一連の動作をカメラに実行させる。
電子フラッシュ制御回路122は、CPU121の制御下で撮影動作に同期して照明用電子フラッシュ115を点灯制御する。補助光駆動回路123はCPU121の制御下で焦点検出動作に同期してAF補助光部116を点灯制御する。撮像素子駆動回路124はCPU121の制御下で、撮像素子107による撮像動作を制御するとともに、撮像素子107から取得した画像信号をA/D変換してCPU121に送る。画像処理回路125はCPU121の制御下で、撮像素子107から取得した画像信号についてγ変換、カラー補間、およびJPEG圧縮などの画像処理を行う。
フォーカス駆動回路126はCPU121の制御下で、後述の焦点検出結果に基づいてフォーカスアクチュエータ114を駆動制御して、第3レンズ群105を光軸方向に進退駆動して焦点調節を行う。絞りシャッタ駆動回路128はCPU121の制御下で、絞りシャッタアクチュエータ112を駆動制御して絞り兼用シャッタ102の開口を制御する。ズーム駆動回路129はCPU121の制御下で、撮影者のズーム操作に応じてズームアクチュエータ111を駆動する。
表示器131は、例えば、LCDであり、CPU121は表示器131にカメラの撮影モードに関する情報、撮影前のプレビュー画像、撮影後の確認用画像、および焦点検出の際の合焦状態表示画像などを表示する。操作スイッチ群132には、電源スイッチ、レリーズ(撮影トリガ)スイッチ、ズーム操作スイッチ、および撮影モード選択スイッチが備えられ、撮影者は操作スイッチ群132の操作によってCPU121に各種指示を与える。フラッシュメモリ133はカメラに対して着脱可能であり、CPU121はフラッシュメモリ133に撮影済みの画像(画像データ)を記録する。
図2は、図1に示す撮像素子107における画素配列の一例を説明するための図である。
図2に示す撮像素子107は二次元マトリックス状に配列された複数の画素を有している。ここでは、2次元CMOSセンサー(撮像素子)において、その画素配列が4行×4列の範囲で示され、副画素配列が8行×4列の範囲で示されている。図2に示す4行×4列の画素群は撮像素子面上に多数配置されており、撮像素子107は光学像に応じた画像信号を出力する。なお、上述のように、図示の例では、画素の各々は2つの副画素で構成されることになる。
ここでは、撮像素子107は、例えば、画素周期が4μm、有効画素数が横5575列×縦3725行=約2000万画素、撮像画面サイズが横22.3mm×縦14.9mmの撮像素子である。
図2において、2行×2列の画素群200は、その左上の位置にR(赤)の分光感度を有する画素200Rが配置され、G(緑)の分光感度を有する画素200Gが右上と左下に配置されている。また、B(青)の分光感度を有する画素200Bが右下に配置されている。さらに、画素の各々には、第1方向(y方向)における第1分割数をN1、第2方向(x方向)における第2分割数をN2として、N1×N2(1×2)の副画素201および副画素202が2次元配列されている。
図3は、図2に示す1つの画素200Gについて説明するための図である。そして、図3(a)は1つの画素200Gを撮像素子の受光面側(+z側)からみた平面図であり、図3(b)は図3(a)のa−a線に沿った断面を−y側からみた図である。また、図3(c)は図3(a)のb−b線に沿った断面を+x側からみた図であり、図3(d)は1つの画素200Gに備えられたマイクロレンズを撮像素子の受光面側(+z側)からみた等高線図である。
図3(a)〜図3(c)において、画素200Gは、第1方向(y方向)に第1分割数(ここではN1=1)で分割され(N1=1は分割なし)、第1の方向と直交する第2方向(x方向)に第2分割数(ここではN2=2)に分割されて、N1×N2(1×2)の光電変換部301および光電変換部302が形成されている。なお、光電変換部301および光電変換部302はそれぞれ図2に示す副画素201および副画素202に対応する。また、ここでは、他の画素についても同様にして分割されている。
さらに、図3(b)〜図3(d)に示すように、画素200Gには入射光を集光するためのマイクロレンズ305が配置されている。マイクロレンズ305は、光電変換部に関する第2分割数(N2=2)が多い第2方向(x方向)における第2曲率が光電変換部に関する第1分割数(N1=1)が少ない第1方向(y方向)における第1曲率よりも大きい。なお、ここでは、他の画素につてもマイクロレンズが配置され、第2曲率は第1曲率よりも大きい。
図示の撮像素子107においては、各画素はマイクロレンズを有するとともに、第1方向に第1分割数N1に分割されかつ第2方向に第2分割数N2に分割されたN1×N2の光電変換部を有する。第2分割数N2は第1分割数N1以上(第1分割数以上)であって、マイクロレンズは第2方向における第2曲率が第1方向の第1曲率よりも大きい。
図示の例では、光電変換部301および光電変換部302として、p型層とn型層との間にイントリンシック層を挟んだpin構造フォトダイオードを用いるようにしてもよく、必要に応じて、イントリンシック層を省略してpn接合フォトダイオードを用いるようにしてもよい。
各画素において、マイクロレンズ305と光電変換部301および光電変換部302との間には、カラーフィルター(図示せず)が配置されている。また、必要に応じて、副画素毎にカラーフィルターの分光透過率を変えるようにしてもよく、さらにはカラーフィルターを省略するようにしてもよい。
図3に示す画素200Gに入射した光は、マイクロレンズ305によって集光され、カラーフィルターで分光された後、光電変換部301および光電変換部302で受光される。
図4は、図3に示す画素の構造と瞳分割との対応を説明するための図である。
図4では、図3(a)に示す画素のa−a断面を+y側から際の結像光学系における射出瞳面が示されており、射出瞳面の座標軸と対応を取るため、図3(a)におけるx軸およびy軸が反転させている。
撮像素子107は、撮影レンズ(つまり、結像光学系)の結像面近傍に配置されており、被写体からの光束は結像光学系の射出瞳400を通過して各画素に入射する。マイクロレンズによって、瞳部分領域501および瞳部分領域502はN1×N2分割(1×2分割)された光電変換部301および光電変換部302(つまり、副画素201および202)の受光面と概ね共役関係になっており、光電変換部(副画素)毎に受光可能な瞳部分領域を表している。
また、瞳領域500は、N1×N2分割(1×2分割)された電変換部301および光電変換部302を合わせた際の画素200G全体における受光可能な瞳領域である。
一般に、瞳距離が数10mmであるのに対して、マイクロレンズ305の直径は数μmであるので、マイクロレンズ305の絞り値が数万となって、数10mmレベルの回折ボケが生じる。このため、光電変換部301および302の受光面における像は、明瞭な瞳領域や瞳部分領域とはならず、瞳強度分布(受光率の入射角分布)となる。
図4において、副画素201(第1焦点検出用画素)の瞳部分領域501は、マイクロレンズ305によって、重心が−x方向に偏心している光電変換部301の受光面と概ね共役関係になっており、副画素201で受光可能な瞳領域を表している。副画素201の瞳部分領域501は瞳面上で+X側に重心が偏心している。
図4において、副画素202(第2焦点検出用画素)の瞳部分領域502は、マイクロレンズ305によって、重心が+x方向に偏心している光電変換部302の受光面と概ね共役関係になっており、副画素202で受光可能な瞳領域を表している。副画素202の瞳部分領域502は、瞳面上で−X側に重心が偏心している。
ここで、撮像素子107に配列された画素200G(200R、200B)を構成する副画素201から取得される信号をA像とする。同様に、撮像素子107に配列された画素200G(200R、200B)を構成する副画素202から取得される信号をB像とする。A像およびB像の像ずれ量(相対位置)を算出して、デフォーカス量(合焦ずれ量)に換算すれば撮像面位相差方式による焦点検出を行うことができる。
一方、副画素201および副画素202を合わせた画素200G(撮像画素)の瞳領域500は、結像光学系の射出瞳400を通過した光束をより多く受光できるように可能な限り大きくされている。また、瞳領域500の重心が所定の瞳距離で結像光学系の光軸と概ね一致するようにされている。
撮像素子107に配列された画素200G(200R、200B)毎に、副画素201から得られる画素信号と副画素202から得られる画素信号とを加算すると、有効画素数の解像度における撮像画像を生成することができる。
図5は、図3に示す1つの画素200G内部におけるマイクロレンズ305による集光を説明するための図である。そして、図5(a)は図3(b)に示す断面におけるマイクロレンズ305の集光状態を示す図であり、図5(b)は図3(c)に示す断面におけるマイクロレンズ305の集光状態を示す図である。また、図5(c)は光電変換部の受光面におけるマイクロレンズ305の集光スポット形状を示す図である。
前述のように、第2分割数(N2=2)が多い第2方向(x方向)では、マイクロレンズ305の曲率が大きいので(第2の曲率>第1の曲率)、図5(a)に示すように、マイクロレンズ305の焦点位置は光電変換部の受光面より前ピン側(受光側、つまり、前側)となる。に構成される。一方、第1分割数(N1=1)が少ない第1方向(y方向)では、マイクロレンズ305の曲率が小さいので、図5(b)に示すように、マイクロレンズ305の焦点位置は光電変換部の受光面近傍となる。
従って、図5(c)に示すように、光電変換部の受光面におけるマイクロレンズ305の集光スポット形状は第2分割数(N2=2)が多い第2方向(x方向)に長く、第1分割数(N1=1)が少ない第1方向(y方向)に短くなる。
ここでは、上述の撮像素子107における瞳ずれについて説明する。
図6は、図2に示す撮像素子の周辺像高における副画素201の瞳部分領域501、副画素202の瞳部分領域502、および結像光学系の射出瞳の関係を説明するための図である。そして、図6(a)は結像光学系の射出瞳距離Dlと撮像素子の設定瞳距離Dsとが同一の場合についてその関係を示す図であり、図6(b)は結像光学系の射出瞳距離Dlが撮像素子の設定瞳距離Dsより短い場合についてその関係を示す図である。また、図6(c)は結像光学系の射出瞳距離Dlが撮像素子の設定瞳距離Dsより長い場合についてその関係を示す図である。
図6(a)においては、副画素201の瞳部分領域501と副画素202の瞳部分領域502とによって、結像光学系の射出瞳400が概ね均等に瞳分割される。一方、図6(b)においては、撮像素子の周辺像高では結像光学系の射出瞳と撮像素子の入射瞳との瞳ずれが生じて、結像光学系の射出瞳401が不均一に瞳分割されてしまう。
同様に、図6(c)においても、撮像素子の周辺像高では結像光学系の射出瞳と撮像素子の入射瞳との瞳ずれを生じて、結像光学系の射出瞳402が不均一に瞳分割されてしまう。
瞳分割が不均一になるのに伴って、A像およびB像の強度も不均一になって、A像およびB像のいずれか一方の強度が大きくなり、他方の強度が小さくなる。このため、周辺像高などにおいてA像およびB像の強度の不均一が激しくなると、A像およびB像の一方に係る信号が十分な強度で得られなくなり、焦点検出性能が低下してしまう。
ここで、焦点検出性能と撮像性能との両立について説明する。
前述のように、本実施の形態による撮像素子107では、光電変換部に係る第2分割数(N2=2)が多い第2方向(x方向)において、マイクロレンズ305の曲率(第2曲率>第1曲率)を大きくしているので、マイクロレンズ305の焦点位置は光電変換部の受光面より前ピン側(受光側)となる。
また、光電変換部に係る第1分割数(N1=1)が少ない第1方向(y方向)においては、マイクロレンズ305の曲率を小さくしているので、マイクロレンズ305の焦点位置は光電変換部の受光面近傍となる。
ここで、本実施の形態による撮像素子107と比較するため、画素の各々において第2方向(x方向)および第1方向(y方向)ともに、マイクロレンズ305の曲率が第1曲率(<第2曲率)である撮像素子を例に挙げて、この撮像素子を比較例1とする。なお、比較例1のその他の構成は本実施の形態の撮像素子107と同様であるものとする。
比較例1では、画素200の受光効率を向上して撮像感度を高くするため、マイクロレンズの焦点位置を光電変換部の受光面近傍とし、撮像性能に関連する撮像感度を優先している。
さらに、画素の各々において第2方向(x方向)および第1方向(y方向)ともに、マイクロレンズ305の曲率が第2曲率(>第1曲率)である撮像素子を例に挙げて、この撮像素子を比較例2とする。なお、比較例2のその他の構成は本実施の形態による撮像素子107と同様であるものとする。
比較例2では、周辺像高の瞳ずれに対して瞳分割を緩やかにしてA像およびB像の強度の不均一性を緩和するため、マイクロレンズの焦点位置を光電変換部の受光面より前ピン側(受光側)にずらし、焦点検出性能に関連する瞳ずれ対応性を優先している。
図7は、本発明の実施の形態による撮像素子と比較例1および2とにおける瞳強度分布の一例を示す図である。
図7において、横軸は光軸に対する光の入射角度であり、縦軸は受光率である。そして、本実施の形態による撮像素子107の副画素201(202)における瞳強度分布501a(502a)を実線で示し、比較例1の副画素201(202)における瞳強度分布501b(502b)を破線で示す。また、比較例2の副画素201(202)における瞳強度分布501c(502c)を一点鎖線で示す。
さらに、図7では、図6(a)に示す結像光学系の射出瞳距離Dlと撮像素子の設定瞳距離Dsとが同一の場合の周辺像高における結像光学系の射出瞳400に対応し、瞳ずれが生じない入射角度領域を参照番号400で示す。そして、図6(b)に示す結像光学系の射出瞳距離Dlが撮像素子の設定瞳距離Dsより短い場合の周辺像高における結像光学系の射出瞳401に対応し、周辺像高で瞳ずれが生じる入射角度領域を参照番号401で示す。
図8は、本発明の実施の形態による撮像素子と比較例1および2とにおける瞳強度分布の他の例を示す図である。
図8において、前述の副画素201および副画素202を合わせた画素200の瞳強度分布が示されており、横軸は光軸に対する光の入射角度、縦軸は受光率である。本実施の形態による撮像素子107の画素200における瞳強度分布500aを実線で示し、比較例1における画素200の瞳強度分布500bを破線で示す。また、比較例2における画素200の瞳強度分布500cを一点鎖線で示す。
図7に示すように、周辺像高で瞳ずれが生じる入射角度領域401において、比較例2における副画素の瞳強度分布501cおよび502cの受光率の差は、比較例1における副画素の瞳強度分布501bおよび502bの受光率の差より小さい。従って、比較例2の方が比較例1よりも、A像およびB像の強度の不均一が低減されて、焦点検出性能に関連する瞳ずれ対応性がよい。
これに対して、図8に示すように、比較例1における画素の瞳強度分布500bの受光率の最大値は、比較例2における画素の瞳強度分布500cの受光率の最大値より大きい。従って、瞳ずれ対応性とは反対に、比較例1の方が比較例2よりも撮像性能に関連する撮像感度がよい。
上述の説明から容易に理解できるように、撮像面位相差方式による焦点検出性能の瞳ずれ対応性を良好とするマイクロレンズの曲率と、撮像性能の撮像感度を良好とするマイクロレンズ曲率とは異なることが分かる。
本実施の形態では、光電変換部の分割数が多い方向については、マイクロレンズの焦点位置を光電変換部の受光面より前ピン側(受光側)にずらす。一方、光電変換部の分割数が少ない方向については、マイクロレンズの焦点位置を光電変換部の受光面近傍とする。
これによって、図7に示すように、周辺像高で瞳ずれが生じる入射角度領域401において、本実施の形態による撮像素子の副画素の瞳強度分布501aおよび502aの受光率の差を、比較例2による副画素の瞳強度分布501cおよび502cの受光率の差と同等することができる。
さらに、図8に示すように、本実施の形態による撮像素子107の画素の瞳強度分布500aにおける受光率の最大値を、比較例1の画素の瞳強度分布500bにおける受光率の最大値と同等にすることができる。
この結果、本発明の実施の形態による撮像素子107を用いれば、撮像面位相差方式による焦点検出性能の瞳ずれ対応性と撮像性能の撮像感度とを両立させることができる。
なお、比較例1および比較例2のような球型マイクロレンズから、本実施の形態の回転楕円体型マイクロレンズに形状を変形する場合、対角ギャップを減少させてマイクロレンズの開口率を広くし、撮像感度を向上することが望ましい。図8において、瞳強度分布500aの受光率の最大値が比較例1の瞳強度分布500bの受光率の最大値よりやや大きいのはこのためである。
このように、本発明の実施の形態では、光電変換部に係る第2分割数が多い第2方向におけるマイクロレンズの第2曲率を、第1分割数が少ない第1方向におけるマイクロレンズの第1曲率よりも大きくしているので、撮像面位相差方式による焦点検出性能の瞳ずれ対応性と撮像性能の撮像感度とを両立させることができる。
上述の説明から明らかなように、図1に示す例においては、第1のレンズ群101、第2のレンズ群103、および第3のレンズ群105がレンズ部を構成する。また、CPU121および画像処理回路125が画像処理手段として機能する。
以上、本発明について実施の形態に基づいて説明したが、本発明は、これらの実施の形態に限定されるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の様々な形態も本発明に含まれる。
107 撮像素子
121 CPU
125 画像処理回路
200 画素
201,202 副画素
301,302 光電変換部
305 マイクロレンズ
400,401 射出瞳
500 瞳領域
501,502 瞳部分領域
121 CPU
125 画像処理回路
200 画素
201,202 副画素
301,302 光電変換部
305 マイクロレンズ
400,401 射出瞳
500 瞳領域
501,502 瞳部分領域
Claims (4)
- 光学像が結像され、当該光学像に応じた画像信号を出力する撮像素子であって、
二次元マトリックス状に配置された複数の画素と、
前記画素の各々に対して配置され、前記光学像に応じた光を前記画素に入射するマイクロレンズとを有し、
前記画素の各々には、所定の第1方向に沿って第1分割数で分割され、前記第1方向に直交する第2方向に沿って第2分割数で分割された複数の光電変換部が備えられおり、
前記マイクロレンズは、前記第2方向における第2曲率が前記第1方向における第1曲率よりも大きいことを特徴とする撮像素子。 - 前記第2分割数は前記第1分割数以上であることを特徴とする請求項1に記載の撮像素子。
- 前記第1方向において、前記マイクロレンズの焦点位置は、前記光電変換部の受光面近傍であり、
前記第2方向において、前記マイクロレンズの焦点位置は前記光電変換部の受光面より前側であることを特徴とする請求項1又は2に記載の撮像素子。 - 請求項1〜3のいずれか1項に記載の撮像素子と、
前記撮像素子に前記光学像を結像するレンズ部と、
前記撮像素子の出力である画像信号を画像処理して画像データとする画像処理手段とを有することを特徴とする撮像装置。
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