JP5513326B2 - 撮像素子及び撮像装置 - Google Patents
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Description
本発明の第1の実施形態について、図1から図10を用いて以下に説明する。図1は本発明の第1の実施形態における撮像素子を有する撮像装置であるカメラの構成図を示す図である。図1において、101は結像光学系の先端に配置された第1レンズ群で、光軸方向に進退可能に保持される。102は絞り兼用シャッタで、その開口径を調節することで撮影時の光量調節を行なうほか、静止画撮影時には露光秒時調節用シャッタとしての機能も果たす。103は第2レンズ群である。そして絞り兼用シャッタ102及び第2レンズ群103は一体となって光軸方向に進退し、第1レンズ群101の進退動作との連動により、変倍作用(ズーム機能)をなす。105は第3レンズ群で、光軸方向の進退により、焦点調節を行なう。106は光学的ローパスフィルタで、撮影画像の偽色やモアレを軽減するための光学素子である。107は2次元CMOSフォトセンサーと周辺回路からなる撮像素子である。
第1の実施形態における撮像素子の画素配列の概略図を図2に示す。図2は、本実施形態の2次元CMOSセンサー(撮像素子)の画素配列を、8列×8行画素の範囲で示したものである。図2に示した8列×8行画素を面上に多数配置し、高解像度画像の取得を可能としている。本実施形態においては、画素ピッチが4μm、有効画素数が横5575列×縦3725行=約2000万画素、撮像画面サイズが横22.3mm×縦14.9mmの撮像素子として説明を行なう。
図11に本発明の第2の実施形態における画素Aの概略断面図を示す。図11に示すように、p型層(第1半導体層)とn型層(第2半導体層)の間に、キャリア密度の少ないp−イントリンシック層を挟んで、光電変換部をpin構造のフォトダイオードとしても良い。同様に、n型層(第2半導体層)とp+埋め込み層(第3半導体層)の間に、キャリア密度の少ないn−イントリンシック層を挟んで、光電変換部をpin構造のフォトダイオードとしても良い。光電変換部をpin構造とすることで、空乏層を拡大することができ、受光感度を向上させることができる。光電変換部をpin構造にすること以外は、第1の実施形態と同様である。
本発明の第3の実施形態における撮像素子の画素配列の概略図を図12に示す。図12の画素配列では、A画素群210、B画素群220、A’画素群230、B’画素群240が正方状に配列されている。いずれの種類の画素も、縦横4画素間隔で規則的に配列されている。このため、各第1副画素からの信号を、焦点検出用信号としてだけでなく、立体画像用の視差信号などとして取得する場合に、補間処理が行いやすくなる。画素配列以外は、第1の実施形態と同様である。
本発明の第4の実施形態における撮像素子の画素配列の概略図を図13に示す。図13の画素配列では、ベイヤー配列のG画素にのみ、第1副画素と第2副画素からなる第1の実施形態と同様の画素を形成している。第1副画素と第2副画素からなる画素を撮像素子に部分的に形成し、1画素あたりの信号線やトランジスタ数を削減することで、小画素化をより行いやすくなる。画素配列以外は、第1の実施形態と同様である。
本発明の第5の実施形態における画素Aの概略断面図を図14に示す。図14では、p型層311(第1半導体層)とn型層312(第2半導体層)の上部に、表面n+層313と表面p+層314を形成し、埋め込み型フォトダイオードとしている。埋め込み型フォトダイオードとすることで、界面順位によって発生する暗電流ノイズを抑制することができ、S/Nを向上することができる。埋め込み型フォトダイオードとすること以外は、第1の実施形態と同様である。
本発明の第6の実施形態における画素Aの概略断面図を図15に示す。図15では、配線層と反対側から受光する裏面照射型の撮像素子に、第1副画素と第2副画素からなる本発明の画素が形成されている。裏面照射型の撮像素子の場合、「第1半導体層の受光面の重心」とは、第1半導体層を受光面に垂直に射影した密度分布の重心のことである。また、「第1半導体層と第2半導体層を合わせた受光面の重心」とは、第1半導体層と第2半導体層を合わせた領域を受光面に垂直に射影した密度分布の重心のことである。本実施形態に示すように、裏面照射型の撮像素子の場合も、第1半導体層の受光面の重心が、第1半導体層と第2半導体層を合わせた受光面の重心と異なるように構成される。裏面照射型の撮像素子であること以外は、第1の実施形態と同様である。
本発明の第7の実施形態における撮像素子の画素配列の概略図を図16に示す。図16は、本実施形態の2次元CMOSセンサー(撮像素子)の画素配列を、4列×4行画素の範囲で示したものである。本実施形態において、図16に示した2行×2列の画素群250は、対角2画素にGの分光感度を有する画素250Gを配置し、他の2画素にRの分光感度を有する画素250RとBの分光感度を有する画素250Bを配置したベイヤー配列が採用されている。画素250R、250G、250Bは、それぞれ、視差画像用の4つの第1副画素と撮像用の1つの第2副画素から構成されている。
Claims (5)
- それぞれの画素が、第1半導体層を有する第1副画素と、前記第1半導体層と極性が異なる第2半導体層を有する第2副画素と、前記第1半導体層と極性が等しい第3半導体層と、マイクロレンズとを備え、前記第1半導体層が前記第2半導体層に包含され、前記第2半導体層が前記第3半導体層に包含されている、複数の画素を有する撮像素子であって、
前記第1半導体層が、複数の部分半導体層に分割されており、少なくとも1つの前記部分半導体層の受光面の重心位置が、前記第1半導体層と前記第2半導体層を合わせた受光面の重心位置と異なることを特徴とする撮像素子。 - 前記第1半導体層と前記第2半導体層より前記マイクロレンズ側に、カラーフィルターを有することを特徴とする請求項1に記載の撮像素子。
- 前記第1半導体層と前記第2半導体層を合わせた受光面の重心位置が、前記第1半導体層の受光面に含まれることを特徴とする請求項1または2に記載の撮像素子。
- 異なる色の前記カラーフィルターを有する少なくとも2つの前記画素で、前記第1半導体層と前記第2半導体層の構造が共通であることを特徴とする請求項2に記載の撮像素子。
- 請求項1乃至4のいずれか1項に記載の撮像素子を備えたことを特徴とする撮像装置。
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