JP2012212878A - 撮像素子および撮像装置 - Google Patents
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- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims abstract description 73
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 74
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 57
- 230000005484 gravity Effects 0.000 claims description 24
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 abstract description 94
- 238000009826 distribution Methods 0.000 abstract description 49
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 7
- 239000000470 constituent Substances 0.000 abstract 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 74
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 9
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 8
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 8
- 238000013461 design Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 5
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1463—Pixel isolation structures
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14623—Optical shielding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L27/14627—Microlenses
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L27/14629—Reflectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14645—Colour imagers
- H01L27/14647—Multicolour imagers having a stacked pixel-element structure, e.g. npn, npnpn or MQW elements
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
- H04N23/60—Control of cameras or camera modules
- H04N23/67—Focus control based on electronic image sensor signals
- H04N23/672—Focus control based on electronic image sensor signals based on the phase difference signals
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/703—SSIS architectures incorporating pixels for producing signals other than image signals
- H04N25/704—Pixels specially adapted for focusing, e.g. phase difference pixel sets
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
- H04N23/50—Constructional details
- H04N23/55—Optical parts specially adapted for electronic image sensors; Mounting thereof
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Signal Processing (AREA)
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- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
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Abstract
【解決手段】 複数の画素の各々の受光側に設けられたマイクロレンズと、マイクロレンズが集光した光を受光する光電変換部とを有する撮像素子である。例えば、焦点検出用画素が、マイクロレンズと光電変換部との間に、瞳分割を行うための遮光層を有する構造を有しているとする。この場合、マイクロレンズの焦点位置が、遮光層よりもマイクロレンズ側に位置し、マイクロレンズの焦点位置から遮光層までの距離が、0より大きくnFΔより小さくなるように構成する。ただし、nはマイクロレンズの焦点位置での屈折率、Fはマイクロレンズの絞り値、Δはマイクロレンズの回折限界である。
【選択図】 図8
Description
(第1の実施形態)
図1は、本発明の第1の実施形態に係る撮像素子を用いた撮像装置の一例としてのデジタルスチルカメラ100(以下、単にカメラ100という)の機能構成例を示す図である。
フォーカスアクチュエータ114は、フォーカス駆動回路126の制御に従い、第3レンズ群105を光軸に沿って駆動する。
図2は、本実施形態における撮像素子107の画素配列の一例を、12列×12行画素の範囲で示す図である。同様のパターンで画素が撮像素子107の撮像画面に配置される。本実施形態では、撮像素子107の撮像画面サイズが横22.3mm×縦14.9mmであり、画素ピッチ4μm、有効画素数が横5575列×縦3725行=約2000万画素であるものとする。
被写体からの光束は、結像光学系の射出瞳400を通過してそれぞれの画素に入射する。
次に、マイクロレンズ光学系の焦点位置の構成について説明する。
図3及び図4に示したマイクロレンズ305が形成された撮像素子に、光が入射した場合の光強度分布の数値解析例を図8に示す。電磁波の数値計算には、FDTD(Finite Difference Time Domain)法を用いた。波長λ=540nm、右円偏光の平面波が、マイクロレンズ305の上方から光軸に平行に入射した場合の撮像素子内部での光強度分布の計算例である。
マイクロレンズ光学系の焦点位置と、開口部を有する遮光層の位置関係が設計値通りに構成された場合の光強度分布の計算例を図9(a)に示す。設計値では、マイクロレンズ光学系の焦点位置を、開口部を有する遮光層よりマイクロレンズ側にΔz(0<Δz<zD)離れた位置(基準位置)に設定する。図9(a)の例は、Δz=0.5nFΔの場合である。この時、瞳強度分布の片側半値幅Γは、概ね、以下の式(8a)で求められる。
例えば、設計値よりも膜厚がδz1(0<δz1<Δz)小さくなった場合の光強度分布の計算例を、図9(b)に示す。この時、瞳強度分布の片側半値幅Γを表す式は、式(8a)から以下の式(8b)へと変化する。
図10に、膜厚が設計値より0.39μm大きい場合の瞳強度分布を実線で、膜厚が設計値より0.35μm小さい場合の瞳強度分布を破線で示す。このように、瞳強度分布がいずれの場合もほぼ同じであることがわかる。このように、0.74μmの範囲の膜厚変化に対し、瞳強度分布の変化が抑制できていることがわかる。
図11は、本発明の第2の実施形態に係る撮像素子の画素配列を、4行×4列の範囲で示した図である。
本実施形態においても、第1の実施形態と同様、2行×2列の画素群230は、対角2画素にGの分光感度を有する画素230Gが、他の2画素にRの分光感度を有する画素230RとBの分光感度を有する画素230Bが配置されている。本実施形態では、各画素230R、230G、230Bがそれぞれ、瞳分割用の4つの副画素(画素230Rであれば副画素230R1〜230R4)から構成されていることを特徴とする。本実施形態では、焦点検出用画素と撮像画素とに構成上の明確な区別はなく、全ての画素が焦点検出用画素としても撮像画素としても機能する。
以上の構成により、受光面の位置の製造上のばらつきによる焦点検出用画素の瞳強度分布の変化を抑制することが可能となる。
図13は、本発明の第3の実施形態に係る撮像素子の1つの画素の、図12(b)と同様の断面図である。本実施形態においても、第2の実施形態と同様、各画素が複数の副画素に分割されている。ここでは、図12(a)に示したように4つの副画素が設けられているものとする。図13に示すように、本実施形態では、光電変換部の受光効率を向上するために、各光電変換部の受光面のマイクロレンズ側に光導波路307を形成している。光導波路307は副画素単位で分割されている。
以上の構成により、光導波路の受光面の位置の製造上のばらつきによる焦点検出用画素の瞳強度分布の変化を抑制することが可能となる。また、光導波路を設けることで、光電変換部の受光効率を向上させることができる。
Claims (4)
- 焦点検出用画素と、撮像画素とを含む複数の画素が2次元配列された撮像素子であって、
前記複数の画素の各々の受光側に設けられたマイクロレンズと、
前記複数の画素の各々に設けられ、前記マイクロレンズが集光した光を受光する光電変換部と、
前記焦点検出用画素の前記マイクロレンズと前記光電変換部との間に設けられた遮光層であって、該焦点検出用画素の前記光電変換部の受光面の重心に対して偏心した重心を有する開口を有する遮光層とを有し、
前記マイクロレンズの焦点位置が、前記遮光層よりも前記マイクロレンズ側に位置し、
前記マイクロレンズの焦点位置での屈折率をn、前記マイクロレンズの絞り値をF、前記マイクロレンズの回折限界をΔとしたとき、前記マイクロレンズの焦点位置から前記遮光層までの距離が、0より大きくnFΔより小さいことを特徴とする撮像素子。 - 複数の画素が2次元配列された撮像素子であって、
前記複数の画素の各々の受光側に設けられたマイクロレンズと、
前記複数の画素の各々に設けられ、前記マイクロレンズが集光した光を受光する複数の光電変換部とを有し、
前記複数の光電変換部は、前記複数の光電変換部の受光面を合成した1つの受光面の重心に対して偏心した重心を有するように配置され、
前記マイクロレンズの焦点位置が、前記複数の光電変換部の受光面よりも前記マイクロレンズ側に位置し、
前記マイクロレンズの焦点位置での屈折率をn、前記マイクロレンズの絞り値をF、前記マイクロレンズの回折限界をΔとしたとき、前記マイクロレンズの焦点位置から前記複数の光電変換部の受光面までの距離が、0より大きくnFΔより小さいことを特徴とする撮像素子。 - 複数の画素が2次元配列された撮像素子であって、
前記複数の画素の各々の受光側に設けられたマイクロレンズと、
前記複数の画素の各々に設けられ、前記マイクロレンズが集光した光を受光する複数の光電変換部と、
前記マイクロレンズと前記複数の光電変換部との間に設けられ、前記マイクロレンズが集光した光を受光面で受光し、前記複数の光電変換部の受光面に導く複数の導波路とを有し、
前記複数の光電変換部は、前記複数の光電変換部の受光面を合成した1つの受光面の重心に対して偏心した重心を有するように配置され、
前記マイクロレンズの焦点位置が、前記複数の導波路の受光面よりも前記マイクロレンズ側に位置し、
前記マイクロレンズの焦点位置での屈折率をn、前記マイクロレンズの絞り値をF、前記マイクロレンズの回折限界をΔとしたとき、前記マイクロレンズの焦点位置から前記複数の導波路の受光面までの距離が、0より大きくnFΔより小さいことを特徴とする撮像素子。 - 請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の撮像素子を備えたことを特徴とする撮像装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012061149A JP6016396B2 (ja) | 2011-03-24 | 2012-03-16 | 撮像素子および撮像装置 |
RU2013147423/28A RU2554292C2 (ru) | 2011-03-24 | 2012-03-21 | Датчик изображения и устройство формирования изображения |
PCT/JP2012/058035 WO2012128390A1 (en) | 2011-03-24 | 2012-03-21 | Image sensor and imaging device |
US15/860,238 USRE48548E1 (en) | 2011-03-24 | 2012-03-21 | Image sensor and imaging device |
US14/004,718 US9231009B2 (en) | 2011-03-24 | 2012-03-21 | Image sensor and imaging device |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011066555 | 2011-03-24 | ||
JP2011066555 | 2011-03-24 | ||
JP2012061149A JP6016396B2 (ja) | 2011-03-24 | 2012-03-16 | 撮像素子および撮像装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016184664A Division JP6232108B2 (ja) | 2011-03-24 | 2016-09-21 | 撮像素子および撮像装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012212878A true JP2012212878A (ja) | 2012-11-01 |
JP6016396B2 JP6016396B2 (ja) | 2016-10-26 |
Family
ID=46879521
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012061149A Active JP6016396B2 (ja) | 2011-03-24 | 2012-03-16 | 撮像素子および撮像装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9231009B2 (ja) |
JP (1) | JP6016396B2 (ja) |
RU (1) | RU2554292C2 (ja) |
WO (1) | WO2012128390A1 (ja) |
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- 2012-03-21 US US15/860,238 patent/USRE48548E1/en active Active
- 2012-03-21 WO PCT/JP2012/058035 patent/WO2012128390A1/en active Application Filing
- 2012-03-21 RU RU2013147423/28A patent/RU2554292C2/ru active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
RU2554292C2 (ru) | 2015-06-27 |
WO2012128390A1 (en) | 2012-09-27 |
US9231009B2 (en) | 2016-01-05 |
USRE48548E1 (en) | 2021-05-11 |
US20140001589A1 (en) | 2014-01-02 |
JP6016396B2 (ja) | 2016-10-26 |
RU2013147423A (ru) | 2015-04-27 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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R151 | Written notification of patent or utility model registration |
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