KR102210675B1 - 촬상 소자 및 촬상 장치 - Google Patents

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Abstract

본 개시의 촬상 소자는, 각각이, 광전 변환 소자를 포함하는 수광부와 입사광을 수광부를 향하여 집광하는 집광부를 가짐과 함께, 서로 인접하는 제1 화소 및 제2 화소를 구비하고, 제1 화소 및 상기 제2 화소는, 수광부의 수광면에 단차부를 가지며, 단차부의 측벽의 적어도 일부는 제1 차광부에 의해 덮여 있다.

Description

촬상 소자 및 촬상 장치{IMAGING ELEMENT AND IMAGING APPARATUS}
본 기술은, 촬상 소자 및 촬상 장치에 관한 것이다. 상세하게는, 초점 검출 기능을 갖는 촬상 소자 및 이것을 구비한 촬상 장치에 관한 것이다.
근래, 위상차 검출 방식에 의한 초점 검출 기능을 갖는 촬상 소자(고체 촬상 소자)를 구비한 반도체 이미징 디바이스(촬상 장치)가 이용되고 있다. 위상차 검출 방식은, 센서의 각 화소에 온 칩 렌즈가 마련된 2차원의 센서를 이용하여 동(瞳)분할 방식의 초점 검출을 행하는 것이다.
이와 같은 촬상 장치에서는, 촬상용의 화소(촬상 화소) 및 초점 검출용의 화소(상면 위상차 화소)에 필요한 수광 특성을 충족시키는 기술의 개발이 이루어져 있다. 예를 들면, 특허 문헌 1에서는, 광 입사측의 실리콘 기판의 이면에, 비투명 도전성 재료로 이루어지는 소자 분리층을 마련함에 의해 동분할 성능 및 감도를 함께 향상시킨 촬상 장치가 개시되어 있다.
또한, 예를 들면, 특허 문헌 2에서는, 촬상 화소 및 초점 검출 화소마다 온 칩 렌즈의 높이를 바꾸어서 각 화소에서의 집광 위치를 조제한 촬상 장치가 개시되어 있다.
또한, 예를 들면, 특허 문헌 3에서는, 촬상용 화소의 광전 변환부와 온 칩 렌즈와의 사이에 광도파로를 마련함에 의해, 같은 렌즈 형상으로 촬상용 화소 및 초점 검출용 화소에 필요한 수광 특성을 충족시킨 촬상 장치가 개시되어 있다.
특허 문헌 1 : 일본 특개2012-84816호 공보 특허 문헌 2 : 일본 특개2007-281296호 공보 특허 문헌 3 : 일본 특개2011-29932호 공보
그러니, 온 칩 렌즈의 형상을 촬상 화소 및 초점 검출 화소마다 설계하거나, 소자 분리층이나 광도파로를 마련하는 경우에는 비용이나 제조 공정이 증가할 가능성이 있다. 또한, 특히 실리콘 기판의 이면에서 수광하는 이면 조사형의 촬상 장치에서는, 혼색 억제를 위해 수광측의 부재를 얇게 형성(저배화)하는 것이 바람직하지만, 이 경우에는 입사광의 집광 위치가 실리콘 기판측이 된다. 이 때문에 초점 검출 화소에서의 충분한 오토 포커스 특성(AF 특성)을 얻을 수가 없었다.
따라서 간이한 구성으로 촬상 화소의 화소 특성 및 상면 위상차 화소의 AF 특성을 양립하는 것이 가능한 촬상 소자 및 촬상 장치를 제공하는 것이 바람직하다.
본 기술의 한 실시 형태의 촬상 소자는, 각각이 광전 변환 소자를 포함하는 수광부와 입사광을 상기 수광부를 향하여 집광하는 집광부를 가짐과 함께, 서로 인접하는 제1 화소 및 제2 화소를 구비하고, 상기 제1 화소 및 상기 제2 화소는, 상기 수광부의 수광면에 단차부를 가지며, 상기 단차부의 벽면의 적어도 일부는 제1 차광부에 의해 덮여 있다.
상기 집광부는 광학 기능층으로서 렌즈를 포함하고, 상기 제1 화소 및 상기 제2 화소의 상기 렌즈는 동일 형상을 갖도록 할 수 있다.
상기 제1 화소 및 상기 제2 화소 각각의 각 수광부에 대향하여 상기 렌즈를 갖도록 할 수 있다.
상기 단차부의 벽면은 수직하도록 할 수 있다.
상기 제2 화소는 상기 수광부와 상기 집광부와의 사이에, 상기 수광면의 일부를 차폐하는 제2 차광부를 갖도록 할 수 있다.
상기 제1 화소 및 상기 제2 화소는 서로 이웃하는 화소 사이에 제3 차광부를 갖도록 할 수 있다.
상기 제1 차광부, 상기 제2 차광부 및 상기 제3 차광부는 동일 재료에 의해 형성되어 있도록 할 수 있다.
상기 제1 화소에서의 입사광은, 상기 수광부의 상기 수광면 부근에 집광하도록 할 수 있다.
상기 제2 화소에서의 입사광은 상기 제2 차광부와 같은 깊이 위치에 집광하도록 할 수 있다.
상기 단차부는 유기막에 의해 매설되어 있도록 할 수 있다.
상기 유기막의 재료는 폴리이미드 수지, 아크릴 수지, 스티렌 수지, 에폭시 수지인 것으로 할 수 있다.
상기 제1 화소 및 상기 제2 화소는 상기 수광부와 상기 집광부와의 사이에, 고정 전하막을 갖도록 할 수 있다.
상기 제1 화소 및 상기 제2 화소는 서로 이웃하는 화소 사이에 홈을 가지며, 상기 홈은 벽면 및 저면에 따라 상기 고정 전하막이 마련되어 있도록 할 수 있다.
상기 홈에는 절연 재료가 매설되어 있도록 할 수 있다.
상기 홈에는 절연 재료와 상기 제1 차광부, 제2 차광부 또는 제3 차광부가 매설되어 있도록 할 수 있다.
상기 집광부와 상기 수광부와의 사이에 배선층을 포함하는 구동부를 가지며, 상기 배선층이 상기 제1 차광부, 상기 제2 차광부 및 상기 제3 차광부를 겸하고 있도록 할 수 있다.
상기 집광부는 적색, 녹색, 청색 또는 백색의 컬러 필터를 포함하고, 상기 제2 화소의 상기 집광부는 녹색 또는 백색의 컬러 필터를 갖도록 할 수 있다.
상기 단차부에, 이너 렌즈를 구비하도록 할 수 있다.
상기 이너 렌즈는, 상측 또는 하측에 볼록(凸) 구조의 이너 렌즈이든지, 사각형 형상의 이너 렌즈이도록 할 수 있다.
본 기술의 한 실시 형태의 촬상 장치는, 촬상 소자를 포함하고, 상기 촬상 소자는, 각각이, 광전 변환 소자를 포함하는 수광부와 입사광을 상기 수광부를 향하여 집광하는 집광부를 가짐과 함께, 서로 인접하는 제1 화소 및 제2 화소를 구비하고, 상기 제1 화소 및 상기 제2 화소는, 상기 수광부의 수광면에 단차부를 가지며, 상기 단차부의 벽면의 적어도 일부는 제1 차광부에 의해 덮여 있다.
본 기술의 한 실시 형태의 촬상 소자는, 광전 변환 소자를 포함하는 수광부와 입사광을 수광부를 향하여 집광하는 집광부를 가짐과 함께, 서로 인접하는 제1 화소 및 제2 화소가 구비되고, 제1 화소 및 제2 화소는, 수광부의 수광면에 단차부를 가지며, 단차부의 측벽의 적어도 일부는 제1 차광부에 의해 덮여 있다.
본 기술의 한 실시 형태의 촬상 장치에서는, 상기 본 기술의 촬상 소자가 갖춰진다.
본 기술의 한 실시 형태에 의하면, 인접 화소로부터의 사(斜)입사광을 저감하면서, 입사광이 촬상 화소 및 상면 위상차 화소에 각각 적합한 위치에 집광시키는 것이 가능해진다. 또한, 간이한 구성에 의해 촬상 화소의 화소 특성 및 상면 위상차 화소의 AF 특성을 양립시키는 것이 가능해진다.
또한, 여기에 기재된 효과는 반드시 한정되는 것이 아니고, 본 개시 중에 기재된 어느 하나의 효과라도 좋다.
도 1은 본 개시의 제1의 실시의 형태에 관한 이미지 센서의 한 예를 도시하는 단면도.
도 2는 도 1에 도시한 이미지 센서의 평면도
도 3은 도 1에 도시한 이미지 센서의 상세 구성을 도시하는 단면도.
도 4는 본 개시의 제1의 실시의 형태에 관한 이미지 센서에서의 다른 배치 구성을 도시하는 평면도.
도 5는 도 4에 도시한 이미지 센서의 단면도.
도 6은 도 1에 도시한 수광부의 주변 회로 구성을 도시하는 블록도.
도 7a는 비교례로서의 이미지 센서 및 입사광을 도시하는 단면 모식도.
도 7b는 도 7a에 도시한 이미지 센서에서의 입사각도와 수광 효율과의 관계를 도시하는 특성도.
도 8a는 도 1에 도시한 이미지 센서 및 입사광을 도시하는 단면 모식도.
도 8b는 도 8a에 도시한 이미지 센서에서의 입사각도와 수광 효율과의 관계를 도시하는 특성도.
도 9는 변형례 1에 관한 이미지 센서의 단면도.
도 10은 변형례 2에 관한 이미지 센서의 단면도.
도 11은 본 개시의 제2의 실시의 형태에 관한 이미지 센서의 한 예를 도시하는 단면도.
도 12는 본 개시의 제2의 실시의 형태에 관한 이미지 센서의 다른 예를 도시하는 단면도.
도 13은 본 개시의 제2의 실시의 형태에 관한 이미지 센서의 다른 예를 도시하는 단면도.
도 14는 본 개시의 제3의 실시의 형태에 관한 이미지 센서의 한 예를 도시하는 단면도.
도 15는 본 개시의 제3의 실시의 형태에 관한 이미지 센서의 한 예를 도시하는 단면도.
도 16은 본 개시의 제3의 실시의 형태에 관한 이미지 센서의 한 예를 도시하는 단면도.
도 17은 본 개시의 제3의 실시의 형태에 관한 이미지 센서의 한 예를 도시하는 단면도.
도 18은 본 개시의 제3의 실시의 형태에 관한 이미지 센서의 한 예를 도시하는 단면도.
도 19는 본 개시의 제3의 실시의 형태에 관한 이미지 센서의 제조에 관해 설명하기 위한 도면.
도 20은 본 개시의 제3의 실시의 형태에 관한 이미지 센서의 제조에 관해 설명하기 위한 도면.
도 21은 본 개시의 제3의 실시의 형태에 관한 이미지 센서의 제조에 관해 설명하기 위한 도면.
도 22는 적용례 1(촬상 장치)에 관한 전체 구성을 도시하는 기능 블록도.
도 23은 적용례 2(캡슐형 내시경 카메라)에 관한 전체 구성을 도시하는 기능 블록도.
도 24는 내시경 카메라의 다른 예(삽입형 내시경 카메라)에 관한 전체 구성을 도시하는 기능 블록도.
도 25는 적용례 3(비전 칩)에 관한 전체 구성을 도시하는 기능 블록도.
이하, 본 개시의 실시의 형태에 관해, 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 또한, 설명은 이하의 순서로 행한다.
1. 제1의 실시의 형태(이면 조사형 이미지 센서 ; 제1 화소와 제2 화소와의 사이에 단차부를 마련함과 함께, 단차부의 측벽에 제1 차광부를 마련한 예)
2. 변형례 1(화소 사이에 홈을 마련하고, 홈을 절연 재료로 매설한 예)
3. 변형례 2(화소 사이에 홈을 마련하고, 홈을 절연 재료 및 차광부로 매설한 예)
4. 제2의 실시의 형태(표면 조사형 이미지 센서 ; 제1 차광부를 배선층에 의해 형성한 예)
5. 제3의 실시의 형태(이면 조사형 이미지 센서 ; 제1 화소와 제2 화소와의 사이에 단차부를 마련함과 함께, 단차부의 측벽에 제1 차광부를 마련하고, 또한 이너 렌즈를 마련한 예)
6. 적용례(전자 기기에의 적용례)
<1. 제1의 실시의 형태>
도 1은, 본 개시의 제1의 실시의 형태에 관한 이미지 센서(이미지 센서(1A))의 단면 구성을 도시한 것이다. 이미지 센서(1A)는, 예를 들면 이면 조사형(이면 수광형)의 고체 촬상 소자(CCD(Charge Coupled Device Image Sensor), CMOS(Complementary Metal-Oxide Semiconductor))이고, 기판(21)(도 3 참조)위에 복수의 화소(2)가 도 2에 도시한 바와 같이 2차원 배열되어 있다.
또한, 도 1은, 도 2에 도시한 I-I선 에서의 단면 구성을 도시한 것이다. 화소(2)는, 촬상 화소(2A)(제1 화소)와 상면 위상차 화소(2B)(제2 화소)로 구성되어 있다. 본 실시의 형태에서는, 서로 이웃하는 촬상 화소(2A) 및 상면 위상차 화소(2B)의 수광면(20S)에는, 단차부(20A)가 마련되어 있고, 이 단차부(20A)의 측벽(20B)은 차광막(14A)(제1 차광막)에 의해 덮여 있다.
도 3은, 화소(2)(촬상 화소(2A) 및 상면 위상차 화소(2B))의 상세한 단면 구성을 도시한 것이다. 촬상 화소(2A) 및 상면 위상차 화소(2B)는, 각각, 광전 변환 소자(포토 다이오드(23))를 포함하는 수광부(20)와, 입사광을 수광부(20)를 향하여 집광시키는 집광부(10)를 구비하고 있다. 촬상 화소(2A)는, 촬영 렌즈에 의해 결상된 피사체상을 포토 다이오드(23)에서 광전 변환하여 화상 생성용의 신호를 생성하는 것이다.
상면 위상차 화소(2B)는, 촬영 렌즈의 동(瞳) 영역을 분할하고, 분할된 동 영역에서의 피사체상을 광전 변환하여 위상차 검출용의 신호를 생성하는 것이다. 이 상면 위상차 화소(2B)는, 도 2에 도시한 바와 같이 촬상 화소(2A)의 사이에 이산적(離散的)으로 배치되어 있다. 또한, 상면 위상차 화소(2B)는, 반드시 도 2에 도시한 바와 같이 각각 독립하여 배치할 필요는 없고, 예를 들면 도 4에 도시한 바와 같이 화소부(200) 내에 P1∼P7과 같이 라인형상으로 병렬 배치하여도 좋다. 도 5는, 복수의 상면 위상차 화소(2B)를 라인형상으로 병렬 배치한 때의, 도 4에 도시한 Ⅱ-Ⅱ선에서의 이미지 센서(1B)의 단면 구성을 도시한 것이다.
본 실시의 형태에서는, 상술한 바와 같이, 인접 배치된 촬상 화소(2A) 및 상면 위상차 화소(2B)의 수광부(20)의 수광면(20S)에 단차부(20A)가 형성되어 있다. 즉, 상면 위상차 화소(2B)의 수광면(20S)은, 온 칩 렌즈(11)의 사출면(11S)에 대해 촬상 화소(2A)보다도 1단(段) 낮은 위치에 형성되어 있다. 단차부(20A)의 높이(h)는 온 칩 렌즈(11)의 곡률 등에도 의하지만, 예를 들면 0.05㎛ 이상 2㎛이하로 하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.3㎛ 이상 1㎛ 이하이다.
단차부(20A)의 측벽(20B)은, 인접하는 촬상 화소(2A) 및 상면 위상차 화소(2B) 사이에서의 사입사광(斜入射光)의 크로스토크를 막기 위해, 후술하는 차광막(14)(차광막(14A))에 의해 덮여 있다. 또한, 이 차광막(14A)은 단차부(20A)의 측벽(20B)의 전면(全面)에 마련되어 있는 것이 바람직하지만, 적어도 측벽(20B)의 일부를 덮음에 의해 사입사광의 크로스토크를 저감할 수 있다.
(집광부(10)) 집광부(10)는, 수광부(20)의 수광면(20S)상에 마련됨과 함께, 광 입사측에는, 광학 기능층으로서 화소(2)마다 대향 배치된 온 칩 렌즈(11)를 갖고 있다. 집광부(10)에는, 온 칩 렌즈(11)와 수광부(20)와의 사이에, 온 칩 렌즈(11)의 측부터 차례로, 컬러 필터(12), 평탄화막(13) 및 차광막(14)이 마련되어 있다. 또한, 평탄화막(13) 및 차광막(14)의 수광부(20)측에는 절연막(15)이 마련되어 있다.
온 칩 렌즈(11)는, 수광부(20)(구체적으로는 수광부(20)의 포토 다이오드(23))를 향하여 광을 집광시키는 기능을 갖는 것이다. 이 온 칩 렌즈(11)의 렌즈 지름은, 화소(2)의 사이즈에 응한 값으로 설정되어 있고, 예를 들면 0.9㎛ 이상 3㎛ 이하이다. 또한, 이 온 칩 렌즈(11)의 굴절율은, 예를 들면 1.1∼1.8이다. 렌즈는, 예를 들면 유기 수지 재료를 사용하여 형성된다.
본 실시의 형태에서는, 촬상 화소(2A) 및 상면 위상차 화소(2B)에 각각 마련된 온 칩 렌즈(11)는 함께 동일한 형상을 갖는다. 여기서, 동일이란 동일 재료를 사용하여 동일 공정을 경유하여 제조된 것을 가리키고, 제조시의 각종 조건에 의한 편차를 배제하는 것이 아니다.
컬러 필터(12)는, 예를 들면 적색(R) 필터, 녹색(G) 필터, 청색(B) 필터 및 백색(W) 필터의 어느 하나이고, 예를 들면 화소(2)마다 마련되어 있다. 이들의 컬러 필터(12)는, 규칙적인 색 배열(예를 들면 베이어 배열)로 마련되어 있다. 이와 같은 컬러 필터(12)를 마련함에 의해, 이미지 센서(1)에서는, 그 색 배열에 대응한 컬러의 수광 데이터를 얻을 수 있다.
또한, 상면 위상차 화소(2B)에서의 컬러 필터(12)의 배색은 특히 한정되지 않지만, 광량이 적은 암소(暗所)에서도 오토 포커스(AF) 기능을 사용할 수 있도록 녹색(G) 필터 또는 백색(W) 필터를 이용하는 것이 바람직하다. 단, 상면 위상차 화소(2B)에 녹색(G) 필터 또는 백색(W) 필터를 할당하는 경우에는, 광량이 많은 밝은 곳에서는 상면 위상차 화소(2B)의 포토 다이오드(23)가 포화되기 쉬워진다. 이 경우에는, 수광부(20)의 오버플로 배리어를 닫도록 하여도 좋다.
평탄화막(13)은, 단차부(20A)에 의해 마련된 패임부를 매설함과 함께, 수광부(20)의 수광면(20S)을 평탄화하는 것이다. 평탄화막(13)의 재료로서는, 무기 재료 및 유기 재료를 사용할 수 있다. 무기 재료로서는, 절연막 재료, 구체적으로는, 예를 들면 실리콘산화막(SiO2), 실리콘질화막(SiN), 실리콘산질화막(SiON)을 들 수 있다.
유기 재료로서는, 예를 들면 폴리이미드 수지, 아크릴 수지, 스티렌 수지, 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 평탄화막(13)은 상기 어느 하나로 이루어지는 단층막 또는, 적층막에 의해 구성되어 있다. 평탄화막(13)의 막두께(촬상 화소(2A)에서의 막두께)는, 예를 들면 50㎛ 이상 500㎛로 하는 것이 바람직하다. 또한, 유기 재료에 의해 형성된 유기막은 접착성이 높기 때문에, 평탄화막(13)을 무기막 및 유기막의 적층 구조로 하는 경우에는, 컬러 필터(12)측을 유기막으로 함에 의해 컬러 필터(12)나 온 칩 렌즈(11)의 벗겨짐의 발생을 억제할 수 있다.
차광막(14)은, 상기한 바와 같이 단차부(20A)의 측벽(20B)을 덮는 차광막(14A)외, 상면 위상차 화소(2B)에서의 동분할용(瞳分割用)의 차광막(14B)(제2 차광막) 및 인접 화소 사이에 각각 마련된 차광막(14C)(제3 차광막)으로 구성되어 있다.
차광막(14)(특히 차광막(14A, 14C))은, 인접 화소 사이에서의 사입사광의 크로스토크에 의한 혼색을 억제하는 것이고, 도 2에 도시한 바와 같이 각 화소(2)를 둘러싸도록 격자형상으로 마련되어 있다. 환언하면, 차광막(14)은 온 칩 렌즈(11)의 광로상에 개구(14a)가 마련된 구조로 되어 있다.
또한, 상면 위상차 화소(2B)에서의 개구(14a)는, 화소(2)의 후술하는 수광 영역(R)의 일방으로 치우친(편심한) 위치에 마련되어 있다. 차광막(14)은, 예를 들면 텅스텐(W), 알루미늄(Al) 또는 Al와 구리(Cu)의 합금으로 이루어지고, 막두께는 예를 들면 100㎚ 이상 800㎚이다.
또한, 차광막(14)은, 예를 들면 스퍼터 등에 의해 형성할 수 있고, 인접하는 촬상 화소(2A) 및 상면 위상차 화소(2B) 사이에 마련된 차광막(14C)과, 단차부(20A)의 측벽(20B)에 마련된 차광막(14A)과, 동분할용의 차광막(14B)은 동일 재료 및 동일 공정에서 연속하여 마련할 수 있다.
절연막(15)은, 차광막(14)을 가공할 때에 Si 기판(21)의 손상을 막기 위한 것이고, 수광부(20)의 형상에 따리 마련되어 있다. 절연막(15)의 재료로서는, 예를 들면 실리콘산화막(SiO2), 실리콘질화막(SiN), 실리콘산질화막(SiON) 등을 들 수 있다. 절연막(15)의 막두께는, 예를 들면 10㎚ 이상 1000㎚ 이하이다.
(수광부(20)) 수광부(20)는, 실리콘(Si)기판(21)의 표면(수광면(20S)과는 반대측)에 트랜지스터나 금속 배선을 포함하는 배선층(22)과, Si 기판(21)에 매설된 포토 다이오드(23)와, Si 기판(21)의 이면(수광면측)에 마련된 고정 전하막(24)으로 구성되어 있다. Si 기판(21)의 이면 계면에 P형 불순물을 이온 주입으로 형성하고, 피닝하는 것도 가능하지만, 부(負)의 고정 전하막(24)을 성막하여 Si 기판(21)의 이면 부근에 반전층(도시 생략)을 형성하도록 하여도 좋다.
포토 다이오드(23)는, Si 기판(21)의 두께 방향으로 형성됐다, 예를 들면 n형 반도체 영역이고, Si 기판(21)의 표면 및 이면 부근에 마련된 p형 반도체 영역과에 의해 pn 접합형의 포토 다이오드이다. 본 실시의 형태에서는, 포토 다이오드(23)가 형성된 n형 반도체 영역을 광전 변환 영역(R)이라고 한다.
또한, Si 기판(21)의 표면 및 이면에 임하는 p형 반도체 영역은 암전류 억제를 위한 정공 전하 축적 영역을 겸하고 있다. 또한, Si 기판(21)은 각 화소(2) 사이에도 p형 반도체 영역을 가지며, 이 p형 반도체 영역에 의해 각 화소(2)는 분리되어 있다.
또한, 상면 위상차 화소(2B)의 컬러 필터(12)로서 녹색(G) 필터 또는 백색(W) 필터를 이용하는 경우에는 포토 다이오드(23)가 포화하기 쉬워진다. 이 경우에는, 오버플로 패스의 불순물 농도(여기서는 p형 불순물의 농도)를 올려서, 포화가 커지도록 포텐셜 배리어를 닫도록 하여도 좋다.
고정 전하막(24)은, 집광부(10)와 수광부(20)와의 계면에 전하를 고정하기 위해, 집광부(10)(구체적으로는, 절연막(15))와 Si 기판(21)과의 사이에 마련되어 있다. 고정 전하막(24)의 재료로서는, 부의 전하를 갖는 고굴절율 재료를 사용할 수 있고, 예를 들면, 산화하프늄(HfO2), 산화알루미늄(Al2O3), 산화지르코늄(ZrO2)막, 산화탄탈륨(Ta2O5), 또는 산화티탄(TiO2)을 사용할 수 있다.
고정 전하막(24)의 성막 방법으로서는, 예를 들면, 화학 기상 성장법(이하, CVD(Chemical Vapor Deposition)법), 스퍼터링법, 원자층 증착법(이하, ALD(Atomic Layer Deposition)법) 등을 들 수 있다. ALD법을 이용하면, 성막 중에 계면 준위를 저감한다.
SiO2막을 동시에 1㎚ 정도의 막두께로 형성할 수 있다. 또한, 상기 이외의 재료로서는, 산화란탄(La2O3), 산화프라세오디뮴(Pr2O3), 산화셀레늄(CeO2), 산화네오디뮴(Nd2O3), 산화프로메튬(Pm2O3) 등을 들 수 있다. 또한, 상기 재료로서는, 산화사마륨(Sm2O3), 산화유로퓸(Eu2O3), 산화가돌리늄((Gd2O3), 산화테르븀(Tb2O3), 산화디스프로슘(Dy2O3) 등을 들 수 있다.
이 밖에, 산화홀뮴(HO2O3), 산화툴륨(Tm2O3), 산화이테르븀(Yb2O3), 산화루테튬(Lu2O3), 산화이트륨(Y2O3) 등을 사용하여도 좋다. 또한, 본 실시의 형태와 같이 부의 고정 전하를 갖는 막(고정 전하막(24))은, 질화하프늄막, 질화알루미늄막, 산질화하프늄막 또는 산질화알루미늄막으로 형성하는 것도 가능하다. 그 막두께는, 예를 들면 4㎚ 이상 100㎚ 이하이다.
도 6은, 수광부(20)의 화소부(200)의 주변 회로 구성을 도시한 기능 블록도이다. 수광부(20)는, 수직(V) 선택 회로(206), S/H(샘플/홀드)·CDS(Correlated Double Sampling : 상관 이중 샘플링) 회로(207), 수평(H) 선택 회로(208), 타이밍 제너레이터(TG)(209), AGC(Automatic Gain Control) 회로(210), A/D 변환 회로(211) 및 디지털 앰프(212)를 가지며, 이들이 동일한 Si 기판(칩)(21)에 탑재되어 있다.
이와 같은 이미지 센서(1A)(및 1B)는, 예를 들면 이하와 같이 하여 제조할 수 있다.
(제조 방법) 우선, 예를 들면 Si 기판(21)에 이온 주입함에 의해 도전형 불순물 반도체층을 마련하고, 포토 다이오드(23)를 형성한다. 계속해서, Si 기판(21)의 표면에 다층 배선층(22)을 형성한 후, Si 기판(21)을 연마하여 수광면(20S)을 형성한다. 다음에, Si 기판(21)의 이면(수광면(20S))의 화소(2)를 형성하는 영역(화소부(200))에, 예를 들면 드라이 에칭을 이용하여 소정의 위치에 단차부(20A)를 형성한다. 여기서, 단차부(20A)의 측벽(20B)은 Si 기판(21)의 평면 방향에 대해 수직으로 형성되어 있지만 반드시 수직일 필요는 없고, 예를 들면 웨트 에칭을 이용하여 형성한 경우와 같이 경사를 갖고 있어도 좋다.
다음에, Si 기판(21)의 수광면(20S)과는 반대측의 면(표면)에, 다층 배선 구조를 갖는 배선층(22)을 형성한다. 계속해서, Si 기판(21)의 이면에, 예를 들면 스퍼터링법에 의해 HfO2막을, 예를 들면 60㎚ 성막하여 고정 전하막(24)을 형성한다.
계속해서, 고정 전하막(24)상에, 예를 들면 CVD법을 이용하여 절연막(15) 및 스퍼터링법을 이용하여 차광막(14)을 차례로 형성한다. 다음에, 평탄화막(13)에 의해 단차부(20A)의 패임부를 매입함과 함께, 수광부(20)를 평탄화한 후, 예를 들면 베이어 배열의 컬러 필터(12) 및 온 칩 렌즈(11)를 차례로 형성한다. 이와 같이 하여 이미지 센서(1A)를 얻을 수 있다.
(작용·효과) 본 실시의 형태와 같은 이면 조사형의 이미지 센서(1A)(또는 1B)는, 인접 화소 사이에서의 혼색의 발생을 억제하기 위해 광 입사측(집광부(10))의 적층막(예를 들면, 컬러 필터(12) 및 평탄화막(13) 등)의 두께를 저배화하는 것이 바람직하다. 또한, 촬상 화소(2A)에서는 포토 다이오드(23)에 입사광의 집광점을 맞춤으로써 가장 높은 화소 특성을 얻을 수 있음에 대해, 상면 위상차 화소(2B)에서는 동분할용의 차광막(14B)에 입사광의 집광점을 맞춤으로써 가장 높은 AF 특성을 얻을 수 있다.
도 7a는, 본 개시의 비교례로서의 이미지 센서(100)의 단면 구성 및 이미지 센서(100)를 구성하는 화소(102)에 입사한 입사광을 모식적으로 도시한 것이다. 이 이미지 센서(100)는, 집광부(110)의 적층막(컬러 필터(112) 및 평탄화막(113))이 저배화되고, 각 화소(102)는 각각 동일 형상의 온 칩 렌즈(111)를 가지며, 촬상 화소(102A) 및 상면 위상차 화소(102B)의 수광면(120S)이 동일 평면상에 마련되어 있다.
이와 같은 이미지 센서(100)에서는, 온 칩 렌즈(111)로부터 사출된 광의 집광 위치는 깊어지고, Si 기판(121) 가까이로 된다. 이 때문에, 차광막(114)에 의한 개구(114a)가 넓은 촬상 화소(102A)에서는, 온 칩 렌즈(111)를 투과한 입사광의 거의 모든 광속이 포토 다이오드(123)에 조사되게 된다. 이에 대해, 동분할에 의해 편심한 개구(114a)를 갖는 상면 위상차 화소(102B)에서는, 광속의 일부가 차광막(114)에 의해 차단되어 포토 다이오드(123)에 조사되지 않는다. 이 상면 위상차 화소(102B)에서의 입사각 특성을 도 7b에 도시하였다.
도 8a는, 본 실시의 형태의 이미지 센서(1B)의 단면 구성 및 각 화소(2A, 2B)에 입사한 입사광을 모식적으로 도시한 것이다. 이미지 센서(1A)에서는, 상술한 바와 같이, 서로 이웃하는 촬상 화소(2A)와 상면 위상차 화소(2B)와 사이에 단차부(20A)를 마련하고, 상면 위상차 화소(2B)의 수광면(20S)을 촬상 화소(2A)의 수광면(20S)보다도 1단 낮은 위치에 마련하고 있다.
구체적으로는, 촬상 화소(2A)에서의 입사광은 수광면(20S)의 부근에, 상면 위상차 화소(2B)에서의 입사광은 동분할용의 차광막(14B)과 같은 깊이 위치에 집광하도록 설계한다. 이에 의해, 촬상 화소(2A)와 마찬가지로 상면 위상차 화소(2B)에서도, 온 칩 렌즈(11)를 투과한 입사광의 거의 모든 광속이 포토 다이오드(23)에 조사되게 된다. 이 상면 위상차 화소(2B)에서의 입사각 특성을 도 8B에 도시하였다.
도 7b 및 도 8b에 도시한 입사각 특성도는, 횡축이 입사각도, 종축이 수광 효율을 나타내고 있다. 도 7a 및 도 8b의 특성도를 비교하면, 수광면(20S)을 촬상 화소(2A)보다도 깊은 위치에 배치한 상면 위상차 화소(2B)의 쪽이 보다 수광 효율이 높다, 환언한다면 동(瞳) 강도 분포의 특성이 보다 선예(先銳)하게 된다. 즉, 본 실시의 형태의 이미지 센서(1)의 상면 위상차 화소(2B)는, 비교례인 이미지 센서(100)의 상면 위상차 화소(102B)보다도 위상차 검출을 행하는데 있어서, 보다 고정밀한 위상차 검출용의 신호를 생성하는 것이 가능해진다.
또한, 본 실시의 형태에서는, 단차부(20A)의 측벽(20B)에 차광막(14A)을 마련함에 의해, 인접 화소 사이에서의 사입사광의 크로스토크에 의한 혼색이 억제된다.
이상과 같이 본 실시의 형태에서는, 집광부(10)와 수광부(20)를 갖는, 서로 이웃하는 촬상 화소(2A) 및 상면 위상차 화소(2B)의 수광부(20)에 단차부(20A)를 마련하고, 이 단차부(20A)의 측벽(20B)을 차광막(14A)에 의해 덮도록 하였다. 이에 의해, 인접하는 화소(2) 사이에서의 사입사광에 의한 크로스토크를 억제하면서, 각 화소(2)의 수광부(20)에 대향하는 온 칩 렌즈(11)를 투과한 입사광을, 촬상 화소(2A) 및 상면 위상차 화소(2B)의 각각에 적합한 깊이 위치에 집광시키는 것이 가능해진다. 따라서, 촬상 화소(2A)의 화소 특성을 유지하면서, 상면 위상차 화소(2B)의 AF 특성을 향상시킬 수 있다. 즉, 간이한 구성에 의해 촬상 화소(2A) 및 상면 위상차 화소(2B)의 각 특성을 양립한 촬상 장치를 제공하는 것이 가능해진다.
이하, 상기 제1의 실시의 형태의 변형례(변형례 1, 2) 및 제2의 실시의 형태에 관해 설명한다. 상기 제1의 실시의 형태와 같은 구성 요소에 관해서는 동일한 부호를 붙이고, 적절히 설명을 생략한다.
<2. 변형례 1>
도 9는, 변형례 1에 관한 이미지 센서(이미지 센서(1C))의 단면 구성을 도시한 것이다. 이미지 센서(1C)는, 상기 제1의 실시의 형태의 이미지 센서(1A)(및 1B)와 마찬가지로, 이면 조사형의 고체 촬상 소자이고, 복수의 화소(2)가 2차원 배열된 구조를 갖는다.
각 화소(2)는, 촬상 화소(2A) 및 상면 위상차 화소(2B)로 구성되어 있고, 서로 이웃하는 촬상 화소(2A)와 상면 위상차 화소(2B)와의 수광부(20)의 수광면(20S)에는, 상기 실시의 형태와 마찬가지로 단차부(20A)가 마련되어 있다. 단, 본 변형례에서의 이미지 센서(1C)에서는, 촬상 화소(2A) 및 상면 위상차 화소(2B)에 관계없이, 수광부(20)의 수광면(20S)측의 이웃하는 화소(2) 사이에 홈(21A)이 마련되어 있는 점이 제1의 실시의 형태와는 다르다.
본 변형례의 수광부(20)에 마련된 홈(21A)은, 각 화소(2)를 수광면(20S)측에서 분리하는 것이다. 홈(21A)은 수광부(20)의 Si 기판(21)에 마련되어 있고, 인접하는 상면 위상차 화소(2B) 사이에 마련된 홈(21A)의 깊이(D)는, 예를 들면 0.1㎛ 이상 5㎛ 이하이다. 홈(21A)의 벽면 및 저면에는, Si 기판(21)의 표면부터 연속하여 형성된 고정 전하막(24)이 마련되어 있다. 또한, 고정 전하막(24)에 의해 피복된 홈(21A)에는 절연막(15)이 매설되어 있다.
이와 같이, 본 변형례에서는 화소(2) 사이에 각각 홈(21A)을 마련하고, 이 홈(21A)에 고정 전하막(24) 및 절연막(15)을 형성한 절연 재료를 매설하도록 하였기 때문에, 인접 화소 사이에서의 사입사광의 크로스토크에 의한 혼색을 보다 저감할 수 있다. 또한, 포화에 의한 인접 화소의 포토 다이오드(23)에의 전하의 오버플로를 막는다는 효과를 이룬다.
<3. 변형례 2>
도 10은, 변형례 2에 관한 이미지 센서(이미지 센서(1D))의 단면 구성을 도시한 것이다. 이미지 센서(1D)는, 상기 이미지 센서(1A∼1C)와 마찬가지로, 이면 조사형의 고체 촬상 소자이고, 복수의 화소(2)가 2차원 배열된 구조를 갖는다. 본 변형례에서의 이미지 센서(1D)는, 변형례 1의 이미지 센서(1C)와 마찬가지로, 촬상 화소(2A) 및 상면 위상차 화소(2B)에 관계없이, 이웃하는 화소(2) 사이의 수광부(20)의 수광면(20S)측에 홈(21A)을 갖는데, 이 홈(21A)에 고정 전하막(24) 및 절연막(15)에 더하여, 차광막(14)이 매설되어 있는 점이 변형례 1과는 다르다.
본 변형례에서의 홈(21A)은, 구체적으로는, Si 기판(21)상에 마련된 고정 전하막(24) 및 절연막(15)이 홈(21A)의 벽면 및 저면에 따라 연속하여 형성되어 있다. 고정 전하막(24) 및 절연막(15)에 의해 피복된 각 홈(21A)에, 각 화소(2)의 사이에 마련된 차광막(14)(구체적으로는, 각각 이웃하는 촬상 화소(2A-2A) 사이에서는 차광막(14C), 촬상 화소-상면 위상차 화소(2A-SB) 사이에서는 차광막(14A), 상면 위상차 화소(2B-2B)에서는 차광막(14B))이 각각 매설되어 있다.
이와 같이 본 변형례에서는, 화소(2) 사이에 마련한 홈(21A)에 고정 전하막(24) 및 절연막(15)에 더하여 차광막(14)을 매설하도록 하였다. 이에 의해, 상기 변형례 1보다도 더욱 인접 화소 사이에서의 사입사광의 크로스토크를 저감할 수 있다.
<4. 제2의 실시의 형태>
도 11은, 본 개시의 제2의 실시의 형태에 관한 이미지 센서(이미지 센서(1E))의 단면 구성의 한 예를 도시한 것이다. 이 이미지 센서(1E)는, 예를 들면 표면 조사형(표면 수광형)의 고체 촬상 소자이고, 복수의 화소(2)가 2차원 배열되어 있다.
화소(2)는, 촬상 화소(2A)와 상면 위상차 화소(2B)로 구성되어 있고, 상기 제1의 실시의 형태 및 변형례 1, 2와 마찬가지로, 서로 이웃하는 촬상 화소(2A) 및 상면 위상차 화소(2B)의 수광면(20S)에 단차부(20A)가 마련되어 있다. 단, 본 실시의 형태의 이미지 센서(1E)는 표면 조사형이기 때문에, 집광부(10)와 수광부(20)를 구성하는 Si 기판(21)과의 사이에는 배선층(22)이 마련되어 있고, 이 배선층(22)을 구성하는 금속막(22B)이 제1의 실시의 형태 등에서의 차광막(14)을 겸하고 있다.
본 실시의 형태에서는, 상술한 바와 같이, 제1의 실시의 형태에서 Si 기판(21)의 집광부(10)가 마련된 면이란 반대측의 면에 마련되어 있던 배선층(22)이 집광부(10)와 Si 기판(21)과의 사이에 마련되어 있고, 배선층(22)을 구성하는 금속막(22B)을 차광막(14)으로서 이용하고 있다.
이 때문에, 제1의 실시의 형태 등에서 설명한 차광막(14) 및 절연막(15)은 생략되고, 본 실시의 형태에서의 집광부(10)는 온 칩 렌즈(11)와 컬러 필터(12)로 구성되어 있다. 또한, 고정 전하막(24)도 생략되어 있다. 수광부(20)에 형성된 단차부(20A)는, 이미지 센서(1A) 등과 마찬가지로, 포토 다이오드(23)를 갖는 Si 기판(21)의 집광부(10)측에 마련되어 있고, 이 단차부(20A)가 마련된 Si 기판(21)의 표면을 수광면(20S)으로 한다.
배선층(22)은, 집광부(10)와 Si 기판(21)과의 사이에 마련됨과 함께, 층간 절연막(22A)을 사이로, 예를 들면 금속막(22B)이 2층(22B1, 22B2 ; (도 11)) 또는 3층 이상(22B1, 22B2, 22B3, …)으로 구성된 다층 배선 구조를 갖는다. 이 금속막(22B)은 트랜지스터나 주변 회로의 금속 배선이고, 일반적인 표면 조사형의 이미지 센서에서는, 화소의 개구율을 확보함과 함께, 온 칩 렌즈 등의 광학 기능층으로부터 사출된 광속을 차폐하지 않도록 각 화소의 사이에 마련되어 있다. 본 실시의 형태에서는, 이 다층 배선(금속막(22)) 중, 가장 Si 기판(21)측에 마련된 금속막(22B1)을 차광막(14)으로서 이용하고 있다.
층간 절연막(22A)은, 금속막(22B1)과 금속막(22B2)과의 사이(22A2), Si 기판(21)과 금속막(22B1)과의 사이(22A1) 및 금속막(22B2)과 집광부(10)(구체적으로는, 컬러 필터(12))와의 사이(22A3)에 마련됨과 함께, 단차부(20A)에 의해 형성된 Si 기판(21)의 패임부를 평탄화하는 것이다.
층간 절연막(22A)의 재료로서는, 예를 들면 무기 재료가 사용되고, 구체적으로는, 예를 들면 실리콘산화막(SiO), 실리콘질화막(SiN), 실리콘산질화막(SiON), 하프늄산화막(HfO), 알루미늄산화막(AlO), 질화알루미늄막(AlN), 탄탈륨산화막(TaO), 지르코늄산화막(ZrO), 하프늄산질화막, 하프늄실리콘산질화막, 알루미늄산질화막, 탄탈륨산질화막 및 지르코늄산질화막 등을 들 수 있다. 층간 절연막(22A)의 막두께, 구체적으로는 촬상 화소(2A)에서의 막두께는, 예를 들면 100㎛ 이상 1000㎛ 이하이다.
금속막(22B)(22B1, 22B2)은, 예를 들면 각 화소(2)에 대응하는 구동용 트랜지스터를 구성하는 전극이고, 그 재료로서는, 예를 들면, 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 백금(Pt), 니켈(Ni), 구리(Cu), 텅스텐(W)또는 은(Ag) 등의 금속 원소의 단체 또는 합금을 들 수 있다.
또한, 상술한 바와 같이 금속막(22B)은, 일반적으로는 화소(2)의 개구율을 확보함과 함께, 온 칩 렌즈(11) 등의 광학 기능층으로부터 사출된 광을 차폐하지 않도록, 각 화소(2) 사이에 각각 적합한 크기로 한다. 단, 본 실시의 형태에서는, Si 기판(21)측에 형성된 금속막(22B1)은 차광막(14)의 기능을 겸하기 때문에, 도 11에 도시한 바와 같이 단차부(20A)에 의해 형성된 층간 절연막(22A1)의 단차에 따라, 그 벽면(22C)을 덮도록 형성된다.
이에 의해, 이웃하는 촬상 화소(2A) 및 상면 위상차 화소(2B)의 각각 온 칩 렌즈(11)를 투과한 광이 인접하는 화소(2B, 2A)의 포토 다이오드(23)에의 입사가 억제된다. 또한, 상면 위상차 화소(2B) 사이에 마련된 금속막(22B1)은, 동분할용의 차광막(14B)의 기능을 겸하도록 상면 위상차 화소(2B)의 수광 영역(R)의 소정의 위치까지 확대하여 형성된다.
촬상 화소(2A) 사이, 촬상 화소(2A)와 상면 위상차 화소(2B)와의 사이 및 인접 배치된 상면 위상차 화소(2B)의 동분할용의 차광막이 형성되지 않은 측에 마련되는 금속막(22B1)도 또한, 차광막(14C)의 기능을 겸하도록, 각각 소정의 크기에 형성된다.
또한, 차광막(14)으로서의 금속막(22B1)의 각 층의 적층 방향에서의 형성 위치, 특히, 상면 위상차 화소(2B) 사이의 차광막(14B)으로서의 금속막(B1)의 형성 위치는, 상면 위상차 화소(2B)의 온 칩 렌즈(11)를 투과한 입사광이 집광하는 깊이 위치, 즉, 촬상 화소(2A)에서의 Si 기판(21)의 표면과 거의 같은 위치가 되도록 형성하는 것이 바람직하다.
상면 위상차 화소(2B)상의 금속막(22B1)의 형성 위치가 입사광의 집광 위치보다도 높은 경우에는, 입사광의 광속의 일부가 금속막(22B1)에 의해 차폐되어 AF 특성이 저하되게 된다. 상면 위상차 화소(2B)상의 금속막(22B1)의 형성 위치가 입사광의 집광 위치보다도 낮은 경우도 마찬가지이다.
이와 같은 배선층(22)은, 예를 들면, 이하의 제조 방법을 이용하여 형성한다. 우선, 단차부(20A)가 마련된 Si 기판(21)상에, 예를 들면 CVD법을 이용하여, 예를 들면 SiO2막을 형성한 후, 에칭, 또는 연마에 의해 층간 절연막(22A1)을 형성한다. 이 층간 절연막(22A1)은, 촬상 화소(2A)와 상면 위상차 화소(2B)와의 사이에 마련된 단차부(20A)에 대응하는 단차를 가짐과 함께, 상면 위상차 화소(2B)상의 SiO2막의 높이가 Si 기판(21)과 같은 정도이다.
계속해서, 층간 절연막(22A1)상에, 예를 들면 스퍼터링법이나 진공 증착법을 이용하여, 예를 들면 A1막을 성막한 후, 포토 리소그래피나 에칭을 이용하여 패터닝을 행하고, 차광막(14)을 겸한 금속막(22B1)을 형성한다. 다음에, 층간 절연막(22A1) 및 금속막(22B1)상에 층간 절연막(22A2)을 형성한 후, 같은 방법을 이용하여 금속막(22B2)을 소정의 형상으로 형성한다. 최후에, 층간 절연막(22A2) 및 금속막(22B2)상에 층간 절연막(22A3)을 형성함에 의해, 배선층(22)이 완성된다.
또한, 여기서는 금속막(22B1)을 스퍼터링법 또는 진공 증착법을 이용하여 성막하였지만, 이것으로 한정하지 않고, 예를 들면 도금법을 이용하여 성막하여도 상관없다. 도 12는 금속막(22B1)을, 도금법을 이용하여 형성한 이미지 센서(1F)의 단면 구성을 도시한 것이다. 본 실시의 형태의 배선층(22)의 금속막(22B1)을, 도금법을 이용하여 형성한 경우에는 도 12에 도시한 바와 같이 상면 위상차 화소(2B)상의 금속막(22B1)의 막두께가 두꺼워진다는 특징을 갖는다.
또한, 지금까지 금속막(22B)이 2층 구조의 배선층(22)을 들어 설명하였지만, 이것으로 한정하지 않고, 3층 이상의 다층 배선 구조로 하여도 좋다.
도 13은, 본 실시의 형태에서의 이미지 센서(이미지 센서(1G))의 다른 예를 도시한 것이다. 이 이미지 센서(1G)는 배선층(22)의 금속막(22B)을 3층 구조(22B1, 22B2, 22B3)로 한 것이고, 제1의 실시의 형태 등의 단차부(20A)를 덮는 차광막(14A, 14C)을 다른 층의 금속막(22B1, 22B2)으로 제각기 형성한 것이다.
이와 같은 배선층(22)은, 예를 들면, 이하의 제조 방법을 이용하여 형성한다. 우선, 단차부(20A)가 마련된 Si 기판(21)상에, 예를 들면 CVD법을 이용하여, 예를 들면 SiO2막을 형성한 후, 에칭, 또는 연마에 의해 층간 절연막(22A1)을 형성한다. 계속해서, 층간 절연막(22A1)상의 소정의 위치에, 예를 들면 스퍼터링법이나 진공 증착법을 이용하여, 예를 들면 Al막을 성막한 후, 포토 리소그래피나 에칭을 이용하여 패터닝을 행하고, 차광막(14)을 겸한 금속막(22B1)을 형성한다.
구체적으로는, 단차부(20A)의 측벽(20B)을 덮는 차광막(14A)에 대응한 위치 및 인접 배치된 상면 위상차 화소(2B) 사이의 동분할용의 차광막(14B) 및 통상의 차광막(14C)에 대응하는 위치에 금속막(22B1)을 형성한다. 다음에, 층간 절연막(22A1) 및 금속막(22B1)상에 층간 절연막(22A2)을 형성한 후, 같은 방법을 이용하여 금속막(22B2)을 소정의 형상으로 형성한다. 또한, 층간 절연막(22A3) 및 금속막(22B3)을 형성한다. 최후에, 층간 절연막(22A2) 및 금속막(22B2)상에 층간 절연막(22A4)을 형성함에 의해, 배선층(22)이 완성된다.
도 13에 도시한 이미지 센서(1G)에서는, 상술한 바와 같이 제1의 실시의 형태 등에서의 차광막(14)은, 다른 층에 마련된 금속막(22B1) 및 금속막(22B2)의 2층에 의해 형성되어 있다. 이 때문에 단차부(20A)의 측벽(20B)을 덮는 차광막(14A)에 대응한 금속막(22B1)은, 촬상 화소(2A)상에 마련된 차광막(14C)을 겸한 금속막(22B2)과는 절단된 형상으로 되어 있다.
또한, 도 11, 도 12에 도시한 바와 같이, 제1의 실시의 형태 등에서의 차광막(14)을 1층의 (환언하면, 동일 공정내로 형성되는) 금속막(22B1)에 의해 형성한 경우에는, 단차부(20A)에서의 차광막(14A, 14C)이 연속하여 형성되기 때문에, 높은 차광 성능을 얻을 수 있다. 한편, 도 13에 도시한 바와 같이 차광막(14)을 2층의 금속막(22B1) 및 금속막(22B2)에 의해 형성한 경우에는, 배선층(22)의 각 층, 층간 절연막(22A)(22A1, 22A2, 22A3, 22A4) 및 금속막(22B)(22B1, 22B2, 22B3)을 간이하게 형성하는 것이 가능해진다.
또한, 본 실시의 형태에서의 상면 위상차 화소(2B)의 컬러 필터(12)는, 제1의 실시의 형태와 마찬가지로 녹색(G) 또는 백색(W)을 할당하는 것이 바람직하지만, 광량이 높은 광이 입사된 경우에는 포토 다이오드(23)에서 전하가 포화하기 쉬워진다. 이 때, 표면 조사형에서는 과잉한 전하는 Si 기판(21)의 하방(기판(21)측)으로부터 배출된다. 이 때문에, 상면 위상차 화소(2B)에 대응한 위치의 Si 기판(21)의 하방, 구체적으로는 포토 다이오드(23)의 하부에, 보다 고농도의 P형 불순물을 도핑하여 오버플로 배리어를 높게하게 하여도 좋다.
이와 같이, 본 개시는 이면 조사형의 이미지 센서로 한정하지 않고, 표면 조사형의 이미지 센서에도 적용 가능하고, 표면 조사형의 경우라도, 상기 제1의 실시의 형태 등과 동등한 효과를 얻을 수 있다.
<5. 제3의 실시의 형태>
제3의 실시의 형태로서, 이면 조사형 이미지 센서이고, 제1 화소와 제2 화소와의 사이에 단차부를 마련함과 함께, 단차부의 측벽에 제1 차광부를 마련하고, 또한 이너 렌즈를 마련한 경우를 예로 들어 설명을 행한다.
도 7a, 도 7b, 도 8a, 및 도 8b를 참조하여 설명한 바와 같이, 예를 들면 도 3에 도시한 화소(2)에는, 촬상 화소(2A)에서의 입사광은 수광면(20S)의 부근에, 상면 위상차 화소(2B)에서의 입사광은 동분할용의 차광막(14B)과 같은 깊이 위치에 집광하도록 설계되어 있다. 이에 의해, 촬상 화소(2A)와 마찬가지로 상면 위상차 화소(2B)에서도, 온 칩 렌즈(11)를 투과한 입사광의 거의 모든 광속이 포토 다이오드(23)에 조사되도록 구성되어 있다.
도 7b 및 도 8b를 참조하여 설명한 바와 같이, 도 7a 및 도 8a의 특성도를 비교함에 의해, 수광면(20S)을 촬상 화소(2A)보다도 깊은 위치에 배치한 상면 위상차 화소(2B)의 쪽이 보다 수광 효율이 높다, 환언하면 동(瞳) 강도 분포의 특성이 보다 선예하게 됨을 알 수 있다. 즉, 본 실시의 형태의 이미지 센서(1)의 상면 위상차 화소(2B)는, 비교례인 이미지 센서(100)의 상면 위상차 화소(102B)보다도 위상차 검출을 행함에 있어서, 보다 고정밀한 위상차 검출용의 신호를 생성하는 것이 가능해진다.
또한, 본 실시의 형태에서는, 단차부(20A)의 측벽(20B)에 차광막(14A)을 마련함에 의해, 인접 화소 사이에서의 사입사광의 크로스토크에 의한 혼색이 억제된다.
그러니, 상면 위상차 화소(2B)의 수광면(20S)을 촬상 화소(2A)의 수광면(20S)보다도 깊은 위치에 배치함으로써, 상면 위상차 화소(2B)의 촬상 특성에 영향을 미칠 가능성이 있다. 도 3을 재차 참조하면, 상면 위상차 화소(2B)는, 촬상 화소(2A)에 비하여 Si 기판(21)이 파고들어가는 양이 많기 때문에, 상면 위상차 화소(2B)의 포토 다이오드(23)는, 촬상 화소(2A)의 포토 다이오드(23)보다도 작게 구성된다.
이와 같이 구성됨으로써, 상면 위상차 화소(2B)의 포토 다이오드(23)는, 촬상 화소(2A)의 포토 다이오드(23)보다도 포화 전자수가 저하되어 버리는 등, 촬상 특성이 열화되어 버릴 가능성이 있다.
그래서, 도 14에 도시하는 바와 같이, 상면 위상차 화소(2B)에 이너 렌즈를 마련한 구성으로 한다. 도 14는, 제3의 실시의 형태에서의 화소(2)의 구성을 도시하는 도면이다. 도 14에서는, 설명을 위해, 배선층(22)은 도시하지 않고, 또한 집광부(10)의 구성을 간략화하여 도시하고 있다.
도 14에 도시한 상면 위상차 화소(2B)는, 이너 렌즈(17)를 구비하는 구성으로 되어 있다. 이너 렌즈(17)는, 온 칩 렌즈(11)와 포토 다이오드(23)의 사이에 마련되어 있다. 또한, 이너 렌즈(17)는, 상면 위상차 화소(2B)에 마련되고, 촬상 화소(2A)에는 마련되지 않는다. 이너 렌즈(17)는, 예를 들면, 도 5에 도시한 바와 같이 복수의 상면 위상차 화소(2B)가 연속하여 마련되어 있는 경우, 그들 복수의 상면 위상차 화소(2B)에 공통으로 이용되는 구성으로 하여도 좋다.
이와 같이 이너 렌즈(17)를 마련함으로써, 도 14에 도시한 바와 같이, 온 칩 렌즈(11)에서 집광된 광이, 또한, 이너 렌즈(17)에서 집광되는 구성으로 된다. 이와 같은 구성으로 함으로써, 상면 위상차 화소(2B)의 수광면(20S)을, 도 3에 도시한 이너 렌즈(17)를 마련하지 않는 구성의 상면 위상차 화소(2B)의 수광면(20S)에 비하여 상측(온 칩 렌즈(11)측)에 마련할 수 있다.
즉, 상면 위상차 화소(2B)에서의 Si 기판(21)이 파고들어가는 양을, 도 3에 도시한 이너 렌즈(17)를 마련하지 않은 구성의 상면 위상차 화소(2B)보다도 적게 하는 것이 가능해진다. 이에 의해, 상면 위상차 화소(2B)의 포토 다이오드(23)의 크기를, 이너 렌즈(17)를 마련하지 않는 상면 위상차 화소(2B)의 포토 다이오드(23)보다도 크게 하는 것이 가능해진다.
따라서, 상면 위상차 화소(2B)의 포토 다이오드의 포화 전자량이 저감하여 버려 촬상 특성이 열화되어 버린다는 것을 억제할 수 있는 상면 위상차 화소(2B)로 하는 것이 가능해진다.
또한, 이너 렌즈(17)를 마련한 이외는, 기본적으로, 도 3에 도시한 상면 위상차 화소(2B)와 같은 구성이기 때문에, 도 3에 도시한 상면 위상차 화소(2B)에 의해 얻어지는 효과는, 도 14에 도시한 상면 위상차 화소(2B)에서도 얻는 것이 가능하다. 즉 예를 들면, 촬상 화소(2A)와 마찬가지로 상면 위상차 화소(2B)에서도, 온 칩 렌즈(11)를 투과한 입사광의 거의 모든 광속이 포토 다이오드(23)에 조사되도록 구성하는 것이 가능하고, 보다 고정밀한 위상차 검출용의 신호를 생성하는 것이 가능해진다.
도 15는, 도 3에 도시한 상면 위상차 화소(2B)에, 이너 렌즈(17)를 마련한 경우의 화소(2)의 구성을 도시하는 도면이다.
도 15에 도시한 상면 위상차 화소(2B)는, 차광막(14B)의 사이, 환언하면, 단차부(20A)의 부분에, 차광막(14B)의 소정의 높이까지 절연막(15)이 마련되어 있다. 또한 여기서는, 절연막(15)이, 차광막(14A)의 하측과 상측에 마련된 예를 들어 설명을 계속하지만, 예를 들면, 도 3에 도시한 상면 위상차 화소(2B)와 같이, 차광막(14A)의 하측에는, 절연막(15)이 마련되고, 상측에는, 평탄화막(13)이 마련되어 있도록 구성하는 것도 가능하다.
상기한 바와 같이, 절연막(15)의 재료로서는, 예를 들면 실리콘산화막(SiO2), 실리콘질화막(SiN), 실리콘산질화막(SiON) 등을 들 수 있고, 평탄화막(13)의 재료로서는, 예를 들면 실리콘산화막(SiO2), 실리콘질화막(SiN), 실리콘산질화막(SiON)을 들 수 있다. 절연막(15)과 평탄화막(13)에, 동일한 재료를 사용한 경우, 도 15에 도시한 바와 같이, 차광막(14A)의 하측과 상측에는, 동일한 재료로 구성된 막이 성막되게 된다.
이와 같은 차이는, 제조 공정이나 사용하는 재료에 의해 다르고, 여기서는, 우선, 차광막(14A)의 하측과 상측에는, 동일한 재료로 구성되는 막이 성막되는 예를 들어 설명하고, 그 막을, 절연막(15)이라고 칭하여 설명을 계속한다.
또한 이 경우, 기능적으로는, 차광막(14A)의 하측의 막은, 차광막(14)을 가공할 때에 Si 기판(21)의 손상을 막기 위한 기능을 가지며, 상측의 막은, 수광부(20)의 수광면(20S)을 평탄화하고, 이너 렌즈(17)의 하면을 평탄화하기 위한 기능을 갖는다.
차광막(14B)의 사이에 형성된 절연막(15)상에, 이너 렌즈(17)가 형성된다. 이너 렌즈(17)의 재료로서는, 예를 들면, 실리콘질화막(SiN) 등을 들 수 있다. 또한 예를 들면, 실록산계 수지(굴절율 1.7), 또는 폴리이미드 등의 고굴절율 수지라도 좋다. 또한, 상기한 수지 중에, 예를 들면 산화티탄, 산화탄탈륨, 산화니오브, 산화텅스텐, 산화지르코늄, 산화아연, 산화인듐, 산화하프늄 등의 금속 산화물 미립자가 함유되어 있고, 굴절율이 높아져 있도록 하여도 좋다.
이너 렌즈(17)상에는, 컬러 필터(12)가 형성되어 있다. 이와 같이, 도 15에 도시한 상면 위상차 화소(2B)는, 이너 렌즈(17)상에, 컬러 필터(12)가 형성되어 있지만, 도 16에 도시하는 바와 같이, 평탄화 유기막(18)을 1층 마련하고, 컬러 필터(12)가 형성되는 구성으로 하는 것도 가능하다.
도 16에 도시한 상면 위상차 화소(2B)에서는, 이너 렌즈(17)와 컬러 필터(12)와의 사이에, 평탄화 유기막(18)이 형성되어 있다. 도 16에 도시한 상면 위상차 화소(2B)와 같이, 컬러 필터(12)의 아래에, 평탄화 유기막(18)을 마련한 구성으로 하여도 좋고, 도 15에 도시한 상면 위상차 화소(2B)와 같이, 컬러 필터(12)의 아래에, 평탄화 유기막(18)을 마련하지 않고, 이너 렌즈(17)를 직접 마련한 구성으로 하여도 좋다.
또한 이너 렌즈(17)의 구성은, 도 15, 도 16에 도시한 곡면 형상(상측이 볼록형상의 구조)가 아니라, 도 17에 도시하는 바와 같은 사각형 형상(박스형)이라도 좋다. 도 17에 도시한 이너 렌즈(17')는, 단면이 사각형 형상이다. 사각형 형상의 이너 렌즈(17')는, 축소화된 화소에서는, 광을 집광할 수 있다는 특징이 있다. 또한, 사각형 형상의 이너 렌즈(17')는, 곡면 형상의 이너 렌즈(17)에 비하여 제조가 용이하다.
여기서는, 곡면 형상의 이너 렌즈(17)와 사각형 형상의 이너 렌즈(17')를 예로 들어 설명을 행하였지만, 이너 렌즈의 형상은, 이 이외의 형상이라도 좋다.
또한 여기서는, 이너 렌즈는, 종방향, 환언하면, 컬러 필터(12)와 포토 다이오드(23)의 사이에, 1개의 이너 렌즈가 마련되어 있는 예를, 예로 들어 설명하였지만, 1개의 이너 렌즈로 한정하지 않고, 복수의 이너 렌즈가 겹쳐진 상태로 마련되는 구성으로 하여도 좋다. 또한 복수의 이너 렌즈가 마련되는 구성으로 하는 경우, 다른 형상의 이너 렌즈가 조합되고 사용되는 구성으로 하여도 좋다.
도 15 내지 도 17에 도시한 이너 렌즈는, 포토 다이오드(23)측에 마련한 예를 나타냈지만, 도 18에 도시하는 바와 같이, 컬러 필터(12)측에 이너 렌즈(19)를 마련한 구성으로 하는 것도 가능하다.
도 18에 도시한 상면 위상차 화소(2B)의 단차부(20A)에는, 평탄화 유기막(18')이 충전되어 있다. 촬상 화소(2A)에 대해, 상면 위상차 화소(2B)는, 단차부(20A)의 분에만, S 기판(21)이 파들어가 있기 때문에, 그 파고 들어감을 이용하여, 평탄화 유기막(18')을 형성할 때, 패임부가 형성되도록 제조하는 것도 가능하다.
예를 들면, 상면 위상차 화소(2B)에 셀프얼라인으로 홈을 형성하고, 그 홈의 부분에, 이너 렌즈(19)를 형성하도록 하는 것도 가능하다. 형성된 이너 렌즈(19)는, 도 18에 도시한 바와 같이, 하측이 볼록 형상(하측이 곡면 형상)의 구조를 갖는 이너 렌즈가 된다.
또한, 도 18에 도시한 예에서는, 상면 위상차 화소(2B)의 단차부(20A)에, 평탄화 유기막(18')이 충전되어 있는 예를 나타냈지만, 도 15 내지 도 17에 도시한 상면 위상차 화소(2B)의 단차부(20A)에 도시한 바와 같이, 절연막(15)이 충전되어 있는 구성이나, 절연막(15)과 평탄화 유기막(18)이 충전되어 있는 구성으로 하는 것도 가능하다.
<제3의 실시의 형태에서의 촬상 소자의 제조에 관해>
도 14 내지 도 18을 참조하여 설명한 이너 렌즈를 구비하는 상면 위상차 화소(2B)를 포함하는 이미지 센서(1A)의 제조에 관해, 도 19 내지 도 21을 참조하여 설명한다. 또한 여기서는, 도 16에 도시한 상면 위상차 화소(2B)를 포함하는 이미지 센서(1A)가 제조되는 경우를 예로 들어 설명한다.
도 19에 도시한 공정 S1에서, 이면 조사형 고체 촬상 소자의 수광면측에, 마스크(31)가 형성된다. 이 마스크(31)는, 상면 위상차 화소(2B)가 되는 화소의 부분 이외에 형성된다. 그리고, 상면 위상차 화소(2B)에 해당하는 Si 기판(21)이 에칭된다.
이 에칭에는, 플라즈마 에칭이나 웨트 에칭을 이용하는 것이 가능하지만, 실리콘의 웨트 에칭을 행하려면, 불질산이나 알칼리를 사용하는 것이 바람직하고, 그 경우에는 산화막이나 질화막의 하드 마스크가 이용되는 것이 바람직하다.
공정 S2에서, Si 기판(21)의 에칭 후에 마스크(31)가 박리된다. 레지스트 마스크의 경우에는, 애싱이나 황산과수가 사용되고, 산화막이나 질화막의 하드 마스크의 경우에는, 불산이 사용된다.
공정 S3에서, Si 기판(21)의 표면에 고정 전하막(24), 절연막(15), 차광막(14)이, 각각 성막된다. 고정 전하막(24)은, 반사 방지막으로 하여도 좋다. 반사 방지막(고정 전하막(24))으로는, 예를 들면, 산화하프늄(HfO2), 산화알루미늄(Al2O3), 산화지르코늄(ZrO2)막, 산화탄탈륨(Ta2O5), 산화티탄(TiO2), 또는 그러한 적층막을 이용하는 것이 가능하다.
고정 전하막(24)이 성막된 후, 절연막(15)이 성막된다. 절연막(15)은, 고정 전하막(24)과 차광막(14)과의 사이에 마련된 층간막으로서도 기능하고, 예를 들면 실리콘산화막(SiO2), 실리콘질화막(SiN), 실리콘산질화막(SiON) 등이 사용된다.
절연막(15)의 성막 방법으로서 CVD 방식이나 ALD 방식이 이용되지만, 상면 위상차 화소(2B)의 단차부(20A)의 측벽에도 성막하기 위해, 사이드 커버리지가 좋은 성막 방법이 선택되는 것이 바람직하다.
절연막(15)이 성막된 후, 차광막(14)이 성막된다. 차광막(14)으로는, 예를 들면 텅스텐(W), 알루미늄(Al), Al과 구리(Cu)의 합금 등이 사용된다. 차광막(14)의 성막 방법으로서 PDV 방식, CVD 방식, ALD 방식 등이 이용되지만, 상면 위상차 화소(2B)의 단차부(20A)의 측벽에도 성막하기 위해, 사이드 커버리지가 좋은 성막 방법이 선택되는 것이 바람직하다.
도 20에 도시한 공정 S5에서, 불필요한 차광막(14)을 제거하고, 차광막(14)을 가공하기 위한 리소그래피가 행하여진다. 상면 위상차 화소(2B)부에는 단차부(20A)가 존재하기 때문에, 단차부(20A)의 저면과 상면의 양쪽에 포커스가 맞추어지는 노광 방법이 이용되는 것이 바람직하다.
공정 S5에서, 드라이 에칭으로 차광막(14)이 가공된다. 그 가공은, 예를 들면, 드라이 에칭 후에, 애싱으로 레지스트 박리가 행하여짐으로써, 차광막(14A), 차광막(14B), 차광막(14C)이 형성된다.
공정 S6에서, 절연막(15)의 일부가 성막된다. 이미 성막되어 있는 절연막(15)상에, 상면 위상차 화소(2B)의 단차부(20A) 내를 충전하고, 이너 렌즈를 평탄화된 막상에 마련하기 위한 절연막(15)이 성막된다.
공정 S6에서의 절연막(15)의 성막은, 다음 공정인 공정 S7에서, 상면 위상차 화소(2B)의 단차부(20A)을 평탄화하는 것이 바람직하기 때문에, HDP(High Density Plasma) 방식이 이용되어 성막되는 것이 바람직하다.
공정 S6에서 성막된 절연막(15)은, 도 20에 도시한 바와 같이, 상면 위상차 화소(2B)의 부분에서, 단차부(20A)가 있기 때문에, 상면 위상차 화소(2B)의 부분에서 패임부가 생기는 형상으로 성막된다.
공정 S7에서, CMP(Chemical Mechanical Polishing)를 이용하여, 산화막의 평탄화가 행하여진다. 도 20에 도시한 바와 같이, 차광막(14C)의 상면의 부분까지 연마됨으로써, 평탄화가 행하여진다.
공정 S8에서, 상면 위상차 화소(2B)의 단차부(20A) 이외가 레지스트 마스크(33)로 덮이고, 드라이 에칭에 의한 에치백이 행하여짐으로써, 상면 위상차 화소(2B)의 단차부(20A)에 집광 구조를 형성하는 스페이스(이너 렌즈를 형성하는 스페이스)가 확보된다.
공정 S6 내지 S8에서, 도 18에 도시한 바와 같이, 평탄화 유기막(18')이 단차부(20A)에 충전되는 구성으로 한 경우, 우선 공정 S6에서, 평탄화 유기막(18')이 성막된다. 평탄화 유기막(18')을 성막하는 경우도, 상기한 절연막(15)의 성막과 같은 방법으로, 성막할 수 있다.
또한, 평탄화 유기막(18')을 성막하는 경우도, 도 20에 도시한 바와 같이, 상면 위상차 화소(2B)의 부분에서, 단차부(20A)가 있기 때문에, 상면 위상차 화소(2B)의 부분에서 패임부가 생기는 형상으로 성막된다. 이 패임부를 이용하여, 이너 렌즈(19)(도 18)를 형성하는 것이 가능하다.
즉, 예를 들면, 공정 S6에서, 평탄화 유기막(18')을 성막할 때, 패임부가 소정의 깊이로 형성되도록 하고, 공정 S7에서 연마를 행할 때, 이너 렌즈(19)(도 18)을 형성하는 스페이스를 남긴 상태로 연마를 행하면, 이너 렌즈(19)를 형성하는 스페이스를 형성할 수 있다. 이 경우, 공정 S8을 생략하는 것도 가능해진다.
또한, 공정 S8에서, 이와 같은 이너 렌즈(19)를 형성하는 패임부를 형성하도록 하는 것도 가능하다. 이너 렌즈(19)를 형성하기 위한 패임부의 위치, 크기, 곡률, 깊이 등은, 레지스트 마스크의 개구, 에칭 시간 등에 의해 임의로 제어할 수 있다.
도 20을 참조한 제조에 관한 설명으로 되돌아와, 공정 S8에서, 이너 렌즈를 형성한 스페이스가 작성되면, 도 21에 도시한 공정 S9로 처리는 진행된다.
공정 S9에서, 굴절율이 높은 재료, 예를 들면, 실리콘질화(SiN)막(34)이 성막된다. 이 성막된 실리콘질화막(34)은, 이너 렌즈의 재료가 된다. 여기서는, 실리콘질화막(34)을 예로 들었지만, 형성된 이너 렌즈에 맞는 재료의 막이, 공정 S9에서 성막된다.
공정 S10에서, 상면 위상차 화소(2B)의 단차부(20A)에 이너 렌즈의 리소그래피가 행하여진다. 작성하고 싶은 이너 렌즈의 형상에 맞는 마스크(35)가 형성된다.
공정 S11에서, 드라이 에칭이 행하여짐으로써, 상면 위상차 화소(2B)의 단차부(20A)에 이너 렌즈(17)가 형성된다.
공정 S10에서, 마스크(35)를, 도 21에 도시한 바와 같은 곡면 형상으로 한 경우, 도 15나 도 16에 도시한 곡면 형상의 이너 렌즈(17)가 형성된다. 공정 S10에서, 마스크(35)를, 도시는 하지 않지만, 사각형 형상으로 한 경우, 도 17에 도시한 사각형 형상의 이너 렌즈(17')가 형성된다.
이와 같이, 형성되는 이너 렌즈의 형상에 맞는 마스크(35)가 형성되고, 에칭이 행하여짐으로써, 곡면 형상이나 사각형 형상의 이너 렌즈가 형성된다.
공정 S12에서, 형성된 이너 렌즈(17)나 절연막(15)상에, 컬러 필터(12)가 형성되고, 그 위에 온 칩 렌즈(11)가 형성된다. 이와 같이 하여, 도 15에 도시한 상면 위상차 화소(2B)를 포함하는 이미지 센서(1A)가 형성된다.
도 16 또는 도 17에 도시한 상면 위상차 화소(2B)를 포함하는 이미지 센서(1A)를 형성하는 경우, 공정 S12에서, 이너 렌즈(17)(또는 이너 렌즈(17'))상에, 평탄화 유기막(18)이 성막된 후, 컬러 필터(12)가 성막되고, 온 칩 렌즈(11)가 형성된다.
이와 같이 하여, 이너 렌즈를 포함하는 구성의 상면 위상차 화소(2B)를 포함하는 이미지 센서(1A)를 제조할 수 있다.
이와 같은 상면 위상차 화소(2B)에, 이너 렌즈를 마련하는 구성으로 함으로써, 상면 위상차 화소(2B)의 초점 검출 정밀도를 손상시키는 일 없이, 상면 위상차 화소(2B)의 포화 전자량의 저감 등의 촬상 특성의 열화를 억제할 수 있다.
또한, 상면 위상차 화소(2B)를 촬상용의 화소로서도 이용하도록 한 경우, 촬상 화소(2A)와 비교하여 촬상 특성의 차분이 적고, 화상의 보정이 간단하게 될 수 있는 이미지 센서(1A)로 하는 것이 가능해진다.
<6. 적용례>
이하, 상기 제1, 제2, 제3의 실시의 형태에서 설명한 이미지 센서(1)의 적용례에 관해 설명한다. 상기 실시의 형태에서의 이미지 센서(1)는 모두, 다양한 분야에서의 전자 기기에 적용 가능하다. 여기서는, 그 한 예로서, 촬상 장치(카메라), 내시경 카메라, 비전 칩(인공망막)에 관해 설명한다.
(적용례 1)
도 22는, 촬상 장치(촬상 장치(300))의 전체 구성을 도시한 기능 블록도이다. 촬상 장치(300)는, 예를 들면 디지털 카메라 또는 디지털 비디오 카메라이고, 광학계(310)와, 셔터 장치(320)와, 이미지 센서(1)(예를 들면, 이미지 센서(1A))와, 신호 처리 회로(330)(화상 처리 회로(340), AF 처리 회로(350))와, 구동 회로(360)와, 제어부(370)를 구비하고 있다.
광학계(310)는, 피사체로부터의 상광(입사광)을 이미지 센서(1)의 촬상면상에 결상시키는 하나 또는 복수의 촬상 렌즈를 포함하는 것이다. 셔터 장치(320)는, 이미지 센서(1)에의 광조사 기간(노광 기간) 및 차광 기간을 제어하는 것이다. 구동 회로(360)는, 셔터 장치(320)의 개폐 구동을 행함과 함께, 이미지 센서(1)에서의 노광 동작 및 신호 판독 동작을 구동하는 것이다.
신호 처리 회로(330)는, 이미지 센서(1)로부터의 출력 신호(SG1, SG2)에 대해, 소정의 신호 처리, 예를 들면 디모자이크 처리나 화이트 밸런스 조정 처리 등의 각종 보정 처리를 시행하는 것이다. 제어부(370)는, 예를 들면 마이크로 컴퓨터로 구성되고, 구동 회로(360)에서의 셔터 구동 동작 및 이미지 센서 구동 동작을 제어함과 함께, 신호 처리 회로(330)에서의 신호 처리 동작을 제어하는 것이다.
이 촬상 장치(300)에서는, 입사광이, 광학계(310), 셔터 장치(320)를 통하여 이미지 센서(1)에서 수광되면, 이미지 센서(1)에서는, 그 수광량에 의거한 신호 전하가 축적된다. 구동 회로(360)에 의해, 이미지 센서(1)의 각 화소(2)에 축적된 신호 전하가 판독(촬상 화소(2A)로부터 얻어진 전기 신호(SG1) 및 상면 위상차 화소(2B)로부터 얻어진 전기 신호(SG2))이 이루어지고, 판독된 전기 신호(SG1, SG2)는 신호 처리 회로(330)의 화상 처리 회로(340) 및 AF 처리 회로(350)에 출력된다.
이미지 센서(1)로부터 출력된 출력 신호는, 신호 처리 회로(330)에서의 소정의 신호 처리가 행하여지고, 영상 신호(Dout)로서 외부(모니터 등)에 출력되는데, 또는, 도시하지 않은 메모리 등의 기억부(기억 매체)에 유지된다.
(적용례 2)
도 23은, 적용례 2에 관한 내시경 카메라(캡슐형 내시경 카메라(400A))의 전체 구성을 도시하는 기능 블록도이다. 캡슐형 내시경 카메라(400A)는, 광학계(410)와, 셔터 장치(420)와, 이미지 센서(1)와, 구동 회로(440)와, 신호 처리 회로(430)와, 데이터 송신부(450)와, 구동용 배터리(460)와, 자세(방향, 각도) 감지용의 자이로 회로(470)를 구비하고 있다.
이들 중, 광학계(410), 셔터 장치(420), 구동 회로(440) 및 신호 처리 회로(430)는, 상기 촬상 장치(300)에서 설명한 광학계(310), 셔터 장치(320), 구동 회로(360) 및 신호 처리 회로(330)와 같은 기능을 갖고 있다. 단, 광학계(410)는, 4차원 공간에서의 복수의 방위(예를 들면 전방위)에서의 촬영이 가능하게 되어 있는 것이 바람직하고, 하나 또는 복수의 렌즈에 의해 구성되어 있다. 단, 본례에서는, 신호 처리 회로(430)에서의 신호 처리 후의 영상 신호(D1) 및 자이로 회로(470)로부터 출력된 자세 감지 신호(D2)는, 데이터 송신부(450)를 통하여 무선 통신에 의해 외부의 기기에 송신되도록 되어 있다.
또한, 상기 실시의 형태에서의 이미지 센서를 적용 가능한 내시경 카메라로서는, 상기한 바와 같은 캡슐형의 것으로 한정하지 않고, 예를 들면 도 24에 도시한 바와 같은 삽입형의 내시경 카메라(삽입형 내시경 카메라(400B))라도 좋다.
삽입형 내시경 카메라(400B)는, 상기 캡슐형 내시경 카메라(400A)에서의 일부의 구성과 마찬가지로 광학계(410), 셔터 장치(420), 이미지 센서(1), 구동 회로(440), 신호 처리 회로(430) 및 데이터 송신부(450)를 구비하고 있다. 단, 이 삽입형 내시경 카메라(400B)는, 또한, 장치 내부에 격납 가능한 암(480a)과, 이 암(480a)을 구동하는 구동부(480)가 부설되어 있다. 이와 같은 삽입형 내시경 카메라(400B)는, 구동부(480)에 암 제어 신호(CTL)를 전송하기 위한 배선(490A)과, 촬영 화상에 의거한 영상 신호(Dout)를 전송하기 위한 배선(490B)을 갖는 케이블(490)에 접속되어 있다.
(적용례 3)
도 25는, 적용례 3에 관한 비전 칩(비전 칩(500))의 전체 구성을 도시하는 기능 블록도이다. 비전 칩(500)은, 눈의 안구(E1)의 속측(奧側)의 벽(시각 신경을 갖는 망막(E2))의 일부에, 매입되어 사용되는 인구(人口) 망막이다. 이 비전 칩(500)은, 예를 들면 망막(E2)에서의 신경절 세포(C1), 수평 세포(C2) 및 시세포(C3) 중의 어느 일부에 매설되어 있고, 예를 들면 이미지 센서(1)와, 신호 처리 회로(510)와, 자극 전극부(520)를 구비하고 있다.
이에 의해, 눈에의 입사광에 의거한 전기 신호를 이미지 센서(1)에서 취득하고, 그 전기 신호를 신호 처리 회로(510)에서 처리함에 의해, 자극 전극부(520)에 소정의 제어 신호를 공급한다. 자극 전극부(520)는, 입력된 제어 신호에 응하여 시각 신경에 자극(전기 신호)을 주는 기능을 갖는 것이다.
이상, 제1, 제2, 제3의 실시의 형태를 들어 본 개시를 설명하였지만, 본 개시는 상기 실시의 형태 등으로 한정되는 것이 아니고, 여러가지의 변형이 가능하다. 온 칩 렌즈와 수광부와의 사이에 다른 광학 기능층을 구비하여도 좋다. 또한, 온 칩 렌즈(11)의 하방, 구체적으로는 온 칩 렌즈(11)와 수광부(20)와의 사이에 또 렌즈(이른바, 이너 렌즈)를 형성한 다중 렌즈 구조로 하여도 좋다.
또한, 본 기술은 이하와 같은 구성을 취하는 것도 가능하다.
(1) 각각이, 광전 변환 소자를 포함하는 수광부와 입사광을 상기 수광부를 향하여 집광하는 집광부를 가짐과 함께, 서로 인접하는 제1 화소 및 제2 화소를 구비하고, 상기 제1 화소 및 상기 제2 화소는, 상기 수광부의 수광면에 단차부를 가지며, 상기 단차부의 벽면의 적어도 일부는 제1 차광부에 의해 덮여 있는 촬상 소자.
(2) 상기 집광부는 광학 기능층으로서 렌즈를 포함하고, 상기 제1 화소 및 상기 제2 화소의 상기 렌즈는 동일 형상을 갖는 상기 (1)에 기재된 촬상 소자.
(3) 상기 제1 화소 및 상기 제2 화소 각각의 각 수광부에 대향하여 상기 렌즈를 갖는 상기 (2)에 기재된 촬상 소자.
(4) 상기 단차부의 벽면은 수직인 상기 (1) 내지 (3)의 어느 하나에 기재된 촬상 소자.
(5) 상기 제2 화소는 상기 수광부와 상기 집광부와의 사이에, 상기 수광면의 일부를 차폐하는 제2 차광부를 갖는 상기 (1) 내지 (4)의 어느 하나에 기재된 촬상 소자.
(6) 상기 제1 화소 및 상기 제2 화소는 이웃하는 화소 사이에 제3 차광부를 갖는 상기 (1) 내지 (5)의 어느 하나에 기재된 촬상 소자.
(7) 상기 제1 차광부, 상기 제2 차광부 및 상기 제3 차광부는 동일 재료에 의해 형성되어 있는 상기 (6)에 기재된 촬상 소자.
(8) 상기 제1 화소에서의 입사광은, 상기 수광부의 상기 수광면 부근에 집광하는 상기 (1) 내지 (7)의 어느 하나에 기재된 촬상 소자.
(9) 상기 제2 화소에서의 입사광은 상기 제2 차광부와 같은 깊이 위치에 집광하는 상기 (1) 내지 (8)의 어느 하나에 기재된 촬상 소자.
(10) 상기 단차부는 유기막에 의해 매설되어 있는 상기 (1) 내지 (9)의 어느 하나에 기재된 촬상 소자.
(11) 상기 유기막의 재료는 폴리이미드 수지, 아크릴 수지, 스티렌 수지, 에폭시 수지인 상기 (10)에 기재된 촬상 소자.
(12) 상기 제1 화소 및 상기 제2 화소는 상기 수광부와 상기 집광부와의 사이에, 고정 전하막을 갖는 상기 (1) 내지 (11)의 어느 하나에 기재된 촬상 소자.
(13) 상기 제1 화소 및 상기 제2 화소는 이웃하는 화소 사이에 홈을 가지며, 상기 홈은 벽면 및 저면에 따라 상기 고정 전하막이 마련되어 있는 상기 (1) 내지 (12)의 어느 하나에 기재된 촬상 소자.
(14) 상기 홈에는 절연 재료가 매설되어 있는 상기 (13)에 기재된 촬상 소자.
(15) 상기 홈에는 절연 재료와 상기 제1 차광부, 제2 차광부 또는 제3 차광부가 매설되어 있는 상기 (13)에 기재된 촬상 소자.
(16) 상기 집광부와 상기 수광부와의 사이에 배선층을 포함하는 구동부를 가지며, 상기 배선층이 상기 제1 차광부, 상기 제2 차광부 및 상기 제3 차광부를 겸하고 있는 상기 (1) 내지 (15)의 어느 하나에 기재된 촬상 소자.
(17) 상기 집광부는 적색, 녹색, 청색 또는 백색의 컬러 필터를 포함하고, 상기 제2 화소의 상기 집광부는 녹색 또는 백색의 컬러 필터를 갖는 상기 (1) 내지 (16)의 어느 하나에 기재된 촬상 소자.
(18) 상기 단차부에, 이너 렌즈를 구비하는 상기 (1) 내지 (17)의 어느 하나에 기재된 촬상 소자.
(19) 상기 이너 렌즈는, 상측 또는 하측에 볼록 구조의 이너 렌즈이든지, 사각형 형상의 이너 렌즈인 상기 (18)에 기재된 촬상 소자.
(20) 촬상 소자를 포함하고,
상기 촬상 소자는, 각각이, 광전 변환 소자를 포함하는 수광부와 입사광을 상기 수광부를 향하여 집광하는 집광부를 가짐과 함께, 서로 인접하는 제1 화소 및 제2 화소를 구비하고, 상기 제1 화소 및 상기 제2 화소는, 상기 수광부의 수광면에 단차부를 가지며, 상기 단차부의 벽면의 적어도 일부는 제1 차광부에 의해 덮여 있는 촬상 장치.
본 출원은, 일본 특허청에서 2013년 3월 29일에 출원된 일본 특허출원 번호2013-73054호 및 2014년 3월 12일에 출원된 일본 특허출원 번호2014-49049호를 기초로 하여 우선권을 주장하는 것이고, 이 출원의 모든 내용을 참조에 의해 본 출원에 원용한다.
당업자라면, 설계상의 요건이나 다른 요인에 따라, 여러 가지의 수정, 콤비네이션, 서브 콤비네이션, 및 변경을 상도 할 수 있는데, 그들은 첨부한 청구의 범위나 그 균등물의 범위에 포함되는 것으로 이해된다.

Claims (20)

  1. 촬상 화소인 제1 화소와,
    상면 위상차 화소임과 함께, 상기 제1 화소에 인접하는 제2 화소를 구비하고,
    상기 제1 화소 및 상기 제2 화소는, 각각,
    광전 변환 소자를 포함하는 수광부와,
    입사광을 상기 수광부를 향하여 집광함과 함께, 서로 동일 형상 및 동일 평면에 사출면을 가지는 렌즈를 포함하는 집광부와,
    상기 수광부의 수광면에 마련되고, 상기 제2 화소의 수광면이 상기 제1 화소의 수광면보다도 낮은 위치에 형성됨과 함께, 벽면의 적어도 일부가 제1 차광부에 의해 덮인 단차부와,
    상기 집광부와 상기 수광부와의 사이에 마련된 배선층을 포함하는 구동부를 가지고,
    상기 제2 화소는 상기 수광부와 상기 집광부와의 사이에, 상기 수광면의 일부를 차폐하는 제2 차광부를 가지고,
    상기 제1 화소에 있어서의 입사광은, 상기 수광부의 상기 수광면의 부근에 집광하고,
    상기 제2 화소에 있어서의 입사광은, 상기 제2 차광부와 동일한 깊이 위치에 집광하는 것을 특징으로 하는 촬상 소자.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 화소 및 상기 제2 화소 각각의 각 수광부에 대향하여 상기 렌즈를 가지는 것을 특징으로 하는 촬상 소자.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 단차부의 벽면은 수직인 것을 특징으로 하는 촬상 소자.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 화소 및 상기 제2 화소는 서로 이웃하는 화소 사이에 제3 차광부를 가지는 것을 특징으로 하는 촬상 소자.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1 차광부, 상기 제2 화소의 상기 수광면의 일부를 차폐하는 제2 차광부 및 이웃하는 상기 제1 화소 및 상기 제2 화소의 사이에 마련된 제3 차광부는 동일 재료에 의해 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 촬상 소자.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 단차부는 유기막에 의해 매설되어 있는 것을 특징으로 하는 촬상 소자.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 유기막의 재료는 폴리이미드 수지, 아크릴 수지, 스티렌 수지, 에폭시 수지인 것을 특징으로 하는 촬상 소자.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제1 화소 및 상기 제2 화소는 상기 수광부와 상기 집광부와의 사이에, 고정 전하막을 가지는 것을 특징으로 하는 촬상 소자.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제1 화소 및 상기 제2 화소는 서로 이웃하는 화소 사이에 홈을 갖고, 상기 홈은 벽면 및 저면에 따라 상기 고정 전하막이 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 촬상 소자.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 홈에는 절연 재료가 매설되어 있는 것을 특징으로 하는 촬상 소자.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 집광부는 적색, 녹색, 청색 또는 백색의 컬러 필터를 포함하고, 상기 제2 화소의 상기 집광부는 녹색 또는 백색의 컬러 필터를 가지는 것을 특징으로 하는 촬상 소자.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 단차부에, 이너 렌즈를 구비하는 것을 특징으로 하는 촬상 소자.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 이너 렌즈는, 상측 또는 하측에 볼록 구조의 이너 렌즈이던지, 사각형 형상의 이너 렌즈인 것을 특징으로 하는 촬상 소자.
  14. 촬상 소자를 포함하고,
    상기 촬상 소자는,
    촬상 화소인 제1 화소와,
    상면 위상차 화소임과 함께, 상기 제1 화소에 인접하는 제2 화소를 구비하고,
    상기 제1 화소 및 상기 제2 화소는, 각각,
    광전 변환 소자를 포함하는 수광부와,
    입사광을 상기 수광부를 향하여 집광함과 함께, 서로 동일 형상 및 동일 평면에 사출면을 가지는 렌즈를 포함하는 집광부와,
    상기 수광부의 수광면에 마련되고, 상기 제2 화소의 수광면이 상기 제1 화소의 수광면보다도 낮은 위치에 형성됨과 함께, 벽면의 적어도 일부가 제1 차광부에 의해 덮인 단차부와,
    상기 집광부와 상기 수광부와의 사이에 마련된 배선층을 포함하는 구동부를 가지고,
    상기 제2 화소는 상기 수광부와 상기 집광부와의 사이에, 상기 수광면의 일부를 차폐하는 제2 차광부를 가지고,
    상기 제1 화소에 있어서의 입사광은, 상기 수광부의 상기 수광면의 부근에 집광하고,
    상기 제2 화소에 있어서의 입사광은, 상기 제2 차광부와 동일한 깊이 위치에 집광하는 것을 특징으로 하는 촬상 장치.
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TW (1) TWI618230B (ko)
WO (1) WO2014157579A1 (ko)

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014157579A1 (ja) * 2013-03-29 2014-10-02 ソニー株式会社 撮像素子および撮像装置
TWI623232B (zh) * 2013-07-05 2018-05-01 Sony Corp 固體攝像裝置及其驅動方法以及包含固體攝像裝置之電子機器
JP2015130442A (ja) * 2014-01-08 2015-07-16 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
JP6274567B2 (ja) * 2014-03-14 2018-02-07 キヤノン株式会社 固体撮像装置及び撮像システム
KR102268712B1 (ko) 2014-06-23 2021-06-28 삼성전자주식회사 자동 초점 이미지 센서 및 이를 포함하는 디지털 영상 처리 장치
JP2016015431A (ja) * 2014-07-03 2016-01-28 ソニー株式会社 固体撮像素子、および電子装置
KR20160008385A (ko) * 2014-07-14 2016-01-22 삼성전자주식회사 위상차 검출 픽셀 및 이를 갖는 이미지 센서
JP7023109B2 (ja) 2015-06-05 2022-02-21 ソニーグループ株式会社 固体撮像装置
JP6545016B2 (ja) * 2015-06-25 2019-07-17 三重富士通セミコンダクター株式会社 固体撮像装置および遮光方法
CN108352391B (zh) * 2015-11-16 2023-01-03 凸版印刷株式会社 固态成像器件的制造方法及固态成像器件、以及彩色滤光片的制造方法及彩色滤光片
US10778879B2 (en) 2015-12-25 2020-09-15 Nikon Corporation Image sensor and image-capturing device that selects pixel signal for focal position
DE102016200285A1 (de) * 2016-01-13 2017-07-13 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Multiaperturabbildungsvorrichtung, Abbildungssystem und Verfahren zum Erfassen eines Objektbereichs
KR20170092911A (ko) * 2016-02-04 2017-08-14 주식회사 동부하이텍 후면 조사형 이미지 센서 및 그 제조 방법
WO2017138370A1 (ja) * 2016-02-09 2017-08-17 ソニー株式会社 固体撮像素子およびその製造方法、並びに電子機器
US10163949B2 (en) * 2016-03-17 2018-12-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Image device having multi-layered refractive layer on back surface
US10451863B2 (en) * 2016-08-05 2019-10-22 Verily Life Sciences Llc Interposer for integration of multiple image sensors
JP2018056520A (ja) * 2016-09-30 2018-04-05 株式会社ニコン 撮像素子および焦点調節装置
JP7079739B2 (ja) * 2017-02-17 2022-06-02 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像素子および電子機器
KR102375989B1 (ko) 2017-08-10 2022-03-18 삼성전자주식회사 화소 사이의 신호 차이를 보상하는 이미지 센서
CN111406402B (zh) * 2017-11-24 2021-11-30 华为技术有限公司 光敏成像系统和设备
CN109411494A (zh) * 2018-10-11 2019-03-01 德淮半导体有限公司 图像传感器及其形成方法
TWI825178B (zh) * 2018-10-29 2023-12-11 日商索尼半導體解決方案公司 攝像裝置
CN109830495B (zh) * 2019-03-21 2021-10-08 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制备方法、显示装置及其成像方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007048774A (ja) * 2005-08-05 2007-02-22 Toppan Printing Co Ltd 撮像素子の製造方法
JP2011003622A (ja) * 2009-06-17 2011-01-06 Nikon Corp 撮像素子
JP4764958B2 (ja) * 2009-11-20 2011-09-07 富士フイルム株式会社 固体撮像装置
JP2012043939A (ja) * 2010-08-18 2012-03-01 Sony Corp 撮像素子および撮像装置
WO2012117931A1 (ja) * 2011-03-02 2012-09-07 ソニー株式会社 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法及び電子機器
JP2012212878A (ja) * 2011-03-24 2012-11-01 Canon Inc 撮像素子および撮像装置

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007053183A (ja) * 2005-08-17 2007-03-01 Fujifilm Corp 固体撮像素子
JP4584159B2 (ja) * 2006-02-24 2010-11-17 セイコーインスツル株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP4915126B2 (ja) 2006-04-10 2012-04-11 株式会社ニコン 固体撮像装置、および電子カメラ
US7569804B2 (en) * 2006-08-30 2009-08-04 Dongbu Hitek Co., Ltd. Image sensor having exposed dielectric layer in a region corresponding to a first color filter by a passivation layer
JP4946294B2 (ja) * 2006-09-14 2012-06-06 ソニー株式会社 撮像素子および撮像装置
US8440495B2 (en) * 2007-03-06 2013-05-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for reducing crosstalk in image sensors using implant technology
JP5422889B2 (ja) * 2007-12-27 2014-02-19 株式会社ニコン 固体撮像素子及びこれを用いた撮像装置
JP2009277885A (ja) * 2008-05-14 2009-11-26 Nikon Corp 固体撮像素子の製造方法
KR101493012B1 (ko) * 2008-07-14 2015-02-16 삼성전자주식회사 이미지 센서의 제조 방법
JP5353201B2 (ja) * 2008-11-21 2013-11-27 ソニー株式会社 固体撮像装置の製造方法
JP4873001B2 (ja) * 2008-12-10 2012-02-08 ソニー株式会社 固体撮像装置とその製造方法、電子機器並びに半導体装置
KR101776955B1 (ko) * 2009-02-10 2017-09-08 소니 주식회사 고체 촬상 장치와 그 제조 방법, 및 전자 기기
JP5503209B2 (ja) 2009-07-24 2014-05-28 キヤノン株式会社 撮像素子及び撮像装置
JP5454894B2 (ja) * 2009-12-16 2014-03-26 株式会社東芝 固体撮像装置およびその製造方法
JP5454223B2 (ja) * 2010-02-25 2014-03-26 株式会社ニコン カメラ
WO2011158567A1 (ja) * 2010-06-18 2011-12-22 富士フイルム株式会社 固体撮像素子及びデジタルカメラ
JP2012084816A (ja) 2010-10-14 2012-04-26 Fujifilm Corp 裏面照射型撮像素子及び撮像装置
JP5649990B2 (ja) * 2010-12-09 2015-01-07 シャープ株式会社 カラーフィルタ、固体撮像素子、液晶表示装置および電子情報機器
FR2969384A1 (fr) * 2010-12-21 2012-06-22 St Microelectronics Sa Capteur d'image a intermodulation reduite
JP2012156212A (ja) * 2011-01-24 2012-08-16 Sharp Corp 固体撮像素子およびその製造方法、電子情報機器
JP2012191005A (ja) * 2011-03-10 2012-10-04 Sony Corp 固体撮像素子、固体撮像素子の製造方法および撮像装置
KR101853333B1 (ko) * 2011-10-21 2018-05-02 삼성전자주식회사 블랙 레벨 안정화를 위한 이미지 센서
JP2013145779A (ja) * 2012-01-13 2013-07-25 Sony Corp 固体撮像装置及び電子機器
KR102034482B1 (ko) * 2013-03-04 2019-10-21 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 이의 형성 방법
US9006080B2 (en) * 2013-03-12 2015-04-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Varied STI liners for isolation structures in image sensing devices
WO2014157579A1 (ja) * 2013-03-29 2014-10-02 ソニー株式会社 撮像素子および撮像装置
EP3076662A4 (en) * 2013-11-26 2017-08-09 Nikon Corporation Electronic device, imaging device, and imaging element
JP2015162580A (ja) * 2014-02-27 2015-09-07 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置およびその製造方法、ならびに半導体装置の制御方法
JP6491509B2 (ja) * 2015-03-25 2019-03-27 キヤノン株式会社 固体撮像装置及びその製造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007048774A (ja) * 2005-08-05 2007-02-22 Toppan Printing Co Ltd 撮像素子の製造方法
JP2011003622A (ja) * 2009-06-17 2011-01-06 Nikon Corp 撮像素子
JP4764958B2 (ja) * 2009-11-20 2011-09-07 富士フイルム株式会社 固体撮像装置
JP2012043939A (ja) * 2010-08-18 2012-03-01 Sony Corp 撮像素子および撮像装置
WO2012117931A1 (ja) * 2011-03-02 2012-09-07 ソニー株式会社 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法及び電子機器
JP2012212878A (ja) * 2011-03-24 2012-11-01 Canon Inc 撮像素子および撮像装置

Also Published As

Publication number Publication date
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TWI618230B (zh) 2018-03-11

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