JP6545016B2 - 固体撮像装置および遮光方法 - Google Patents

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Description

開示の技術は、固体撮像装置および固体撮像装置における混色防止のための遮光方法に関する。
CMOS(Complementary MOS(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor))イメージセンサ等の固体撮像装置の構造として、表面照射型(FSI: Front Side Illumination)および裏面照射型(BSI: Back Side Illumination)が知られている。表面照射型の固体撮像装置は、フォトダイオードを有する半導体層の上に、配線層、カラーフィルタおよびマイクロレンズをこの順で積層した構造を有する。表面照射型の固体撮像装置においては、マイクロレンズおよびカラーフィルタを透過した撮像対象物からの光は、配線の合間を通過してフォトダイオードに到達する。このため、表面照射型の固体撮像装置においては、斜め方向から入射する光が配線で反射され、光の利用効率を高めて感度の向上を図ることは困難である。
一方、裏面照射型の固体撮像装置は、半導体層の配線層の形成面とは反対側に、カラーフィルタおよびマイクロレンズを有する。すなわち、裏面照射型の固体撮像装置においては、マイクロレンズおよびカラーフィルタを透過した撮像対象物からの光は、配線層を経由することなくフォトダイオードに到達する。裏面照射型の固体撮像装置によれば、表面照射型よりも光の利用効率を向上させて感度を高くすることができる。
裏面照射型の固体撮像装置に関して、例えば以下の技術が知られている。例えば、画素境界に対応する部分に断面逆テーパー形状の遮光膜を有する固体撮像装置が知られている。
また、基板の第1面より入射した光を信号電荷に変換して蓄積する光電変換部と、基板の第1面上に形成された反射防止膜と、を備え、基板の第1面が傾斜面を含む固体撮像装置が知られている。この固体撮像装置において、傾斜面は画素領域の中心部から離れる程傾斜角が大きくなるように構成されている。
特開2011−216826号公報 特開2009−232392号公報
上記したように、裏面照射型の固体撮像装置によれば、表面照射型よりも感度を高めることが可能となる。しかしながら、裏面照射型の固体撮像装置においては、光学的なクロストークである所謂混色が問題となる。混色とは、複数の色成分を含む光の中から例えば、緑色光を選択的に透過させるカラーフィルタを透過した緑色光が、青色光または赤色光の受光を担うフォトダイオードに入射することである。固体撮像装置を構成する画素アレイのサイズ縮小の要求に伴って混色の問題は深刻となりつつある。特に、画素アレイの外周部においては、画素アレイの中央部よりも光の入射角が大きいことから、混色の問題がより顕著となる。
開示の技術は、一つの側面として、画素アレイの外周部における混色を抑制することを目的とする。
開示の技術に係る固体撮像装置は、各々が照射される光を受光する複数の受光部を有する画素アレイと、第1の遮光部とを含む。前記第1の遮光部は、前記画素アレイの外周部において前記受光部の光入射側に設けられている。前記第1の遮光部は、互いに隣接する受光部同士の間の領域である受光部間領域から画素アレイ中央側に向けて伸びる第1の辺を前記画素アレイの受光面と交差する断面において有する。また、前記第1の遮光部は、前記第1の辺の画素アレイ中央側の端部から光入射側に向けて伸びる第2の辺を、前記断面において有する。前記第1の辺の画素アレイ中央側の端部が、当該第1の遮光部の画素アレイ中央側に隣接する前記画素アレイの外周部における受光部と平面視で重なっている。前記第1の辺の画素アレイ中央側の端部の反対側の端部と前記受光部との距離が一定である。第1の領域に設けられた前記第1の遮光部の前記第1の辺の長さは、前記第1の領域よりも画素アレイ中央側の第2の領域に設けられた前記第1の遮光部の前記第1の辺の長さよりも長い。
開示の技術は、一つの側面として、画素アレイの外周部における混色を抑制する効果を奏する。
開示の技術の実施形態に係る固体撮像装置を構成する画素アレイの受光面の模式的な平面図である。 開示の技術の実施形態に係る画素アレイの中央部に位置する画素群の受光面側の構成を示す平面図である。 開示の技術の実施形態に係る画素アレイの外周部に位置する画素群の受光面の構成を示す平面図である。 開示の技術の実施形態に係る画素アレイの外周部に位置する画素群の受光面の構成を示す平面図である。 開示の技術の実施形態に係る画素アレイの左上コーナ部に配置された画素群の受光面側の構成を示す平面図である。 図2における6−6線に沿った断面図である。 図3における7−7線に沿った断面図である。 図4における8−8線に沿った断面図である。 開示の技術の実施形態に係る画素アレイに入射する撮像対象物から光の方向を模式的に示す斜視図である。 開示の技術の実施形態に係る画素アレイの中央部に位置する画素群に入射する光の進行方向を示す断面図である。 開示の技術の実施形態に係る画素アレイの外周部に位置する画素群に入射する光の進行方向を示す断面図である。 開示の技術の実施形態に係る固体撮像装置の製造方法を示す断面図である。 開示の技術の実施形態に係る固体撮像装置の製造方法を示す断面図である。 開示の技術の実施形態に係る固体撮像装置の製造方法を示す断面図である。 開示の技術の実施形態に係る固体撮像装置の製造方法を示す断面図である。 開示の技術の実施形態に係る固体撮像装置の製造方法を示す断面図である。 開示の技術の実施形態に係る固体撮像装置の製造方法を示す断面図である。 開示の技術の実施形態に係る固体撮像装置の製造方法を示す断面図である。 開示の技術の実施形態に係る固体撮像装置の製造方法を示す断面図である。 開示の技術の実施形態に係る固体撮像装置の製造方法を示す断面図である。 開示の技術の実施形態に係る固体撮像装置の製造方法を示す断面図である。 開示の技術の実施形態に係る固体撮像装置の製造方法を示す断面図である。 開示の技術の第2の実施形態に係る固体撮像装置の断面図である。 開示の技術の第3の実施形態に係る画素アレイの外周部に位置する画素群の受光面側の構成を示す平面図である。 開示の技術の第3の実施形態に係る画素アレイの外周部に位置する画素群の受光面側の構成を示す平面図である。 図18における20−20線に沿った断面図である。 図19における21−21線に沿った断面図である。
以下、開示の技術の実施形態の一例を図面を参照しつつ説明する。なお、各図面において同一または等価な構成要素および部分には同一の参照符号を付与している。
[第1の実施形態]
図1は、開示の技術の実施形態に係る固体撮像装置を構成する画素アレイ100Aの受光面Sの模式的な平面図である。図1に示すように、画素アレイ100Aは、行および列をなすように、マトリックス状に配置された複数の画素100を含んで構成されている。以下においては、画素アレイ100Aの中央部に位置する領域R3内に配置された画素群P3、領域R3の外側に位置する領域R2内に配置された画素群P2、領域R2の外側に位置する領域R1内に配置された画素群P1について主に説明する。
図2は、画素アレイ100Aの中央部に位置する領域R3内に配置された画素群P3の受光面S側の構成を示す平面図である。図3は、画素アレイ100Aの外周部に位置する領域R2内に配置された画素群P2の受光面S側の構成を示す平面図である。図4は、画素アレイ最外周部に位置する領域R1内に配置された画素群P1の受光面S側の構成を示す平面図である。図5は、領域R1内であって、画素アレイ100Aの左上コーナ部に配置された画素群P1c(図1参照)の受光面S側の構成を示す平面図である。なお、図2においては、開示の技術の実施形態に係る固体撮像装置の構成要素のうち、受光部16b、16gおよび16rを含む複数の受光部16と、金属部21bおよび金属部22bを含んで構成される第2の遮光部20bのみが示されている。同様に、図3〜図5においては、開示の技術の実施形態に係る固体撮像装置の構成要素のうち、受光部16b、16gおよび16rを含む複数の受光部16と、金属部21aおよび金属部22aを含んで構成される第1の遮光部20aのみが示されている。なお、受光部16b、16gおよび16rを区別しない場合、「受光部16」と表記する。
図6は、図2における6−6線に沿った断面図である。すなわち、開示の技術の実施形態に係る固体撮像装置10を構成する画素群P3の、受光面Sと交差する断面を示す図である。図7は、図3における7−7線に沿った断面図である。すなわち、開示の技術の実施形態に係る固体撮像装置10を構成する画素群P2の、受光面と交差する断面を示す図である。図8は、図4における8−8線に沿った断面図である。すなわち、開示の技術の実施形態に係る固体撮像装置10を構成する画素群P1の、受光面と交差する断面を示す図である。
固体撮像装置10は、裏面照射型のイメージセンサを構成するものであり、基板11、配線層14、受光部16、第1の遮光部20aまたは第2の遮光部20b、カラーフィルタ31b、31g、31rおよびマイクロレンズ33をこの順で積層して構成される。撮像対象物からの光Lは、マイクロレンズ33、カラーフィルタ31b、31gおよび31rを経由して各受光部16で受光され、画像データが生成される。
基板11は、固体撮像装置10を支持し得る機械的強度を有する支持基板である。基板11は、例えば、シリコン基板であってもよい。
配線層14は、基板11の光入射側に設けられている。配線層14は、複数の層を形成するように設けられたアルミまたは銅等の導電体からなる配線13と、配線13間を絶縁するSiO等の絶縁体からなる絶縁膜12と、を含んで構成されている。
受光部16は、配線層14の光入射側に設けられている。本実施形態において、受光部16は、n型半導体で構成されている。受光部16の周囲にはp型半導体15が延在している。p型半導体15および受光部16を構成するn型半導体によってフォトダイオードが構成される。このフォトダイオードは、受光した撮像対象物からの光Lを電荷に変換する光電変換素子として機能する。1つの受光部16は、それぞれ、画素アレイ100Aを構成する1つの画素100に対応している。
本実施形態において、受光部16bはカラーフィルタ31bを透過した青色光の受光を担い、受光部16gはカラーフィルタ31gを透過した緑色光の受光を担い、受光部16rは、カラーフィルタ31rを透過した赤色光の受光を担う。受光部16bと受光部16gとは、間隙を隔てて離間している。同様に、受光部16gと受光部16rとは、間隙を隔てて離間している。以下において、互いに隣接する受光部同士の間の領域を受光部間領域Gと称する。
受光部16の光入射側には、酸化ハフニウム(HfO)や五酸化タンタル(Ta)の誘電率が比較的高い材料によって構成される高誘電率膜17が設けられている。受光部16を含んで構成されるフォトダイオードのpn接合に生じる空乏層が、p型半導体15の表面に達するとリーク電流が生じる。p型半導体15の表面に高誘電率膜17を設けることで、空乏層の拡がりを抑えてリーク電流を抑制することができる。高誘電率膜17の光入射側には、SiO等の絶縁体によって構成される下地膜18が設けられている。
下地膜18の光入射側には、画素アレイ100Aの中央部に位置する領域R3において第2の遮光部20bが設けられ、画素アレイ100Aの外周部に位置する領域R2およびR1において第1の遮光部20aが設けられている。第1の遮光部20aおよび第2の遮光部20bは、それぞれ、撮像対象物からの光Lの受光部16への入射を規制する役割を担う。本実施形態において、第1の遮光部20aは、金属部21aおよび金属部21aに接続された金属部22aを含んで構成されている。同様に、第2の遮光部20bは、金属部21bおよび金属部21bに接続された金属部22bを含んで構成されている。金属部21a、21b、22aおよび22bは、可視光を遮断する金属で構成されている。金属部21a、21b、22aおよび22bの材料として、例えば、アルミニウム(Al)、タングステン(W)または銅(Cu)などを好適に用いることができる。
第1の遮光部20aおよび第2の遮光部20bは、図2〜図5に示す平面でみた場合(すなわち、受光面側からみた場合)、画素アレイ100Aを構成する複数の画素(複数の受光部16)の配列に沿って設けられており、格子状をなしている。本実施形態において、画素アレイ100Aの外周部に設けられる第1の遮光部20aと、画素アレイ100Aの中央部に設けられる第2の遮光部20bとは、互いに異なる形態を有する。第1の遮光部20aおよび第2の遮光部20bの詳細な構成については後述する。第1の遮光部20aを構成する金属部21a、22aおよび第2の遮光部20bを構成する金属部21b、22bの周囲には、SiO等の絶縁体からなる絶縁膜23が延在している。第1の遮光部20aおよび第2の遮光部20bの光入射側には、光透過性を有する樹脂によって構成される下地膜24が設けられている。
下地膜24の光入射側には、カラーフィルタ31b、31gおよび31rが設けられている。カラーフィルタ31bは、青色光を選択的に透過させる顔料を含有するレジストを含んで構成されており、青色光の受光を担う受光部16bに対応して設けられている。すなわち、カラーフィルタ31bを透過した光が受光部16bに入射するように、カラーフィルタ31bと受光部16bとの相対的な位置関係が定められている。カラーフィルタ31gは、緑色光を選択的に透過させる顔料を含有するレジストを含んで構成されており、緑色光の受光を担う受光部16gに対応して設けられている。すなわち、カラーフィルタ31gを透過した光が受光部16gに入射するように、カラーフィルタ31gと受光部16gとの相対的な位置関係が定められている。カラーフィルタ31rは、赤色光を選択的に透過させる顔料を含有するレジストを含んで構成されており、赤色光の受光を担う受光部16rに対応して設けられている。すなわち、カラーフィルタ31rを透過した光が受光部16rに入射するように、カラーフィルタ31rと受光部16rとの相対的な位置関係が定められている。カラーフィルタ31b、31gおよび31rの光入射側には、光透過性を有する樹脂によって構成される下地膜32が設けられている。
下地膜32の光入射側には、マイクロレンズ33が設けられている。マイクロレンズ33は、撮像対象物からの光Lを受光部16b、16gおよび16rに集光する。マイクロレンズ33は、画素アレイ100Aを構成する各画素100(受光部16)に対応して設けられている。
以下に、第1の遮光部20aおよび第2の遮光部20bの詳細な構成について説明する。はじめに、画素アレイ100Aの中央部に位置する領域R3内に設けられる第2の遮光部20bの形態を、図2および図6を参照しつつ説明する。第2の遮光部20bは、受光部間領域G上に設けられている。図6に示すように、第2の遮光部20bを構成する金属部21bおよび金属部22bは、略同じ幅寸法を有する。ここで幅寸法とは、図6における横方向の長さを意味する。また、金属部22bは、金属部21bの略中央に配置されている。金属部21bおよび金属部22bは、図2に示す平面において、略同じ形状および寸法で形成されており、図2において、金属部21bは、金属部22bによって覆われて図示されていない。図6に示すように、第2の遮光部20bは、受光部間領域G上において、光入射側に向けて伸びている。
次に、画素アレイ100Aの外周部に位置する領域R1およびR2内に設けられる第1の遮光部20aの形態を、図3、図4、図7および図8を参照しつつ説明する。図7および図8に示すように、第1の遮光部20aを構成する金属部21aは、受光部間領域Gの中央を起点として画素アレイ中央側に向けて伸びている。金属部22aは、金属部21aの画素アレイ中央側の端部に接続されており、光入射側に向けて伸びている。すなわち、第1の遮光部20aは、受光部間領域Gの中央を起点として画素アレイ中央側に向けて伸びる辺Aと、辺Aの画素アレイ中央側の端部から光入射側に向けて伸びる辺Bと、を受光面Sと交差する断面において有する。なお、図3、図4、図7および図8は、画素アレイ左端側に配置された画素群P1およびP2の構成を示していることから、各図の右側が画素アレイ中央側となり、各図の左側が画素アレイ外周側となる。本実施形態において、第1の遮光部20aの、受光面Sと交差する断面における形状は、辺Aおよび辺Bを含むL字型とされている。第1の遮光部20aの断面形状をL字型とすることで、他の形状とする場合と比較して、第1の遮光部20aを形成するためのプロセスを、簡略化することができる。
なお、図示しないが、画素アレイ右端側においては、画素アレイ中央側は左側となるので、画素アレイ右端側の遮光部は、図7および図8と同じ断面でみた場合、図7および図8に示された遮光部20aに対して左右対称の形態となる。また、画素アレイ上端側においては、画素アレイ中央側は下側となるので、金属部21aは、図3および図4と同じ平面でみた場合に、受光部間領域Gを起点として下側に伸びている。同様に、画素アレイ下端側においては、画素アレイ中央側は上側となるので、金属部21aは、図3および図4と同じ平面でみた場合に、受光部間領域Gを起点として上側に伸びている。
図7および図8に示すように、第1の遮光部20aの辺Aの画素アレイ中央側の端部は、当該第1の遮光部20aに隣接する受光部16と重なる位置まで伸びている。すなわち、図3および図4に示す平面図からも明らかなように、第1の遮光部20aは、各受光部16の画素アレイ外周側の端部(図3および図4に示す例では、受光部16の左端部)を覆っている。一方、画素アレイ100Aの各コーナ部においては、第1の遮光部20aは、各受光部16の画素アレイ外周側となる2つの端部を覆っている。例えば、画素アレイ100Aの左上コーナ部に配置された画素群P1cにおける第1の遮光部20aは、図5に示すように、各受光部16の左端部および上端部を覆っている。
また、図7と図8とを比較して明らかなように、画素アレイ100Aの最外周に位置する領域R1における遮光部20aの辺Aの長さは、領域R1よりも画素アレイ中央側に位置する領域R2における第1の遮光部20aの辺Aの長さよりも長い。
以下において、第1の遮光部20aおよび第2の遮光部20bの作用について説明する。図9は、画素アレイ100Aに入射する撮像対象物から光Lの方向を模式的に示す斜視図である。撮像対象物からの光Lは、レンズ200を介して画素アレイ100Aに照射される。光Lは、レンズ200を通過することで、放射状に広がって画素アレイ100Aの受光面Sに到達する。画素アレイ100Aの中央部に位置する領域R3において、光Lは、画素アレイ100Aの受光面Sに対して略垂直に入射する。一方、画素アレイ100Aの外周部に位置する領域R2およびR1において、光Lは、画素アレイ100Aの受光面Sに対して斜め方向から入射する。例えば、画素アレイ100Aの左端に位置する画素に対しては、光Lは斜め右方向から入射する。光Lの入射角は、画素アレイ100Aの最外周に位置する領域R1の方がこれよりも内側の領域R2よりも大きくなる。なお、光Lの入射角は、受光面Sの法線と光Lによる光線とのなす角である。
図10は、画素アレイ100Aの中央部に位置する領域R3内の画素群P3に入射する光の進行方向を示す断面図である。なお、図10に示す断面は、図6に示す断面と同じ断面である。また、図10においては、図面の煩雑性を回避する観点から、固体撮像装置10の構成要素の一部が省略されている。画素群P3に入射する青色光Lb、緑色光Lgおよび赤色光Lrは、画素アレイ100Aの受光面に対して略垂直に入射する。従って、カラーフィルタ31b、31gおよび31r(図10において図示せず)をそれぞれ透過した青色光Lb、緑色光Lgおよび赤色光Lrは、対応する受光部16b、16gおよび16rにそれぞれ入射する。領域R3内においては、光入射側に向けて伸びる第2の遮光部20bを受光部間領域Gに配置することで、混色を抑制することが可能である。
図11は、画素アレイ100Aの外周部に位置する領域R1内の画素群P1に入射する光の進行方向を示す断面図である。なお、図11に示す断面は、図8に示す断面と同じ断面である。また、図11においては、図面の煩雑性を回避する観点から、固体撮像装置10の構成要素の一部が省略されている。画素群P1に入射する光は、画素アレイ100Aの受光面に対して入射角θの傾きを有して入射する。図11においては、カラーフィルタ31gを透過した緑色光Lgが例示されている。青色光の受光を担う受光部16bに向かう緑色光Lgは、光入射側に向けて伸びる第1の遮光部20aの金属部22aによって反射される。これにより、緑色光Lgの受光部16bへの入射(すなわち混色)が抑制される。
また、金属部21aが、受光部間領域Gから画素アレイ中央側に伸びているので、受光部16g内を透過する緑色光Lgの受光部16g内における透過距離を長くすることができる。これにより、緑色光Lgが、受光部16gに隣接する受光部16bに到達する前に、緑色光Lgを十分に減衰させることが可能となり、混色を抑制することができる。
また、金属部21aを画素アレイ中央側に伸ばすことで、金属部22aの上端において生じる回折光Ldを、金属部21aの上面で反射させることができる。これにより、回折光Ldの受光部16rへの侵入(すなわち混色)が抑制される。
入射する光によって形成される、金属部22aの先端に対応する影の先端が、金属部21aの画素アレイ外周側の端部と重なるように、若しくはこれよりも画素アレイ外周側に位置するように、遮光部20aの辺Bの長さbを定めることが好ましい。遮光部20aの辺Bの長さbを上記のように定めることで、混色を効果的に抑制することが可能となる。
ここで、金属部21aの画素アレイ外周側の端部から受光部16の深さ方向に伸ばした直線Cと入射角θで入射する光線との交点Xとする。また、交点Xのp型半導体15の光入射側の表面からの深さをDとする。交点Xの深さDを500nm以上とすることで、受光部16g内を透過した緑色光Lgが受光部16bに達する前に、緑色光Lgを十分に減衰させることができ、混色を効果的に抑制することができる。すなわち、第1の遮光部20aの辺Aの長さaが下記の(1)式を満たすことで、混色を効果的に抑制することができる。
a≧500nm×tanθ ・・・(1)
なお、領域R2においても、領域R1の場合と同様に、遮光部20aによって混色が抑制される。領域R2に入射する光の入射角θは、領域R1に入射する光の入射角θよりも小さいので、上記(1)式によれば、領域R2においては、遮光部20aの辺Aの長さaを、領域R1における遮光部20aの辺Aの長さaよりも小さくすることができる。
以下に、固体撮像装置10の製造方法について説明する。図12A〜12C、図13A〜図13C、図14A、図14B、図15A、図15Bおよび図16は、固体撮像装置10の製造方法を示す断面図である。なお、これら各図面の右半分は画素アレイ100Aの中央部に位置する画素群P3に対応し、左半分は画素アレイ100Aの外周部に位置する画素群P1に対応する。
はじめに、公知のイオン注入法を用いて、p型半導体15によって構成される半導体基板にn型半導体からなる受光部16b、16gおよび16rを形成する。その後、p型半導体15上に、SiO等の絶縁体からなる絶縁膜12と配線13とを交互に積層することにより配線層14を形成する(図12A)。
次に、配線層14の表面に基板11を貼り付ける(図12B)。基板11は、固体撮像装置10を支持し得る機械的強度を有する支持基板であり、例えば、シリコン基板であってもよい。
次に、p型半導体15の基板11側とは反対側の面(光入射側の面)を研磨して、p型半導体15を所望の厚さにまで薄化する(図12C)。
次に、公知のCVD(Chemical Vapor Deposition)法を用いて、p型半導体15の光入射側の表面に酸化ハフニウム(HfO)または五酸化タンタル(Ta)等によって構成される、厚さ50nm程度の高誘電率膜17を形成する。その後、例えば、プラズマCVD法を用いて、高誘電率膜17の表面にSiO等の絶縁体からなる下地膜18を形成する(図13A)。
次に、公知のCVD法を用いて、下地膜18の表面に、厚さ30nm程度の窒化チタン(TiN)膜および厚さ70nm程度のタングステン(W)膜を順次形成する。その後、公知のフォトリソグラフィー技術を用いて、窒化チタン膜およびタングステン膜のパターニングを行うことにより、金属部21aおよび金属部21bを形成する(図13B)。画素アレイ100Aの中央部に位置する画素群P3における金属部21bは、受光部間領域G上にのみ延在するようにパターニングされる。なお、受光部間領域Gの幅wgは、例えば200nm程度であり、金属部21bの幅w1は、例えば150nm程度である。一方、画素アレイ100Aの外周部に位置する画素群P1における金属部21aは、受光部間領域Gから画素アレイ中央側に迫り出すようにパターニングされ、隣接する受光部16b、16gおよび16rの画素アレイ外周側の端部を覆っている。金属部21aの幅w3は、例えば300nmである。なお、金属部21aの幅w3は、第1の遮光部20aの辺Aの長さaに相当する。
次に、公知のプラズマCVD法を用いて、金属部21aおよび21bを覆うように、SiO等の絶縁体からなる絶縁膜23を形成する。その後、公知のCMP(Chemical Mechanical Polishing)法を用いて絶縁膜23の表面を平坦化し、金属部21aおよび21b上に堆積する絶縁膜23の厚さを350nm程度とする。続いて、公知のフォトリソグラフィー技術およびエッチングにより、絶縁膜23に、金属部21aおよび21bに達する幅120nm程度のトレンチ23aを形成する(図13C)。画素アレイ100Aの中央部に位置する画素群P3においては、トレンチ23aは、金属部21bの略中央に配置される。一方、画素アレイ100Aの外周部に位置する画素群P1においては、トレンチ23aは、金属部21aの画素アレイ中央側の端部に配置される。
次に、公知のCVD法を用いて、絶縁膜23の表面に、厚さ30nm程度の窒化チタン(TiN)膜および厚さ100nm程度のタングステン(W)膜を順次形成する。これにより、窒化チタン膜およびタングステン膜がトレンチ23a内に充填され、金属部22aおよび22bが形成される。その後、公知のCMP法を用いて、絶縁膜23の表面に堆積している窒化チタン膜およびタングステン膜を除去する(図14A)。
次に、絶縁膜23の表面に光透過性を有する樹脂を塗布することによって、厚さ50nm程度の下地膜24を形成する。次に、緑色光を透過する顔料を含有する厚さ500nm程度のレジストを下地膜24上に塗布し、これを露光・現像処理することによりカラーフィルタ31gを形成する。その後、同様のプロセスによりカラーフィルタ31bおよび31rを順次形成する(図14B)。
次に、カラーフィルタ31b、31gおよび31rの表面に光透過性を有する樹脂を塗布することによって、カラーフィルタ31b、31gおよび31rの表面を平坦化する厚さ100nm程度の下地膜32を形成する。次に、下地膜32の表面に、マイクロレンズ33の材料となる光透過性を有する厚さ300nm程度の樹脂33aを形成し、公知のフォトリソグラフィー技術を用いて樹脂33aをパターニングする。このパターニングにより、樹脂33aは、受光部16b、16gおよび16rの各々に対応するように分割される(図15A)。
次に、パターニングされた樹脂33aを所定の温度で加熱することにより樹脂33aを軟化させる。これにより、樹脂33aの表面が変形して曲面となり、マイクロレンズ33の外形が形成される(図15B)。
次に、レンズ形状に成形された樹脂33aの表面に、更に、光透過性を有する樹脂33bを塗布することにより、マイクロレンズ33の受光部間領域Gに対応する部分の抜きを埋める(図16)。
以上のように、固体撮像装置10は、受光部間領域Gから画素アレイ中央側に向けて伸びる辺Aおよび辺Aの画素アレイ中央側の端部から光入射側に向けて伸びる辺Bを、画素アレイの受光面と交差する断面において有する第1の遮光部20aを含む。これにより、画素アレイの外周部における混色を抑制することが可能となる。
[第2の実施形態]
図17は、開示の技術の第2の実施形態に係る固体撮像装置10Aの断面図である。より具体的には、画素アレイ最外周部に位置する領域R1内の画素群P1の、受光面と交差する断面を示す図である。第2の実施形態に係る固体撮像装置10Aは、第1の遮光部20aの断面形状が第1の実施形態と異なる。すなわち、第2の実施形態に係る第1の遮光部20aは、一体的な形態を有する単一の金属部によって構成され、受光面Sと交差する断面における形状が、辺Aおよび辺Bを含む三角形とされている。なお、領域R2においても、領域R1と同様、第1の遮光部20aの断面形状を三角形としてもよい。画素アレイ100Aの外周部における第1の遮光部20aの断面形状を三角形とする場合でも、L字型とする場合と同様、画素アレイ100Aの外周部における混色を抑制することが可能である。
[第3の実施形態]
図18および図19は、開示の技術の第3の実施形態に係る固体撮像装置10Bを構成する、画素アレイ100Aの外周部に位置する領域R1内に配置された画素群P1の受光面S側の構成を示す平面図である。図20は、図18における20−20線に沿った断面図である。図21は、図19における21−21線に沿った断面図である。第3の実施形態に係る固体撮像装置10Bは、位相差オートフォーカスを実現するための第3の遮光部20cおよび第4の遮光部20dを更に有する点において、上記した第1の実施形態に係る固体撮像装置10と異なる。
第3の遮光部20cおよび第4の遮光部20dは、いずれも第1の遮光部20aに接続されている。第3の遮光部20cは、第1の遮光部20aの金属部21aの画素アレイ中央側の端部に接続され、画素アレイ中央側に向けて伸びる金属部21cと、金属部21cの画素アレイ中央側の端部に接続され、光入射側に向けて伸びる金属部22cと、を有する。換言すれば、第3の遮光部20cは、第1の遮光部20aの辺Aの画素アレイ中央側の端部から画素アレイ中央側に向けて伸びる辺A1および辺A1の画素アレイ中央側の端部から光入射側に向けて伸びる辺B1を、受光面と交差する断面において有する。第3の遮光部20cは、複数の受光部16のうち、特定の受光部16Xの画素アレイ中央側に開口部O1を形成するように、特定の受光部16Xの画素アレイ外周側の半分程度を覆っている。第3の遮光部20cによって覆われる受光部16Xが、画素アレイ100A内に散在するように、第3の遮光部20cが設けられている。図20に示すように、第3の遮光部20cによって覆われる受光部16Xに対しては、画素アレイ中央側から画素アレイ外周側に向かう方向に傾いた光L1が、開口部O1を介して照射される。一方、画素アレイ外周側から画素アレイ中央側に向かう方向に傾いた光L2は、第3の遮光部20cによって遮断され、受光部16Xには照射されない。
一方、第4の遮光部20dは、第1の遮光部20aの金属部21aの画素アレイ外周側の端部に接続され、画素アレイ外周側に向けて伸びる金属部21dと、金属部21dの画素アレイ外周側の端部に接続され、光入射側に向けて伸びる金属部22dと、を有する。換言すれば、第4の遮光部20dは、第1の遮光部20aの辺Aの画素アレイ外周側の端部から画素アレイ外周側に向けて伸びる辺A2および辺A2の画素アレイ外周側の端部から光入射側に向けて伸びる辺B2を、受光面と交差する断面において有する。第4の遮光部20dは、複数の受光部16のうち、特定の受光部16Yの画素アレイ外周側に開口部O2を形成するように、特定の受光部16Yの画素アレイ中央側の半分程度を覆っている。第4の遮光部20dによって覆われる受光部16Yが、画素アレイ100A内に散在するように第4の遮光部20dが設けられている。図21に示すように、第4の遮光部20dによって覆われる受光部16Yに対しては、画素アレイ外周側から画素アレイ中央側に向かう方向に傾いた光L2が、開口部O2を介して照射される。一方、画素アレイ中央側から画素アレイ外周側に向かう方向に傾いた光L1は、第4の遮光部20dによって遮断され、受光部16Yには照射されない。なお、第4の遮光部20dによって覆われる受光部16Yを、第3の遮光部20cによって覆われる受光部16Xの近傍に配置することが好ましい。
光L1を受光する受光部16Xと、光L1とは異なる方向から到来する光L2を受光する受光部16Yとを画素アレイ100A内に散在させることで、位相差オートフォーカスを実現することが可能である。このように、互いに異なる方向から到来する光に基づいて位相差オートフォーカスを実現する技術は、例えば特開2013−46013号公報に記載されている。本実施形態に係る固体撮像装置10Bによれば、混色を抑制しつつ、位相差オートフォーカスを実現することが可能となる。
なお、固体撮像装置10、10Aおよび10Bは、開示の技術における固体撮像装置の一例である。画素アレイ100Aは、開示の技術の画素アレイの一例である。受光部16b、16gおよび16rを含む受光部16は、開示の技術の受光部の一例である。受光部間領域Gは、開示の技術における受光部間領域の一例である。第1の遮光部20aは、開示の技術における第1の遮光部の一例である。金属部21aは、開示の技術における第1の金属部の一例である。金属部22aは、開示の技術における第2の金属部の一例である。第2の遮光部20bは、開示の技術における第2の遮光部の一例である。第3の遮光部20cは、開示の技術における第3の遮光部の一例である。第4の遮光部20dは、開示の技術における第4の遮光部の一例である。
以上の第1乃至第3の実施形態に関し、更に以下の付記を開示する。
(付記1)
各々が照射される光を受光する複数の受光部を有する画素アレイと、
前記画素アレイの外周部において前記受光部の光入射側に設けられ、互いに隣接する受光部同士の間の領域である受光部間領域から画素アレイ中央側に向けて伸びる第1の辺および前記第1の辺の画素アレイ中央側の端部から光入射側に向けて伸びる第2の辺を、前記画素アレイの受光面と交差する断面において有する第1の遮光部と、
を含む固体撮像装置。
(付記2)
前記第1の辺の画素アレイ中央側の端部が、当該第1の遮光部の画素アレイ中央側に隣接する受光部と重なっている
付記1に記載の固体撮像装置。
(付記3)
前記第1の遮光部は、当該第1の遮光部の画素アレイ中央側に隣接する受光部の画素アレイ外周側の端部を覆っている
付記1または付記2に記載の固体撮像装置。
(付記4)
第1の領域に設けられた前記第1の遮光部の前記第1の辺の長さは、前記第1の領域よりも画素アレイ中央側の第2の領域に設けられた前記第1の遮光部の前記第1の辺の長さよりも長い
付記1から付記3のいずれか1つに記載の固体撮像装置。
(付記5)
前記画素アレイのコーナ部に設けられた前記第1の遮光部は、当該第1の遮光部の画素アレイ中央側に隣接する受光部の画素アレイ外周側の2つの端部を覆っている
付記1から付記4のいずれか1つに記載の固体撮像装置。
(付記6)
前記第1の遮光部の前記断面における形状が、前記第1の辺と前記第2の辺とを含むL字型である
付記1から付記5のいずれか1つに記載の固体撮像装置。
(付記7)
前記第1の遮光部の前記断面における形状が、前記第1の辺と前記第2の辺とを含む三角形である
付記1から付記5のいずれか1つに記載の固体撮像装置。
(付記8)
前記画素アレイに入射する光の入射角をθとするとき、前記第1の辺の長さaが、
a≧500nm×tanθ
を満たす
付記1から付記7のいずれか1つに記載の固体撮像装置。
(付記9)
前記画素アレイに入射する光によって形成される、前記第2の辺の光入射側の先端に対応する影の先端が、前記第1の辺の画素アレイ外周側の端部と重なる、若しくは、前記第1の辺の画素アレイ外周側の端部よりも画素アレイ外周側に位置するように前記第2の辺の長さが定められている
付記1から付記8のいずれか1つに記載の固体撮像装置。
(付記10)
前記第1の遮光部は、前記第1の辺を含む第1の金属部と、前記第2の辺を含む第2の金属部と、を有する
付記1から付記6、付記8および付記9のいずれか1つに記載の固体撮像装置。
(付記11)
前記画素アレイの中央部に設けられ、前記受光部間領域から光入射側に向けて伸びる第2の遮光部を更に含む
付記1から付記10のいずれか1つに記載の固体撮像装置。
(付記12)
前記第1の辺の画素アレイ中央側の端部から画素アレイ中央側に向けて伸びる第3の辺および前記第3の辺の画素アレイ中央側の端部から光入射側に向けて伸びる第4の辺を、前記断面において有する第3の遮光部と、
前記第1の辺の画素アレイ外周側の端部から画素アレイ外周側に向けて伸びる第5の辺および前記第5の辺の画素アレイ外周側の端部から光入射側に向けて伸びる第6の辺を、前記断面において有する第4の遮光部と、を更に含み、
前記第3の遮光部は、当該第3の遮光部に隣接する受光部の画素アレイ外周側を覆い、
前記第4の遮光部は、当該第4の遮光部に隣接する受光部の画素アレイ中央側を覆っている
付記1から付記11のいずれか1つに記載の固体撮像装置。
(付記13)
前記受光部の光入射側とは反対側に設けられた配線層を更に含む
付記1から付記12のいずれか1つに記載の固体撮像装置。
(付記14)
前記第1の遮光部の光入射側に設けられたカラーフィルタおよびマイクロレンズを更に含む
付記1から付記13のいずれか1つに記載の固体撮像装置。
(付記15)
各々が照射される光を受光する複数の受光部を有する画素アレイの外周部において、前記受光部の光入射側に、互いに隣接する受光部同士の間の領域である受光部間領域から画素アレイ中央側に向けて伸びる第1の辺および前記第1の辺の画素アレイ中央側の端部から光入射側に向けて伸びる第2の辺を、前記画素アレイの受光面と交差する断面において有する第1の遮光部を設ける
遮光方法。
(付記16)
前記第1の辺の画素アレイ中央側の端部を、当該第1の遮光部の画素アレイ中央側に隣接する受光部と重ねる
付記15に記載の遮光方法。
(付記17)
前記第1の遮光部によって、当該第1の遮光部の画素アレイ中央側に隣接する受光部の画素アレイ外周側の端部を覆う
付記15または付記16に記載の遮光方法。
(付記18)
第1の領域に設けられた前記第1の遮光部の前記第1の辺の長さを、前記第1の領域よりも画素アレイ中央側の第2の領域に設けられた前記第1の遮光部の前記第1の辺の長さよりも長くする
付記15から付記17のいずれか1つに記載の遮光方法。
(付記19)
前記画素アレイのコーナ部に設けられる前記第1の遮光部によって、当該第1の遮光部に隣接する受光部の画素アレイ外周側の2つの端部を覆う
付記15から付記18のいずれか1つに記載の遮光方法。
(付記20)
前記画素アレイに入射する光の入射角をθとするとき、前記第1の辺の長さaを、
a≧500nm×tanθ
を満たすように定める
付記15から付記19のいずれか1つに記載の遮光方法。
(付記21)
前記画素アレイに入射する光によって形成される、前記第2の辺の光入射側の先端に対応する影の先端が、前記第1の辺の画素アレイ外周側の端部と重なる、若しくは、前記第1の辺の画素アレイ外周側の端部よりも画素アレイ外周側に位置するように前記第2の辺の長さを定める
付記15から付記20のいずれか1つに記載の遮光方法。
(付記22)
前記画素アレイの中央部に、前記受光部間領域から光入射側に向けて伸びる第2の遮光部を更に設ける
付記15から付記21のいずれか1つに記載の遮光方法。
(付記23)
前記第1の辺の画素アレイ中央側の端部から画素アレイ中央側に向けて伸びる第3の辺および前記第3の辺の画素アレイ中央側の端部から光入射側に向けて伸びる第4の辺を、前記断面において有する第3の遮光部と、
前記第1の辺の画素アレイ外周側の端部から画素アレイ外周側に向けて伸びる第5の辺および前記第5の辺の画素アレイ外周側の端部から光入射側に向けて伸びる第6の辺を、前記断面において有する第4の遮光部と、を更に設け、
前記第3の遮光部によって当該第3の遮光部に隣接する受光部の画素アレイ外周側を覆い、
前記第4の遮光部によって当該第4の遮光部に隣接する受光部の画素アレイ中央側を覆う
付記15から付記22のいずれか1つに記載の遮光方法。
10、10A、10B 固体撮像装置
14 配線層
16、16r、16g、16b 受光部
20a 第1の遮光部
20b 第2の遮光部
20c 第3の遮光部
20d 第4の遮光部
21a、21b、21c、21d、22a、22b、22c、22d 金属部
31r、31g、31b カラーフィルタ
33 マイクロレンズ
100A 画素アレイ
G 受光部間領域

Claims (10)

  1. 各々が照射される光を受光する複数の受光部を有する画素アレイと、
    前記画素アレイの外周部において前記受光部の光入射側に設けられ、互いに隣接する受光部同士の間の領域である受光部間領域から画素アレイ中央側に向けて伸びる第1の辺および前記第1の辺の画素アレイ中央側の端部から光入射側に向けて伸びる第2の辺を、前記画素アレイの受光面と交差する断面において有する第1の遮光部とを含み、
    前記第1の辺の画素アレイ中央側の端部が、当該第1の遮光部の画素アレイ中央側に隣接する前記画素アレイの外周部における受光部と平面視で重なっており、
    前記第1の辺の画素アレイ中央側の端部の反対側の端部と前記受光部との距離が一定であり、
    第1の領域に設けられた前記第1の遮光部の前記第1の辺の長さは、前記第1の領域よりも画素アレイ中央側の第2の領域に設けられた前記第1の遮光部の前記第1の辺の長さよりも長い
    固体撮像装置。
  2. 前記第1の遮光部は、当該第1の遮光部の画素アレイ中央側に隣接する受光部の画素アレイ外周側の端部を覆っている
    請求項に記載の固体撮像装置。
  3. 前記画素アレイのコーナ部に設けられた前記第1の遮光部は、当該第1の遮光部の画素アレイ中央側に隣接する受光部の画素アレイ外周側の2つの端部を覆っている
    請求項1または請求項2に記載の固体撮像装置。
  4. 前記画素アレイに入射する光の入射角をθとするとき、前記第1の辺の長さaが、
    a≧500nm×tanθ
    を満たす
    請求項1から請求項のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
  5. 前記画素アレイに入射する光によって形成される、前記第2の辺の光入射側の先端の画素アレイ外周側に対応する影の先端が、前記第1の辺の画素アレイ外周側の端部と重なる、若しくは、前記第1の辺の画素アレイ外周側の端部よりも画素アレイ外周側に位置するように前記第2の辺の長さが定められている
    請求項1から請求項のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
  6. 前記第1の遮光部は、前記第1の辺を含む第1の金属部と、前記第2の辺を含む第2の金属部と、を有する
    請求項1から請求項のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
  7. 前記第1の金属部と前記第2の金属部が繋がっている
    請求項6に記載の固体撮像装置。
  8. 前記画素アレイの中央部に設けられ、前記受光部間領域から光入射側に向けて伸びる第2の遮光部を更に含む
    請求項1から請求項のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
  9. 前記第1の辺の画素アレイ中央側の端部から画素アレイ中央側に向けて伸びる第3の辺および前記第3の辺の画素アレイ中央側の端部から光入射側に向けて伸びる第4の辺を、前記断面において有する第3の遮光部と、
    前記第1の辺の画素アレイ外周側の端部から画素アレイ外周側に向けて伸びる第5の辺および前記第5の辺の画素アレイ外周側の端部から光入射側に向けて伸びる第6の辺を、前記断面において有する第4の遮光部と、を更に含み、
    前記第3の遮光部は、当該第3の遮光部に隣接する受光部の画素アレイ外周側を覆い、
    前記第4の遮光部は、当該第4の遮光部に隣接する受光部の画素アレイ中央側を覆っている
    請求項1から請求項のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
  10. 各々が照射される光を受光する複数の受光部を有する画素アレイの外周部において、前記受光部の光入射側に、互いに隣接する受光部同士の間の領域である受光部間領域から画素アレイ中央側に向けて伸びる第1の辺および前記第1の辺の画素アレイ中央側の端部から光入射側に向けて伸びる第2の辺を、前記画素アレイの受光面と交差する断面において有する第1の遮光部を設け、
    前記第1の辺の画素アレイ中央側の端部が、当該第1の遮光部の画素アレイ中央側に隣接する前記画素アレイの外周部における受光部と平面視で重なっており、
    前記第1の辺の画素アレイ中央側の端部の反対側の端部と前記受光部との距離が一定であり、
    第1の領域に設けられた前記第1の遮光部の前記第1の辺の長さは、前記第1の領域よりも画素アレイ中央側の第2の領域に設けられた前記第1の遮光部の前記第1の辺の長さよりも長い
    遮光方法。
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