KR930010996A - 트래킹 펄스 발생기를 구비한 전기회로 및 트래킹 프리챠지 펄스발생기를 구비한 ram - Google Patents
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Abstract
본 발명에 의한 메모리는, 동기 펄스에 응답하여 부분선택신호에 일치해서 선택신호를 메모리셀들에 공급하는 적어도 하나의 디코더를 갖고 있다. 상기 디코더는, 동기펄스와 선택신호간에 가변시간 지연특성을 갖고 있다.
본 펄스발생기는, 상기 동기펄스에 응답해서, 부분선택회로를 메모리셀 그룹에 공급하는 모의회로를 갖고 있다. 상기 모의 회로는, 상기 동기펄스의 수신과, 적어도 하나의 디코더의 가변지연특성을 모의하는 부분선택신호간의 시간지연 특성을 제공한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명을 실시하고 또한 트래킹 프리챠지 펄스 발생기(tracking precharge pulse generator)를 사용하는 메모리 시스템을 나타내는 개통도, 제1A도는 어드레스를 제공하고 또한 클록펄스를 제공하기 위한 동기시스템과 비동기 시스템을 나타내는 것을 제외하고는 제1도와 동일한 개통도.
Claims (21)
- 지연특성을 갖으며, 이 지연특성의 함수로서 시간이 지연된 제1출력 신호를 제공하기 위한 개시신호에 응답성인 제1회로를 구비하며, 상기 개시신호의 발생후에 상기 제1출력신호와 소정의 시간 관계로 제2출력신호가 형성되는 전기 회로에 있어서, 트래킹 펄스발생기 회로를 더 구비하며, 상기 트래킹 펄스발생기회로는, 게이트와, 제2신호가 형성되는 상기 게이트의 출력측과 게이트의 입력측간에 결합된 귀환회로를 구비하며, 상기 게이트는 또한 상기 개시신호에 결합된 입력축을 갖으며 상기 게이트 및 귀환회로는, 상기 개시신호의 발생에 응답하여 제2출력신호를 발생시킴을 특징으로 하여, 상기 게이트 및 귀환회로는, 제1회로의 지연특성을 모의하여, 상기 제1회로의 지연특성의 함수로써, 상기 제2출력신호의 시간지연을 변경시키는 모의 지연회로를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 트래킹 펄스발생기를 구비한 전기회로.
- 제1항에 있어서, 상기 트래킹 펄스발생기와 제1회로가 각각, 공통 집적회로칩상에 형성돼 있는 것이 특징인 트래킹 펄스발생기를 구비한 전기회로.
- 제1항에 있어서, 상기 트래킹 펄스발생기 회로가 래치를 구비하고 있고, 상기 래치의 출력측이 상기 게이트의 입력측에 결합돼 있고, 그 입력측들은 상기 개시신호와 상기 귀환회로에 연결돼 있는 것이 특징인 트래킹 펄스발생기를 구비한 전기회로.
- 제1항에 있어서, 상기 게이트의 출력측의 전기적 로드와 상기 제1회로의 출력측의 전기적 로드를 구비하고 있고, 상기 게이트 출력측의 로드가, 상기 제1회로의 출력측의 로드를 모의하는 수단을 구비한 것이 특징인 트래킹 펄스발생기를 구비한 전기회로.
- 제1항에 있어서, 상기 제1회로상의 전기적 로드를 구비하며, 상기 모의 지연회로가, 상기 제1회로상의 로드를 모의하기 위해 상기 귀환회로상에 전기적 로드를 구비한 것이 특징인 트래킹 펄스발생기를 구비한 전기회로.
- 복수의 메모리 셀과, 동기 펄스에 응답하여, 상기 메모리 셀들에 프리챠지 신호를 공급하기 위한 트래킹 펄스발생기와, 개시상태에 응답하여, 상기 프리챠지신호와 일치해서 상기 메모리셀들에 선택신호를 공급함으로써, 동작을 위한 메모리 셀을 선택하는 적어도 하나의 디코더를 구비하고 있고, 상기 디코더는, 상기 개시상태의 시간과 변경가능한 상기 선택신호의 시간간의 시간지연 특성을 포함하고 있고, 상기 트래킹 펄스발생기는, 상기 동기 펄스의 수신에 응답하여 상기 프리챠지신호를 상기 메모리 셀들에 공급하는 모의 회로를 구비하고 있고, 상기 모의 회로는, 상기 동기 펄스의 발생시간과, 상기 적어도 하나의 디코더의 시간 지연 특성의 변화를 모의하는 프리챠지 신호의 시간간의 시간지연 특성을 제공함으로써, 상기 프리챠지 신호와 상기 선택신호가 소정의 시간관계로써 발생하도록 하는 것을 특징으로 하는 프리챠지 펄스발생기를 구비하는 RAM.
- 제6항에 있어서, 상기 트래킹 펄스발생기 적어도 하나의 디코더 및 메모리 셀들이 공통 집적회로 칩상에 설치돼 있는 것이 특징인 트래킹 프리챠지 펄스발생기를 구비한 RAM.
- 제7항에 있어서, 상기 집적회로 칩이 CM0S집적회로칩인 것이 특징인 트래킹 프리챠지 펄스발생기를 구비한 RAM.
- 제8항에 있어서, 상기 모의 회로가, 상기 적어도 하나의 디코더상의 로드의 변화에 따른, 상기 적어도 하나의 디코더의 시간 지연 특성의 변화를 실질상 모의하는 것이 특징인 프리챠지 펄스발생기를 구비한 RAM.
- 제6항에 있어서, 상기 모의 회로가, 상기 적어도 하나의 디코더의 제조 프로세스, 로드, 공급전압, 온도의 변화에 따라, 적어도 하나의 디코더의 시간지연 특성의 변화를 실질상 모의하는 것이 특징인 트래킹 프리챠지 펄스발생기를 구비한 RAM.
- 제7항에 있어서, 상기 디코더에 결합된 집적회로칩상의 로드 라인과, 상기 모의 회로에 결합된 동일 집적회로칩상에 설치되어, 상기 적어도 하나의 디코더상의 로드와 실질상 동일하게 상기 모의회로를 로드하는 로드라인을 구비한 것이 특징인 트래킹 프리챠지 펄스발생기를 구비한 RAM.
- 제7항에 있어서, 상기 적어도 하나의 디코더가, 적어도 하나의 프리디코더와, 상기 메모리내의 메모리셀들을 선택하기 위한 적어도 하나의 제2디코더와, 상기 동일 직접회로 칩 상에 설치되어 소정의 로드 특성을 상기 적어도 하나의 프리디코더에 공급하며, 상기 제2디코더 각각에 결합된 제1도체 및, 상기 동일 집적회로 칩상에 설치돼 있고 상기 제1도체와 동일한 로드특성을 상기 모의회로에 공급하는 제2도체를 구비하는 것이 특징인 트래킹 프리챠지 펄스발생기를 구비한 RAM.
- 제12항에 있어서, 상기 제1과 제2도체의 길이가 실질상 동일한 것이 특징인 트래킹 프리챠지 펄스발생기를 구비한 RAM.
- 개시신호 발생후에, 제2출력신호가, 제1출력신호와 소정시간 관계로써 형성되는 전기회로에 있어서, 지연특성을 갖으며, 상기 개시신호에 응답하여, 상기 지연특성의 함수로써 시간지연된 제1출력신호를 공급하는 제1회로와, 상기 제2출력신호 발생수단과 이 발생수단의 입력측에 제2출력신호를 귀환하는 수단을 구비한 트래킹 펄스발생기 회로를 구비하고 있고, 상기 발생수단이 또한, 상기 개시신호에 연결된 입력측을 갖고 있고, 상기 발생수단과 귀환수단이, 상기 제1회로의 지연특성을 모의하여, 상기 개시신호의 발생과 상기 제2출력신호간의 지연시간을 상기 제1회로의 지연특성의 함수로써 변경시키는 수단을 구비한 것이 특징인 트래킹 펄스발생기를 구비한 전기회로.
- 제14항에 있어서, 상기 발생수단의 출력측의 전기적 로드와 상기 제1회로의 출력측의 전기적 로드를 더 구비하며, 상기 발생수단 출력측의 로드가, 상기 제1회로의 출력측의 로드를 모의하는 것이 특징인 트래킹 펄스발생기를 구비한 전기회로.
- 제14항에 있어서, 상기 제1회로의 출력측의 전기적 로드를 더 구비하며, 상기 모의 수단이, 상기 제1회로상의 로드를 모의하기 위한, 상기 귀환 수단상의 전기적 로드를 구비한 것이 특징인 트래킹 펄스발생기를 구비한 전기회로.
- 제1항에 있어서, 상기 제1회로가 복수의 소자를 구비하고 있고, 각 소자가 지연특성을 갖고 있고, 상기 모의 지연회로가 제2복수의 모의 회로를 갖고 있고, 각 모의 소자가, 상기 제1회로의 대응하는 소자그룹의 지연특성을 모의하는 것이 특징인 트래킹 펄스발생기를 구비한 전기회로.
- 제17항에 있어서, 상기 각 소작, 출력측에 전기적 로드를 갖고 있고, 각 모의소자가 출력측상의 모의 전기적 로드를 갖고 있고, 각각의 모의 전기적 로드가, 상기 제1회로의 소자들의 출력측의 대응하는 전기적 로드 그룹의 전기적 로드를 모의하는 것이 특징인 트래킹 펄스발생기를 구비한 전기회로.
- 제1항에 있어서, 상기 모의 지연회로가 게이트를 구비하고 있는 것이 특징인 트래킹 펄스발생기를 구비한 전기회로.
- 제1항에 있어서, 상기 모의 지연회로가 귀환 회로를 구비하고 있는 것이 특징인 트래킹 펄스발생기를 구비한 전기회로.
- 제6항에 있어서, 상기 모의 회로가, 게이트와, 상기 게이트의 출력측과 게이트의 입력측간에 결합된 귀환회로를 구비하고 있고, 상기 게이트가 또한 동기 펄스에 연결된 제2입력측을 갖고 있고, 상기 게이트 및 귀환회로가, 상기 동기신호의 발생에 응답하여 프리챠지 신호를 공급하는 것이 특징인 트래킹 프리챠지 펄스발생기를 구비한 RAM.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US7/795,103 | 1991-11-20 | ||
US07/795,103 | 1991-11-20 | ||
US07/795,103 US5386150A (en) | 1991-11-20 | 1991-11-20 | Tracking pulse generator and RAM with tracking precharge pulse generator |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR930010996A true KR930010996A (ko) | 1993-06-23 |
KR970000362B1 KR970000362B1 (ko) | 1997-01-08 |
Family
ID=25164676
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019920021833A KR970000362B1 (ko) | 1991-11-20 | 1992-11-20 | 트래킹 펄스발생기를 구비한 전기회로 및 트래킹 프리챠지 펄스발생기를 구비한 ram |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5386150A (ko) |
EP (1) | EP0543269B1 (ko) |
JP (1) | JPH05210983A (ko) |
KR (1) | KR970000362B1 (ko) |
DE (1) | DE69224270T2 (ko) |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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1992
- 1992-11-11 DE DE69224270T patent/DE69224270T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-11-11 EP EP92119282A patent/EP0543269B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-11-19 JP JP4310093A patent/JPH05210983A/ja active Pending
- 1992-11-20 KR KR1019920021833A patent/KR970000362B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR970000362B1 (ko) | 1997-01-08 |
DE69224270T2 (de) | 1998-05-14 |
US5386150A (en) | 1995-01-31 |
JPH05210983A (ja) | 1993-08-20 |
EP0543269B1 (en) | 1998-01-28 |
EP0543269A2 (en) | 1993-05-26 |
EP0543269A3 (en) | 1993-10-27 |
DE69224270D1 (de) | 1998-03-05 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
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E902 | Notification of reason for refusal | ||
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