KR910014940A - 반도체 기억장치 - Google Patents

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KR910014940A
KR910014940A KR1019910000946A KR910000946A KR910014940A KR 910014940 A KR910014940 A KR 910014940A KR 1019910000946 A KR1019910000946 A KR 1019910000946A KR 910000946 A KR910000946 A KR 910000946A KR 910014940 A KR910014940 A KR 910014940A
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KR
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power supply
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KR1019910000946A
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미야와끼 마사루마
미야모토 산페이
Original Assignee
고스기 노부미쓰
오끼뎅끼 고오교오 가부시끼가이샤
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Abstract

내용 없음

Description

반도체 기억장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 실시예를 표시하는 반도체 기억장치의 VCC 배선을 표시하는 도면. 제3도는 제1도의 개략의 회로도.

Claims (1)

  1. 전원인가용의 전원 본딩 포스트에 접속된 전원패드와, 다른 비트수로 입출력동작을 하게 하기 위해서의 제1과 제2의 입출력동작모드를 전환하기 위해서의 모드전환 본딩 패드와, 전원배선에 의해 상기 전원패드에 접속되어 트랜지스터, 트랜지스터, 로직으로 구성된 메모리 주변회로를 가지는 회로계와 상기 전원패드에서의 전원공급에 의해 구동되는 복수의 데이터 출력용의 출력버퍼를 구비하고 상기 전원본딩 포스트와 상기 모드전환본딩패드의 사이의 결선의 유무에 의해 상기 제1 또는 제2의 입출력동작모드의 어느한쪽을 선택하는 구성으로 한 반도체기억장치에 있어서, 상기 복수의 출력버퍼 중, 상기 제1 및 제2의 입출력 동작모드시에 동작하는 출력버퍼를 상기 회로계와 함께 제1의 전원 배선에 의해 상기 전원패드에 접속하고, 상기 제2의 입출력동작모드시만 동작하는 출력버퍼를 제2의 전원배선에 의해 상기 모드전환본딩 패드에 접속한 것을 특징으로 하는 반도체기억장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910000946A 1990-01-23 1991-01-21 반도체 기억장치 KR910014940A (ko)

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JP2012859A JPH03217051A (ja) 1990-01-23 1990-01-23 半導体記憶装置
JP2-012859 1990-01-23

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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5260937A (en) * 1990-10-29 1993-11-09 Dsc Communications Corporation Power conserving technique for a communications terminal time slot interchanger
KR950008789B1 (ko) * 1992-07-30 1995-08-08 삼성전자주식회사 멀티-이씨씨(ecc)회로를 내장하는 반도체 메모리 장치
US5920765A (en) * 1997-12-12 1999-07-06 Naum; Michael IC wafer-probe testable flip-chip architecture
US6366513B1 (en) * 2000-01-12 2002-04-02 Advanced Micro Devices, Inc. Reduction of noise in memory integrated circuits with dedicate power supply bus and ground bus for sense amplifiers
US6275421B1 (en) * 2000-04-25 2001-08-14 Advanced Micro Devices, Inc Chip enable input buffer
KR100825001B1 (ko) * 2002-03-14 2008-04-24 주식회사 하이닉스반도체 데이터 출력 버퍼
MXPA05006193A (es) * 2002-12-11 2005-12-05 Ferrosan As Materiales basados en gelatina como hisopos.
US6912171B2 (en) 2003-02-28 2005-06-28 Union Semiconductor Technology Corporation Semiconductor device power bus system and method
US6920076B2 (en) * 2003-02-28 2005-07-19 Union Semiconductor Technology Corporation Interlayered power bus for semiconductor device
JP2008021355A (ja) * 2006-07-12 2008-01-31 Renesas Technology Corp 半導体装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4527254A (en) * 1982-11-15 1985-07-02 International Business Machines Corporation Dynamic random access memory having separated VDD pads for improved burn-in
JPS62256296A (ja) * 1986-04-30 1987-11-07 Fujitsu Ltd 半導体不揮発性記憶装置
JPH01166399A (ja) * 1987-12-23 1989-06-30 Toshiba Corp スタティック型ランダムアクセスメモリ
US4984211A (en) * 1988-02-16 1991-01-08 Texas Instruments Incorporated Battery backup bus scheme for an ECL BiCMOS SRAM

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US5040151A (en) 1991-08-13
EP0439141A2 (en) 1991-07-31
JPH03217051A (ja) 1991-09-24

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