KR910001986A - 전위고정용 전극을 구비한 불휘발성 반도체기억장치 - Google Patents

전위고정용 전극을 구비한 불휘발성 반도체기억장치 Download PDF

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KR910001986A
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료조 나카야마
리이치로 시로타
야스오 이토
료우헤이 기리사와
히데코 오오다이라
마사키 모모도미
요시히사 이와타
도모하루 다나카
세이이치 아리토미
데츠오 엔도
후지오 마스오카
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아오이 죠이치
가부시키가이샤 도시바
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Abstract

내용 없음

Description

전위고정용 전극을 구비한 불휘방성 반도체기억장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 1실시예에 따른 MAND형 EEPROM의 주요부분을 나타낸 정면도.
제2도는 제1도의 Ⅱ-Ⅱ선에 따른 EEPROM의 단면도.
제3도는 Ⅲ-Ⅲ선에 따른 EEPROM의 단면도.

Claims (7)

  1. 반도체 지지층(12,92)과, 이 반도체 지지층(12,92)상에 형성된 병렬 데이터전송선(BL), 이 데이터전송선(BL)의 임의의 비트선(16,BLi)에 결합된 프로그래머를 메모리셀(MA,M2,…,M8)의 어레이를 포함하는 메모리 셀부를 구비한 불휘발성 반도체기억장치에 있어서, 적어도 NAND형 셀유니트가 데이터 억세스동작에 들어가 있는 선택된 기간중에 상기 반도체 지지층(12,92)으로 인가되는 소정의 저전압을 받아 들이기 위해 상기 임의의 데이터전송성(16,BLi)에 인접하게끔 위치하는 전위고정수단(72)이 상기 반도체 지지층(12,92)상에 절연적으로 제공되는 것을 특징으로하는 불휘발성 반도체기억장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 메모리셀이 제어게이트를 갖춘 소정 수효의 데이터저장 트랜지스터(M1~M8)와 스위칭 트랜지스터(QSI)의 직렬회로를 구비한 NAND형 셀유니트(14i)를 포함하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체기억장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 전위고정수단(72)이 전기적으로 반도체 지지층(12,92)에 접속되면서 상기 임의의 데이터전송선(16, BLi)에 인접하게끔 위치하도록 상기 반도체 지지층(12,92)상에 절연적으로 제공되는 도전층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체기억장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 도전층이 상기 반도체 지지층(12,92)에 고정적으로 접속되고 데이터기록모드나 데이터소거모드시에 상기 소정의 정전압으로 설정되는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체기억장치.
  5. 제3항에 있어서, 상기 반도체 지지층이 NAND형 셀유니트가 형성되는 표면부를 갖춘 반도체기판(12)으로 이루어진 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 기억장치.
  6. 제3항에 있어서, 상기 반도체 지지층이 제1도전형의 반도체기판(90)과 NADD형 셀유니트가 형성되는 표면부를 구비하여 상기 반도체기판(90)상에 형성되는 반도체 웰영역(92)으로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체기억장치.
  7. 제5항 또는 제6항에 있어서, 상기 반도체 지지층(12,92)은 도전층(72)이 형성되는 피일드영역을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체기억장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900008664A 1989-06-13 1990-06-13 전위고정용 전극을 구비한 불휘발성 반도체기억장치 KR0130548B1 (ko)

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