KR890015362A - 반도체 제조장치 - Google Patents

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Abstract

내용 없음

Description

반도체 제조장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 본 발명에 따른 제 1 실시예의 단면구성도. 제 2 도는(a,b)는 제 1 실시예의 구성중 주요부분의 정면도 및 측면도. 제 3 도 및 제 4 도는 제 1 실시예에 따른 구성의 효과를 나타내는 특성도. 제 5 도는 제 1 실시예에 따른 구성의 효과를 나타내는 도표. 제 6 도는 본 발명에 따른 제 2 실시예의 단면구성도.

Claims (6)

  1. 종형 LP - CVD(감압 CVD)장치를 구성하는 반도체 제조장치에 있어서, 디클로르실란가스와 암모니아가스를 저온영역에서 혼합하고, 그 혼합가스를 보트(15)에 연하는 가스공급로의 비교적 안쪽에 배치된 웨이퍼측으로부터 상기 보트(15)에 배치된 웨이퍼(10)에 공급하는 제 1 수단(21)과, 상기 보트(15)의 입구에 배치된 웨이퍼측으로부터 디클로르실란가스와 암모니아가스를 공급하는 제 2 수단(12,13) 및 상기 웨이퍼(10)를 수용하는 로내의 온도가 균일하게 되도록 가열하는 제 3 수단(14)을 구비하여 구성되어, 상기 웨이퍼(10)상에 실리콘질화막을 형성하도록 된 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 수단(21)은 상기 디클로르실란가스와 암모니아가스를 30 ~ 180℃의 저온영역에서 혼합하여 보트길이의 약 1/2/부분보다 보트안쪽에 배치된 웨이퍼측으로 향하는 혼합가스 공급로 부분(26)의 구멍(22)으로부터 혼합가스를 공급하도록 된 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 하에 있어서, 상기 디클로르실란가스와 암모니아가스의 유량비가 1:5~1:15인 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
  4. 횡형 LP - CVD(감압 CVD)장치를 구성하는 반도체 제조장치에 있어서, 디클로르실란가스와 암모니아가스를 저온영역에서 혼합하고, 그 혼합가스를 보트에 연하는 가스공급로의 비교적 가스배출구(5)측에 위치하는 부분으로부터 상기 보트에 배치된 웨이퍼(6)에 공급하는 제 1 수단(21)과, 상기 보트의 가스공급단측으로 부터 디클로르실란가스와 암모니아가스를 공급하는 제 2 수단(2,3) 및, 상기 웨이퍼(6)를 수용하는 로내의 온도가 균일하게 되도록 가열하는 제 3수단(1)을 구비하여 구성되어, 상기 웨이퍼(6)상에 실리콘질화막을 형성하도록 된 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 제 1 수단(21)은 상기 디클로르실란가스 암모니아가스를 30~180℃이 저온영역에서 혼합하여, 보트 전체길이의 약 1/2의 부분에서부터 보트의 상기 가스배출단측을 향해 배치된 혼합가스공급로부분의 구멍으로부터 혼합가스를 공급하도록 된 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
  6. 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서, 상기 디클로르실란가스와 암모니아가스의 유량비가 1:5 ~ 1:15인 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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