KR890011033A - 반도체장치의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

내용 없음

Description

반도체장치의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 3 도는 본 발명에 따른 이온주입방법에 있어서 바람직스럽지 못한 이온주입조건을 농도분포로서 표시하는 도면.
제 4 도는 본 발명에 따른 이온주입조건을 구체적으로 농도분포로서 표시하는 도면.
제 5 도는 본 발명에 따른 이온주입조건에 의하여 초래되는 콘택트 저항의 평균치와 표준편차의 삭감효과를 표시하는 도면.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 반도체기판 7 : 게이트절연막
9, 12 : N형 불순물확산층 10 : 층간절연막
11 : 콘택트 13 : 다결정실리콘층

Claims (11)

  1. 주표면을 가지고 어떤 도전형식을 미리 정하는 불순물농도를 가지는 반도체기판을 준비하는 스텝과, 선택적으로 간격을 띄어서 상기 반도체기판에 역의 도전형식의 반도체영역을 형성하는 스텝과, 상기 반도체 기판의 윗쪽에 절연막을 형성하는 스텝과, 상기 절연막을 선택적으로 제거하고 적어도 상기 반도체영역의 표면을 노출시키는 스텝과, 상기 노출된 반도체영역의 표면에 상기 반도체기판과 역의 도전형식의 불순물이온을 주입하는 스텝과, 상기 노출된 반도체영역의 표면 및 상기 절연막의 위에 다결정 실리콘층을 형성하는 스텝과, 상기 다결정 실시콘층에 상기 반도체기판과 역의 도전형식의 불순물이온을 주입하는 스텝과를 구비하고 다시금 상기 다결정 실시콘층에 불순물 이온을 주입하는 스텝은 적어도 그 이온주입 직후에 있어서 상기 주표면에 수직인 방향의 상기 불순물이온의 농도분포의 최대점이 상기 다결정 실리콘층과 상기 반도체기판과의 경계면을 표시하는 위치로부터 상기 다결정 실리콘층측에 상기 농도분포의 표준편차에 상당하는 거리만큼 떨어진 위치에 존재하도록 주입에너지가 제어되어서 행하여지는 것이며 그것에 의하여 상기 반도체영역과 상기 다결정 실리콘층과의 전기적 접촉부가 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  2. 제 1 항에 있어서 상기 불순물이온을 주입하는 스텝은 비소이온을 주입하는 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  3. 제 1 항에 있어서 상기 불순물이온을 주입하는 스텝은 불화붕소를 주입하는 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중의 어느하나에 있어서 당해 반도체장치의 제조방법은 상기 반도체기판의 주표면상에 있어서 상기 반도체영역에 근접하여 반도체소자를 형성하는 스텝을 포함하는 것을 특징으로하는 반도체장치의 제조방법.
  5. 제 4 항에 있어서 상기 반도체영역을 형성하는 스텝은 전계효과 소자의 일부를 형성하는 스텝을 포함하는 것을 특징으로하는 반도체장치의 제조방법.
  6. 제 5 항에 있어서 상기 전계효과소자의 일부를 형성하는 스텝은 상기 반도체기판의 윗쪽에 절연된 게이트를 형성하는 스텝과 상기 열연게이트의 아랫쪽에 상기 반도체기판에 한쪽의 반도체영역과 다른쪽의 반도체영역과를 형성하는 스텝과를 포함하는 그것에 의하여 상기 한쪽과 다른쪽의 반도체영역간의 반도체기판에는 채널영역이 구성되는 것을 특징으로하는 반도체장치의 제조방법.
  7. 제 6 항에 있어서 상기 다결정 실리콘층을 형성하는 스텝은 상기 한쪽과 다른쪽의 반도체영역의 어느쪽인가 한쪽에 접촉하는 배선층을 형성하는 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  8. 제 7 항에 있어서 상기 한쪽과 다른쪽의 반도체영역의 어느쪽인가 한쪽을 형성하는 스텝은 상기 반도체영역을 분리하기 위한 절연막을 형성하는 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  9. 제 8 항에 있어서 상기 분리를 위한 절연막을 형성하는 스텝은 형성되어야할 상기 절연막의 아래에서 상기 반도체기판의 영역에 반전방지영역을 형성하는 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  10. 제 9 항에 있어서 상기 반전 방지영역을 형성하는 스텝은 상기 반도체기판과 동일한 도전형식을 가지고 또한 그 불순물농도가 상기 반도체기판이 가지는 불순물농도보다도 높은 영역을 형성하는 스텝을 포함하는 것을 특징으로하는 반도체장치의 제조방법.
  11. 제 10 항에 있어서 상기 분리되는 반도체영역 및 상기 분리를 위한 절연막의 위에 절연막을 형성하고 그 절연막의 위에 도전체층을 형성하는 스텝을 다시금 포함하고 그것에 의하여 상기 도전체층과 상기 반도체영역이 전하축적을 위한 커패시터를 구성하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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