KR880013198A - 커패시터 단부 종단 조성물 및 종단 방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 본 발명의 커패시터 칩의 단면도.
Claims (16)
- 조성물중의 금속량에 기초하고 중량 %로 표시해서, 약 3 내지 4% 양의 적어도 하나의 은 수지산염, 약 0.3 내지 3.0% 양의 적어도 하나의 비금속 수지산염, 약 0.01 내지 1% 양의 피막 형성용 수지산염, 약 10 내지 50% 양으로 조재하는 겔상 매질 및 용매로 되는 커패시터 종단 조성물.
- 조성물중의 금속량에 기초하고 중량 %로 표시해서, 약 3 내지 40% 양의 은 수지산염. 약 0.13 내지 0.8% 양의 비스무트 수지산염, 약 0.07 내지 0.14% 양의 실리콘 수지산염, 약 0.22 내지 0.77% 양의 알루미늄 수지산염, 약 0.02 내지 0.77% 양의 크롬 수지산염, 약 0.02 내지 0.08% 양의 주석 수지산염, 약 0.02 내지 0.09% 양의 납 수지산염 및 약 10 내지 50% 양의 겔상 매질과 용매로 되는 커패시티 종단 조성물.
- 제 2 항에 있어서, 은 수지산염이 은 네오데카노에이트인 조성물.
- 제 2 항에 있어서, 알루미늄 금속 수지산염이 Al(부톡시드)3이고, 비스무트 수지산염이 비스무트-2-에틸헥소에이트이고, 실리콘 수지산염이 실리콘 벤조일/2-에틸헥소에이트이고, 크롬 수지산염이 크롬 메틸설파이드이고, 주석 수지산염이 주석 디부틸네오데카노에이트이고, 납 수지산염이 납-2-에틸헥소에이트이고, 피막 형성용 수지산염이 로듐-2-에틸헥소에이트인 조성물.
- 제 1 항에 있어서, 은 수지산염이 은 네오데카노에이트와 은 나프타네이트의 혼합물인 조성물.
- 전극을 함유하는 세라믹 분체상에 은 수지산염을 함유하는 조성물을 종단층을 형성할 수 있도록 선택적으로 도금하고, 그 결과 얻어진 생성물을 건조시키고, 이어서 생성물을 가열하는 것으로서 되는 세라믹 커패시터의 제조방법.
- 전극을 함유하는 세라믹 본체상에 은 수지산염을 함유하는 조성물을 선택적으로 도금하고, 그 결과 얻어진 생성물을 건조시키고, 건조시킨 생성물을 가열하고, 각각의 종단층상에 니켈층을 도금하는 것으로 되는 세라믹 커패시터의 제조방법.
- 제 7 항에 있어서, 상기방법이 계속해서 니켈층상에 땜납층을 도금하는 것으로 되는 방법.
- 제 7 항에 있어서, 종단층의 두께가 5μ 이하인 방법.
- 제 7 항에 있어서, 조성물이 추가로 적어도 하나의 비금속 수지산염. 적어도 하나의 피막형성용 수지산염 및 겔상 매질과 용매를 함유하는 방법.
- 제 10 항에 있어서, 은 수지산염이 은 네오데카노에이트와 은 나프타네이트의 혼합물인 방법.
- 세라믹 본체의 단부로부터 비어져 나오도록 세라믹 본체내에 매입된 전극을 함유하는 세라믹 본체, 전극이 비어져나온 세라믹 본체의 각각의 단부에서 전극을 접속하는 은으로 되고, 그 두께가 5μ 이하인 종단층 및 각각의 종단층상의 침출 경계층으로 되는 커패시터.
- 제 12 항에 있어서, 커패시터가 추가로 각각의 내침출 경계층상에 도금된 땜납층으로 되는 커패시터.
- 제 12 항에 있어서, 내침출 경계층이 실질적으로 니켈인 커패시터.
- 제 3 항에 있어서, 땜납층이 주석/납인 커패시터.
- 제 10 항에 있어서, 은 기재 종단층이 은 수지산염 기재조성물 중에 커패시터를 침지시킴으로써 만들어지는 커패시터.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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