KR960042780A - 칩형상전자부품 및 그 제조방법 - Google Patents

칩형상전자부품 및 그 제조방법 Download PDF

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쯔요시 히모리
스즈시 키무라
카즈노리 오모야
미쯔루 하라다
타카시 오오바야시
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모리시타 요이찌
마쯔시다덴기산교 가부시기가이샤
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Abstract

본 발명은 칩형상저항기나 칩형상콘덴서등의 칩형상전자부품 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 전기특성의 정밀도에 뛰어나고, 또한 기계적강도에 뛰어난 외부전극을 가진 칩형상전자부품 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한것이며,그 구성에 있어서, 기판(1)의 표면에 저항체층(4)과 1쌍의 상부면전극층(2)과 보호층(6)이 형성되고, 양단부면에 제 1전극층(3)과 땜납층의 제 2전극층(7)으로 이루어진 외부전극이 형성된 칩저항기에 있어서, 외부전극의 기계적강도를 개선하기 위하여, 제 1전극층(3)에, 표면에 다수의 돌기를 가진 도전성금속분말을 혼합한 도전재료를 사용하는 것을 특징으로한것이다.

Description

칩형상전자부품 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예에 있어서의 각형(角形)칩 저항기의 사시도, 제2도는 제1도에 표시한 각형칩저항기의 A-A단면도, 제3도는 본 발명의 제2실시예에 있어서의 각형칩저항기의 단면도, 제4도는 인장(引張)시험에 사용하는 시료의 사시도.

Claims (20)

  1. 칩본체와, 상기 칩본체의 표면의 일부에 형성한 외부전극으로 이루어지고, 상기 외부전극이, 표면에 복수개의 돌기를 가진 도전성금속분말과 수지바인더로 이루어진 도전재료로 이루어진 것을 특징으로 하는 칩형상전자부품.
  2. 제1항에 있어서, 상기 도전재료가 60∼96중량%의 상기 도전성금속분말을 함유한 것을 특징으로 하는 칩형상전자부품.
  3. 제1항에 있어서, 상기 도전성금속분말이, 구리분말 및 니켈분말중의 적어도 한쪽으로 이루어진 것을 특징으로 하는 칩형상전자부품.
  4. 제3항에 있어서, 상기 도전성금속분말이, 금, 백금, 은, 팔라듐중에서 선택된 하나의 귀금속으로 피복되어있는 것을 특징으로 하는 칩형상전자부품.
  5. 제3항에 있어서, 상기 도전재료가, 또 은분말을 함유한 것을 특징으로 하는 칩형상전자부품.
  6. 제1항에 있어서, 상기 도전재료가 또 탄소분말을 함유하고, 또한 상기 도전성금속분말이 니켈분말로 이루어진 것을 특징으로 하는 칩형상전자부품.
  7. 제6항에 있어서, 상기 탄소분말이 사슬형상구조를 가진 것을 특징으로 하는 칩형상전자부품.
  8. 제6항에 있어서, 상기 칩본체가, 기판과, 상기 기판의 상부면단부에 형성된 1쌍의 상부면전극층과, 상기기판위에 형성되고 또한 상기 1쌍의 상부면전극층에 전기적으로 접속된 저항체층으로 이루어지고, 상기 외부전극이 상기상부면전극층에 전기적으로 접속된 것을 특징으로 하는 칩형상전자부품.
  9. 제1항에 있어서, 상기 외부전극이, 상기 도전재료로 이루어진 제1전극층과 상기 제1전극층위에 형성된 제2전극층으로 이루어지고, 상기 제2전극층은, 주석도막층 및 땜납도막층중의 한쪽으로 이루어진 것을 특징으로 하는 칩형상전자부품.
  10. 제9항에 있어서, 상기 제2전극층이 전기도금층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 칩형상전자부품.
  11. 제9항에 있어서, 상기 제1전극층과 상기 제2전극층과의 사이에, 니켈도막층을 형성한 것을 특징으로 하는칩형상전자부품.
  12. 제11항에 있어서, 상기 니켈도막층이 전기도금층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 칩형상전자부품.
  13. 칩본체를 준비하는 공정과, 표면에 복수개의 돌기를 가진 도전성금속분말과 지방바인더로 이루어진 도전재료를 준비하는 공정과, 상기 도전재료를 상기 칩본체의 표면의 일부에 도포경화시켜서 외부전극을 형성하는 공정으로이루어진 것을 특징으로 하는 칩형상전자부품의 제조방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 도전성금속분말이, 구리분말 및 니켈분말중의 적어도 한쪽으로 이루어진 것을 특징으로 하는 칩형상전자부품의 제조방법.
  15. 제13항에 있어서, 상기 도전재료가 또 탄소분말을 함유하고, 또한 상기 도전성금속분말이 니켈분말로 이루어진 것을 특징으로 하는 칩형상전자부품의 제조방법.
  16. 제15항에 있어서, 외부전극을 형성하는 상기 공정이, 상기 도전재료를 롤러에 도포한 후 상기 롤러를 회전시켜서 상기 도전재료를 상기 칩본체의 표면의 일부에 도포하는 공정을 포함한 것을 특징으로 하는 칩형상전자부품의제조방법.
  17. 제16항에 있어서, 상기 도전재료의 틱소트로피지수가 5∼8의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 칩형상전자부품의 제조방법.
  18. 제13항에 있어서, 상기 외부전극을 형성하는 공정이, 상기 도전재료를 도포경화시켜서 제1전극층을 형성하는 공정과, 상기 제1전극층위에 주석도막층 및 땜납도막층중의 한쪽으로 이루어진 제2전극층을 형성하는 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 칩형상전자부품의 제조방법.
  19. 제18항에 있어서, 상기 제2전극층을 형성하는 공정이, 200℃∼250℃의 온도에 유지된 주석 및 땜납중의한쪽의 용융액속에 침지하는 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 칩형상전자부품의 제조방법.
  20. 제18항에 있어서, 상기 제2전극층을 형성하는 공정이, 주석 및 땜납중의 한쪽을 주성분으로 하는 페이스트를 전사인쇄한 후, 200℃∼280℃의 온도에서 열처리하는 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 칩형상전자부품의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960017859A 1995-05-25 1996-05-25 칩형상전자부품 및 그 제조방법 KR100212225B1 (ko)

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