JP3751102B2 - チップ部品 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、チップ抵抗器,チップコンデンサ等のチップ部品に関するものであり、特に高精度の測定機器等に使用される回路基板に実装するのに適したチップ部品に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
現在、固定抵抗器,可変抵抗器,コンデンサ及びこれらの素子の複合部品等の各種の電気部品がチップ化されている。このようにチップ化された電気部品よりなるチップ部品は、絶縁性を有するチップ状基板の上に形成された抵抗体等よりなる電気素子と、この電気素子に電気的に接続され且つチップ状基板の端部に形成された接続用電極とを備えた構造になっている。接続用電極は、チップ状基板の端部の上に導電性ペーストまたは薄膜金属により形成された下地電極層と、この下地電極層の上にNiメッキ等により形成されたバリア電極層と、このバリア電極層の上に半田濡れ性のよいメッキにより形成された表面電極層とを備えて形成されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
一般的な回路では、特に問題にならないが、極めて高い測定精度を要求される測定機器等に使用される回路基板に実装されるチップ部品では、その部品から発生する磁気も測定精度に影響を与える。
【0004】
特に、チップ部品の接続用電極を、チップ状基板の端部の上に導電性ペーストまたは薄膜金属により形成した下地電極層と、この下地電極層の上にNiメッキにより形成したバリア電極層と、このバリア電極層の上に半田濡れ性のよいメッキにより形成された表面電極層とから構成する場合に、下地電極層はAg等の非磁性金属を用いて一般的に形成されているが、バリア電極層は磁性を有するNiメッキが用いられる。しかしながらこのNiメッキから発生する磁気が問題となる。バリア電極層を非磁性金属のメッキにより構成することも考えられるが、いまのとこと価格及び特性の点で、Niメッキに匹敵するものはない。
【0005】
本発明の目的は、バリア電極層から磁気が発生することのないチップ部品を提供することにある。
【0006】
本発明の他の目的は、バリア電極層を非磁性のNi合金メッキにより形成して、上記の課題を解消したチップ部品を提供することにある。
【0007】
本発明の他の目的は、バリア電極層を非磁性のNi合金メッキにより形成し、しかも高温環境下において使用可能なチップ部品を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明が改良の対象としているチップ部品は、絶縁性を有するチップ状基板の上に形成された電気素子(固定抵抗器,可変抵抗器,コンデンサ及びこれらの素子の複合部品等)と、この電気素子に電気的に接続され且つチップ状基板の端部に形成された接続用電極とを備えている。
【0009】
本発明のチップ部品は、1つのチップ状基板の上に1つの電気素子を有し且つ少なくとも2つの接続用電極を有する最小単位のチップ部品の他に、1つのチップ状基板の上に同じ種類の複数の電気素子または異なる種類の複数の電気素子を有する多連チップ部品または複合チップ部品を含むものである。
【0010】
そして本発明が改良の対象とするチップ部品では、非磁性の下地電極層と半田濡れ性のよいメッキにより形成された表面電極層との間にNiを主成分とするメッキにより形成したバリア電極層を備えているチップ部品である。
【0011】
本発明においては、バリア電極層を非磁性のNi合金メッキにより形成する。このNi合金メッキは、リン(P)の含有量が8〜17重量%のNi−P合金メッキ、またはリンの含有量が12〜17重量%のNi−P合金メッキで構成することが好ましい。
【0012】
文献によれば、Niにリンを含有させたNi合金メッキは非磁性の特性をもつことが知られている。即ち、リンの含有量が8〜17重量%のNi−P合金メッキは非磁性の特性をもち、リンの含有量が12〜17重量%のNi−P合金メッキは300℃で熱処理しても非磁性を保つことが報告されている。
【0013】
本発明は、この技術をチップ部品に適用したものであり、バリア電極層を非磁性のNi合金メッキにより形成すると、バリア電極層から磁気が発生することのない従来存在しなかったチップ部品を提供することができる。
【0014】
また、バリア電極層のNi合金メッキを、リンの含有量が8〜17重量%のNi−P合金メッキで構成すると、非磁性の特性をもつバリア電極層を再現性よく製造することができる。
【0015】
さらに、バリア電極層のNi合金メッキを、リンの含有量が12〜17重量%のNi−P合金メッキで構成すると、300℃で熱処理しても非磁性を保持させることができる。したがって、高温環境下において使用可能な非磁性の特性を有するバリア電極層をもつチップ部品を提供することができる。
【0016】
接続用電極の表面電極層は一般的には半田メッキでもよいが、高温環境下で使用するものでは、AgメッキまたはAuメッキで構成することが好ましい。このように表面電極層をAgメッキまたはAuメッキで構成すると、これらメッキは融点が300℃以上のメッキとなり、高温半田を用いてチップ部品を半田付けした場合でも、最外層のメッキ層が溶融して飛散することはない。したがってチップ部品を実装した回路基板上で回路短絡が発生することがなくなり、歩留まりを上げることができる。
【0017】
【発明の実施の形態】
図1は本発明に係るチップ部品における実施の形態の一例を示したものである。このチップ部品は、セラミックス等で形成された絶縁性を有するチップ状基板1の上に形成された抵抗体2からなる電気素子3と、この電気素子3に電気的に接続され且つチップ状基板1の端部に形成された接続用電極4,4とを備えている。
【0018】
接続用電極4,4は、それぞれチップ状基板1の端部の上に非磁性の導電性ペーストまたは非磁性の薄膜金属により形成された非磁性の下地電極層5と、この下地電極層5の上にメッキにより形成されたバリア電極層6と、このバリア電極層6の上に即ち接続用電極4の最外層に半田濡れ性のよいメッキにより形成された表面電極層7とを備えて構成されている。
【0019】
下地電極層5,5は、それぞれチップ状基板1の端部の表面及び裏面に形成された一対のベース電極5a,5bと、該チップ状基板1の端部の端面で両方のベース電極5a,5bにラップさせて形成された端面電極5cとで構成されている。ベース電極5a,5bは、Ag−Pb,Ag−Pt等のメタルグレースペースト(ガラス銀ペースト)を印刷して焼成することにより形成されている。端面電極5cは、ベース電極5a,5bと同じようにAg−Pb,Ag−Pt等のメタルグレースペースト(ガラス銀ペースト)を印刷して焼成することにより形成されるか、または熱硬化性樹脂中に銀粉末を含有する樹脂銀を用いて形成されている。樹脂銀よりなる端面電極5cとしては、キシレンまたはエポキシフェノール樹脂にAg粉末を混入したAg−レジン系の導電性ペーストで形成することができる。
【0020】
バリア電極層6は、非磁性のNi合金メッキにより形成されている。このNi合金メッキは、リンの含有量が8〜17重量%のNi−P合金メッキ、好ましくはリンの含有量が12〜17重量%のNi−P合金メッキである。このバリア電極層6は、ピンホールが形成されることがない5μm以上の厚みで設けられている。
【0021】
表面電極層7を構成する半田濡れ性のよいメッキは半田メッキでもよいが、この例では融点が300℃以上の高融点メッキで形成されている。この表面電極層7を構成する高融点メッキは、AgメッキまたはAuメッキで、バリア電極層6の厚みよりも薄い、3μm以下の厚みで設けられている。
【0022】
電気素子3は、本例では、両側のベース電極5aに跨がらせてチップ状基板1の上に層として設けられた抵抗体2からなる。この抵抗体2の表面は、トリミングを容易にするガラスコート8及び保護用レジンコート9とにより覆われている。抵抗体2の抵抗値の調整は、例えば抵抗体2の表面をガラスコート8で覆った状態で、これらにレーザーでトリミング溝を入れることにより行ない、その後にレジンコート9で覆う。
【0023】
本例のチップ部品のようにバリア電極層6を非磁性のNi合金メッキにより形成すると、バリア電極層6から実質的に磁気が発生しない。特に、バリア電極層6のNi合金メッキを、リンの含有量が8〜17重量%のNi−P合金メッキで構成すれば、非磁性の特性をもつバリア電極層を再現性よく製造することができる。
【0024】
なお、バリア電極層のNi合金メッキを、リンの含有量が12〜17重量%のNi−P合金メッキで構成すると、300℃で熱処理しても非磁性を保持させることができる。したがって、高温環境下において使用可能な非磁性の特性を有するバリア電極層をもつチップ部品を得ることができる。
【0025】
また本発明では、接続用電極4の表面電極層7を特にAgメッキまたはAuメッキで構成しているので、これらメッキは融点が300℃以上のメッキとなり、高温半田を用いてチップ部品を半田付けした場合でも、最外層のメッキ層が溶融して飛散することはない。したがってチップ部品を実装した回路基板上で回路短絡が発生することがなくなり、歩留まりを上げることができる。また、表面電極層7をAgメッキまたはAuメッキにより構成すると、半田濡れ性がよく、接続不良の発生を防止できる。Auメッキであれば、マイグレーションの発生の問題はないが、単価が高くなる。Agメッキであればマイグレーションの発生の問題はあるものの、単価を低く押さえることができる。
【0026】
また、バリア電極層6の厚みを5μm以上にすると、金属層内にピンホールが残らないようにすることができ、このためピンホール内の湿気が原因となって局部電池が発生し、腐食が進行するのを防止することができる。
【0027】
一方、高融点メッキからなる表面電極層7の厚みを3μm以下、理想的には0.5〜1μmの範囲にすると、半田付け性に影響を与えずに、しかも半田接合層内へのAuやAg等の高融点金属の拡散を抑制でき、半田接合部の機械的または物理的強度の低下を防止することができる。
【0028】
特に、下地電極層5の少なくとも端面電極5cを熱硬化性樹脂中に銀粉末を含有する樹脂銀によって形成し、バリア電極層6を非磁性のNi合金メッキにより形成し、表面電極層7をAgメッキで形成すると、比較的安価に高温環境下で使用可能なチップ部品を提供することができる。
【0029】
上記例では、電気素子2が固定抵抗体で形成されている場合について説明したが、電気素子2としてはこれに限定されるものではなく、可変抵抗体、コンデンサ等であってもよい。
【0030】
また上記例では、1つのチップ状基板1の上に1つの電気素子3を有し且つ2つの接続用電極4を有する最小単位のチップ部品の例について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、1つのチップ状基板の上に同じ種類の複数の電気素子または異なる種類の複数の電気素子を有する多連チップ部品または複合チップ部品を含むものである。
【0031】
さらに下地電極層5は、チップ状基板1の端部の表面及び裏面に形成された一対のベース電極5a,5bと、該チップ状基板1の端部の端面で両方のベース電極5a,5bにラップさせて形成された端面電極5cとで構成されている場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、チップ状基板の一方の面上に形成されるベース電極のみから構成される場合でも、チップ状基板の端部の一方の面上に形成されるベース電極と基板の端部の端面に形成される端面電極とから構成される場合でも、いずれでもよい。
【0032】
【発明の効果】
本発明のチップ部品によれば、バリア電極層を非磁性のNi合金メッキにより形成しているので、バリア電極層から磁気が発生することのないチップ部品を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るチップ部品における実施の形態の一例を示す縦断面図である。
【符号の説明】
1 チップ状基板
2 抵抗体
3 電気素子
4 接続用電極
5 下地電極層
5a,5b ベース電極
5c 端面電極
6 バリア電極層
7 表面電極層
8 ガラスコート
9 レジンコート
Claims (4)
- 絶縁性を有するチップ状基板の上に形成された抵抗体等の電気素子と、前記電気素子に電気的に接続され且つ前記チップ状基板の端部に形成された接続用電極とを備え、
前記接続用電極が、前記端部の上に導電性ペーストまたは薄膜金属により形成された非磁性の下地電極層と、前記下地電極層の上にメッキにより形成されたバリア電極層と、前記バリア電極層の上に半田濡れ性のよいメッキにより形成された表面電極層とを備えているチップ部品であって、
前記バリア電極層が非磁性のNi合金メッキにより形成されていることを特徴とするチップ部品。 - 前記Ni合金メッキは、リンの含有量が8〜17重量%のNi−P合金メッキである請求項1に記載のチップ部品。
- 前記Ni合金メッキは、リンの含有量が12〜17重量%のNi−P合金メッキである請求項1に記載のチップ部品。
- 前記表面電極層がAgメッキまたはAuメッキからなる請求項3に記載のチップ部品。
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