JPH10223402A - チップ部品 - Google Patents
チップ部品Info
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- JPH10223402A JPH10223402A JP9020366A JP2036697A JPH10223402A JP H10223402 A JPH10223402 A JP H10223402A JP 9020366 A JP9020366 A JP 9020366A JP 2036697 A JP2036697 A JP 2036697A JP H10223402 A JPH10223402 A JP H10223402A
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- plating
- chip
- barrier
- layer
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高温環境下で使用可能なチップ部品を得る。
【解決手段】 絶縁性を有するチップ状基板１の上に電
気素子３を形成する。電気素子２に電気的に接続してチ
ップ状基板１の両端部に接続用電極４，４を形成する。
接続用電極４，４は最外層に半田濡れ性のよい表面電極
層７を備えている。この表面電極層７は、Ａｇメッキま
たはＡｕメッキからなる融点が３００℃以上の高融点メ
ッキで形成されている。
気素子３を形成する。電気素子２に電気的に接続してチ
ップ状基板１の両端部に接続用電極４，４を形成する。
接続用電極４，４は最外層に半田濡れ性のよい表面電極
層７を備えている。この表面電極層７は、Ａｇメッキま
たはＡｕメッキからなる融点が３００℃以上の高融点メ
ッキで形成されている。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、チップ抵抗器，チ
ップコンデンサなどのチップ部品に関するものであり、
特に高温環境下に配置される回路基板に実装するのに適
したチップ部品に関するものである。
ップコンデンサなどのチップ部品に関するものであり、
特に高温環境下に配置される回路基板に実装するのに適
したチップ部品に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】現在、固定抵抗器，可変抵抗器，コンデ
ンサ，インダクタ及びこれらの素子の複合部品等の各種
の電気部品がチップ化されている。一般的なチップ部品
は、通常の半田によって回路基板に半田付け接続されて
いる。最近は、自動車のエンジンルームの内部等のよう
に、例えば２３０℃以上の高温になる環境下で使用され
る回路基板にもチップ部品が使用されるようになってき
ている。
ンサ，インダクタ及びこれらの素子の複合部品等の各種
の電気部品がチップ化されている。一般的なチップ部品
は、通常の半田によって回路基板に半田付け接続されて
いる。最近は、自動車のエンジンルームの内部等のよう
に、例えば２３０℃以上の高温になる環境下で使用され
る回路基板にもチップ部品が使用されるようになってき
ている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】高温環境下では、チッ
プ部品を回路基板上の電極上に固定するために用いてい
る半田が軟化または溶融してしまい、電気的な接続不良
が発生する。そこでこのような用途に用いられる回路基
板では、ＳｎにＡｂやＰｄを添加した融点の高い高温半
田を用いてチップ部品を回路基板上に実装している。高
温半田の融点が高ということは、高温半田を用いて実装
されるチップ部品も高温半田の融点以上の温度にさらさ
れることを意味する。このような高温にさらされると、
従来のチップ部品の接続用電極に用いられている表面電
極層の半田メッキやＳｎメッキが、部分的にまたは全体
的に溶融して周囲に飛散し、飛散した溶融金属が周囲の
回路導体に付着して、回路間短絡を生じさせる問題が発
生する。
プ部品を回路基板上の電極上に固定するために用いてい
る半田が軟化または溶融してしまい、電気的な接続不良
が発生する。そこでこのような用途に用いられる回路基
板では、ＳｎにＡｂやＰｄを添加した融点の高い高温半
田を用いてチップ部品を回路基板上に実装している。高
温半田の融点が高ということは、高温半田を用いて実装
されるチップ部品も高温半田の融点以上の温度にさらさ
れることを意味する。このような高温にさらされると、
従来のチップ部品の接続用電極に用いられている表面電
極層の半田メッキやＳｎメッキが、部分的にまたは全体
的に溶融して周囲に飛散し、飛散した溶融金属が周囲の
回路導体に付着して、回路間短絡を生じさせる問題が発
生する。
【０００４】本発明の目的は、上記課題を解消できるチ
ップ部品を提供することにある。
ップ部品を提供することにある。
【０００５】本発明の他の目的は、高温環境下で使用可
能なチップ部品を提供することにある。
能なチップ部品を提供することにある。
【０００６】本発明の更に他の目的は、半田付け後の半
田付け部の接合強度の低下を抑制できるチップ部品を提
供することにある。
田付け部の接合強度の低下を抑制できるチップ部品を提
供することにある。
【０００７】本発明の更に他の目的は、表面電極層の厚
みが薄くなっても、腐食が発生しないチップ部品を提供
することにある。
みが薄くなっても、腐食が発生しないチップ部品を提供
することにある。
【０００８】本発明の更に他の目的は、高温環境下で使
用可能な安価なチップ部品を提供することにある。
用可能な安価なチップ部品を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明が改良の対象とす
るチップ部品は、絶縁性を有するチップ状基板の上に形
成された電気素子（固定抵抗体，可変抵抗体，コンデン
サ，インダクタ等）と、この電気素子に電気的に接続さ
れ且つチップ状基板の端部に形成された接続用電極とを
備えている。
るチップ部品は、絶縁性を有するチップ状基板の上に形
成された電気素子（固定抵抗体，可変抵抗体，コンデン
サ，インダクタ等）と、この電気素子に電気的に接続さ
れ且つチップ状基板の端部に形成された接続用電極とを
備えている。
【００１０】本発明のチップ部品は、１つのチップ状基
板の上に１つの電気素子を有し且つ少なくとも２つの接
続用電極を有する最小単位のチップ部品の他に、１つの
チップ状基板の上に同じ種類の複数の電気素子または異
なる種類の複数の電気素子を有する多連チップ部品また
は複合チップ部品を含むものである。
板の上に１つの電気素子を有し且つ少なくとも２つの接
続用電極を有する最小単位のチップ部品の他に、１つの
チップ状基板の上に同じ種類の複数の電気素子または異
なる種類の複数の電気素子を有する多連チップ部品また
は複合チップ部品を含むものである。
【００１１】そして本発明が改良の対象とするチップ部
品では、接続用電極が最外層に半田濡れ性のよいメッキ
層を備えているチップ部品である。一般的には、チップ
状基板の端部の上に、導電性ペースト（樹脂銀ペース
ト，ガラス銀ペースト等）を焼成して形成した導電性ペ
ースト電極層や、スパッタリング等により形成した薄膜
金属電極層等からなる下地電極層を備えている。ここで
下地電極層は、チップ状基板の一方の面上に形成される
ベース電極のみから構成される場合と、チップ状基板の
端部の一方の面上に形成されるベース電極と基板の端部
の端面に形成される端面電極とから構成される場合と、
基板の端部の表面及び裏面に形成された一対のベース電
極と端部の端面に形成された端面電極とから構成される
場合のいずれでもよい。
品では、接続用電極が最外層に半田濡れ性のよいメッキ
層を備えているチップ部品である。一般的には、チップ
状基板の端部の上に、導電性ペースト（樹脂銀ペース
ト，ガラス銀ペースト等）を焼成して形成した導電性ペ
ースト電極層や、スパッタリング等により形成した薄膜
金属電極層等からなる下地電極層を備えている。ここで
下地電極層は、チップ状基板の一方の面上に形成される
ベース電極のみから構成される場合と、チップ状基板の
端部の一方の面上に形成されるベース電極と基板の端部
の端面に形成される端面電極とから構成される場合と、
基板の端部の表面及び裏面に形成された一対のベース電
極と端部の端面に形成された端面電極とから構成される
場合のいずれでもよい。
【００１２】また一般的には、下地電極層と表面電極層
との間には、１層以上のメッキ層から構成されるバリア
電極層が形成される。このバリア電極層は、Ｎｉのよう
に比較的安価でしかも耐蝕性に優れた金属によって形成
される場合が多い。
との間には、１層以上のメッキ層から構成されるバリア
電極層が形成される。このバリア電極層は、Ｎｉのよう
に比較的安価でしかも耐蝕性に優れた金属によって形成
される場合が多い。
【００１３】本発明においては、接続用電極の最外層の
メッキ層を、融点が３００℃以上の高融点メッキにより
形成する。半田メッキの融点が約１８２℃であり、Ｓｎ
メッキの融点が２３２℃であり、３００℃以上の融点を
有する金属メッキで半田濡れ性に優れているものとして
は、Ｃｕメッキ，Ａｇメッキ，Ａｕメッキ等がある。最
外層のメッキ層を、融点が３００℃以上の高融点メッキ
により形成すると、高温半田を用いてチップ部品を半田
付けした場合でも、最外層のメッキ層が溶融して飛散す
ることはない。したがってチップ部品を実装した回路基
板上で回路短絡が発生することがなくなり、歩留まりを
上げることができる。
メッキ層を、融点が３００℃以上の高融点メッキにより
形成する。半田メッキの融点が約１８２℃であり、Ｓｎ
メッキの融点が２３２℃であり、３００℃以上の融点を
有する金属メッキで半田濡れ性に優れているものとして
は、Ｃｕメッキ，Ａｇメッキ，Ａｕメッキ等がある。最
外層のメッキ層を、融点が３００℃以上の高融点メッキ
により形成すると、高温半田を用いてチップ部品を半田
付けした場合でも、最外層のメッキ層が溶融して飛散す
ることはない。したがってチップ部品を実装した回路基
板上で回路短絡が発生することがなくなり、歩留まりを
上げることができる。
【００１４】融点の点だけを考えれば、Ａｇ粉末、Ａｕ
粉末を含有した導電性ガラスペーストを用いて接続用電
極を形成することも考えられる。しかしながらこのよう
なペーストだけで形成した接続用電極は、耐熱性はある
もの半田濡れ性が悪く、接続不良が発生する。これに対
して、本発明のように、最外層のメッキ層だけを高融点
メッキで構成すると、半田付け性を低下させずに、耐熱
性を発揮させることができる。特に、表面電極層をＡｇ
メッキまたはＡｕメッキにより構成すると、半田濡れ性
がよく、接続不良の発生を防止できる。Ａｕメッキであ
れば、マイグレーションの発生の問題はないが、単価が
高くなる。Ａｇメッキであればマイグレーションの発生
の問題はあるものの、単価を低く押さえることができ
る。
粉末を含有した導電性ガラスペーストを用いて接続用電
極を形成することも考えられる。しかしながらこのよう
なペーストだけで形成した接続用電極は、耐熱性はある
もの半田濡れ性が悪く、接続不良が発生する。これに対
して、本発明のように、最外層のメッキ層だけを高融点
メッキで構成すると、半田付け性を低下させずに、耐熱
性を発揮させることができる。特に、表面電極層をＡｇ
メッキまたはＡｕメッキにより構成すると、半田濡れ性
がよく、接続不良の発生を防止できる。Ａｕメッキであ
れば、マイグレーションの発生の問題はないが、単価が
高くなる。Ａｇメッキであればマイグレーションの発生
の問題はあるものの、単価を低く押さえることができ
る。
【００１５】ここで接続用電極における腐食（表面電極
層の表面にＡｇ2 ＯやＮｉＯ等の酸化物が現れて半田濡
れ性が低下し、また電極の外観が悪くなる現象）の原因
は、多層の金属層間に局部電池が形成されることにあ
る。この局部電池は、金属層内の湿気の存在に大きく左
右される。金属層中にピンホールがあると、このピンホ
ール内の湿気が原因となって局部電池が発生し、腐食が
進行すると、酸化物が表面に現れてくる。このような腐
食の発生を防止するためには、金属層内にピンホールが
残らないようにする必要がある。そのためには下地電極
層の上にメッキにより形成するバリア電極層の厚みをあ
る程度厚くすべきである。ＮｉメッキまたはＮｉ・Ｃｒ
メッキによってバリア電極層を形成する場合には、その
厚みを５μｍ以上にするのが好ましい。
層の表面にＡｇ2 ＯやＮｉＯ等の酸化物が現れて半田濡
れ性が低下し、また電極の外観が悪くなる現象）の原因
は、多層の金属層間に局部電池が形成されることにあ
る。この局部電池は、金属層内の湿気の存在に大きく左
右される。金属層中にピンホールがあると、このピンホ
ール内の湿気が原因となって局部電池が発生し、腐食が
進行すると、酸化物が表面に現れてくる。このような腐
食の発生を防止するためには、金属層内にピンホールが
残らないようにする必要がある。そのためには下地電極
層の上にメッキにより形成するバリア電極層の厚みをあ
る程度厚くすべきである。ＮｉメッキまたはＮｉ・Ｃｒ
メッキによってバリア電極層を形成する場合には、その
厚みを５μｍ以上にするのが好ましい。
【００１６】これに対して、最外層の高融点メッキ層は
できるだけ厚みを薄くするのが好ましい。これは本発明
のチップ部品を回路基板に実装した場合、ＡｕやＡｇ等
の金属が高融点半田中に拡散し、拡散したＡｕやＡｇ等
の金属が半田接合部の機械的または物理的強度を低下さ
せるからである。従来のように、表面電極層を半田メッ
キやＳｎメッキで形成する場合には、このような問題は
生じないが、高融点メッキで表面電極層を形成する場合
には、この点を十分に考慮する必要がある。発明者の試
験によると、高融点メッキからなる表面電極層の厚みは
３μｍ以下が好ましく、理想的には０．５〜１μｍの範
囲が好ましい。この範囲であれば、半田付け性に影響を
与えずに、しかも半田接合層内への高融点金属の拡散を
抑制できる。
できるだけ厚みを薄くするのが好ましい。これは本発明
のチップ部品を回路基板に実装した場合、ＡｕやＡｇ等
の金属が高融点半田中に拡散し、拡散したＡｕやＡｇ等
の金属が半田接合部の機械的または物理的強度を低下さ
せるからである。従来のように、表面電極層を半田メッ
キやＳｎメッキで形成する場合には、このような問題は
生じないが、高融点メッキで表面電極層を形成する場合
には、この点を十分に考慮する必要がある。発明者の試
験によると、高融点メッキからなる表面電極層の厚みは
３μｍ以下が好ましく、理想的には０．５〜１μｍの範
囲が好ましい。この範囲であれば、半田付け性に影響を
与えずに、しかも半田接合層内への高融点金属の拡散を
抑制できる。
【００１７】下地電極層の少なくとも端面電極を熱硬化
性樹脂中に銀粉末を含有する樹脂銀によって形成し、バ
リア電極層をＮｉメッキにより形成し、表面電極層をＡ
ｇメッキで形成すると、比較的安価に高温環境下で使用
可能なチップ部品を提供することができる。
性樹脂中に銀粉末を含有する樹脂銀によって形成し、バ
リア電極層をＮｉメッキにより形成し、表面電極層をＡ
ｇメッキで形成すると、比較的安価に高温環境下で使用
可能なチップ部品を提供することができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】図１は本発明に係るチップ部品を
チップ抵抗器に適用した実施の形態の一例を示したもの
である。このチップ部品は、セラミックス等で形成され
た絶縁性を有するチップ状基板１の上に形成された抵抗
体２からなる電気素子３と、この電気素子３に電気的に
接続され且つチップ状基板１の両端部にそれぞれ形成さ
れた接続用電極４，４とを備えている。
チップ抵抗器に適用した実施の形態の一例を示したもの
である。このチップ部品は、セラミックス等で形成され
た絶縁性を有するチップ状基板１の上に形成された抵抗
体２からなる電気素子３と、この電気素子３に電気的に
接続され且つチップ状基板１の両端部にそれぞれ形成さ
れた接続用電極４，４とを備えている。
【００１９】２つの接続用電極４，４は、それぞれチッ
プ状基板１の両端部の上に導電性ペーストまたは薄膜金
属により形成された下地電極層５と、この下地電極層５
の上にメッキにより形成されたバリア電極層６と、この
バリア電極層６の上に即ち接続用電極４の最外層に半田
濡れ性のよいメッキにより形成された表面電極層７とを
備えて構成されている。
プ状基板１の両端部の上に導電性ペーストまたは薄膜金
属により形成された下地電極層５と、この下地電極層５
の上にメッキにより形成されたバリア電極層６と、この
バリア電極層６の上に即ち接続用電極４の最外層に半田
濡れ性のよいメッキにより形成された表面電極層７とを
備えて構成されている。
【００２０】下地電極層５は、チップ状基板１の端部の
表面及び裏面に形成された一対のベース電極５ａ，５ｂ
と、該チップ状基板１の端部の端面で両方のベース電極
５ａ，５ｂにラップさせて形成された端面電極５ｃとで
構成されている。この例のベース電極５ａ，５ｂは、Ａ
ｇ−Ｐｂ，Ａｇ−Ｐｔ等のメタルグレーズペースト（ガ
ラス金属ペースト）を印刷して焼成することにより形成
されている。端面電極５ｃは、ベース電極５ａ，５ｂと
同じようにＡｇ−Ｐｂ，Ａｇ−Ｐｔ等のメタルグレーズ
ペースト（ガラス銀ペースト）を印刷して焼成すること
により形成されるか、または熱硬化性樹脂中に銀粉末を
含有する樹脂銀を印刷して焼成することによって形成さ
れている。樹脂銀より端面電極５ｃを形成する場合に
は、キシレンまたはエポキシフェノール樹脂にＡｇ粉末
を混入したＡｇ−レジン系の導電性ペースト（樹脂銀）
で形成することができる。
表面及び裏面に形成された一対のベース電極５ａ，５ｂ
と、該チップ状基板１の端部の端面で両方のベース電極
５ａ，５ｂにラップさせて形成された端面電極５ｃとで
構成されている。この例のベース電極５ａ，５ｂは、Ａ
ｇ−Ｐｂ，Ａｇ−Ｐｔ等のメタルグレーズペースト（ガ
ラス金属ペースト）を印刷して焼成することにより形成
されている。端面電極５ｃは、ベース電極５ａ，５ｂと
同じようにＡｇ−Ｐｂ，Ａｇ−Ｐｔ等のメタルグレーズ
ペースト（ガラス銀ペースト）を印刷して焼成すること
により形成されるか、または熱硬化性樹脂中に銀粉末を
含有する樹脂銀を印刷して焼成することによって形成さ
れている。樹脂銀より端面電極５ｃを形成する場合に
は、キシレンまたはエポキシフェノール樹脂にＡｇ粉末
を混入したＡｇ−レジン系の導電性ペースト（樹脂銀）
で形成することができる。
【００２１】バリア電極層６は、ＮｉメッキまたはＮｉ
・Ｃｒメッキにより形成されている。このバリア電極層
６は、ピンホールが形成されることがないように５μｍ
以上の厚みで形成されている。
・Ｃｒメッキにより形成されている。このバリア電極層
６は、ピンホールが形成されることがないように５μｍ
以上の厚みで形成されている。
【００２２】表面電極層７を構成する半田濡れ性のよい
メッキは、融点が３００℃以上の高融点メッキで形成さ
れている。この表面電極層７を構成する高融点メッキと
しては、Ｃｕメッキ，ＡｇメッキまたはＡｕメッキを用
いることができ、バリア電極層６の厚みよりも薄く、好
ましくは３μｍ以下の厚みで設けられている。
メッキは、融点が３００℃以上の高融点メッキで形成さ
れている。この表面電極層７を構成する高融点メッキと
しては、Ｃｕメッキ，ＡｇメッキまたはＡｕメッキを用
いることができ、バリア電極層６の厚みよりも薄く、好
ましくは３μｍ以下の厚みで設けられている。
【００２３】抵抗体２は、両側のベース電極５ａに跨が
らせて（端部が重なるように）チップ状基板１の上に層
として設けられている。この抵抗体２の表面は、トリミ
ングを容易にするためのガラスコート８と保護用のレジ
ンコート９とで覆われている。抵抗体２の抵抗値の調整
は、例えば抵抗体２の表面をガラスコート８で覆った状
態で、これらにレーザーでトリミング溝を入れることに
より行ない、その後にレジンコート９で覆う。
らせて（端部が重なるように）チップ状基板１の上に層
として設けられている。この抵抗体２の表面は、トリミ
ングを容易にするためのガラスコート８と保護用のレジ
ンコート９とで覆われている。抵抗体２の抵抗値の調整
は、例えば抵抗体２の表面をガラスコート８で覆った状
態で、これらにレーザーでトリミング溝を入れることに
より行ない、その後にレジンコート９で覆う。
【００２４】本例のチップ部品のように最外層の表面電
極層７を、融点が３００℃以上の高融点メッキにより形
成すると、高温半田を用いてチップ部品を半田付けした
場合でも、最外層のメッキ層が溶融して飛散することは
ない。したがって、チップ部品を実装した回路基板上で
回路短絡が発生することがなくなり、歩留まりを上げる
ことができる。また、最外層のメッキ層だけを高融点メ
ッキで構成すると、半田付け性を低下させずに、耐熱性
を発揮させることができ、端面電極５ｃを樹脂銀で形成
した場合でも支障がない。特に、表面電極層７をＡｇメ
ッキまたはＡｕメッキにより構成すると、半田濡れ性が
よく、接続不良の発生を防止できる。前述したようにＡ
ｕメッキであれば、マイグレーションの発生の問題はな
いが、単価が高くなる。Ａｇメッキであればマイグレー
ションの発生の問題はあるものの、単価を低く押さえる
ことができる。
極層７を、融点が３００℃以上の高融点メッキにより形
成すると、高温半田を用いてチップ部品を半田付けした
場合でも、最外層のメッキ層が溶融して飛散することは
ない。したがって、チップ部品を実装した回路基板上で
回路短絡が発生することがなくなり、歩留まりを上げる
ことができる。また、最外層のメッキ層だけを高融点メ
ッキで構成すると、半田付け性を低下させずに、耐熱性
を発揮させることができ、端面電極５ｃを樹脂銀で形成
した場合でも支障がない。特に、表面電極層７をＡｇメ
ッキまたはＡｕメッキにより構成すると、半田濡れ性が
よく、接続不良の発生を防止できる。前述したようにＡ
ｕメッキであれば、マイグレーションの発生の問題はな
いが、単価が高くなる。Ａｇメッキであればマイグレー
ションの発生の問題はあるものの、単価を低く押さえる
ことができる。
【００２５】また、バリア電極層６の厚みを５μｍ以上
にすると、金属層内にピンホールが残らないようにする
ことができ、このためピンホール内の湿気が原因となっ
て局部電池が発生し、腐食が進行するのを防止すること
ができる。
にすると、金属層内にピンホールが残らないようにする
ことができ、このためピンホール内の湿気が原因となっ
て局部電池が発生し、腐食が進行するのを防止すること
ができる。
【００２６】一方、高融点メッキからなる表面電極層７
の厚みを３μｍ以下、理想的には０．５〜１μｍの範囲
にすると、半田付け性に影響を与えずに、しかも半田接
合層内へのＡｕやＡｇ等の高融点金属の拡散を抑制で
き、半田接合部の機械的強度の低下を防止することがで
きる。
の厚みを３μｍ以下、理想的には０．５〜１μｍの範囲
にすると、半田付け性に影響を与えずに、しかも半田接
合層内へのＡｕやＡｇ等の高融点金属の拡散を抑制で
き、半田接合部の機械的強度の低下を防止することがで
きる。
【００２７】特に、下地電極層５の少なくとも端面電極
５ｃを熱硬化性樹脂中に銀粉末を含有する樹脂銀によっ
て形成し、バリア電極層６をＮｉメッキにより形成し、
表面電極層７をＡｇメッキで形成すると、比較的安価に
高温環境下で使用可能なチップ部品を提供することがで
きる。
５ｃを熱硬化性樹脂中に銀粉末を含有する樹脂銀によっ
て形成し、バリア電極層６をＮｉメッキにより形成し、
表面電極層７をＡｇメッキで形成すると、比較的安価に
高温環境下で使用可能なチップ部品を提供することがで
きる。
【００２８】上記例では、電気素子３が固定抵抗体２で
形成されている場合について説明したが、電気素子３と
してはこれに限定されるものではなく、可変抵抗体，コ
ンデンサ，インダクタ等であってもよい。
形成されている場合について説明したが、電気素子３と
してはこれに限定されるものではなく、可変抵抗体，コ
ンデンサ，インダクタ等であってもよい。
【００２９】また上記例では、１つのチップ状基板１の
上に１つの電気素子３を有し且つ２つの接続用電極４を
有する最小単位のチップ部品の例について説明したが、
本発明はこれに限定されるものではなく、１つのチップ
状基板の上に同じ種類の複数の電気素子または異なる種
類の複数の電気素子を有する多連チップ部品または複合
チップ部品を含むものである。
上に１つの電気素子３を有し且つ２つの接続用電極４を
有する最小単位のチップ部品の例について説明したが、
本発明はこれに限定されるものではなく、１つのチップ
状基板の上に同じ種類の複数の電気素子または異なる種
類の複数の電気素子を有する多連チップ部品または複合
チップ部品を含むものである。
【００３０】さらに下地電極層５は、チップ状基板１の
端部の表面及び裏面に形成された一対のベース電極５
ａ，５ｂと、該チップ状基板１の端部の端面で両方のベ
ース電極５ａ，５ｂにラップさせて（重ねて）形成され
た端面電極５ｃとで構成されている場合について説明し
たが、本発明はこれに限定されるものではなく、チップ
状基板の一方の面上に形成されるベース電極のみから構
成される場合でも、チップ状基板の端部の一方の面上に
形成されるベース電極と基板の端部の端面に形成される
端面電極とから構成される場合でも、いずれでもよい。
端部の表面及び裏面に形成された一対のベース電極５
ａ，５ｂと、該チップ状基板１の端部の端面で両方のベ
ース電極５ａ，５ｂにラップさせて（重ねて）形成され
た端面電極５ｃとで構成されている場合について説明し
たが、本発明はこれに限定されるものではなく、チップ
状基板の一方の面上に形成されるベース電極のみから構
成される場合でも、チップ状基板の端部の一方の面上に
形成されるベース電極と基板の端部の端面に形成される
端面電極とから構成される場合でも、いずれでもよい。
【００３１】下地電極層５，５を薄膜金属で形成する場
合には、スパッタリングや蒸着によりこれらを形成すれ
ばよい。
合には、スパッタリングや蒸着によりこれらを形成すれ
ばよい。
【００３２】
【発明の効果】本発明に係るチップ部品では、接続用電
極の最外層の表面電極層を、融点が３００℃以上の高融
点メッキにより形成するため、高温半田を用いてチップ
部品を半田付けした場合でも、最外層のメッキ層が溶融
して飛散することがない。したがって、チップ部品を実
装した回路基板上で回路短絡が発生することがなくな
り、歩留まりを上げることができる。
極の最外層の表面電極層を、融点が３００℃以上の高融
点メッキにより形成するため、高温半田を用いてチップ
部品を半田付けした場合でも、最外層のメッキ層が溶融
して飛散することがない。したがって、チップ部品を実
装した回路基板上で回路短絡が発生することがなくな
り、歩留まりを上げることができる。
【図１】本発明に係るチップ部品における実施の形態の
一例を示す縦断面図である。
一例を示す縦断面図である。
【符号の説明】 １ チップ状基板 ２ 抵抗体 ３ 電気素子 ４ 接続用電極 ５ 下地電極層 ５ａ，５ｂ ベース電極 ５ｃ 端面電極 ６ バリア電極層 ７ 表面電極層 ８ ガラスコート ９ レジンコート
Claims (6)
- 【請求項１】 絶縁性を有するチップ状基板の上に形成
された電気素子と、前記電気素子に電気的に接続され且
つ前記チップ状基板の端部に形成された接続用電極とを
備え、 前記接続用電極が最外層に半田濡れ性のよいメッキ層を
備えているチップ部品であって、 前記メッキ層は融点が３００℃以上の高融点メッキから
形成されていることを特徴とするチップ部品。 - 【請求項２】 絶縁性を有するチップ状基板の上に形成
された抵抗体等の電気素子と、前記電気素子に電気的に
接続され且つ前記チップ状基板の端部に形成された接続
用電極とを備え、 前記接続用電極が、前記端部の上に導電性ペーストまた
は薄膜金属により形成された下地電極層と、前記下地電
極層の上にメッキにより形成されたバリア電極層と、前
記バリア電極層の上に半田濡れ性のよいメッキにより形
成された表面電極層とを備えているチップ部品であっ
て、 前記表面電極層がＡｇメッキまたはＡｕメッキから形成
されていることを特徴とするチップ部品。 - 【請求項３】 絶縁性を有するチップ状基板の上に形成
された抵抗体等の電気素子と、前記電気素子に電気的に
接続され且つ前記チップ状基板の端部に形成された接続
用電極とを備え、 前記接続用電極が、前記端部の上に導電性ペーストまた
は薄膜金属により形成された下地電極層と、前記下地電
極層の上にメッキにより形成されたバリア電極層と、前
記バリア電極層の上に半田濡れ性のよいメッキにより形
成された表面電極層とを備えているチップ部品であっ
て、 前記下地電極層は、前記端部の表面及び裏面に形成され
た一対のベース電極と、前記端部の端面に形成された端
面電極とからなり、 前記バリア電極層がＮｉメッキにより形成され、 前記表面電極層がＡｇメッキまたはＡｕメッキから形成
さている特徴とするチップ部品。 - 【請求項４】 前記バリア電極層はピンホールが形成さ
れることがない程度の厚みを有し、 前記表面電極層の厚みは前記バリア電極層の厚みよりも
薄いことを特徴とする請求項３に記載のチップ部品。 - 【請求項５】 前記バリア電極層の厚みが５μｍ以上で
あり、前記表面電極層の厚みが３μｍ以下である請求項
４に記載のチップ部品。 - 【請求項６】 前記下地電極層の少なくとも前記端面電
極が、熱硬化性樹脂中に銀粉末を含有する樹脂銀によっ
て形成され、 前記表面電極層が前記Ａｇメッキから形成されている請
求項４または５に記載のチップ部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9020366A JPH10223402A (ja) | 1997-02-03 | 1997-02-03 | チップ部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9020366A JPH10223402A (ja) | 1997-02-03 | 1997-02-03 | チップ部品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10223402A true JPH10223402A (ja) | 1998-08-21 |
Family
ID=12025091
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9020366A Pending JPH10223402A (ja) | 1997-02-03 | 1997-02-03 | チップ部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10223402A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2010113341A1 (ja) * | 2009-04-01 | 2012-10-04 | 釜屋電機株式会社 | 電流検出用金属板抵抗器及びその製造方法 |
| CN115472361A (zh) * | 2022-09-20 | 2022-12-13 | 贝迪斯电子有限公司 | 一种高温片式厚膜电阻器及其生产工艺 |
-
1997
- 1997-02-03 JP JP9020366A patent/JPH10223402A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2010113341A1 (ja) * | 2009-04-01 | 2012-10-04 | 釜屋電機株式会社 | 電流検出用金属板抵抗器及びその製造方法 |
| CN115472361A (zh) * | 2022-09-20 | 2022-12-13 | 贝迪斯电子有限公司 | 一种高温片式厚膜电阻器及其生产工艺 |
| CN115472361B (zh) * | 2022-09-20 | 2023-07-21 | 贝迪斯电子有限公司 | 一种高温片式厚膜电阻器及其生产工艺 |
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Legal Events
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
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