CN101325095B - 陶瓷电子部件 - Google Patents

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Abstract

陶瓷电子部件具备陶瓷素体以及配置于陶瓷素体的外部电极。外部电极具有第1电极层和形成于第1电极层上的第2电极层。第1电极层形成于陶瓷素体的外表面上，含有Ag以及玻璃物质。在第2电极层，含有Pt且在多处形成有到达第1电极层的孔。

Description

陶瓷电子部件
技术领域
本发明涉及具备陶瓷素体的陶瓷电子部件。
背景技术
现有的陶瓷电子部件，已知具备陶瓷素体以及配置于该陶瓷素体上的外部电极(例如，参照日本特开2002-246207号公报)。在特开2002-246207号公报中所记载的陶瓷电子部件中，通过将以Ag为主体的电极膏涂布于陶瓷素体，烧结该电极膏而形成外部电极。
发明内容
本发明的目的在于提供一种电子部件，其具备的外部电极具有良好的焊料润湿性、耐焊料腐蚀性、耐冲击性、以及热循环环境下的连接可靠性。
本发明的发明者们对具有良好的焊料润湿性、耐焊料腐蚀性、耐冲击性、以及热循环环境下的连接可靠性的外部电极进行了锐意的研究，结果发现以下的事实。
在通过将含有金属粉末以及玻璃粉末的导电膏烧结于陶瓷素体上而形成外部电极的情况下，由玻璃粉末软化而熔融成的玻璃物质，在外部电极的内侧(陶瓷素体侧)形成玻璃相和金属相混合存在的区域。在玻璃相和金属相混合的区域，附着于陶瓷素体的外表面上的玻璃物质起到了锚定(anchor)的作用，提高了陶瓷素体和外部电极的连接强度，并提升了耐冲击性。
在导电膏中所含有的金属粉末为Ag的情况下，由于外部电极中所含有的Ag容易被焊料润湿，因而提高了焊料润湿性。然而，在外部电极含有Ag的情况下，发生外部电极中所含有的Ag溶出于熔融的焊料，外部电极部分地消失的所谓的焊料腐蚀，耐焊料腐蚀性恶化。
在导电膏中所含有的金属粉末为Pt的情况下，由于外部电极中所含有的Pt容易被焊料润湿，因而提高了焊料润湿性。外部电极中所含有的Pt几乎不溶出于熔融的焊料，从而也提高了耐焊料腐蚀性。然而，在外部电极含有Pt的情况下，在热循环环境下，在焊料和外部电极之间产生裂纹，破坏了焊料和外部电极之间的物理连接以及电连接，从而降低了连接的可靠性。
对于在焊料和外部电极之间产生裂纹的现象，有如下的考虑。当焊料和外部电极相接时，在焊料和外部电极的界面附近(焊料与外部电极的接合部)，由焊料中所含有的Sn和外部电极中所含有的Pt形成金属间化合物。从结晶构造而言，该Sn和Pt的金属间化合物是道尔顿(Daltonide)型金属间化合物，通常坚硬且具有脆的性质。因此，在伴随着热循环的反复应力起作用时，在Sn和Pt的金属间化合物存在的上述接合部产生裂纹。
在外部电极含有Ag以替代Pt的情况下，当焊料和外部电极相接时，在上述接合部，由焊料中所含有的Sn和外部电极中所含有的Ag形成Sn和Ag的金属间化合物。该Sn和Pt的金属间化合物是贝陀立(Berthollide)型金属间化合物，通常柔软且具有延展性。因此，能够在上述接合部抑制裂纹的产生。
Pt和Ag的金属间化合物也是贝陀立型金属间化合物，与Sn和Ag的金属间化合物同样，柔软且具有延展性。
鉴于相关的研究结果，本发明涉及的陶瓷电子部件具备陶瓷素体和配置于陶瓷素体上的外部电极，外部电极具有第1电极层和第2电极层。其中，第1电极层形成于陶瓷素体的外表面上，含有Ag以及玻璃物质，第2电极层形成于第1电极层上，含有Pt，并在多处形成有到达第1电极层的孔。
在本发明涉及的陶瓷电子部件中，由于外部电极的的第1电极层含有玻璃物质，因而陶瓷素体和外部电极(第1电极层)的连接强度升高，提高了外部电极的耐冲击性。由于第2电极层含有Pt，因而提高了第2电极层的焊料润湿性和耐焊料腐蚀性。
在第2电极层上，在多处形成有到达第1电极层的孔。因此，当使焊料附着于第2电极层上并使该焊料熔融时，所熔融的焊料通过形成于第2电极层的孔而到达第1电极层，与该第1电极层相接。当焊料与第1电极层相接时，在焊料和第1第电极层的界面附近，形成焊料中所含有的Sn和第1电极层中所含有的Ag的金属间化合物。所以，在热循环环境下，在焊料和外部电极(第1电极层)之间不产生裂纹，从而提高了外部电极的连接可靠性。
本发明中，由于第1电极层含有Ag、第2电极层含有Pt，因而在第1电极层与第2电极层的界面附近形成有Pt和Ag的金属间化合物。所以，在热循环环境下，在第1电极层和第2电极层之间不产生裂纹，从而提高了外部电极的连接可靠性。
优选还具备形成于第2电极上且由焊料形成的突起状电极。
优选还具备配置于陶瓷素体内，含有Pd，并与第1电极层连接的内部电极，第1电极层还含有Pd。
在内部电极含有Pd，第1电极层含有Ag的情况下，由于Ag向Pd扩散的速度与Pd向Ag扩散的速度不同，因而，内部电极延伸，从而显著地从陶瓷素体的外表面突出。这样，当内部电极从陶瓷素体的外表面突出时，陶瓷素体和第1电极层的紧密结合性有可能降低，陶瓷素体和第1电极层的结合强度也有可能降低。而当第1电极层含有Pd时，能够抑制内部电极向陶瓷素体的外表面突出，防止陶瓷素体和第1电极层的结合强度下降。
优选第1电极层是通过烧结含有Ag粉末以及玻璃粉末的导电膏而形成的烧结电极层。
优选第2电极层是通过烧结含有Pt粉末的导电膏而形成的烧结电极层。
本发明可以提供一种电子部件，其具备的外部电极具有良好的焊料润湿性、耐焊料腐蚀性、耐冲击性、以及热循环环境下的连接可靠性。
本发明通过以下给出的详细说明和参照附图将会变得更加清楚，但是，这些说明和附图仅仅是为了说明本发明而举出的例子，不能被认为是对本发明的限定。
以下给出的详细说明将会更加清楚地表述本发明的应用范围。但是，这些详细说明和特殊实例只是为了举例说明本发明的优选实施方案而举出的，本领域的技术人员显然能够理解本发明的各种变化和修改都在本发明的宗旨和范围内。
附图说明
图1是第1实施方式涉及的层叠芯片变阻器的构成的立体示意图。
图2是第1实施方式涉及的层叠芯片变阻器的构成的立体示意图。
图3是沿图1的III-III线的剖面构成的示意图。
图4是沿图3的IV-IV线的剖面构成的示意图。
图5是沿图4的V-V线的剖面构成的示意图。
图6是用于说明外部电极以及突起状电极的构成的模式图。
图7是图1所示的层叠芯片变阻器的等效电路的示意图。
图8是层叠芯片变阻器的制造程序的流程图。
图9是制造层叠芯片变阻器的示意图。
图10是第2实施方式涉及的层叠芯片变阻器的剖面构成的示意图。
具体实施方式
以下，参照附图，详细地说明本发明的优选实施方式。其中，在说明时，用同一符号表示同一要素或具有相同功能的要素，省略重复的说明。
(第1实施方式)
图1与图2是第1实施方式涉及的层叠芯片变阻器的构成的立体示意图。图3是沿图1的III-III线的剖面构成的示意图。图4是沿图3的IV-IV线的剖面构成的示意图。图5是沿图4的V-V线的剖面构成的示意图。
图1～图5所示的层叠芯片变阻器MV1是专门为了满足对于笔记本电脑和手机等小型电子器械的高密度安装的要求，利用回流焊(reflow)将设置于安装面侧的焊料凸块安装在安装基板(图中未显示)上的变阻器元件，即所谓的对应于BGA(球栅阵列)封装的变阻器元件。
如图所示，层叠芯片变阻器MV1具备大致为长方体状的变阻器素体11、两个连接导体41、4个外部电极51、以及突起状电极53。变阻器素体11具有一对相互相对的一对主面13、15作为外表面。各连接导体41配置于变阻器素体11的一个主面13上。各外部电极51配置于变阻器素体11的另一个主面15上。主面15是与安装有层叠芯片变阻器MV1的面相对的面。变阻器素体11的外表面中从连接导体41以及外部电极51露出的部分被绝缘保护层(图中未显示)覆盖。绝缘保护层可以通过使釉玻璃(例如，由SiO2、ZnO、B、Al2O3等形成的玻璃)附着，在规定的温度下烧结而形成。
变阻器素体11构成为具有电压非线性(nonlinear voltage-currentcharacteristics)(以下称为“变阻器特性”)的多个变阻器层层叠而成的层叠体，被设定为例如长1mm、宽1mm、厚度0.5mm。在实际的层叠芯片变阻器MV1中，多层变阻器层一体化至相互的边界难以分辨的程度。变阻器素体11是由半导体陶瓷形成的陶瓷素体。
变阻器层的每层厚度为，例如5～60μm。变阻器层以ZnO为主要成分，并含有稀土类元素Pr和碱土类金属元素Ca为次要成分。变阻器层含有例如Co、Cr、Si、K、Al等作为其它次要成分。对各变阻器层的ZnO的含量没有特别的限定，但优选在以变阻器层的全部材料为100原子量％的情况下，ZnO的含量为69.0原子量％～99.8原子量％。
在这样的变阻器素体11的内部，4对内部电极对21被配置为2行×2列的矩阵状。各内部电极对21由大致呈矩形的第1内部电极23和第2内部电极33构成，被设定为例如厚度0.5～5μm。第1内部电极23在变阻器层的面内方向上延伸，第1内部电极23的一端露出于变阻器素体11的主面13，第1内部电极23的另一端位于从变阻器素体11的主面15仅相距规定距离的内侧。
第2内部电极33被配置为与第1内部电极23大致平行。第2内部电极33的一端露出于变阻器素体11的主面15，第2内部电极33的另一端位于从变阻器素体11的主面13仅相距规定距离的内侧。如图3及图5所示，从变阻器素体11的侧面看，第1内部电极23与第2内部电极33被配置为互不相同，其大致一半的区域呈相互相对的状态。
在第1内部电极23与第2内部电极33之间，至少存在着一层变阻器层。第1内部电极23与第2内部电极33相互电绝缘。第1内部电极23与第2内部电极33以Pd作为主要成分，含有例如Ag作为次要成分。
如图1及图3所示，连接导体41大致呈例如长边为0.8mm、短边为0.4mm的长方形，配置于变阻器素体11的主面13侧。各连接导体41覆盖4个内部电极对中并列位于变阻器层的层叠方向的两个内部电极对21的第1内部电极23露出于变阻器素体11的主面13的部分。由此，上述的第1内部电极23、23彼此通过连接导体41而相互电连接。
连接导体41含有金属和玻璃物质。连接导体41含有金属Ag以及Pd。连接导体41是通过烧结含有金属粉末(Ag-Pd合金粉末)以及玻璃粉末的导电膏而形成的烧结电极层。第1电极层51a的厚度，例如为1～20μm。
如图2及图4所示，外部电极51大致呈例如边长为0.4mm的正方形，与内部电极21相对应，在变阻器素体11的主面15侧配置成2行×2列的矩阵状。各外部电极51分别覆盖内部电极对21的第2内部电极33露出于变阻器素体11的主面15的部分。由此，外部电极51与第2内部电极33相互电连接。
如图6所示，外部电极51具有第1电极层51a和第2电极层51b。图6是用于说明外部电极以及突起状电极的构成的模式图。
第1电极层51a形成于变阻器素体11的主面15上，含有金属以及玻璃物质。第1电极层51a含有金属Ag以及Pd。第1电极层51a是通过烧结含有金属粉末(Ag-Pd合金粉末)以及玻璃粉末的导电膏而形成的烧结电极层。第1电极层51a的厚度，例如为1～20μm。
第2电极层51b形成于第1电极层51a上且含有Pt。第2电极层51b是通过烧结含有Pt粉末的导电膏而形成的烧结电极层。第2电极层51b也可以含有玻璃物质。在第2电极层51b上，在多处形成有到达第1电极层51a的孔51c。如图2及图3所示，在第2电极层51b的背侧的大致中央的部分，分别设有形成有半球状的突起状电极53的电极形成部52。第2电极层51b的厚度比第1电极层51a的厚度薄，例如为0.1～5μm。除了烧结导电膏之外，也可以利用蒸镀法或电镀法而形成第2电极层51b。
突起状电极53由含有Sn的焊料形成，配置于外部电极51(第2电极层51b)上。突起状电极53与第2电极层51b电连接且物理连接。突起状电极53通过形成于第2电极层51b的各孔51c，也与第1电极层51a电连接且物理连接。焊料为所谓的无铅焊料，例如为Sn-Ag-Cu系的焊料或Sn-Zn系的焊料等。
突起状电极(即凸块电极)53可以通过印刷法而形成。通过使用形成有与第2电极层51b的电极形成部52对应的开口的金属掩模(metal mask)，在第2电极层51b的电极形成部52上丝网印刷焊料膏后，加热使其熔融，可以形成突起状电极53。此时，熔融的焊料膏进入形成于第2电极层51b的各孔51c内。由此，突起状电极53与第1电极层51a通过孔51c而连接。除印刷法之外，也可以通过点涂法(dispense)、植球法(ball mounting method)、蒸镀法或电镀法等形成突起状电极53。
在上述的层叠芯片变阻器MV1中，变阻器层中第1内部电极23与第2内部电极层33相对的区域体现变阻器特性。因此，如图7所示，在层叠芯片变阻器MV1中，存在着两对串联连接的两个变阻器B。
接着，参照图8以及图9，说明层叠芯片变阻器MV1的制造方法。图8是层叠芯片变阻器的制造程序的流程图。图9是制造层叠芯片变阻器的示意图。
首先，以规定的比例混合构成变阻器层的主要成分ZnO、次要成分Pr、Ca，以及其它次要成分Co、Cr、Si、K、Al，调整变阻器材料(S101)。调整后，在变阻器材料中加入有机粘合剂、有机溶剂、有机可塑剂等，利用球磨混合等进行20小时左右的混合粉碎，得到浆料。
接着，通过利用例如刮片法，在例如由聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)形成的薄膜(图中未显示)上涂敷浆料，使其干燥而形成厚度30μm左右的膜。将如此得到的膜从薄膜上剥离，得到生片(S103)。
接着，在生片上形成多个与第1内部电极23对应的电极部分(8105)。同样地，在不同的生片上形成多个与第2内部电极33对应的电极部分(S105)。通过利用例如丝网印刷等，将由以Pd作为主要成分的金属粉末、有机粘合剂、有机溶剂等混合而成的导电膏印刷在生片上，使其干燥，能够形成与第1内部电极23以及第2内部电极33对应的电极部分。
接着，以规定的顺序将形成有电极部分的生片和未形成有电极部分的生片重叠，形成薄片层叠体(S107)。然后，通过按照芯片单位将薄片层叠体切断，从而得到被分割的多个生体LS1(参照图9)(S109)。
在所得到的生体LS1中，依次层叠形成有与第1内部电极23对应的电极部分EL1的生片GS1，形成有与第2内部电极33对应的电极部分EL2的生片GS2，以及未形成有电极部分EL1、EL2的生片GS3。必要时，可以层叠多层生片GS3。
接着，在例如180℃～400℃的温度下将生体LS1加热处理0.5～24小时左右，除去粘合剂。再在例如850℃～1400℃的温度下烧成生体0.5～8小时左右(S111)。通过烧成，生片GS1～GS3成为变阻器层，电极部分EL1、EL2分别成为第1内部电极23以及第2内部电极33，从而得到变阻器素体11。
制成变阻器素体11之后，接着在变阻器素体11的主面13以及主面15上分别形成连接导体41以及外部电极51(S113)。具体而言，在形成连接导体41以及第1电极层51a时，首先，准备通过在含有Pd以及Ag的金属粉末(Ag-Pd合金粉末)中混合有玻璃粉末、有机粘合剂、有机溶剂而形成的导电膏。接着，利用例如丝网印刷，使所准备的导电膏附着于变阻器素体11的主面13、15，并使其干燥。由此，形成与连接导体41对应的导体部分以及与第1电极层51a对应的导体部分。玻璃粉末可以使用含有B、Bi、Al、Si、Sr、Ba、Pr、Zn、Pb中的至少一种的玻璃料。
在形成第2电极层51b时，首先，准备通过在含有Pt的金属粉末(Pt粉末)中混合有有机粘合剂、有机溶剂而形成的导电膏。接着，利用例如丝网印刷，使所准备的导电膏附着于第1电极层51a上，并使其干燥。由此，形成与第2电极层51b对应的导体部分。
然后，通过在例如900℃下烧结所形成的导体部分，使各导体部分分别成为连接导体41以及外部电极51(第1电极层51a以及第2电极层51b)。如现有技术那样，不在外部电极51的表面上形成Ni或Sn的电镀层，烧结的导电膏的外表面就这样成为外部电极51的外表面。此后，利用公知的形成方法，在外部电极51的电极形成部52上分别形成突起状电极53，即制成上述的层叠芯片变阻器MV1。
通过在变阻器素体11上烧结上述导电膏而形成第1电极层51a时，由上述导电膏所含有的玻璃粉末软化并熔融成的玻璃物质在第1电极层51a的内侧(变阻器素体11侧)形成玻璃相和金属相混合存在的区域。如图6所示，在玻璃相和金属相混合存在的区域，附着于变阻器素体11的外表面上的玻璃物质G起着锚定的功能，使变阻器素体11与第1电极层51a的连接强度提高。
通过烧结上述导电膏而形成第2电极层51b时，在第2电极层51b上形成有孔51c。烧结导电膏时，Pt粉末彼此烧结，形成由Pt形成的大的团块。该由Pt形成的团块形成第2电极层51b。此时，由于Pt粉末彼此相互吸引，因而在第2电极层51b分散地形成有多个孔51c。通过调整导电膏的附着厚度或Pt粉末的含量等，能够控制孔51c的形成状态。例如，通过使导电膏的附着厚度变薄，或减少Pt粉末的含量，可以使孔51c具有易于形成的倾向。
形成第2电极层51b时，在第1电极层51a与第2电极层51b的界面附近，由第1电极层51a中所含有的Ag和第2电极层51b中所含有的Pt形成金属间化合物。该Pt与Ag的金属间化合物为贝陀立(Berthollide)型金属间化合物，柔软且具有延展性。
形成突起状电极53时，构成突起状电极53的焊料和第1电极层51a通过孔51c而连接。此时，在突起状电极53(焊料)和第1电极层51a的界面附近，由第1电极层51a中所含有的Ag和焊料中所含有的Sn形成金属间化合物，该Sn与Ag的金属间化合物为贝陀立型金属间化合物，柔软且具有延展性。
如上所述，在第1实施方式中，由于外部电极51的第1电极层51a含有玻璃物质，因而变阻器素体11和第1电极层51a(外部电极51)的连接强度升高，提高了外部电极51的耐冲击性。由于与突起状电极53相接的第2电极层51b含有Pt，因而提高了外部电极51的焊料润湿性以及耐焊料腐蚀性。
在第2电极层51b，由于在多处形成有到达第1电极层51a的孔51c，因而在第2电极层51b上形成突起状电极53时，如上所述，在焊料和第1电极层51a的界面附近，形成有Sn与Ag的金属间化合物。所以，在热循环环境下，Sn与Ag的金属间化合物起到了吸收伴随着热循环的反复应力的作用，使得在焊料和第1电极层51a之间不产生裂纹。
在第2电极层51b和突起状电极53的界面附近，由第2电极层51b所含有的Pt和焊料中所含有的Sn形成金属间化合物。这样，在热循环环境下，有可能在第2电极层51b和突起状电极53之间产生裂纹。然而，焊料和第1电极层51a夹着第2电极层51b而结合，即使万一在第2电极层51b和突起状电极53之间产生裂纹，也能确保焊料和第1电极层51a之间的连接。所以，在热循环环境下，提高了外部电极的连接可靠性。
在第1实施方式中，第2内部电极33含有Pd，第1内部电极层51a也含有Pd。当第1电极层51a含有Pd时，可以抑制含有Pd的第2内部电极33突出于变阻器素体11的主面15。结果，可以防止变阻器素体11和第1电极层51a之间的连接强度的降低。
在第1实施方式中，由于第1电极层51a含有Ag，因而可以实现外部电极51的低阻抗化。
在第1实施方式中，由于第2电极层51b含有Pt，因而不需要形成电镀层。结果，可以实现制造层叠芯片变阻器MV1时的工序的减少，有利于制造成本的降低。
(第2实施方式)
对第2实施方式所涉及的层叠芯片变阻器进行说明。图10是第2实施方式涉及的层叠芯片变阻器的剖面构成的示意图。
如图所示，层叠芯片变阻器MV2被设定为，例如长1.6mm、宽0.8mm、厚度0.8mm，即所谓的1608型层叠芯片变阻器。该层叠芯片变阻器MV2，主要在外部电极的构成上与第1实施方式涉及的层叠芯片变阻器MV1不同，除了外部电极的配置数和没有连接导体之外，各构成要素的组成等与第1实施方式涉及的层叠芯片变阻器MV1相同。
即，该层叠芯片变阻器MV2具有变阻器素体11、至少一对内部电极71、以及一对外部电极81。内部电极对71由在至少一层变阻器层介于其间的状态下前端部分相互相对的第1内部电极72以及第2内部电极73形成。第1内部电极72以及第2内部电极73以Pd作为主要成份，含有例如Ag作为次要成分。
各外部电极81分别被配置为，覆盖变阻器素体11的两端面11a。外部电极81分别与露出于各端面11a的第1内部电极72以及第2内部电极73物理连接且电连接。与外部电极51同样，外部电极81具有第1电极层81a和第2电极层81b。
第1电极层81a形成于变阻器素体11的端面11a上，含有金属以及玻璃物质。第1电极层81a含有金属Ag以及Pd。第1电极层81a是通过烧结含有金属粉末(Ag-Pd合金粉末)以及玻璃粉末的导电膏而形成的烧结电极层。
第2电极层81b形成于第1电极层81a上且含有Pt。第2电极层81b是通过烧结含有Pt粉末的导电膏而形成的烧结电极层。第2电极层81b也可以含有玻璃物质。在第2电极层81b上，在多处形成有到达第1电极层81a的孔。形成于第2电极层81b的孔，与形成于第2电极层51b的孔51c同样地形成，通过调整导电膏的附着厚度或Pt粉末的含量等，可以控制其形成状态。
外部电极81的大致一半的区域为焊脚(fillet)形成部83，通过在焊脚形成部83直接形成焊料焊脚91，可以将层叠芯片变阻器MV2安装在基板P上。通过供给的焊料膏熔融并硬化而形成焊料焊脚91。焊料焊脚91与第2电极层81b电连接且物理连接。焊料焊脚91由所谓的无铅焊料(例如，Sn-Ag-Cu系的焊料或Sn-Zn系的焊料等)形成，含有Sn。
形成焊料焊脚91时，熔融的焊料膏进入形成于第2电极层81b的各孔内。由此，焊料焊脚91和第1电极层81a通过形成于第2电极层81b的各孔而电连接且物理连接。
如上所述，在第2实施方式中，由于外部电极81的第1电极层81a含有玻璃物质，因而变阻器素体11和第1电极层81a(外部电极81)的连接强度升高，提高了外部电极81的耐冲击性。由于与焊料焊脚91相接的第2电极层81b含有Pt，因而提高了外部电极81的焊料润湿性以及耐焊料腐蚀性。
在第2电极层81b上，由于在多处形成有到达第1电极层81a的孔，因而形成焊料焊脚91时，在焊料焊脚91与第1电极层81a的界面附近，形成有Sn与Ag的金属间化合物。所以，在热循环环境下，Sn与Ag的金属间化合物起到了吸收伴随着热循环的反复应力的作用，使得在焊料焊脚91和第1电极层81a之间不产生裂纹。
在第2电极层81b和焊料焊脚91的界面附近，由第2电极层81b所含有的Pt和焊料焊脚91中所含有的Sn形成金属间化合物。因此，在热循环环境下，有可能在第2电极层81b和焊料焊脚91之间产生裂纹。然而，焊料焊脚91和第1电极层81a夹着第2电极层81b而结合，即使万一在第2电极层81b和焊料焊脚91之间产生裂纹，也能确保焊料和第1电极层81a之间的连接。所以，在热循环环境下，提高了外部电极81的连接可靠性。
以上说明了本发明的优选的实施方式，但本发明不限于上述的实施方式，能够在不脱离其要旨的范围内进行各种变形。
在本实施方式中，作为陶瓷电子部件的一个示例，说明了层叠芯片变阻器，但是只要是具有陶瓷素体的陶瓷电子部件，就没有特别的限定，例如，也能够适用于层叠电容器、层叠致动器或层叠芯片电感器等电子部件。
在本实施方式中，第1电极层51a、81a含有Pd，但不一定要含有Pd。根据内部电极所含有的金属元素，第1电极层51a、81a不一定要含有Pd，也可以含有其它金属元素以替代Pd。
从本发明的详细说明可知，本发明可作多种方式的变化。这些变化不能被视为超出了本发明的宗旨和范围，并且，这些对于本领域的技术人员来说是很显然的修改都被包含在本发明权利要求的范围之内。

Claims (6)

1.一种陶瓷电子部件，其特征在于，具备：
陶瓷素体；以及
配置于所述陶瓷素体上的外部电极，
其中，
所述外部电极具有：
形成于所述陶瓷素体的外表面上，含有Ag以及玻璃物质的第1电极层；以及
形成于所述第1电极层上，含有Pt，并在多处形成有到达所述第1电极层的孔的第2电极层。
2.如权利要求1所述的陶瓷电子部件，其特征在于，
还具备形成于所述第2电极层上且由焊料形成的突起状电极。
3.如权利要求1或2所述的陶瓷电子部件，其特征在于，
还具备配置于所述陶瓷素体内，含有Pd，并与所述第1电极层连接的内部电极，
所述第1电极层还含有Pd。
4.如权利要求1或2所述的陶瓷电子部件，其特征在于，
所述第1电极层是通过烧结含有Ag粉末以及玻璃粉末的导电膏而形成的烧结电极层。
5.如权利要求1或2所述的陶瓷电子部件，其特征在于，
所述第2电极层是通过烧结含有Pt粉末的导电膏而形成的烧结电极层。
6.如权利要求4所述的陶瓷电子部件，其特征在于，
所述第2电极层是通过烧结含有Pt粉末的导电膏而形成的烧结电极层。
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