JPH04326503A - 積層セラミックコンデンサ - Google Patents
積層セラミックコンデンサInfo
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- JPH04326503A JPH04326503A JP12486891A JP12486891A JPH04326503A JP H04326503 A JPH04326503 A JP H04326503A JP 12486891 A JP12486891 A JP 12486891A JP 12486891 A JP12486891 A JP 12486891A JP H04326503 A JPH04326503 A JP H04326503A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、積層セラミックコンデ
ンサに係り、特にその外部電極下地層の構造に関するも
のである。
ンサに係り、特にその外部電極下地層の構造に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の積層セラミックコンデン
サは、図４、図５に示すように対向電極を構成するよう
、内部電極の印刷されたセラミックシートを積層、熱圧
着したものを焼成し、積層セラミックコンデンサチップ
１０を形成し、該積層セラミックコンデンサチップの内
部電極を接合し、かつセラミック部への十分な固着力を
持つよう、該積層セラミックコンデンサチップ１０の内
部電極１の露出する側面に導電性のペーストを塗布し、
焼付法にて外部電極下地層１２を形成し、この外部電極
下地層１２上に、さらに基板のプリント回路への安定し
た半田付特性を持つ外部電極２をメッキ法や、焼付法に
よって形成した構造であった。しかし、従来の方法で一
層だけ焼き付けた外部電極下地層に外部電極を加工した
積層セラミックコンデンサでは、内部電極取り出し部分
の外部電極下地層の周辺は、外部からのメッキ液あるい
は、水分の侵入による侵食や内部電極層のセラミック層
へのマイグレーション、又は、セラミック粒侵食による
絶縁不良等の不具合を発生し易いという欠点があった。
サは、図４、図５に示すように対向電極を構成するよう
、内部電極の印刷されたセラミックシートを積層、熱圧
着したものを焼成し、積層セラミックコンデンサチップ
１０を形成し、該積層セラミックコンデンサチップの内
部電極を接合し、かつセラミック部への十分な固着力を
持つよう、該積層セラミックコンデンサチップ１０の内
部電極１の露出する側面に導電性のペーストを塗布し、
焼付法にて外部電極下地層１２を形成し、この外部電極
下地層１２上に、さらに基板のプリント回路への安定し
た半田付特性を持つ外部電極２をメッキ法や、焼付法に
よって形成した構造であった。しかし、従来の方法で一
層だけ焼き付けた外部電極下地層に外部電極を加工した
積層セラミックコンデンサでは、内部電極取り出し部分
の外部電極下地層の周辺は、外部からのメッキ液あるい
は、水分の侵入による侵食や内部電極層のセラミック層
へのマイグレーション、又は、セラミック粒侵食による
絶縁不良等の不具合を発生し易いという欠点があった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明はこれらの欠点
を除去して、外部電極下地層を形成する際、セラミック
層への固着と緻密化をペースト中のガラス質を利用し、
外部電極下地層を２層に分けて加工することによりセラ
ミック層へのガラス質浸透を積極的に行い、セラミック
層と１層目の外部電極下地層の間、及び１層目と２層目
の外部電極下地層の間に緻密で強固なガラス質層を形成
させることにより、絶縁性の劣化を防止し、耐久性のあ
る構造の外部電極下地層を持つ積層セラミックコンデン
サを供給しようとするものである。
を除去して、外部電極下地層を形成する際、セラミック
層への固着と緻密化をペースト中のガラス質を利用し、
外部電極下地層を２層に分けて加工することによりセラ
ミック層へのガラス質浸透を積極的に行い、セラミック
層と１層目の外部電極下地層の間、及び１層目と２層目
の外部電極下地層の間に緻密で強固なガラス質層を形成
させることにより、絶縁性の劣化を防止し、耐久性のあ
る構造の外部電極下地層を持つ積層セラミックコンデン
サを供給しようとするものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、積層セラミッ
クコンデンサの外部電極の形成において、積層セラミッ
クチップコンデンサと外部電極の間に加工する下地電極
層をガラス粉入り導電ペーストにより２層に分けて焼結
することで、ガラス質による高密度な層をセラミック部
の表面部、及び外部電極下地層の１層目と２層の間に形
成するよう構成したもので、メッキ液や水分等の外部か
らのセラミック内部への侵入を防止することにより、積
層セラミックコンデンサの絶縁性の劣化を防止した、耐
久性のよい積層セラミックコンデンサである。即ち、本
発明は、積層セラミックコンデンサの外部電極において
、内部電極と外部電極の間に設ける外部電極下地層を同
一組成のガラス粉入り導電ペーストを２回に分け塗布焼
付した２層構造の外部電極下地層の上に外部電極を加工
して成る構造を特徴とする積層セラミックコンデンサで
ある。
クコンデンサの外部電極の形成において、積層セラミッ
クチップコンデンサと外部電極の間に加工する下地電極
層をガラス粉入り導電ペーストにより２層に分けて焼結
することで、ガラス質による高密度な層をセラミック部
の表面部、及び外部電極下地層の１層目と２層の間に形
成するよう構成したもので、メッキ液や水分等の外部か
らのセラミック内部への侵入を防止することにより、積
層セラミックコンデンサの絶縁性の劣化を防止した、耐
久性のよい積層セラミックコンデンサである。即ち、本
発明は、積層セラミックコンデンサの外部電極において
、内部電極と外部電極の間に設ける外部電極下地層を同
一組成のガラス粉入り導電ペーストを２回に分け塗布焼
付した２層構造の外部電極下地層の上に外部電極を加工
して成る構造を特徴とする積層セラミックコンデンサで
ある。
【０００５】
【作用】同一組成のガラス粉入り導電ペーストにより、
積層セラミックコンデンサチップの内部電極層が露出す
る側面に外部電極下地層として２層にに分けて続けて焼
付け加工することにより、積層セラミックコンデンサチ
ップの表面と外部電極下地層の１層目と２層目の間にガ
ラス質が豊富で緻密な層が得られ絶縁性不良の発生を抑
え、耐久性を増した積層セラミックコンデンサが得られ
る。
積層セラミックコンデンサチップの内部電極層が露出す
る側面に外部電極下地層として２層にに分けて続けて焼
付け加工することにより、積層セラミックコンデンサチ
ップの表面と外部電極下地層の１層目と２層目の間にガ
ラス質が豊富で緻密な層が得られ絶縁性不良の発生を抑
え、耐久性を増した積層セラミックコンデンサが得られ
る。
【０００６】
【実施例】本発明の実施例について、図面を用いて説明
する。本実施例は鉛ペロブスカイト系積層セラミックコ
ンデンサを用いて、本発明の構造の積層セラミックコン
デンサと従来の構造の積層セラミックコンデンサを比較
しながら説明する。用いた試料は鉛ペロブスカイト系セ
ラミックコンデンサで、内部電極にはＡｇＰｄ系を用い
た。図４に示す焼成角とり上がりの積層セラミックコン
デンサチップ１０に、断面図で示す図１のように、外部
電極下地層用ペーストとして、ガラス粉入り銀ペースト
（ガラス含有率５％、４％、２％の３水準）を塗布後乾
燥し、ガラス粉入り銀ペーストが過焼結粒を形成する焼
結温度より１０ないし３０℃低い６５０ないし８００℃
にて焼結し、１層目の外部電極下地層３を形成する。次
に、同様前記と同じ組成のガラス粉入り銀ペーストを各
々焼き付けて、２層目の外部電極下地層４を形成した試
料を得る。このように同一組成のガラス粉入り銀ペース
トを２層に各々焼付け加工した２層構造の外部電極下地
層を持つ積層セラミックコンデンサチップ１０の外部電
極下地層の周辺を拡大して見ると、図１の（ｂ）に示す
ように積層セラミックコンデンサチップ１０のセラミッ
ク部１１の表面に５０μｍないし３００μｍのガラス浸
透層５が見られ、又１層目の外部電極下地層３と２層目
の外部電極下地層４の間はガラス質の多い緻密な層６が
認められた。積層セラミックコンデンサは上記の外部電
極下地層の外側に図２及び図３に示すように、プリント
基板へ実装しやすくするため、ニッケルメッキ層７と半
田層８（図２参照）や白金入り銀電極層９等を外部電極
として加工し、製品にしている。
する。本実施例は鉛ペロブスカイト系積層セラミックコ
ンデンサを用いて、本発明の構造の積層セラミックコン
デンサと従来の構造の積層セラミックコンデンサを比較
しながら説明する。用いた試料は鉛ペロブスカイト系セ
ラミックコンデンサで、内部電極にはＡｇＰｄ系を用い
た。図４に示す焼成角とり上がりの積層セラミックコン
デンサチップ１０に、断面図で示す図１のように、外部
電極下地層用ペーストとして、ガラス粉入り銀ペースト
（ガラス含有率５％、４％、２％の３水準）を塗布後乾
燥し、ガラス粉入り銀ペーストが過焼結粒を形成する焼
結温度より１０ないし３０℃低い６５０ないし８００℃
にて焼結し、１層目の外部電極下地層３を形成する。次
に、同様前記と同じ組成のガラス粉入り銀ペーストを各
々焼き付けて、２層目の外部電極下地層４を形成した試
料を得る。このように同一組成のガラス粉入り銀ペース
トを２層に各々焼付け加工した２層構造の外部電極下地
層を持つ積層セラミックコンデンサチップ１０の外部電
極下地層の周辺を拡大して見ると、図１の（ｂ）に示す
ように積層セラミックコンデンサチップ１０のセラミッ
ク部１１の表面に５０μｍないし３００μｍのガラス浸
透層５が見られ、又１層目の外部電極下地層３と２層目
の外部電極下地層４の間はガラス質の多い緻密な層６が
認められた。積層セラミックコンデンサは上記の外部電
極下地層の外側に図２及び図３に示すように、プリント
基板へ実装しやすくするため、ニッケルメッキ層７と半
田層８（図２参照）や白金入り銀電極層９等を外部電極
として加工し、製品にしている。
【０００７】次に従来品である１層１回焼結による外部
電極下地層を持つ比較例の試料と、本発明の同一組成の
ペーストで２層２回焼結による２層構造の外部電極下地
層を持つ本発明の実施例の試料について、同一条件にて
、Ｎｉ電解メッキ及び半田メッキを施し外部電極を形成
したものについて各１０００個の特性を比較したところ
初期特性において表１に示すように絶縁性劣化によるシ
ョート不良発生率に差が認められた。
電極下地層を持つ比較例の試料と、本発明の同一組成の
ペーストで２層２回焼結による２層構造の外部電極下地
層を持つ本発明の実施例の試料について、同一条件にて
、Ｎｉ電解メッキ及び半田メッキを施し外部電極を形成
したものについて各１０００個の特性を比較したところ
初期特性において表１に示すように絶縁性劣化によるシ
ョート不良発生率に差が認められた。
【０００８】
【表１】
【０００９】次に図６は４％ガラス粉入り銀ペーストを
用いて種々の外部電極下地層を構成し、その試料をメッ
キ液に浸漬した場合、各試料の浸漬時間と各試料を洗浄
乾燥後絶縁試験を行った時の絶縁不良の発生状況を図示
したものである。図６において、曲線１３は本発明の実
施例で外部電極下地層を２層構造で２回焼き付けたもの
、曲線１４は１層構造で１回焼き付けたもの、曲線１５
は曲線１４と同じ構造で曲線１４の倍の厚みのガラス粉
入り銀ペーストを塗布後焼付けを行ったもの、曲線１６
はガラス粉入りペーストを塗布後乾燥し更に１層塗布し
焼付けを行ったものである。外部電極下地層を２回に分
け塗布焼付けを行った本発明の実施例の図６の曲線１３
が、最も長時間外部からのメッキ液等の侵入に対して安
定であることがわかる。
用いて種々の外部電極下地層を構成し、その試料をメッ
キ液に浸漬した場合、各試料の浸漬時間と各試料を洗浄
乾燥後絶縁試験を行った時の絶縁不良の発生状況を図示
したものである。図６において、曲線１３は本発明の実
施例で外部電極下地層を２層構造で２回焼き付けたもの
、曲線１４は１層構造で１回焼き付けたもの、曲線１５
は曲線１４と同じ構造で曲線１４の倍の厚みのガラス粉
入り銀ペーストを塗布後焼付けを行ったもの、曲線１６
はガラス粉入りペーストを塗布後乾燥し更に１層塗布し
焼付けを行ったものである。外部電極下地層を２回に分
け塗布焼付けを行った本発明の実施例の図６の曲線１３
が、最も長時間外部からのメッキ液等の侵入に対して安
定であることがわかる。
【００１０】
【発明の効果】以上実施例で説明したように、本発明に
よれば、外部電極下地層を同組成のガラス粉入り銀ペー
ストにより２回に分けて塗布焼き付けて２層構造とする
ことにより、外部からの侵食による特性劣化を防止でき
、信頼性の高い積層セラミックコンデンサが提供できる
。
よれば、外部電極下地層を同組成のガラス粉入り銀ペー
ストにより２回に分けて塗布焼き付けて２層構造とする
ことにより、外部からの侵食による特性劣化を防止でき
、信頼性の高い積層セラミックコンデンサが提供できる
。
【図１】図１の（ａ）は本発明の実施例の２層に分けた
外部電極下地層を加工した積層セラミックコンデンサの
断面正面図を示し、図１の（ｂ）は外部電極下地層の周
辺を拡大して示す断面正面図。
外部電極下地層を加工した積層セラミックコンデンサの
断面正面図を示し、図１の（ｂ）は外部電極下地層の周
辺を拡大して示す断面正面図。
【図２】本発明の積層セラミックコンデンサの外部電極
下地層にニッケルメッキ層及び半田層を加工して完成し
た積層セラミックコンデンサの外部電極周辺の部分断面
正面図。
下地層にニッケルメッキ層及び半田層を加工して完成し
た積層セラミックコンデンサの外部電極周辺の部分断面
正面図。
【図３】本発明の積層セラミックコンデンサの外部電極
下地層に白金入り銀電極層を加工して完成した積層セラ
ミックコンデンサの外部電極周辺の部分断面正面図。
下地層に白金入り銀電極層を加工して完成した積層セラ
ミックコンデンサの外部電極周辺の部分断面正面図。
【図４】焼成上がり面とり加工を完了した積層セラミッ
クコンデンサチップの断面正面図。
クコンデンサチップの断面正面図。
【図５】図４の積層セラミックコンデンサチップに外部
電極を加工した状態を示す正面断面図。
電極を加工した状態を示す正面断面図。
【図６】各種外部電極下地層の試料におけるメッキ液浸
漬時間と絶縁不良の発生率の関係を示す図。
漬時間と絶縁不良の発生率の関係を示す図。
１ 内部電極
２ 外部電極
３ １層目の外部電極下地層
４ ２層目の外部電極下地層
５ ガラス浸透層
６ （第１層目の外部電極下地層と第２層目の外
部電極下地層間にできた）ガラス質の多い緻密な層７
ニッケルメッキ層 ８ 半田層 ９ 白金入り銀電極層 １０ 積層セラミックコンデンサチップ１１ セラ
ミック部 １２ 外部電極下地層
部電極下地層間にできた）ガラス質の多い緻密な層７
ニッケルメッキ層 ８ 半田層 ９ 白金入り銀電極層 １０ 積層セラミックコンデンサチップ１１ セラ
ミック部 １２ 外部電極下地層
Claims (1)
- 【請求項１】 積層セラミックコンデンサの外部電極
において、内部電極と外部電極の間に設ける外部電極下
地層を同一組成のガラス粉入り導電ペーストを２回に分
け塗布焼付した２層構造の外部電極下地層の上に外部電
極を加工して成る構造を特徴とする積層セラミックコン
デンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12486891A JPH04326503A (ja) | 1991-04-25 | 1991-04-25 | 積層セラミックコンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12486891A JPH04326503A (ja) | 1991-04-25 | 1991-04-25 | 積層セラミックコンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04326503A true JPH04326503A (ja) | 1992-11-16 |
Family
ID=14896089
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12486891A Pending JPH04326503A (ja) | 1991-04-25 | 1991-04-25 | 積層セラミックコンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04326503A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006013219A (ja) * | 2004-06-28 | 2006-01-12 | Kyocera Corp | チップ型電子部品およびその製法 |
| JP2006108189A (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-20 | Nippon Chemicon Corp | 積層セラミックコンデンサの製造方法 |
| JP2010027730A (ja) * | 2008-07-16 | 2010-02-04 | Tdk Corp | セラミック積層電子部品およびその製造方法 |
| US9694945B2 (en) | 2013-11-14 | 2017-07-04 | Csm Bakery Products Na, Inc. | Fitment coupler with cap |
-
1991
- 1991-04-25 JP JP12486891A patent/JPH04326503A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006013219A (ja) * | 2004-06-28 | 2006-01-12 | Kyocera Corp | チップ型電子部品およびその製法 |
| JP4574246B2 (ja) * | 2004-06-28 | 2010-11-04 | 京セラ株式会社 | チップ型電子部品およびその製法 |
| JP2006108189A (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-20 | Nippon Chemicon Corp | 積層セラミックコンデンサの製造方法 |
| JP4662021B2 (ja) * | 2004-09-30 | 2011-03-30 | 日本ケミコン株式会社 | 積層セラミックコンデンサの製造方法 |
| JP2010027730A (ja) * | 2008-07-16 | 2010-02-04 | Tdk Corp | セラミック積層電子部品およびその製造方法 |
| US9694945B2 (en) | 2013-11-14 | 2017-07-04 | Csm Bakery Products Na, Inc. | Fitment coupler with cap |
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