KR880006850A - 3스테이트 부설 상보형 mos집적회로 - Google Patents

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KR880006850A
KR880006850A KR870009386A KR870009386A KR880006850A KR 880006850 A KR880006850 A KR 880006850A KR 870009386 A KR870009386 A KR 870009386A KR 870009386 A KR870009386 A KR 870009386A KR 880006850 A KR880006850 A KR 880006850A
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다께노리 오끼다까
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시기모리야
미쓰비시 뎅끼 가부시끼 가이샤
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Abstract

내용 없음

Description

3스테이트 부설 상보형 MOS집적회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 일실시예에 의한 3스테이트 부설 상보형 MOS집적회로를 표시한 회로도.
제2도는 종래의 3스테이트 부설 상보형 MOS접직회로를 표시한 회로도.
제3도는 상기 실시예 및 상기 종래예의 타이밍도.
제4a도 및 (b)는 각각 제3도중(I) 및(II)의 타이밍에서 상기 종래예의 출력전단회로에서 온하고 있는 트랜지스터를 저항으로 표시한 등가회로도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 입력단자(IN) 2 : 출력단자(OUT)
3 : 전원단자 4 : 접지단자
5 : 제어입력 6 : 반전제어입력
10 : 출력회로 20 : 출력전단회로
P1, P2, P3, P4, P4', P5', P6 : P채널 MOS트랜지스터
N1, N2, N3, N4, N4', N5', N6 : N채널 MOS트랜지스터

Claims (1)

  1. 전원과 GND단자사이에 제1의 P채널 MOS트랜지스터와 제1의 N채널 MOS트랜지스터가 직렬접속되어서 된 출력회로와, 제어신호와 그 반전제어신호와 입력신호와에 상응하여 상기 출력회로를 구동하는 출력전단회로와를 구비한 3스테이트 부설 상보형 MOS집적회로에 있어서 상기 출력전단회로는 입력신호가 입력되는 제2의 P채널 MOS트랜지스터와 반전제어신호가 입력되는 제3의 P채널 MOS트랜지스터가 병렬접속되어서 된 제1병렬회로와, 제어신호가 입력되는 제4의 P채널 MOS트랜지스터와 반전제어신호가 입력되는 제5의 N채널 MOS트랜지스터가 직렬접속되어서 된 제1 직렬회로와, 제어신호가 입력되는 제5의 P채널 MOS트랜지스터와 반전제어신호가 입력되는 제4의 N채널 MOS트랜지스터와 직렬접속되어서 된 제2직렬회로가 병렬접속되어서 된 제2병렬회로와 제어신호가 입력되는 제3의 N채널 MOS트랜지스터와 입력신호가 입력되는 제2의 N채널 MOS트랜지스터가 병렬접속되어서 된 제3병렬회로와를 구비하여 상기 제1, 제2, 제3병렬회로는 전원과 GND단자간에 직렬접속되고 상기 제1, 제2병렬회로의 접속점은 상기 제1의 P채널 MOS트랜지스터의 게이트에 접속되고 상기 제2, 제3병렬회로의 접속점은 상기 제1의 N채널 MOS트랜지스터의 게이트에 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 3스테이트 부설 상보형 MOS집적회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019870009386A 1986-11-14 1987-08-27 3스테이트 부설 상보형 mos집적회로 KR900005819B1 (ko)

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JP61272602A JPS63125017A (ja) 1986-11-14 1986-11-14 3ステ−ト付相補型mos集積回路
JP86-272602 1986-11-14

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KR900005819B1 KR900005819B1 (ko) 1990-08-11

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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5208489A (en) * 1986-09-03 1993-05-04 Texas Instruments Incorporated Multiple compound domino logic circuit
US4952818A (en) * 1989-05-17 1990-08-28 International Business Machines Corporation Transmission line driver circuits
DE3930087A1 (de) * 1989-09-09 1991-03-14 Hoechst Ag Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial
US5153464A (en) * 1990-12-14 1992-10-06 Hewlett-Packard Company Bicmos tri-state output buffer
US5155382A (en) * 1992-02-07 1992-10-13 Digital Equipment Corporation Two-stage CMOS latch with single-wire clock
US5548229A (en) * 1993-12-28 1996-08-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Tri-state output buffer circuit
US5880606A (en) * 1995-12-01 1999-03-09 Lucent Technologies Inc. Programmable driver circuit for multi-source buses
US5714892A (en) * 1996-04-04 1998-02-03 Analog Devices, Inc. Three state logic input
US5977789A (en) * 1997-08-27 1999-11-02 Intel Corporation Fast-switching logic gate
US6815984B1 (en) * 2001-08-27 2004-11-09 Cypress Semiconductor Corp. Push/pull multiplexer bit

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4295062A (en) * 1979-04-02 1981-10-13 National Semiconductor Corporation CMOS Schmitt trigger and oscillator
US4507649A (en) * 1982-05-24 1985-03-26 Rca Corporation Flash A/D converter having reduced input loading
JPS5923915A (ja) * 1982-07-30 1984-02-07 Toshiba Corp シユミツトトリガ回路
JPS6048616A (ja) * 1983-08-29 1985-03-16 Nec Corp 論理回路
JPS60169220A (ja) * 1984-02-13 1985-09-02 Fujitsu Ltd トライステ−ト出力回路
JPS6121619A (ja) * 1984-06-25 1986-01-30 Fujitsu Ltd 相補型3ステ−トmisゲ−ト回路
JPS61145930A (ja) * 1984-12-19 1986-07-03 Mitsubishi Electric Corp 相補型mosトランジスタ出力回路
JPH0831789B2 (ja) * 1985-09-04 1996-03-27 沖電気工業株式会社 出力回路

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NL188672B (nl) 1992-03-16
NL8702720A (nl) 1988-06-01
US4804867A (en) 1989-02-14
KR900005819B1 (ko) 1990-08-11
JPS63125017A (ja) 1988-05-28

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