KR850008405A - 반도체 광검지기 및 그 제조방법 - Google Patents

반도체 광검지기 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

내용 없음

Description

반도체 광검지기 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 InGaAs/InP APD(Avalanchoto Diode)의 예시형태를 나타내는 횡단면도.
제2도는 본 발명에 관한 APD의 횡단면도.

Claims (16)

  1. 수광층, 상기 수광층상에 제공되고 멀티프리케이션(multoplication) 영역을 구성하기 위한 메이서(mesa)구조를 갖는 첫 번째 반도체층, 상기 첫번째 반도체층의 상기 메이서주위에 제공되고 보호링(ring)영역을 구성하기 위한 두번째 반도체층, 상기 보호링영역과 비교하여 더 낮은 레벨(level)을 갖는 상기 멀티프리케이션영역에 상응하고 표면, 상기 멸티프리케이션영역에서 상기 두번째 반도체층으로 상기 메이서를 가로질러 연장되는 pn접합과 상기 수광층사이의 거리가 상기 멀티프리케이션영역의 상기 더 낮은 표면레벨 때문에 상기 보호링영역에서의 상기거리보다 더 작거나 같아지는 것을 포함하는 적층으로 구성된 반도체 광검지기.
  2. 청구범위 제1항에 있어서, 상기 두 번째 반도체층으로 덮혀져 있는 광검지기.
  3. (a)수광층상에 형성된 첫번째 반도체층의 메이서 구조를 형성하고, 상기 메이서가 표면을 갖는 멀티프리케이션영역을 구성하기 위한 것이며, (b) 거기에 상기 메이서가 삽입되도록 상기 메이서 주위에 면적을 차지하는 두번째 반도체층을 형성하고, 상기 두번째 반도체층이 다른 표면을 갖는 보호링영역를 구성하기 위한 것이며, (c) 상기 보호링영역의 상기 다른 표면에 관한 상기 멀티프리케이션영역의 상기 표면의 레벨을 더 낮추고,(d)상기 보호링영역의 상기 다른 표면과 상기 멀티프리케이션영역의 상기 표면으로부터 불순물을 주입하며, 그것에 의해서 상기 pn접합의 실제 부분이 상기 수광층과 병행되도록 상기 두번째 반도체층으로 상기 메이서를 가로질러 연장되는 pn접합을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 광검지기에 대한 제조공정.
  4. 청구범위 제3항에 있어서, 상기 단계(b)가 상기 메이서의 상기 표면상에 마스크를 형성하는 서브스텝(substep)과, 상기 두번째 반도체층의 표면이 상기 메이서의 상기표면보다 더 높은 레벨이 될 때까지 상기 마스크를 제외한 면적상에 상기 두번째 반도체층을 선택적으로 성장시키는 다를 서브스텝을 포함하는 반도체 광검지기기에 대한 제조공정.
  5. 청구범위 제3항에 있어서, 상기 메이서가 상기 서브스텝(b)중 상기 두 번째 반도체층으로 덮혀지고, 상기 메이서상의 상기 두번째 반도체층이 상기 단계(c)중 선택적으로 제거되는 반도체 광검지기에 대한 제조공정.
  6. 청구범위 제3항에 있어서, 상기 pn접합이 상기 단계(d)중 상기 보호링영역의 상기 다른 표면과 상기 멀티프리케이션영역의 상기 표면으로부터 불순물을 동시에 확산시킴으로써 형성되는 반도체 광검지기에 대한 제조공정.
  7. 수광층, 상기 수광층상에 제공되고, 멀티프리케이션영역을 구성하기 위한 메이서구조를 갖는 첫번째반도체층, 보호링영역을 구성하기 위하여 상기 첫번째 반도체층의 상기 메이서 주위에 제공된 두 번째 반도체층, 상기 두 번째 반도체층으로 상기 첫번째 반도체층의 상기 메이서로부터 연장되는 pn접합을 포함하며, 여기서 상기 수광층과 상기 첫번째 반도체층 사이의 헤테로 접함을 가로지른 전체가 상기 보호링영역을 대향하는 영역에서 보다 상기 메이서영역을 대향하는 영역에서 더 강하도록 상기 첫 번째와 두 번째 반도체층에 상기 pn접함이 형성되는 반도체 광검지기.
  8. 청구범위 제1항에 있어서, 상기 첫번째 반도체층이 상기메이서 구조가 상기 보호링영역을 구성하기 위하여 밑에 놓여진 상기 두번째 반도체층으로 둘러싼 부분을 갖는 반도체 광검지기.
  9. 청구범위 제1항에 있어서, 상기 반도체층이 상기 광층상에 직접 형성되는 반도체 광검지기.
  10. 청구범위 제1항에 있어서, 상기 보호링영역의 상기 다른 표면과 상기 멀티프리케이션영역의 상기 표면사이에 형성된 경사를 포함하는 반도체 광검지기.
  11. 청구범위 제1항에 있어서, 세 번째 반도체층이 상기 수광층과 상기 첫번째 반도체층 사이에 형성되고, 상기 첫번째 반도체층보다 더 좁고, 상기 수광층보다 더 넓은 에너지 밴드캡을 갖는 상기 세 번째 반도체층을 포함하는 반도체 광검지기.
  12. 청구범위 제11항에 있어서, 상기 세번째 반도체층이 상기 두번째 반도체층과 상기 수광층사이에 삽입되어 연장되는 반도체 광검지기.
  13. 청구범위 제1,3 또는 7항에 있어서, 상기 수광층 1×1015~ 2×1016cm-3범위에서 n형 불순물의 농도비를 포함하는 InGaAs 또는 ImGaAsp로 구성되는 반도체 광검지기.
  14. 청구범위 제1,3또는7항에 있어서, 상기 첫 번째 반도체층이 1×1016~2×1016cm-3범위에서 n형 불순물의 농도비를 포함하는 InP로 구성되는 반도체 광검지기.
  15. 청구범위 체1,3또는 7항에 있어서, 상기 두 번째 반도체층이 1×1015~8×1015cm-3의 범위에서 n형불순물의 농도를 포함하는 InP로 구성되는 반도체 광검지기.
  16. 청구범위 제11항에 있어서, 상기 세번째 반도체층이 1×1015~2×1016cm-3범위에서 n형 불순물의 농도비를 포함하는 InGaAsP로 구성되는 반도체 광검지기.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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