JP4861887B2 - 半導体受光装置、光受信モジュールおよび半導体受光装置の製造方法 - Google Patents
半導体受光装置、光受信モジュールおよび半導体受光装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4861887B2 JP4861887B2 JP2007111617A JP2007111617A JP4861887B2 JP 4861887 B2 JP4861887 B2 JP 4861887B2 JP 2007111617 A JP2007111617 A JP 2007111617A JP 2007111617 A JP2007111617 A JP 2007111617A JP 4861887 B2 JP4861887 B2 JP 4861887B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- receiving device
- mesa
- semiconductor light
- contact layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 37
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 24
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 19
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 13
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 11
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 7
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 7
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 5
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000098 azimuthal photoelectron diffraction Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
- H01L31/107—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier working in avalanche mode, e.g. avalanche photodiodes
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
本発明は、半導体受光装置、光受信モジュールおよび半導体受光装置の製造方法に係り、速度特性の改善された特に埋め込みメサ構造を有する半導体受光装置、光受信モジュールおよび半導体受光装置の製造方法に関する。
特許文献１の図１ないし図９には、裏面入射型アバランシェフォトダイオード（ＡＰＤ：Avalanche Photo Diode）の製造工程が説明されている。また、図１１ないし図１８には表面入射型ＡＰＤの製造工程が説明されている。なお、図１８の表面入射型ＡＰＤが、ｐ型リング電極を採用しているのに対し、図９の裏面入射型ＡＰＤのｐ型電極とのコンタクト部（スルーホール）は、リング形状をしていない。しかし、裏面入射型ＡＰＤでもｐ型電極との接続用のパッシベーション層のスルーホールをリング形状として、スルーホールの内側にミラーを形成することが一般的となっている。これは、コンタクト用スルーホールの内側のパッシベーション層と電極のメタライズとによって、ミラーが形成でき、ミラーを反射した光を再び吸収することができるからである。
また、特許文献２は、電界調整層を有するＡＰＤの基本的な技術を開示している。
また、特許文献２は、電界調整層を有するＡＰＤの基本的な技術を開示している。
上述した技術では、裏面入射型ＡＰＤ、表面入射型ＡＰＤとも内側の第１メサの径より、ミラーの外径または受光径が小さい。一方、ＡＰＤの応答速度を向上するためには、素子容量を低減することが必要である。素子容量を低減するためには、第１メサの径を小さくする必要がある。しかし、裏面入射型ＡＰＤのミラーの外径および表面入射型ＡＰＤ受光径を低減すると受光感度が低下または光ファイバとの光結合のトレランスが低下する。本発明は、受光感度を低下することなくまたは受光径を低減させることなく素子容量を低減する。
上述した課題は、半導体基板上に第１の導電型の半導体結晶層と第２の導電型の半導体結晶層とからなるｐｎ接合を含む複数の半導体結晶層からなり、且つ上部に第１のコンタクト層を含むメサが形成され、前記メサの周囲が埋め込み層により埋め込まれており、前記埋め込み層の上に、前記埋め込み層と組成が異なる、前記第１のコンタクト層と接続された第２のコンタクト層が形成されており、前記第２のコンタクト層と前記第１のコンタクト層とを介して前記ｐｎ接合に電界を印加するメサ側電極と基板側電極とが接続された半導体受光装置において、前記メサ側電極部のコンタクト部は、リング形状であり、その内径は、前記メサの外形より大または同じであることを特徴とする半導体受光装置により、達成できる。
また、半導体基板上に第１の導電型の半導体結晶層と第２の導電型の半導体結晶層とからなるｐｎ接合を含む複数の半導体結晶層からなり、且つ上部に第１のコンタクト層を含むメサを形成するステップと、前記メサを埋め込む埋め込み層を結晶成長によって形成するステップと、前記埋め込み層の上に前記第１のコンタクト層と接続された第２のコンタクト層を結晶成長によって形成するステップと、前記第２のコンタクト層に接続された電極層を形成するステップとからなる半導体受光装置の製造方法により、達成される。
本発明によれば、受光感度を低下させることなくまたは受光径を低減させることなく素子容量を低減することができる。
以下本発明の実施の形態について、実施例を用い図面を参照しながら説明する。なお、同一部位には同じ参照番号を振り、説明は繰り返さない。
図１および図２を参照して、実施例１を説明する。ここで、図１は裏面入射型ＡＰＤの第２メサ周辺の断面図である。また、図２は光受信モジュールのブロック図である。
図１を参照して、裏面入射型ＡＰＤの構造および製造プロセスを説明する。なお、図１および後述する図３は、主要部の完成断面図であるが、当業者が参照すればその製造プロセスを理解可能である。
図１を参照して、裏面入射型ＡＰＤの構造および製造プロセスを説明する。なお、図１および後述する図３は、主要部の完成断面図であるが、当業者が参照すればその製造プロセスを理解可能である。
図１において、不純物濃度１×１０^１８／ｃｍ^３（１×１０１８／ｃｍ３）のｎ型ＩｎＰ基板１０１に分子線エピタキシャル成長法を用いて、ｎ型ＩｎＡｌＡｓ（不純物濃度２×１０^１８／ｃｍ^３、厚さ０.７μｍ）バッファ層１０３、ｎ型ＩｎＡｌＡｓ（５×１０^１４／ｃｍ^３、０.２μｍ）増倍層１０４、ｐ型ＩｎＡｌＡｓ／ｐ型ＩｎＧａＡｓ／ｐ型ＩｎＡｌＡｓ（１×１０^１８／ｃｍ^３、各０.０２μｍ）電界調整層１０５、ｐ型ＩｎＧａＡｓ（１×１０^１５／ｃｍ^３、１.２μｍ）光吸収層１０６、ｐ型ＩｎＡｌＧａＡｓ（５×１０^１７／ｃｍ^３、１.０μｍ）キャップ層１０７、ｐ型ＩｎＧａＡｓ（５×１０^１９／ｃｍ^３、０.１μｍ）コンタクト層１０８を形成する。
円形のハードマスクを形成した後、コンタクト層１０８、キャップ層１０７、光吸収層１０６および電界調整層１０５をリン酸系のエッチング液でエッチングする。このとき、ｐｎ接合面（電界調整層１０５とその下層の増倍層１０４との界面）が露出しないようにするために、電界調整層１０５の途中でエッチングを停止する。ここまでの工程により、基板１０１上に第１メサ１１０が形成される。
次に、有機金属気相エピタキシャル（Metal Organic VaporPhase Epitaxy：ＭＯＶＰＥ）法を用いて第１メサ１１０の周囲の基板１０１上にｐ型ＩｎＰ結晶からなる埋め込み層（１×１０^１５／ｃｍ^３、１．６μｍ）１１１を成長させる。さらに、ハードマスクを除去し、埋め込み層１１１の上部にｐ型ＩｎＧａＡｓ（５×１０^１９／ｃｍ^３、０.１μｍ）コンタクト層１０８ａを再形成する。コンタクト層１０８ａは、コンタクト層１０８と接続し、一体化する。
次に、コンタクト層１０８ａの上部に第１メサ１１０よりも径の大きい直径の円形の平面パターンを有するレジストを形成し、このレジストをマスクにしてコンタクト層１０８ａ、埋め込み層１１１、電界調整層１０５、増倍層１０４、バッファ層１０３および基板１０１の表面をＢｒ系エッチング液でエッチングする。
ここまでの工程により、第１メサ１１０の周囲の基板１０１上に第２メサ１２０が形成される。第２メサ１２０は、第１メサ１１０に対して同心円状の平面パターンを有している。
フォトレジストを除去した後、基板１０１の表面全体を絶縁性の保護膜で被覆する。保護膜は、ＳｉＮ（０．２μｍ）膜１１３とＳｉＯ２（０．３μｍ）膜１１４とを堆積することによって形成する。
保護膜をフォトリソグラフィ技術で加工することによって、コンタクト層１０８ａの一部（スルーホール）および基板１０１の図示しない一部を露出させた後、コンタクト層１０８ａに接続されるｐ型電極１１５および基板１０１に接続される図示しないｎ型電極を形成する。電極は、蒸着法で堆積した膜厚０．５μｍのＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ（本明細書において、”／”は、基板に近い側／基板に遠い側である）をフォトリソグラフィ技術でパターニングすることによって形成する。なお、コンタクト層１０８ａに形成したスルーホールは二つの同心円からなるリング形状を有している。ここで、第１メサ１１０の直径は、内側の同心円の直径以下となるようにする。この結果、内側の同心円内部は、コンタクト層１０８の上に透明保護膜１１３、１１４、メタライズとしてＴｉ／Ｐｔ／Ａｕが形成され、鏡（ミラー）を構成する。
図１において、裏面入射型ＡＰＤ２００は、裏面から入射した受信光をミラーで反射して、光吸収層１０６を双方向に通過させてキャリアを発生させ、キャリアを増倍する増倍層を設け、第１メサの径を小さくして素子容量を低減しているので、高感度でしかも速度特性に優れている。
図２に示す光受信モジュール３００は、裏面入射型ＡＰＤ２００とリミットアンプ付ＴＩＡ（Trans Impedance Amplifier）３３０とで構成される。また、リミットアンプ付ＴＩＡ３３０は、プリアンプ３３１と帰還抵抗３３２とリミットアンプ３３３とから構成され、電流入力を電圧出力に変換する負帰還アンプである。光受信モジュール３００は、裏面入射型ＡＰＤ２００において矢印で示した光信号を受信し、リミットアンプ付ＴＩＡ３３０の正相出力であるＯＵＴ１端子３１０と、逆相出力であるＯＵＴ２端子３２０とから電気信号として、出力される。
この光受信モジュール３００は、裏面入射型ＡＰＤ２００の受光径が比較的大きいのに対し、容量が小さいため、低入力インピーダンスのプリアンプとの組み合わせが可能となり、優れた高周波応答特性を実現できる。また、光軸調芯がしやすく、２.５Ｇｂｉｔ／ｓ以上の高速用途で安価・製造歩留りの高いモジュールである。
上述した実施例に拠れば、第１メサの外側にコンタクト用のスルーホールを形成できる。この結果、感度、受光径から要求される最小の第１メサ径とすることができ、素子容量を低減できる。この結果、高速応答が可能である。また、第１メサの上部は全てミラーを形成することができる。この結果、受光感度の面内分布が均一となり、ファイバとの結合が容易となる効果がある。
図３を参照して、実施例２を説明する。ここで、図３は表面入射型ＡＰＤの第２メサ周辺の断面図である。図３を参照して、表面入射型ＡＰＤの構造および製造プロセスを説明する。
図３において、不純物濃度１×１０^１８／ｃｍ^３のｎ型ＩｎＰ基板１０１に分子線エピタキシャル成長法を用いて、ｎ型ＩｎＡｌＡｓ（２×１０^１８／ｃｍ^３、０.７μｍ）バッファ層１０３、ｎ型ＩｎＡｌＡｓ（５×１０^１４／ｃｍ^３、０.２μｍ）増倍層１０４、ｐ型ＩｎＡｌＡｓ／ｐ型ＩｎＧａＡｓ／ｐ型ＩｎＡｌＡｓ（１×１０^１８／ｃｍ^３、各０.０２μｍ）電界調整層１０５、ｐ型ＩｎＧａＡｓ（１×１０^１５／ｃｍ^３、１.４μｍ）光吸収層１０６、ｐ型ＩｎＡｌＧａＡｓ（５×１０^１７／ｃｍ^３、１.０μｍ）キャップ層１０７、ｐ型ＩｎＧａＡｓ（５×１０^１９／ｃｍ^３、０.１μｍ）コンタクト層１０８を形成する。
円形のハードマスクを形成した後、コンタクト層１０８、キャップ層１０７、光吸収層１０６および電界調整層１０５をリン酸系のエッチング液でエッチングする。このとき、ｐｎ接合面が露出しないようにするために、電界調整層１０５の途中でエッチングを停止する。ここまでの工程により、基板１０１上に第１メサ１１０が形成される。
次に、有機金属気相エピタキシャル法を用いて第１メサ１１０の周囲の基板１０１上にｐ型ＩｎＰ結晶からなる埋め込み層（１×１０^１５／ｃｍ^３、１．６μｍ）１１１を成長させる。さらに、ハードマスクを除去し、埋め込み層１１１の上部にｐ型ＩｎＧａＡｓ（５×１０^１９／ｃｍ^３、０.１μｍ）コンタクト層１０８ａを再形成する。コンタクト層１０８ａは、コンタクト層１０８と接続され、一体化する。なお、実施例１では吸収層１０６の厚さが１.２μｍであったのに対し、実施例２では１.４μｍである。一方、埋め込み層１１１の厚さは、同じ１.６μｍである。埋め込み層１１１の厚さは、薄すぎると第１メサ１１０側面が上端まで埋め込まれない。逆に厚すぎると突起状に盛り上がるので、適正化を図る必要がある。ここでは、発明者等は、実験的に同じ値で問題ないことを確認した。
次に、コンタクト層１０８の上部に第１メサ１１０よりも径の大きい直径の円形の平面パターンを有するレジストを形成し、このレジストをマスクにしてコンタクト層１０８ａ、埋め込み層１１１、電界調整層１０５、増倍層１０４、バッファ層１０３および基板１０１の表面をＢｒ系エッチング液でエッチングする。
ここまでの工程により、第１メサ１１０の周囲の基板１０１上に第２メサ１２０が形成される。第２メサ１２０は、第１メサ１１０に対して同心円状の平面パターンを有している。
フォトレジストを除去した後、基板１０１の表面全体を絶縁性の保護膜で被覆する。保護膜は、ＳｉＮ（０．２μｍ）膜１１３とＳｉＯ２（０．３μｍ）膜１１４とを堆積することによって形成する。
保護膜をフォトリソグラフィ技術で加工することによって、コンタクト層１０８ａの一部（スルーホール）および基板１０１の図示しない一部を露出させる。ここで、コンタクト層１０８ａに形成したスルーホールは、二つの同心円からなるリング形状をしており、第１メサ１１０の直径は内側の同心円の直径以下となるようにする。再度フォトリソグラフィ技術により、コンタクト層１０８ａ上に形成したスルーホールの内側のＳｉＯ２膜１１４をエッチングする。この結果、スルーホールの内側に残ったＳｉＮ膜１１３は、反射防止膜として機能する。
続いてのコンタクト層１０８ａに接続されるｐ型電極１１５および基板１０１に接続される図示しないｎ型電極を形成する。電極は、蒸着法で堆積した膜厚０．５μｍのＴｉ／Ｐｔ／Ａｕをフォトリソグラフィ技術でパターニングすることによって形成する。なお、ｐ型電極１１５は、リング形状であり、その内側が受光部である。また、図３では断面部分のみ記載している。
図３において、表面入射型ＡＰＤ２００Ａは、表面から入射した受信光を実施例１より厚い光吸収層１０６を片方向に通過させてキャリアを発生させ、キャリアを増倍する増倍層を設け、素子容量を低減しているので、高感度でしかも特性に優れている。
図３を参照して説明した表面入射型ＡＰＤ２００Ａも図２の光受信モジュールとすることで、容量が小さく、低入力インピーダンスのプリアンプとの組み合わせが可能となり、優れた高周波応答特性を実現できる。また、光軸調芯がしやすく、２.５Ｇｂｉｔ／ｓ以上の高速用途で安価・製造歩留りの高いモジュールを得ることが可能である。
図３を参照して説明した表面入射型ＡＰＤ２００Ａも図２の光受信モジュールとすることで、容量が小さく、低入力インピーダンスのプリアンプとの組み合わせが可能となり、優れた高周波応答特性を実現できる。また、光軸調芯がしやすく、２.５Ｇｂｉｔ／ｓ以上の高速用途で安価・製造歩留りの高いモジュールを得ることが可能である。
上述した実施例に拠れば、第１メサの外側にリング状電極を形成できる。この結果、受光径から要求される最小の第１メサ径とすることができ、素子容量を低減できる。この結果、高速応答が可能である。
１０１…ＩｎＰ基板、１０３…バッファ層、１０４…増倍層、１０５…電界調整層、１０６…光吸収層、１０７…キャップ層、１０８…コンタクト層、１１０…第１メサ、１１１…埋め込み層、１１３…ＳｉＯ２層、１１４…ＳｉＮ層、１１５…ｐ型電極、１２０…第２メサ、２００…アバランシェフォトダイオード、３００…光受信モジュール、３１０…ＯＵＴ１端子、３２０…ＯＵＴ２端子、３３０…リミットアンプ付ＴＩＡ、３３１…プリアンプ、３３２…負帰還抵抗、３３３…リミットアンプ。
Claims (8)
- 半導体基板上に第１の導電型の半導体結晶層と第２の導電型の半導体結晶層とからなるｐｎ接合を含む複数の半導体結晶層からなり、且つ上部に第１のコンタクト層を含むメサが形成され、
前記メサの周囲が埋め込み層により埋め込まれており、
前記埋め込み層の上に、前記埋め込み層と組成が異なる、前記第１のコンタクト層と接続された第２のコンタクト層が形成されており、
前記第２のコンタクト層と前記第１のコンタクト層とを介して前記ｐｎ接合に電界を印加するメサ側電極と基板側電極とが接続された半導体受光装置において、
前記メサ側電極部のコンタクト部は、リング形状であり、その内径は、前記メサの外形より大または同じであることを特徴とする半導体受光装置。 - 請求項１に記載の半導体受光装置であって、
前記埋め込み層は、結晶成長にて形成された単一の導電型であることを特徴とする半導体受光装置。 - 請求項１または請求項２に記載の半導体受光装置であって、
前記メサ側電極部は、リング形状であり、その内側に表面から入射された光を透過する反射防止部を有することを特徴とする半導体受光装置。 - 請求項１または請求項２に記載の半導体受光装置であって、
前記メサ側電極は、裏面から入射された光を反射する鏡を有することを特徴とする半導体受光装置。 - 請求項１から請求項４のいずれか一つに記載の半導体受光装置と、電流入力を電圧出力に変換する負帰還アンプと、からなることを特徴とする光受信モジュール。
- 半導体基板上に第１の導電型の半導体結晶層と第２の導電型の半導体結晶層とからなるｐｎ接合を含む複数の半導体結晶層からなり、且つ上部に第１のコンタクト層を含むメサを形成するステップと、
前記メサを埋め込む埋め込み層を結晶成長によって形成するステップと、
前記埋め込み層の上に前記第１のコンタクト層と接続された第２のコンタクト層を結晶成長によって形成するステップと、
前記第２のコンタクト層に接続された電極層を形成するステップとからなる半導体受光装置の製造方法。 - 請求項６に記載の半導体受光装置の製造方法であって、
前記埋め込み層と前記第２のコンタクト層とは異なる組成であることを特徴とする半導体受光装置の製造方法。 - 請求項６または請求項７に記載の半導体受光装置の製造方法であって、
前記埋め込み層は、単一の導電型であることを特徴とする半導体受光装置の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007111617A JP4861887B2 (ja) | 2007-04-20 | 2007-04-20 | 半導体受光装置、光受信モジュールおよび半導体受光装置の製造方法 |
| US12/081,385 US7875905B2 (en) | 2007-04-20 | 2008-04-15 | Semiconductor optical receiver device, optical receiver module, and method for manufacturing semiconductor optical receiver device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007111617A JP4861887B2 (ja) | 2007-04-20 | 2007-04-20 | 半導体受光装置、光受信モジュールおよび半導体受光装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2008270529A JP2008270529A (ja) | 2008-11-06 |
| JP4861887B2 true JP4861887B2 (ja) | 2012-01-25 |
Family
ID=39885934
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007111617A Active JP4861887B2 (ja) | 2007-04-20 | 2007-04-20 | 半導体受光装置、光受信モジュールおよび半導体受光装置の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7875905B2 (ja) |
| JP (1) | JP4861887B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8338317B2 (en) * | 2011-04-06 | 2012-12-25 | Infineon Technologies Ag | Method for processing a semiconductor wafer or die, and particle deposition device |
| JP5394966B2 (ja) | 2010-03-29 | 2014-01-22 | 日本オクラロ株式会社 | 半導体受光素子及びその製造方法 |
| JP5983076B2 (ja) * | 2012-06-15 | 2016-08-31 | 三菱電機株式会社 | フォトダイオードアレイ |
| FR2992472B1 (fr) * | 2012-06-20 | 2014-08-08 | Commissariat Energie Atomique | Recepteur optique semi-conducteur a structure pin |
| KR101700779B1 (ko) | 2012-09-21 | 2017-01-31 | 한국전자통신연구원 | 포토믹서 및 그의 제조방법 |
| JP6502697B2 (ja) | 2015-02-18 | 2019-04-17 | 日本オクラロ株式会社 | 半導体受光素子、受信モジュール及びそれらの製造方法 |
| JP6470386B1 (ja) | 2017-11-24 | 2019-02-13 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光検出回路 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0750807B2 (ja) * | 1984-03-28 | 1995-05-31 | 東北大学長 | 接合型半導体発光素子 |
| JPS611064A (ja) * | 1984-05-31 | 1986-01-07 | Fujitsu Ltd | 半導体受光装置 |
| JPS6231179A (ja) * | 1985-08-02 | 1987-02-10 | Fujitsu Ltd | 半導体受光素子の製造方法 |
| US5610416A (en) * | 1995-02-16 | 1997-03-11 | Hewlett-Packard Company | Avalanche photodiode with epitaxially regrown guard rings |
| US5866936A (en) * | 1997-04-01 | 1999-02-02 | Hewlett-Packard Company | Mesa-structure avalanche photodiode having a buried epitaxial junction |
| JP4220688B2 (ja) | 2001-02-26 | 2009-02-04 | 日本オプネクスト株式会社 | アバランシェホトダイオード |
| JP2004179404A (ja) * | 2002-11-27 | 2004-06-24 | Opnext Japan Inc | 半導体受光装置およびその製造方法 |
-
2007
- 2007-04-20 JP JP2007111617A patent/JP4861887B2/ja active Active
-
2008
- 2008-04-15 US US12/081,385 patent/US7875905B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2008270529A (ja) | 2008-11-06 |
| US7875905B2 (en) | 2011-01-25 |
| US20080265357A1 (en) | 2008-10-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4220688B2 (ja) | アバランシェホトダイオード | |
| JP4861887B2 (ja) | 半導体受光装置、光受信モジュールおよび半導体受光装置の製造方法 | |
| JP5192272B2 (ja) | フォトダイオード | |
| CN104576810A (zh) | 共面电极模拟光电探测器芯片及其制作方法 | |
| JP2010278406A (ja) | アバランシェホトダイオード及びこれを用いた光受信モジュール | |
| JP5197930B2 (ja) | 半導体受光素子の製造方法 | |
| JP6560642B2 (ja) | アバランシェフォトダイオードおよびその製造方法 | |
| JP4861388B2 (ja) | アバランシェホトダイオード | |
| JP2011258809A (ja) | 半導体受光素子 | |
| JP4109159B2 (ja) | 半導体受光素子 | |
| CN109686805B (zh) | 硅基高速高响应pin光电探测器及其制作方法 | |
| JP4719763B2 (ja) | 受信器の製造方法 | |
| US11164986B2 (en) | Avalanche photodiode and method of manufacturing the same | |
| JP6660282B2 (ja) | 受光素子 | |
| JP4137568B2 (ja) | 受信器 | |
| JP2005129789A (ja) | 半導体受光素子 | |
| CN111312835A (zh) | 单电子传输雪崩光电二极管结构及制作方法 | |
| JPH02105585A (ja) | 半導体受光素子 | |
| JP4786440B2 (ja) | 面入射型受光素子および光受信モジュール | |
| JP2005129776A (ja) | 半導体受光素子 | |
| JP7147669B2 (ja) | 半導体受光素子 | |
| WO2021100082A1 (ja) | 受光素子およびその製造方法 | |
| JP6502697B2 (ja) | 半導体受光素子、受信モジュール及びそれらの製造方法 | |
| KR100440253B1 (ko) | 광수신기 및 그 제조 방법 | |
| JP2004179404A (ja) | 半導体受光装置およびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20091111 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101019 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101019 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101217 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110802 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110919 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20111011 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20111107 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4861887 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141111 Year of fee payment: 3 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |